CN210111014U - 合路器 - Google Patents

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刘国安
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Abstract

本实用新型提供一种合路器,其包括具有空腔的腔体及盖板,腔体两端分别设有连接端口,腔体内设有用于将空腔分隔形成高通滤波腔和低通滤波腔的隔板;高通滤波腔内设有两端分别对应与腔体两端的连接端口电性连接的导体组件,导体组件包括多个导体,多个导体沿所述空腔纵长方向排列并依次容性耦合连接;低通滤波腔内设有两端分别对应与输入和输出的连接端口电性连接的带状线滤波通路。本实用新型的合路器集成有低通通路和高通通路,可应用于5G高频段,达到Q值高,功率容量大、通带宽、高隔离度等优点。

Description

合路器
技术领域
本实用新型涉及移动通信领域,尤其涉及一种合路器。
背景技术
腔体滤波器、腔体合路器在现代通信领域被广泛使用,基本功能为:让有用信号最大限度在信号链路上通过,将无用的信号最大限度地抑制掉,同时合路器还能对不同频段信号进行分合路。随着5G技术的迅速推进,为了获取更大的信道容量、更高的传输速率,移动通信系统正向着更高频率发展。为了实现与现有系统共存,要求合路器能满足更宽的带宽需求。这样,在移动通信系统演进的过程中,自然就需要高性能的合路器。
现有技术中的合路器,实现方式主要是同轴谐振腔带通通路之间的合路。其优点是Q值高,功率容量大,可通过交叉耦合的方式来增加极点,满足强带外抑制的要求,但其缺点是随着带宽的增加,现有合路技术无法实现1.5GHz以上的带宽。这样的合路器无法满足移动通信系统间的高隔离度、高功率、通带宽的要求,必须寻找更好的合路方案。
实用新型内容
本实用新型的目的旨在提供一种集成有高通通路和低通通路的合路器,适应于5G技术发展,且具有Q值高,功率容量大、通带宽、高隔离度、易于生产加工等优点。
为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
本实用新型涉及一种合路器,包括腔体及与腔体相盖装的盖板,所述腔体内设有纵长型的空腔,并于所述空腔纵长方向的两端分别形成有用于输入和输出的连接端口,所述腔体内设有用于将所述空腔分隔形成高通滤波腔和低通滤波腔的隔板,所述隔板沿所述空腔的纵长方向延伸;所述高通滤波腔内设有两端分别对应与输入和输出的连接端口电性连接的导体组件,所述导体组件包括多个导体,所述多个导体沿所述空腔纵长方向排列并依次容性耦合连接;所述低通滤波腔内设有两端分别对应与输入和输出的连接端口电性连接的带状线滤波通路。
进一步设置:至少部分所述导体朝向所述腔体的侧壁或隔板延伸并形成与所述腔体固定的支撑件。
进一步设置:所述支撑件包括金属支撑片,且所述金属支撑片远离导体的一端开设有供穿入所述隔板的紧固件贯穿并用于固定所述金属支撑片与所述腔体的安装孔。
进一步设置:所述导体包括第一导体及第二导体,所述支撑件设于第一导体上,所述第一导体远离所述第二导体的一侧开设有连接孔,所述连接孔与第二导体等高设置,相邻两个所述导体通过对应设置的第二导体与连接孔的套接实现容性耦合连接。
进一步设置:所述第二导体插入与其相邻导体的连接孔中的长度被设定为与滤波器的截止频率呈负相关。
进一步设置:相邻两个所述导体之间设有用于分隔相邻导体的介质件,所述介质件包括插设于所述第二导体与所述连接孔之间的介质套及设于介质套的端部并用于分隔相邻导体的第一导体的介质片。
进一步设置:所述连接端口包括公共端口、第一连接端口及第二连接端口,所述公共端口设于所述腔体沿其纵长方向的两端的其中一端并与所述高通滤波腔和低通滤波腔均连通,所述第一连接端口和第二连接端口设于所述腔体相对公共端口设置的另一端,且所述第一连接端口与高通滤波腔连接,所述第二连接端口与低通滤波腔连接。
