CN210224589U - 一种新型调q激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型调Q激光器，双室聚光腔设有柱状聚光室与通光室，所述聚光室与通光室并排布置且聚光室设在通光室下侧，所述聚光室内壁上装有泵浦源，所述聚光室内部装有增益介质；聚光室一侧安装有KTP晶体单元；聚光室的另一侧设置有折返棱镜；KTP晶体单元的另一侧安装有准直镜；准直镜的另一侧设有折射镜单元；通光室一侧安装有输出镜；通光室的另一侧设有PBS电压控制单元；PBS电压控制单元另一侧安装有玻片9；玻片9的另一侧设置有电光调Q电场单元；所述电场腔两侧设有电极板；电光调Q电场单元另一设有全反镜；本实用新型结构紧凑，能够通过转镜与电光两种方式调节品质因数Q值，进一步增加激光器峰值功率。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光技术领域，具体为一种新型调Q激光器。
背景技术
激光器是一种能发射激光的装置，激光器按工作介质分，可分为气体激光器、固体激光器、半导体激光器和染料激光器4大类，现阶段随着激光技术的发展，根据人们的需求开始出现大功率的激光器，大功率的激光器多数为脉冲激光器，普通的脉冲激光器输出波形多为一些列不规则的尖峰组成，其峰值功率交低，所以我们需要调整激光器中的品质因数，现阶段对品质因数Q的调整方式单一，所以我们需要一种新型的调Q激光器。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型调Q激光器，结构紧凑，能够通过转镜与电光两种方式调节品质因数Q值，进一步增加激光器峰值功率上限。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型调Q激光器，包括基准板、折射镜单元、KTP晶体单元、折返棱镜、输出镜、双室聚光腔、电光调Q电场单元、全反镜，所述双室聚光腔设有柱状聚光室与通光室，所述聚光室与通光室并排布置且聚光室设在通光室下侧，所述聚光室内壁上装有泵浦源，所述聚光室内部装有增益介质；所述双室聚光腔安装在基准板靠近中部的位置；所述聚光室一侧安装有KTP晶体单元；所述聚光室的另一侧设置有折返棱镜；所述KTP晶体单元的另一侧安装有准直镜；所述准直镜的另一侧设有折射镜单元；所述通光室一侧安装有输出镜；所述通光室的另一侧设有PBS电压控制单元；所述PBS电压控制单元另一侧安装有玻片9；所述玻片9的另一侧设置有电光调Q电场单元；所述电光调Q电场单元包括电场腔，所述电场腔两侧设有电极板；所述电光调Q电场单元另一设有全反镜；所述PBS电压控制单元与所述电光调Q电场单元相连接。
优选的，所述聚光室、KTP晶体单元、折返棱镜、准直镜以及折射镜单元在同一条水平直线上；所述通光室、输出镜、玻片9、电光调Q电场单元以及全反镜在同一条水平直线上。
优选的，所述泵浦源为氙灯，所述增益介质为Nd:YAG激光棒。
优选的，所述折射镜单元包括折射镜与旋转柱；所述折射镜安装在旋转柱外侧；所述折射镜单元安装在基准板的一侧靠近边缘的位置。
优选的，所述PBS电压控制单元内置有微型变压器与电压控制芯片，电压控制芯片与所述微型变压器电性连接，电压控制芯片的型号为UC3844。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过两种方式调节激光器的Q值，可进行转镜调Q与电光调Q，并且同时使用两种调Q方式可以提高激光器的功率上限；使用时，装置通电，通过电源给泵浦源提供电能，泵浦源产生光能，光能在聚光室的不断反射照射在增益介质(Nd:YAG激光棒)上，增益介质通过吸收光能，产生激发辐射光子，方向各异，偏离聚光室内的光子很快逸出聚光室外，只有沿聚光室轴线方向振荡的光子进入折返棱镜，折返棱镜可对光子进行震荡并折返回聚光室，使光子可通过聚光室轴线进入KTP晶体单元，KTP晶体单元内置有KTP晶体，光子通过KTP晶体频率扩大一倍并进入准直镜，准直镜对光子准直，准直后的光子进入折射镜单元，通过转动折射镜单元可以输出通过转镜调Q后的激光，并且转动折射镜单元可以将光子反射到全反镜上，通光全反镜将光子反射到电光调Q电场单元，PBS电压控制单元调整电场腔的电压，对光子进行电光调Q，电光调Q后光子通过玻片、通光室与输出镜，由此形成特定波长的激光。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型俯视图。
图中：1、基准板；2、折射镜单元；3、准直镜；4、KTP晶体单元；5、折返棱镜；6、输出镜；7、双室聚光腔；8、PBS电压控制单元；9、玻片；10、电光调Q电场单元；11、全反镜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种新型调Q激光器，包括基准板1、折射镜单元2、KTP晶体单元4、折返棱镜5、输出镜6、双室聚光腔7、电光调Q电场单元10、全反镜11，所述双室聚光腔7设有柱状聚光室与通光室，所述聚光室与通光室并排布置且聚光室设在通光室下侧，所述聚光室内壁上装有泵浦源，所述聚光室内部装有增益介质；所述双室聚光腔7安装在基准板1靠近中部的位置；所述聚光室一侧安装有KTP晶体单元4；所述聚光室的另一侧设置有折返棱镜5；所述KTP晶体单元4的另一侧安装有准直镜3；所述准直镜3的另一侧设有折射镜单元2；所述通光室一侧安装有输出镜6；所述通光室的另一侧设有PBS电压控制单元8；所述PBS电压控制单元8另一侧安装有玻片9；所述玻片9的另一侧设置有电光调Q电场单元10；所述电光调Q电场单元10包括电场腔，所述电场腔两侧设有电极板；所述电光调Q电场单元10另一设有全反镜11；所述PBS电压控制单元8与所述电光调Q电场单元10相连接。
