CN210120413U - 基于bms的mos管驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型揭示了一种基于BMS的MOS管驱动电路，所述驱动电路包括串联设置的电池组、第一MOS管、第二MOS管及负载，其中，所述第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连，第一MOS管的栅极连接有第一保护开关，第一MOS管的源极与电池组负极相连，第二MOS管的源极与负载相连，第二MOS管的源极和栅极之间串联设置有第二保护开关和电压源。本实用新型的MOS管驱动电路通过在充电保护MOS管的源极和栅极之间增加电压源，能够实现P‑端MOS管的隔离驱动，无需移除负载即可开启充电保护MOS管进行充电操作，另外，该驱动电路对外部电池包的总电压也没有要求。
Description
技术领域
本实用新型属于电池管理系统技术领域，具体涉及一种基于BMS的MOS管驱动电路。
背景技术
电池管理系统(BATTERY MANAGEMENT SYSTEM，BMS)是电池与用户之间的纽带，主要对象是二次电池，其能够提高电池的利用率，防止电池出现过度充电和过度放电，可用于电动汽车、电瓶车、机器人、无人机等。
参图1所示为现有技术中MOS管驱动电路的示意图，其主要包括电池组1、第一MOS管2、第二MOS管3、第一保护开关4、第二保护开关5、及负载6，电池组1、第一MOS管2、第二MOS管3级负载6串联成一个回路。其中，第一MOS管2用于放电保护，第二MOS管3用于充电保护，第一保护开关4为放电保护开关，其与第一MOS管2的栅极相连，第二保护开关5为充电保护开关，其与第二MOS管3的栅极相连，第一MOS管2的漏极与第二MOS管3的漏极相连，第一MOS管2的源极与外部电池电芯的负极B-相连，第二MOS管的源极与外部电池保护板的负极P-相连。
现有技术中的MOS管驱动电路存在负载没有移除的情况下充电保护MOS管无法开启的缺点，具体原因如下：
V_DHG为第一MOS管2的开启电压，V_CHG为第二MOS管3的开启电压，假设两者均为10V，负载6等效于一个电容和电阻并联，当第一MOS管2和第二MOS管3均处于关断状态时，负载6没有移除，则P-端电压值等于电池组1的电压，若电池组1电压大于10V，则P-端电压大于10V，当充电保护开关闭合时，第二MOS管3的VGS电压等于V_CHG减去P-端电压，此时第二MOS管3的VGS小于0，无法开启第二MOS管3。
因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于BMS的MOS管驱动电路。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种基于BMS的MOS管驱动电路，以解决现有技术中负载没有移除的情况下充电保护MOS管无法开启的问题。
为了实现上述目的，本实用新型一实施例提供的技术方案如下：
一种基于BMS的MOS管驱动电路，所述驱动电路包括串联设置的电池组、第一MOS管、第二MOS管及负载，其中，所述第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连，第一MOS管的栅极连接有第一保护开关，第一MOS管的源极与电池组负极相连，第二MOS管的源极与负载相连，第二MOS管的源极和栅极之间串联设置有第二保护开关和电压源。
一实施例中，所述电压源的正极与第二保护开关相连，电压源的负极与第二MOS管的源极相连。
一实施例中，所述电压源的电压为10V～15V。
一实施例中，所述第一MOS管的栅极和第一保护开关之间设有第一限流电阻，第一MOS管的栅极与第一MOS管的源极之间设有第一泄放电阻。
一实施例中，所述第一限流电阻和第一保护开关之间设有第一肖特基二极管。
一实施例中，所述第二MOS管的栅极和第二保护开关之间设有第二限流电阻，第二MOS管的栅极与第二MOS管的源极之间设有第二泄放电阻。
一实施例中，所述第二限流电阻和第二保护开关之间设有第二肖特基二极管。
与现有技术相比，本实用新型中MOS管驱动电路通过在充电保护MOS管的源极和栅极之间增加电压源，能够实现P-端MOS管的隔离驱动，无需移除负载即可开启充电保护MOS管进行充电操作，另外，该驱动电路对外部电池包的总电压也没有要求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中MOS管驱动电路的示意图；
图2为本实用新型一实施方式中MOS管驱动电路的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
并且，应当理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件或结构，但是这些被描述对象不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将这些描述对象彼此区分开。例如，第一MOS管可以被称为第二MOS管，并且类似地第二MOS管也可以被称为第一MOS管，这并不背离本申请的保护范围。
并且，在不同的实施方式中可能使用相同的标号或标记，但这并不代表结构或者功能上的联系，而仅仅是为了描述的方便。
参图2所示为本实用新型一具体实施方式中一种基于BMS的MOS管驱动电路，包括串联设置的电池组1、第一MOS管2、第二MOS管3及负载6，其中，第一MOS管2的漏极与第二MOS管3的漏极相连，第一MOS管2的栅极连接有第一保护开关4，第一MOS管2的源极与电池组1负极相连，第二MOS管3的源极与负载6相连，第二MOS管3的源极和栅极之间串联设置有第二保护开关5和电压源7。
具体地，电压源7的正极与第二保护开关5相连，电压源7的负极与第二MOS管3的源极相连，该电压源7为与系统地和电池地隔离的独立电源。优选地，电压源的电压为10V～15V。
进一步地，第一MOS管2的栅极和第一保护开关4之间设有第一限流电阻11，第一MOS管2的栅极与第一MOS管2的源极之间设有第一泄放电阻12，第一限流电阻11和第一保护开关4之间设有第一肖特基二极管13。
