CN210092367U - 一种一低两高多端口基站天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于基站天线技术领域，具体涉及一种一低两高多端口基站天线，包括底板，底板的两侧分别设有反射板一和反射板二，底板上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，低频辐射天线阵列包括若干个低频振子，高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一，高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二；低频振子和高频振子一阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板一，部分高频振子一嵌入低频振子；高频振子二阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板二。本实用新型在底板上同时设置低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，可同时支持一个低频和两个高频，辐射性能好。

Description

一种一低两高多端口基站天线

技术领域

本实用新型属于基站天线技术领域，具体涉及一种一低两高多端口基站天线。

背景技术

近年来，随着移动通信网络制式的增多，为节省站址和天馈资源，减小物业协调难度，降低投资成本，共站共址的多频阵列天线成为建网的首选。且在现有无线通信系统中，MIMO (Multiple-Input Multiple-Output，多入多出)天线技术是提升移动通信质量和效率的重要关键技术，MIMO技术可以充分利用空间资源，通过多个天线实现多发多收，在不增加频谱资源和天线发射功率的前提下，能够大幅提升系统信道容量，提高信道的可靠性，降低误码率。

当前全球范围内的移动通讯制式较多，涉及2G、3G、4G及5G，各个制式的频段有所不同，而同一制式不同运营商的使用频段也不相同。为适应当前移动通讯频段较多、较复杂的现实需求，同时覆盖高、低频段，且高低频段本身又要支持宽频的基站天线，已成为基站天线技术发展的必然方向。

而现有基站天线无法实现多端口天线同时支持一个低频频段和两个高频频段，且高低频都是宽频的技术要求，同时现有基站天线辐射性能较差。

实用新型内容

为了解决现有基站天线无法同时支持一个低频频段和两个高频频段，且无法满足高低频都是宽频的技术要求，同时基站天线辐射性能较差的问题，本实用新型公开了一种一低两高多端口基站天线，在两侧分别设有反射板一和反射板二的底板上同时设置彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，该多端口天线可同时支持一个低频和两个高频，同时该天线有很好的隔离指标和辐射性能，性能得到大幅提升，有效解决了上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种一低两高多端口基站天线，包括底板，所述底板的两侧分别设有反射板一和反射板二，所述底板上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子，所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一，所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二；所述低频振子和高频振子一阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板一，部分所述高频振子一嵌入低频振子；所述高频振子二阵列成一条直线，等距分布在底板上，靠近反射板二。

作为优选，上述低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子，所述高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一，所述高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二。

作为优选，上述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，所述高频振子一对应的反射板一的反射面的长度为d1，高度为h1；所述d1为f2的0.7-1.2倍波长，所述h1为f2的0.13-0.2倍波长。

作为优选，上述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；所述低频振子对应的反射板一的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；所述d2为f1的0.5-0.8倍波长；所述反射板二的长度为d3，高度为h2，所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h2为f3的0.13-0.2倍波长。

作为优选，上述高频振子一的两侧还设有反射板三，所述反射板三到高频振子一的距离为d4，所述d4为f2的0.2-0.5倍波长；所述反射板三的长度为d5，高度为h3，所述d5为f2的0.7-1.1倍波长，所述h3为f2的0.13-0.2倍波长。

作为优选，上述高频辐射天线阵列二在远离反射板二的一侧还设有反射板四，所述反射板四到高频辐射天线阵列二的距离为d6，所述d6为f3的0.2-0.5倍波长；所述反射板四的长度为d7，高度为h4，所述d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h4为f3的0.13-0.2倍波长。

作为优选，上述反射板二的长度等于底板的长度，所述底板的宽度为d8，所述d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和。

作为优选，上述相邻两个低频振子的中心之间的距离为X，所述X为f1的0.8~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子一的中心之间的距离为Y，所述Y为f2的0.7~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子二的中心之间的距离为Z，所述Z为f3的0.7~1.1倍波长；所述高频振子一的中心到高频振子二的中心之间的垂直距离为L，所述L为f2的0.7-1.1倍波长。