进一步的，所述聚光室、KTP晶体单元4、折返棱镜5、准直镜3以及折射镜单元2在同一条水平直线上；所述通光室、输出镜6、玻片9、电光调Q电场单元10以及全反镜11在同一条水平直线上。
进一步的，所述泵浦源为氙灯，所述增益介质为Nd:YAG激光棒。
进一步的，所述折射镜单元2包括折射镜与旋转柱；所述折射镜安装在旋转柱外侧；所述折射镜单元2安装在基准板1的一侧靠近边缘的位置。
进一步的，所述PBS电压控制单元8内置有微型变压器与电压控制芯片，电压控制芯片与所述微型变压器电性连接，电压控制芯片的型号为UC3844。
本实用新型在具体实施时，装置通电，通过电源给泵浦源提供电能，泵浦源产生光能，光能在双室聚光腔7的聚光室不断反射照射在增益介质(Nd:YAG激光棒)上，增益介质通过吸收光能，产生激发辐射光子，方向各异，偏离聚光室内的光子很快逸出聚光室外，只有沿聚光室轴线方向振荡的光子进入折返棱镜5，折返棱镜5可对光子进行震荡并折返回聚光室，使光子可通过聚光室轴线进入KTP晶体单元4，KTP晶体单元4内置有KTP晶体，光子通过KTP晶体频率扩大一倍并进入准直镜3，准直镜3对光子准直，准直后的光子进入折射镜单元2，通过转动折射镜单元2可以输出通过转镜调Q后的激光，并且转动折射镜单元2可以将光子反射到全反镜11上，通光全反镜11将光子反射到电光调Q电场单元10，PBS电压控制单元8调整电场腔的电压对光子进行电光调Q，电光调Q后光子通过玻片9、通光室与输出镜6，由此形成特定波长的激光；本实用新型通过两种方式调节激光器的Q值，可进行转镜调Q与电光调Q，并且同时使用两种调Q方式，可以提高激光器的功率上限。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种新型调Q激光器，包括基准板(1)、折射镜单元(2)、KTP晶体单元(4)、折返棱镜(5)、输出镜(6)、双室聚光腔(7)、电光调Q电场单元(10)、全反镜(11)，其特征在于：所述双室聚光腔(7)设有柱状聚光室与通光室，所述聚光室与通光室并排布置且聚光室设在通光室下侧，所述聚光室内壁上装有泵浦源，所述聚光室内部装有增益介质；所述双室聚光腔(7)安装在基准板(1)靠近中部的位置；所述聚光室一侧安装有KTP晶体单元(4)；所述聚光室的另一侧设置有折返棱镜(5)；所述KTP晶体单元(4)的另一侧安装有准直镜(3)；所述准直镜(3)的另一侧设有折射镜单元(2)；所述通光室一侧安装有输出镜(6)；所述通光室的另一侧设有PBS电压控制单元(8)；所述PBS电压控制单元(8)另一侧安装有玻片(9)；所述玻片(9)的另一侧设置有电光调Q电场单元(10)；所述电光调Q电场单元(10)包括电场腔，所述电场腔两侧设有电极板；所述电光调Q电场单元(10)另一设有全反镜(11)；所述PBS电压控制单元(8)与所述电光调Q电场单元(10)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型调Q激光器，其特征在于：所述聚光室、KTP晶体单元(4)、折返棱镜(5)、准直镜(3)以及折射镜单元(2)在同一条水平直线上；所述通光室、输出镜(6)、玻片(9)、电光调Q电场单元(10)以及全反镜(11)在同一条水平直线上。
3.根据权利要求1所述的一种新型调Q激光器，其特征在于：所述泵浦源为氙灯，所述增益介质为Nd:YAG激光棒。
4.根据权利要求1所述的一种新型调Q激光器，其特征在于：所述折射镜单元(2)包括折射镜与旋转柱；所述折射镜安装在旋转柱外侧；所述折射镜单元(2)安装在基准板(1)的一侧靠近边缘的位置。
5.根据权利要求1所述的一种新型调Q激光器，其特征在于：所述PBS电压控制单元(8)内置有微型变压器与电压控制芯片，电压控制芯片与所述微型变压器电性连接，电压控制芯片的型号为UC3844。
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Publications (1)
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| CN210224589U true CN210224589U (zh) | 2020-03-31 |
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2019
- 2019-10-01 CN CN201921659667.7U patent/CN210224589U/zh active Active
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