进一步设置:所述带状线滤波通路包括第一金属片和第二金属片;
所述第一金属片位于第二金属片上方且两者具有间隙并形成电容,所述第一金属片及和第二金属片通过介质螺钉固定于所述腔体内;
所述第一金属片与所述第二连接端口连接;
所述第二金属片与所述公共端口连接,且其包括沿所述空腔纵长方向设置的中间部及位于中间部两侧的延伸部,位于中间部同一侧的相邻延伸部之间具有间隙以形成所述第二金属片的凹槽。
进一步设置:所述低通滤波腔内还设有连接于第二连接端口和带状线滤波通路之间的高低阻抗低通滤波通路。
进一步设置:所述空腔中靠近公共端口的一侧还设有滤波电容及与所述滤波电容串联的导线,所述滤波电容通过导线分别与所述高通滤波腔中的导体组件及所述低通滤波腔内的带状线滤波通路连接。
进一步设置:所述腔体中设有三个陷波器且一一对应与公共端口、第一连接端口及第二连接端口连接,所述盖板上设有用于使三个陷波器相互电性连接的连接板。
相比现有技术,本实用新型的方案具有以下优点:
1.在本实用新型的合路器中,在高通滤波腔中设置高通滤波通路,低通滤波腔中设置低通滤波通路,从而可将高通滤波通路和低通滤波通路集成于同一腔体中,使得本实用新型的合路器可实现5G技术系统与现有系统的共存,同时低通滤波通路采用高低阻抗低通滤波通路和带状线滤波通路的结合,高通滤波通路采用多个导体相互套接并在介质件的隔绝下形成串联电容,同时在每个导体与腔体侧壁之间设置用于支撑导体的支撑件,使得导体置于腔体中的结构更为稳定,并且支撑件与导体和腔体侧壁均为电性连接,则支撑件可构成高通滤波器的并联电感,从而使该高通滤波器构成切比雪夫型滤波器,使得高通滤波器的矩形系数小并越接近于1,使得滤波特性曲线越陡峭,以具有良好的频段选择性,使得本实用新型合路器的合路通带带宽可达3820MHz,插入损耗小,且具有较高的隔离度,可满足5G的高频段发展的需求。
2.在本实用新型的合路器中,支撑件与朝向隔板或腔体侧壁延伸并固定,无需在腔体的厚度方向设置用于支撑导体的支撑件,从而无需过厚的腔体空间,可相应减少腔体的厚度,以适应安装在高度较小的空间中,另外所述支撑件与所述隔板连接时,螺纹紧固件不外露,从而无需另设防水盖板,从而可减少合路器的体积,有利于实现小型化。
3.本实用新型的合路器中,低通滤波通路中的带状线滤波合路结构简单,高通滤波通路中采用结构相同的多个导体相互套接,一致性好,易于生产加工,适于批量生产。
4.本实用新型的合路器中,通过在腔体中设置分别与公共端口、第一连接端口及第二连接端口对应的三个陷波器以用于传输控制天线参数的直流控制信号,适用于天线中,并可对天线的参数进行调整。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本实用新型合路器的一个实施例的结构示意图;
图2为本实用新型的合路器中高通滤波通路结构的分体图;
图3为本实用新型的合路器一个实施例的正面俯视图;
图4为本实用新型合路器中高通滤波通路结构的截面图。
图中,11、腔体;111、高通滤波腔;112、低通滤波腔;12、盖板;13、隔板;21、公共端口;22、第一连接端口;23、第二连接端口;3、高通滤波通路;31、导体;311、第一导体;312、第二导体;313、连接孔;32、介质件;321、介质套;322、介质片;33、支撑件;331、安装孔;34、第一连接件;341、第一连接棒;342、第二连接棒;35、第二连接件;351、连接套;352、第三连接棒;4、低通滤波通路;41、高低阻抗低通滤波通路;411、高低阻抗低通导体棒;412、环形介质套;42、带状线滤波通路;421、第一金属片;422、第二金属片;4221、中间部;4222、延伸部;423、第一介质片;424、第二介质片;5、滤波电容;51、导线;52、介质垫;61、陷波器;62、电感;7、调谐螺杆;1000、合路器。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