作为优选，上述低频振子为低频超宽频“碗状”形式的振子；所述高频振子一和高频振子二均为高频段超宽频“半波”形式的振子。

作为优选，上述低频振子、高频振子一和高频振子二均为铝合金压铸振子。

本实用新型具有如下的有益效果：本实用新型在两侧分别设有反射板一和反射板二的底板上同时设置彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，该多端口天线可同时支持一个低频和两个高频，同时该天线有很好的隔离指标和辐射性能，性能得到大幅提升。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的主视图；

图2是沿图1中A-A线的剖视图；

图3是本实用新型的俯视图；

图4是本实用新型的仰视图；

图5是本实用新型中另一种实施方式的低频振子、高频振子一和高频振子二的布置情况示意图；

图6是本实用新型图5所示实施方式中f2频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的垂直面仿真方向图；

图7是本实用新型图5所示实施方式中f2频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的水平面仿真方向图；

图8是本实用新型图5所示实施方式中f1频段790MHz频率、880MHz频率、960MHz频率的垂直面仿真方向图；

图9是本实用新型图5所示实施方式中f1频段790MHz频率、880MHz频率、960MHz频率的水平面仿真方向图；

图10是本实用新型图5所示实施方式中f3频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的垂直面仿真方向图；

图11是本实用新型图5所示实施方式中f3频段1710MHz频率、2200MHz频率及2690MHz频率的水平面仿真方向图；

图中：1.底板；21.反射板一；22.反射板二；23.反射板三；24.反射板四；3.低频振子；4.高频振子一；5.高频振子二。

具体实施方式

现在结合实施例对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型中的长度，宽度，高度，距离单位为mm。

一种一低两高多端口基站天线，如图1和图2所示，包括底板1，底板1的两侧分别设有反射板一21和反射板二22，底板1上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，低频辐射天线阵列包括若干个低频振子3，高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一4，高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二5；低频振子3和高频振子一4阵列成一条直线，等距分布在底板1上，靠近反射板一21，部分高频振子一4嵌入低频振子3；高频振子二5阵列成一条直线，等距分布在底板1上，靠近反射板二22。

在具体实施方式中，低频辐射天线阵列的工作频段至少为790-960MHz，高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二的工作频段至少为1710-2690MHz。

在一种具体的实施方式中，低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子3，高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一4，高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二5。

在具体实施方式中，如图1和图5所示，根据整机天线低频段和高频段的增益需要，可以适当调整低频振子3、高频振子一4和/或高频振子二5的数量。

在一种具体的实施方式中，如图3所示，高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，高频振子一4对应的反射板一21的反射面的长度为d1，高度为h1；d1为f2的0.7-1.2倍波长，h1为f2的0.13-0.2倍波长。

在一种具体的实施方式中，如图3和图4所示，低频辐射天线阵列的中心频率为f1，高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；低频振子3对应的反射板一21的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；d2为f1的0.5-0.8倍波长；反射板二22的长度为d3，高度为h2，d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，h2为f3的0.13-0.2倍波长。

在一种具体的实施方式中，如图1和图2所示，高频振子一4的两侧还设有反射板三23，反射板三23到高频振子一4的距离为d4，d4为f2的0.2-0.5倍波长；反射板三23的长度为d5，高度为h3，d5为f2的0.7-1.1倍波长，h3为f2的0.13-0.2倍波长。反射板三23平行于反射板一21设置在高频振子一4的两侧。

在一种具体的实施方式中，如图1和图 2所示，高频辐射天线阵列二在远离反射板二22的一侧还设有反射板四24，反射板四24到高频辐射天线阵列二的距离为d6，d6为f3的0.2-0.5倍波长；反射板四24的长度为d7，高度为h4，d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度，h4为f3的0.13-0.2倍波长。

