CN210053533U - 一种内置镀金振膜的手机麦克风音头 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种内置镀金振膜的手机麦克风音头，包括：音头和音头处理主电路，音头与音头处理主电路电性连接；音头包括镀金振膜、外壳、防尘网和声阻尼部件，防尘网、镀金振膜和声阻尼部件依次固定于外壳内；音头处理主电路包括输入电路、振荡与滤波电路、升压电路、输出电路和运算放大电路，且依次电性连接；输出电路与镀金振膜电性连接，采用电池输入电压并升压到5V，再通过输入电路进行输入，通过振荡与滤波电路和升压电路进行处理，得到50V的高电压低电流，再经过输出电路将50V电压输入至镀金振膜，使镀金振膜能手机麦克风都能正常工作，提升麦克风的音质。

Description

一种内置镀金振膜的手机麦克风音头

技术领域

本实用新型涉及麦克风音头领域，特别涉及一种内置镀金振膜的手机麦克风音头。

背景技术

现在市面的手机K歌麦克风使用的基本上都是动圈音头、160A驻极等电容音头，动圈音头的灵敏度低、拾音距离短、频率响应比较窄、声音比较浑浊和沉闷；160A驻极体音头灵敏度比动圈音头灵敏度还要高，但是频率响应范围也相对应来说比较窄、声音呢高频会比较尖听起来就会有点刺耳，使得这两种音头的K歌麦克风给使用者用起来就没有那么好的体验。综合以上的情况，需要制作一种手机麦克风，该音头内置镀金振膜，跟34mm镀金振膜音头性能参数都是一样的，都是在一些专业和高端电容话筒上面使用的，可使麦克风的频率响应以及声压都比动圈、160A驻极体麦克风还要宽，而声音方面低频自然、中频柔和高频通透等优点，弥补了动圈与160A驻极体音头K歌话筒的不足，但由于镀金振膜需要高电压低电流的情况才能正常工作，发挥其应有的功能，而手机麦克风都采用普通电池进行供电，无法达到所需的大电压，因此这是需要尽快解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种内置镀金振膜的手机麦克风音头，该装置可将镀金振膜内置在音头中，即使在输入电源较低的情况下，依旧能使镀金振膜工作，提升麦克风声音的品质。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种内置镀金振膜的手机麦克风音头，包括：音头和音头处理主电路，音头与音头处理主电路电性连接；音头包括镀金振膜、外壳、防尘网和声阻尼部件，防尘网、镀金振膜和声阻尼部件依次固定于外壳内；音头处理主电路包括输入电路、振荡与滤波电路、升压电路、输出电路和运算放大电路，且依次电性连接；输出电路与镀金振膜电性连接，采用电池进行输入供电，电池输入电压并升压到5V，再通过输入电路进行输入，通过振荡与滤波电路和升压电路进行处理，得到50V的高电压低电流，再经过输出电路将50V电压输入至镀金振膜，使镀金振膜能正常工作，之后电流会经过运算放大电路进行运算放大，并传递到其他部件端子进行供电。

可选的，输入电路包括电感L1、电容C2和电容C3，电感L1一端连接电源，另一端分别连接电容C2和电容C3的一端，两者另一端共同接地，电容C2和电容C3并联，5V电流在进入输入电路过程中进行滤波，抑制和防止干扰信号。

可选的，振荡与滤波电路包括三极管Q1、电感L2、电感L3、电感L4、电阻R1、电容C6、电容C7、电容C8和电位器R89，三极管Q1的基极分别连接电阻R1和电容C8的一端，三极管Q1的集电极分别连接电阻R1的另一端和电位器R89一端，三极管Q1的发射极分别连接电感L3、电感L4和电容C6一端，其中电感L3另一端与电容C8连接，电感L4另一端接地，电容C6另一端分别连接电位器R89、电感L2和电容C7的一端，电感L2另一端连接输入电路，和电容C7另一端接地，5V电压通过Q1、L3、L4、R1、C8组合形成LC电感三点式振荡电路，L3/L4的作用是形成正反馈，最终形成交流信号给到升压电路。