请参见图1至图4,本实用新型涉及一种合路器1000,其将高通滤波器和低通滤波器集成于同一腔体中,可实现5G技术与现有系统的共存,同时能兼顾插损与体积等性能指标,即具有体积小、重量轻的特点,同时能实现插损小、高隔离度、高功率和通带带宽较宽等良好性能,并且其矩形系数小,具有良好的频率选择性,结构简单,便于加工和批量生产。
请结合图1,所述合路器1000包括腔体11及与腔体11相盖装的盖板12,所述盖板12为金属盖板,且所述盖板12与所述腔体11之间通过螺钉以连接紧固,从而在所述腔体11的内部限定出供信号传输的空腔(图中未标示,下同)。具体地,该空腔为纵长型的封闭式空腔。同时在所述腔体11位于所述空腔纵长方向的两端分别形成有用于输入和输出的连接端口。
此外,在所述腔体11内还设有沿其纵长方向延伸并将所述空腔分隔形成高通滤波腔111和低通滤波腔112的隔板13,所述高通滤波腔111内设置该合路器1000的高通滤波通路3,所述低通滤波腔112内设置该合路器1000的低通滤波通路4,具体地,所述低通滤波通路4包括带状线滤波通路42。
所述连接端口包括与所述高通滤波通路3和低通滤波通路4均电性连接的公共端口21、与所述高通滤波通路3电性连接的第一连接端口22及与所述低通滤波通路4电性连接的第二连接端口23。其中,所述公共端口21设于所述腔体11沿所述空腔纵长方向的一端,所述第一连接端口22和所述第二连接端口23设于所述腔体11与所述公共端口21相对的一端,且所述第一连接端口22对应所述高通滤波腔111设置,所述第二连接端口23对应所述低通滤波腔112设置。
请结合图1和图2,所述高通滤波通路3包括两端分别对应与所述腔体用于输入和输出的连接端口连接的导体组件(图中未标示,下同),所述导体组件包括多个沿所述空腔纵长方向排列并依次容性耦合连接的导体31,多个依次排列并容性耦合连接的导体31可形成所述高通滤波通路3的串联电容。其中,至少有部分所述导体31朝向所述腔体11的底壁延伸形成有与所述腔体11固定的支撑件33,所述支撑件33用于支撑所述导体31,以提高所述导体31的结构稳定性,并且所述支撑件33由所述导体31朝向腔体11的底壁延伸而成,使得所述支撑件33可与所述腔体11的底壁构成所述高通滤波通路3的并联电感。
所述高通滤波通路3的通带带宽可达1400-4200MHz,并且串联电容和并联电感可构成切比雪夫型滤波通路,切比雪夫滤波器和理想滤波器的频率响应曲线之间的误差最小,从而使得高通滤波通路3的矩形系数小并越接近于1,使得滤波特性曲线越陡峭,因而具有良好的频率选择性,并且其插入损耗≤0.2dB。
请结合图2至图4,所述导体31包括相互连接的第一导体311和第二导体312,其大致呈台阶状,例如第一导体311的横截面积大于第二导体312的横截面积。所述第一导体311远离第二导体312的一端开设有连接孔313,所述第二导体312朝远离所述第一导体311的方向延伸,并且所述第二导体312与所述连接孔313等高设置,所述第二导体312的直径小于所述连接孔313的孔径,使得所述导体31的第二导体312可插入与其相邻导体31的第一导体311的连接孔313中以实现相邻导体31的相互套接,并且所述第二导体312的直径小于所述连接孔313的孔径,使得对应设置的第二导体312与连接孔313之间存在间隙以实现相邻两个导体31的容性耦合连接。
优选地,本实施例中的第二导体312为圆柱状,与其对应设置的连接孔313为圆孔。在其他实施例中,所述第二导体312还可设置为方形柱或六边形柱,所述连接孔313对应设置为方形孔或六边形孔。