第二MOS管3的栅极和第二保护开关5之间设有第二限流电阻21，第二MOS管3的栅极与第二MOS管3的源极之间设有第二泄放电阻22，第二限流电阻21和第二保护开关5之间设有第二肖特基二极管23。
本实施方式中的第一限流电阻和第二限流电阻用于对回路中通过的电流进行限制，第一肖特基二极管和第二肖特基二极管用于对外部电流方向进行限制，第一泄放电阻和第二泄放电阻用于泄放MOS管上存储的电荷。
本实用新型中驱动电源的原理如下：
电压源7的负极与P-端连接，则V_CHG的值相对于P-端始终不变，当第一MOS管2和第二MOS管3均处于关断状态时，负载6没有移除，则P-端电压值等于电池组1的电压，而V_CHG的值等于电压源7的电压加P-端电压。当第二保护开关5闭合时，第二MOS管3的VGS电压值等于V_CHG电压减去P-端电压，即等于电压源7电压值，取电压源7电压为10V，则第二MOS管3可以开启。
当然，在其他实施方式中电压源的电压根据第二MOS管的VGS电压值进行设置，而不限于10V～15V。
由以上技术方案可以看出，本实用新型具有以下有益效果：
MOS管驱动电路通过在充电保护MOS管的源极和栅极之间增加电压源，能够实现P-端MOS管的隔离驱动，无需移除负载即可开启充电保护MOS管进行充电操作，另外，该驱动电路对外部电池包的总电压也没有要求。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.一种基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括串联设置的电池组、第一MOS管、第二MOS管及负载，其中，所述第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极相连，第一MOS管的栅极连接有第一保护开关，第一MOS管的源极与电池组负极相连，第二MOS管的源极与负载相连，第二MOS管的源极和栅极之间串联设置有第二保护开关和电压源。
2.根据权利要求1所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述电压源的正极与第二保护开关相连，电压源的负极与第二MOS管的源极相连。
3.根据权利要求2所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述电压源的电压为10V～15V。
4.根据权利要求1所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管的栅极和第一保护开关之间设有第一限流电阻，第一MOS管的栅极与第一MOS管的源极之间设有第一泄放电阻。
5.根据权利要求4所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述第一限流电阻和第一保护开关之间设有第一肖特基二极管。
6.根据权利要求1所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述第二MOS管的栅极和第二保护开关之间设有第二限流电阻，第二MOS管的栅极与第二MOS管的源极之间设有第二泄放电阻。
7.根据权利要求6所述的基于BMS的MOS管驱动电路，其特征在于，所述第二限流电阻和第二保护开关之间设有第二肖特基二极管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920861152.9U CN210120413U (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 基于bms的mos管驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201920861152.9U CN210120413U (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 基于bms的mos管驱动电路 |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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| CN201920861152.9U Active CN210120413U (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 基于bms的mos管驱动电路 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN210120413U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116932448A (zh) * | 2023-09-14 | 2023-10-24 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种i2c总线隔离电路 |
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2019
- 2019-06-10 CN CN201920861152.9U patent/CN210120413U/zh active Active
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| CN116932448A (zh) * | 2023-09-14 | 2023-10-24 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种i2c总线隔离电路 |
| CN116932448B (zh) * | 2023-09-14 | 2024-01-23 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种i2c总线隔离电路 |
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