可选的，升压电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、电容C9、电容C10和电容C11，二极管D1正极分别连接输出电路的电阻R7一端和电容C9一端，二极管D1负极分别连接二极管D3的正极和电容C11一端，二极管D3的负极分别连接电容C9另一端、二极管D2的正极和电容C10的一端，电容C11另一端分别连接二极管D2的负极和振荡与滤波电路内三极管Q1的集电极，电容C10另一端连接振荡与滤波电路的电感L3一端，因为镀金振膜需要高电压低电流供电，当5V电压进行4倍升压，升压至直流50V给镀金振膜进行供电。

可选的，输出电路包括MOS管Q2、电阻R7、电阻R11、电阻R19、电阻R22、电阻R26、电容C12、电容C18和镀金振膜B1，R7一端连接升压电路的二极管D1正极，另一端分别连接电容C12和电阻R11一端，其中电容C12另一端接地，电阻R11另一端分别连接镀金振膜B1和电容C18一端, MOS管Q2的栅极分别连接电容C18另一端和电阻R19一端，MOS管Q2的漏极分别连接电阻R22一端和运算放大电路内运算放大器U3的-IN，电阻R22另一端分别连接电阻R19另一端和电阻R26一端，电阻R26另一端接地，MOS管Q2的源极连接输入电路，供电通过电容C18耦合给到MOS管Q2的栅级，通过MOS管Q2做阻抗转换成低阻信号MOS管Q2的漏记反相180°。

可选的，运算放大电路包括运算放大器U3、电阻R25、电阻R23、电容C25和电容C28，运算放大器U3的-IN分别连接输出电路内MOS管Q2的漏极、电阻R25和电容C28一端，运算放大器U3的OUT分别连接电阻R25和电容C28另一端，以及电容C25一端，电容C25另一端电阻R23，运算放大器U3的+IN和VCC均连接输入电路，运算放大器U3的GND接地，运算放大器U3会放大音频信号，并输出给各个信号端子。

与现有技术相比，本实用新型具有以下的有益效果：

利用在音头电路中增加升压电路，将输入的直流低电压进行多次升压，使其电压可以达到镀金振膜在工作时所需的电压，使镀金振膜也能在手机麦克风上使用，最终使手机麦克风在声音的品质方面得到提升。

附图说明

图1为本实用新型一种内置镀金振膜的手机麦克风音头的音头处理主电路图。

图2为本实用新型一种内置镀金振膜的手机麦克风音头的爆炸图。

图3为本实用新型一种内置镀金振膜的手机麦克风音头的正视立体示意图。

图4为本实用新型一种内置镀金振膜的手机麦克风音头的仰视立体示意图。

标号说明：

1为镀金振膜，2为外壳，3为防尘网，4为声阻尼部件，5为输入电路，6为振荡与滤波电路，7为升压电路，8为输出电路，9为运算放大电路。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将结合附图和具体的实施例对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。

结合图2~4可知，本实用新型实施例提供了一种内置镀金振膜的手机麦克风音头，包括：音头和音头处理主电路，音头与音头处理主电路电性连接；音头包括镀金振膜1、外壳2、防尘网3和声阻尼部件4，防尘网3、镀金振膜1和声阻尼部件4依次固定于外壳2内。

由图1可知，音头处理主电路包括输入电路5、振荡与滤波电路6、升压电路7、输出电路8和运算放大电路9，且依次电性连接；输出电路8与镀金振膜1电性连接，电池提供电压并进行升压到5V的电压，并通过输入电路5将直流5V电压传递到各个电路进行下一步工作。