此外,所述支撑件33可朝向所述隔板13或所述腔体11侧壁延伸,所述支撑件33一端与所述第一导体311固定,另一端与所述隔板13或腔体11侧壁固定连接,以用于支撑所述导体,无需在腔体11的厚度方向设置用于支撑所述导体31的支撑件,从而无需过厚的腔体空间,继而可减少所述腔体11的厚度,以适应安装在高度较小的空间中。
优选地,请结合图4,在本实施例中,所述支撑件33包括朝向所述隔板13延伸的金属支撑片,所述金属支撑片靠近所述隔板13的一端开设有安装孔331,所述安装孔331贯穿所述金属支撑片设置,从而可将紧固件贯穿所述金属支撑片并插入到所述隔板13上所开设的固定孔(图中未示意,下同)中,从而实现所述金属支撑片与所述隔板13的连接固定,所述金属支撑片还可起到对所述支撑导体31的作用,并且所述金属支撑片与所述隔板13固定,对导体31起到固定限位的作用。
优选地,本实施例中的紧固件为螺栓或螺钉,所述固定孔为螺纹孔。
所述支撑件33与朝向所述隔板13延伸并固定,在减少所述腔体11的厚度的同时,用于固定所述支撑件33与所述隔板13的螺纹紧固件内置腔体11中,则无需另设防水盖板,从而可进一步减少所述合路器1000的体积,有利于实现小型化。
此外,相邻所述导体31的之间设有介质件32以对相邻导体31进行分隔,可避免相邻所述导体31直接接触而导致短路。所述介质件32包括插设于所述第二导体312与所述连接孔313之间的介质套321,所述介质套321的外径与所述连接孔313的孔径相适配,所述介质套321的内径与所述第二导体312的直径相适配,即所述第二导体312上套接所述介质套321后插入到相邻第一导体311的连接孔313中,并且所述介质套321的内径与外径分贝与第二导体312和连接孔313相适配,使得所述第二导体312插接于与其相邻的第一导体311中时具有较高的稳定性。
所述介质件32还包括设于所述介质套321靠近所述第一导体311与所述第二导体312连接处一端的介质片322,所述介质片322沿所述介质套321的径向向外延伸,并使得相邻导体31的第一导体311之间被所述介质片322所分隔。
在多个所述导体31之间设置介质件32可替代空气实现相邻导体31的容性耦合,增加导体31间的介电常数,能实现更大的容性耦合和更宽的通带带宽,有利于减少滤波器的体积,同时还能防止相邻导体31之间直接接触而导致短路。
进一步的,所述第一导体311与第二导体312一体成型,结构稳定性好,减少焊点,以避免在使用中发生振动导致焊点的脱落,方便生产加工,有利于批量化生产。
此外,所述第二导体312插入与其的第一导体311的连接孔313中的长度与两个导体31间的电容量呈正相关,即所述第二导体312所插入连接孔313的长度越大,电容量越大,同时电容量的大小与滤波器的截止频率有关,截止频率越大,其电容量越小,从而可根据滤波器截止频率以确定所述第二导体312所插入与其相邻第一导体311的连接孔313的长度,即所述第二导体312插入与其相邻导体31的连接孔313中的长度被设定为与滤波器的截止频率呈负相关。
所述第二导体312插入第一导体311的连接孔313中的长度可根据电容的需求进行调整,并且该插入长度与电容量的大小成正比。同时,所述空腔中导体31的数量还可根据滤波器带外抑制的需求进行调节,所述导体31的个数越多,相应的滤波通带的阶数越高,其起到对相应频段外的带外抑制效果越好;但所述导体31的个数越多,会导致插入损耗的增加,故可在一定的插入损耗范围内,可尽可能多地设置导体31的数量,以提高带外抑制效果。
请结合图2和图3,所述导体组件的两端分别对应用于输入和输出的连接端口设有与对应的连接端口连接的连接件,并且分别定义为第一连接件34和第二连接件35。
具体地,所述导体组件的一端为第一导体311,另一端为第二导体312,所述第一连接件34包括与导体组件端部的第一导体311一体成型的连接棒(图中未标示,下同),所述第二连接件35由位于所述导体组件端部的第二导体312提供,且该第二导体312与对应的连接端口连接。