在一种具体的实施方式中，如图1所示，反射板二22的长度等于底板1的长度，底板1的宽度为d8，d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和。在具体实施方式中，底板1的长度取决于各辐射天线阵列中振子的数量，底板1长度略大于最长辐射天线阵列的长度。

在一种具体的实施方式中，如图1所示，相邻两个低频振子3的中心之间的距离为X，X为f1的0.8~1.1倍波长；相邻两个高频振子一4的中心之间的距离为Y，Y为f2的0.7~1.1倍波长；相邻两个高频振子二5的中心之间的距离为Z，Z为f3的0.7~1.1倍波长；高频振子一4的中心到高频振子二5的中心之间的垂直距离为L，L为f2的0.7-1.1倍波长。

在一种具体的实施方式中，低频振子3为低频超宽频“碗状”形式的振子；高频振子一4和高频振子二5均为高频段超宽频“半波”形式的振子。

在一种具体的实施方式中，低频振子3、高频振子一4和高频振子二5均为铝合金压铸振子。

从图6-图11可以看出，本实用新型实施方式中天线的高低频段内典型频率的垂直面及水平面方向图性能较优，是理想的且有较高实用价值的基站天线解决方案。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (10)

1.一种一低两高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧分别设有反射板一（21）和反射板二（22），其特征在于：所述底板（1）上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（5）；所述低频振子（3）和高频振子一（4）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板一（21），部分所述高频振子一（4）嵌入低频振子（3）；所述高频振子二（5）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板二（22）。

2.如权利要求1所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列包括4-11个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括5-13个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括5-13个高频振子二（5）。

3.如权利要求2所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，所述高频振子一（4）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d1，高度为h1；所述d1为f2的0.7-1.2倍波长，所述h1为f2的0.13-0.2倍波长。

4.如权利要求3所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3；所述低频振子（3）对应的反射板一（21）的反射面的长度为d2，高度为h1+15mm；所述d2为f1的0.5-0.8倍波长；所述反射板二（22）的长度为d3，高度为h2，所述d3大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h2为f3的0.13-0.2倍波长。

5.如权利要求4所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频振子一（4）的两侧还设有反射板三（23），所述反射板三（23）到高频振子一（4）的距离为d4，所述d4为f2的0.2-0.5倍波长；所述反射板三（23）的长度为d5，高度为h3，所述d5为f2的0.7-1.1倍波长，所述h3为f2的0.13-0.2倍波长。

6.如权利要求5所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列二在远离反射板二（22）的一侧还设有反射板四（24），所述反射板四（24）到高频辐射天线阵列二的距离为d6，所述d6为f3的0.2-0.5倍波长；所述反射板四（24）的长度为d7，高度为h4，所述d7大于等于高频辐射天线阵列二的长度，所述h4为f3的0.13-0.2倍波长。

7.如权利要求6所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述反射板二（22）的长度等于底板（1）的长度，所述底板（1）的宽度为d8，所述d8为f1的0.5-0.8倍波长与f3的0.7-1.2倍波长之和。

8.如权利要求7所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述相邻两个低频振子（3）的中心之间的距离为X，所述X为f1的0.8~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子一（4）的中心之间的距离为Y，所述Y为f2的0.7~1.1倍波长；所述相邻两个高频振子二（5）的中心之间的距离为Z，所述Z为f3的0.7~1.1倍波长；所述高频振子一（4）的中心到高频振子二（5）的中心之间的垂直距离为L，所述L为f2的0.7-1.1倍波长。

9.如权利要求1-7任一项所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频振子（3）为低频超宽频“碗状”形式的振子；所述高频振子一（4）和高频振子二（5）均为高频段超宽频“半波”形式的振子。

10.如权利要求9所述的一低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频振子（3）、高频振子一（4）和高频振子二（5）均为铝合金压铸振子。

Images