或者,在其他实施例中,所述第一连接件34包括插入所述导体组件端部的第一导体311的连接孔313中的第一连接棒341及连接所述第一连接棒341与所述连接端口的第二连接棒342,所述第一连接棒341的大小与所述第二导体312的大小相等,所述第一连接棒341与第一导体311之间为容性耦合连接;所述第二连接件35包括套接于所述导体组件端部的第二导体312上的连接套351及用于连接所述连接套351与所述连接端口的第三连接棒352,所述连接套351的内径与所述第一导体311的连接孔313的孔径相等,所述连接套351与所述第二导体312为容性耦合连接。
进一步的,所述第一连接棒341与第一导体311之间及连接套351与第二导体312之间均可设置介质件32以使所述导体31与连接件分隔。
通过在导体组件的两端设置与其套接的连接件,可实现导体组件与所述连接端口的电容连接,电容连接相比于将导体组件两端的导体与连接端口直接连接的方式,其更易于调节,且耦合性能更优。
请结合图1和图4,本实施例中的低通滤波通路4的通带带宽为380-960MHz,其包括带状线滤波通路42。所述带状线滤波通路42包括第一金属片421及第二金属片422,其中,所述第一金属片421与所述第二连接端口23电连接,所述第一金属片421位于所述第二金属片422的上方,所述第一金属片421和第二金属片422通过介质螺钉固定于所述低通滤波腔112中。此外,所述第一金属片421与第二金属片422之间具有间隙以形成电容,从而可隔绝直流信号在第一金属片421和第二金属片422之间传输。
优选地,所述第一金属片421为L形结构,所述高低阻抗低通导体棒411与所述L形第一金属片421的一端连接,介质螺钉可贯穿所述L形第一金属片421远离与高低阻抗低通导体棒411连接的一端的侧边,介质螺钉可贯穿该侧边的两端,方便安装,结构稳定性更高。
此外,所述第二金属片422包括沿所述空腔纵长方向延伸的中间部4221及设于中间部4221两侧的多个延伸部4222,位于所述中间部4221两侧的延伸部4222两两对称设置,且位于同一侧的相邻延伸部4222之间具有间隙,使得第二金属片422上形成有凹槽(图中未标示,下同),并且所述第二金属片422一体成型,所述第二金属片422的凹槽部分的中间部形成高阻抗线,所述延伸部4222形成低阻抗线,符合基础的低通滤波器电路原理,进而实现低通性能。
进一步的,所述第一金属片421与第二金属片422的间隙中插设有用于分隔两者的第一介质片423,所述第二金属片422与腔体11的底壁之间还设有第二介质片424,第一金属片421、第一介质片423、第二金属片422及第二介质片424由上及下依次设置,并且通过介质螺钉贯穿四者并将其固定于所述腔体11中。
所述低通滤波腔112内的第一金属片421、第一介质片423、第二金属片422及第二介质片424可形成所述低通滤波通路4中的带状线滤波通路42,其截止频率为975MHz,并且所述第一金属片421与第二金属片422之间为电容耦合连接,从而可隔绝信号中的直流信号。
此外,所述第一介质片423及第二介质片424均起到支撑金属片的作用,另外在所述第一金属片421和第二金属片422之间插入第一介质片423,可替代空气实现第一金属片421和第二金属片422的容性耦合,增加了第一金属片421和第二金属片422之间的介电常数,能实现更大的容性耦合和更宽的通带带宽,有利于减少滤波器的体积,同时还能防止第一金属片421和第二金属片422之间发生触碰而导致短路。
所述高低阻抗低通滤波通路41包括与所述第二连接端口23内导体31电连接的高低阻抗低通导体棒411,所述高低阻抗低通导体棒411通过在其外部套设有环形介质套412以安装于所述第二连接端口23的端口孔内,使得所述高低阻抗低通导体棒411、环形介质套412与腔体11的侧壁之间形成高低阻抗低通滤波通路41,其截止频率可达2GHz,从而可滤除2.7GHz以上的高频谐峰。
所述腔体11靠近公共端口21处设有分别与所述高通滤波通路3和低通滤波通路4电性连接的滤波电容5,所述滤波电容5设于隔板13处且其底部设有介质垫52以起到支撑的作用,所述滤波电容5上串联有导线51,所述滤波电容5通过导线51分别与所述高通滤波通路3中导体组件端部的导体31连接,另一端与所述低通滤波通路4中的第二金属片422连接。所述滤波电容5和导线51连接可形成串联谐振电路,其可供低频信号通过并对高频信号起到一定的抑制作用。
优选地,所述公共端口21对应于腔体11的高通滤波腔111设置,所述高通滤波通路3的导体组件通过第二连接件35直接与所述公共端口21的内导体31连接,所述低通滤波通路4的第二金属片422通过滤波电容5及导线51与所述公共端口21电性连接。假设外接信号由所述公共端口21进入到腔体11中时,高频信号直接在高通滤波腔111内传输,而低频信号通过导线51经过滤波电容5后进入到低通滤波腔112内传输,所述滤波电容5可将高频信号和低频信号所隔绝。
进一步的,所述合路器1000与天线内的其他设备连接时,所述合路器1000还可用作对控制天线参数的直流控制信号进行分/合路。具体地,所述腔体11中设有三个陷波器61,三个陷波器61分别串联电感62后一一对应与所述公共端口21、第一连接端口22及第二连接端口23连接,并且所述盖板12上设有使得三个陷波器61相互电连接的连接板(图中未示意,下同),当盖板12与所述腔体11盖合时,三个陷波器61电连接以实现信号的传输。
其中,与所述第一连接端口22对应连接的陷波器61所串联的电感62与所述导体组件靠近第一连接端口22端部的导体31连接,对应与第二连接端口23连接的陷波器61所串联的电感62与L形第一金属片421连接,对应与公共端口21连接的陷波器61所串联的电感62与第二金属片422连接,三个陷波器61通过连接板连通以实现直流控制信号的传输。同时,所述滤波电容5对于直流信号来说可作为旁路电容,使得由与所述公共端口21所连接的陷波器61所输出的直流控制信号可经过所述滤波电容5以传输至公共端口21处,实现直流控制信号的输出。
此外,在所述盖板12上还设有多个调谐螺杆7,所述盖板12对应于所述调谐螺杆7的位置设置螺纹通孔,使得所述调谐螺杆7与所述盖板12螺纹连接,且多个所述调谐螺杆7对应于多个所述导体31和低通金属片设置,并且所述调谐螺杆7通过所述盖板12悬置于所述导体31及低通金属片的上方,且保持所述调谐螺杆7与所述导体31及低通金属片始终保持非接触连接。通过调节所述调谐螺杆7与所述导体31或者低通金属片之间的相对距离,可实现对高通滤波通路3或者低通滤波通路4的谐振频率的调节,从而将该高通滤波通路3和低通滤波通路的谐振频率控制在相应通带频段内。
本实用新型的合路器1000将高通滤波通路3和低通滤波通路4集成于同一腔体11中,使得本实用新型的合路器可实现5G技术系统与现有系统的共存,其低通滤波通路4的通带为380-960MHz,高通滤波通路3的通带可达1400-4200MHz,并且本实用新型的高通滤波通路3采用多个导体31相互套接形成串联电容的结构,同时通过用于支撑导体31结构并与腔体11的底壁形成并联电感62的支撑金属片,使得高通滤波通路3构成切比雪夫型滤波通路,其滤波特性曲线陡峭,矩形系数约接近于1,在具体仿真试验中可达1.284,使得所述高通滤波通路3对相应频段具有良好的选择性,并对频段外的信号具有较高的带外抑制效果,使得其隔离度≥50dB,同时其插入损耗小,具体≤0.2dB。
综上,本实用新型的合路器1000可实现合路通带带宽达到3820MHz,并且具有较高的隔离度,可满足5G向高频段发展的需求。并且低通滤波通路4采用高低阻抗低通滤波通路41和带状线滤波通路42相结合,选择性好,并且结构简单,易于生产加工,而所述高通滤波通路3中采用多个导体31相互套接,结构一致性好,适于批量生产。
并且所述支撑件33与朝向所述隔板13延伸并固定,从而可相应减少腔体11的厚度,以适应安装在高度较小的空间中;另外无需采用螺纹紧固件贯穿腔体11的侧壁或底壁设置,无需另设防水盖板,从而可减少合路器1000的体积,有利于实现小型化。
以上所述仅是本实用新型的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (11)

1.一种合路器,包括腔体及与腔体相盖装的盖板,所述腔体内设有纵长型的空腔,并于所述空腔纵长方向的两端分别设有用于输入和输出的连接端口,其特征是:所述腔体内设有用于将所述空腔分隔形成高通滤波腔和低通滤波腔的隔板,所述隔板沿所述空腔的纵长方向延伸;
所述高通滤波腔内设有两端分别对应与输入和输出的连接端口电性连接的导体组件,所述导体组件包括多个导体,所述多个导体沿所述空腔纵长方向排列并依次容性耦合连接;
所述低通滤波腔内设有两端分别对应与输入和输出的连接端口电性连接的带状线滤波通路。
2.根据权利要求1所述的合路器,其特征是:至少部分所述导体朝向所述腔体的侧壁或隔板延伸并形成与所述腔体固定的支撑件。
3.根据权利要求2所述的合路器,其特征是:所述支撑件包括金属支撑片,且所述金属支撑片远离导体的一端开设有供穿入所述隔板或所述腔体侧壁的紧固件贯穿并用于固定所述金属支撑片与所述腔体的安装孔。
4.根据权利要求2所述的合路器,其特征是:所述导体包括第一导体及第二导体,所述支撑件设于第一导体上,所述第一导体远离所述第二导体的一侧开设有连接孔,所述连接孔与第二导体同轴设置,相邻两个所述导体通过对应设置的第二导体与连接孔的套接实现容性耦合连接。
5.根据权利要求4所述的合路器,其特征是:所述第二导体插入与其相邻导体的连接孔中的长度被设定为与滤波器的截止频率呈负相关。
6.根据权利要求4所述的合路器,其特征是:相邻两个所述导体之间设有介质件,所述介质件包括插设于所述第二导体与所述连接孔之间的介质套及设于介质套的端部并用于分隔相邻导体的第一导体的介质片。
7.根据权利要求1所述的合路器,其特征是:所述连接端口包括公共端口、第一连接端口及第二连接端口,所述公共端口设于所述腔体沿其纵长方向的两端的其中一端并与所述高通滤波腔和低通滤波腔均连通,所述第一连接端口和第二连接端口设于所述腔体相对公共端口设置的另一端,且所述第一连接端口与高通滤波腔连接,所述第二连接端口与低通滤波腔连接。
8.根据权利要求7所述的合路器,其特征是:所述带状线滤波通路包括第一金属片和第二金属片;
所述第一金属片位于第二金属片上方且两者具有间隙并形成电容,所述第一金属片及和第二金属片通过介质螺钉固定于所述腔体内;
所述第一金属片与所述第二连接端口连接;
所述第二金属片与所述公共端口连接,且其包括沿所述空腔纵长方向设置的中间部及位于中间部两侧的延伸部,位于中间部同一侧的相邻延伸部之间具有间隙以形成所述第二金属片的凹槽。
9.根据权利要求8所述的合路器,其特征是:所述低通滤波腔内还设有连接于第二连接端口和带状线滤波通路之间的高低阻抗低通滤波通路。
10.根据权利要求8所述的合路器,其特征是:所述空腔中靠近公共端口的一侧还设有滤波电容及与所述滤波电容串联的导线,所述滤波电容通过导线分别与所述高通滤波腔中的导体组件及所述低通滤波腔内的带状线滤波通路连接。
11.根据权利要求7所述的合路器,其特征是:所述腔体中设有三个陷波器且一一对应与公共端口、第一连接端口及第二连接端口连接,所述盖板上设有用于使三个陷波器相互电性连接的连接板。
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