其中，输入电路5进过滤波输出5V电压，该电路包括电感L1、电容C2和电容C3，电感L1一端连接电源，另一端分别连接电容C2和电容C3的一端，两者另一端共同接地，电容C2和电容C3并联，5V电流在进入输入电路过程中进行滤波；5V电压通入振荡与滤波电路6，利用振荡电路使直流5V电压转成交流信号，它包括三极管Q1、电感L2、电感L3、电感L4、电阻R1、电容C6、电容C7、电容C8和电位器R89，三极管Q1的基极分别连接电阻R1和电容C8的一端，三极管Q1的集电极分别连接电阻R1的另一端和电位器R89一端，三极管Q1的发射极分别连接电感L3、电感L4和电容C6一端，其中电感L3另一端与电容C8连接，电感L4另一端接地，电容C6另一端分别连接电位器R89、电感L2和电容C7的一端，电感L2另一端连接输入电路5，和电容C7另一端接地；振荡后的信号进入升压电路7，进行四倍升压，使其电压为50V，它包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、电容C9、电容C10和电容C11，二极管D1正极分别连接输出电路8的电阻R7一端和电容C9一端，二极管D1负极分别连接二极管D3的正极和电容C11一端，二极管D3的负极分别连接电容C9另一端、二极管D2的正极和电容C10的一端，电容C11另一端分别连接二极管D2的负极和振荡与滤波电路6内三极管Q1的集电极，电容C10另一端连接振荡与滤波电路6的电感L3一端。

另外，50V电压进入输出电路8，并为镀金振膜提供该电压，驱使其能正常工作，包括MOS管Q2、电阻R7、电阻R11、电阻R19、电阻R22、电阻R26、电容C12、电容C18和镀金振膜B1，R7一端连接升压电路7的二极管D1正极，另一端分别连接电容C12和电阻R11一端，其中电容C12另一端接地，电阻R11另一端分别连接镀金振膜B1和电容C18一端, MOS管Q2的栅极分别连接电容C18另一端和电阻R19一端，MOS管Q2的漏极分别连接电阻R22一端和运算放大电路9内运算放大器U3的-IN，电阻R22另一端分别连接电阻R19另一端和电阻R26一端，电阻R26另一端接地，MOS管Q2的源极连接输入电路5；最后电流会通过电容C18耦合给到MOS管Q2的栅级， MOS管Q2做阻抗转换成低阻信号MOS管Q2的漏记反相180°，并将信号传到运算放大电路9，包括运算放大器U3、电阻R25、电阻R23、电容C25和电容C28，运算放大器U3的-IN分别连接输出电路8内MOS管Q2的漏极、电阻R25和电容C28一端，运算放大器U3的OUT分别连接电阻R25和电容C28另一端，以及电容C25一端，电容C25另一端电阻R23，运算放大器U3的+IN和VCC均连接输入电路5，运算放大器U3的GND接地，运算放大器U3会放大音频信号，并通过运算放大器U3的OUT输出给各个信号端子，进行下一步操作。

使用时，电池输入电压并升压到5V，再通过输入电路进行输入，通过振荡与滤波电路进行滤波与振荡，振荡可使直流信号转为交流信号，进入升压电路进行4倍放大处理，得到50V的高电压低电流，再经过输出电路将50V电压输入至镀金振膜，使镀金振膜能正常工作，之后电流会经过运算放大电路进行运算放大，并传递到其他部件端子进行供电。

以上内容仅仅为本实用新型的结构所作的举例和说明，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，包括：音头和音头处理主电路，所述音头与音头处理主电路电性连接；所述音头包括镀金振膜、外壳、防尘网和声阻尼部件，所述防尘网、镀金振膜和声阻尼部件依次固定于外壳内；所述音头处理主电路包括输入电路、振荡与滤波电路、升压电路、输出电路和运算放大电路，且依次电性连接；所述输出电路与镀金振膜电性连接。

2.根据权利要求1所述的内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，所述输入电路包括电感L1、电容C2和电容C3，所述电感L1一端连接电源，另一端分别连接电容C2和电容C3的一端，两者另一端共同接地，电容C2和电容C3并联。

3.根据权利要求1所述的内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，所述振荡与滤波电路包括三极管Q1、电感L2、电感L3、电感L4、电阻R1、电容C6、电容C7、电容C8和电位器R89，所述三极管Q1的基极分别连接电阻R1和电容C8的一端，三极管Q1的集电极分别连接电阻R1的另一端和电位器R89一端，三极管Q1的发射极分别连接电感L3、电感L4和电容C6一端，其中电感L3另一端与电容C8连接，电感L4另一端接地，电容C6另一端分别连接电位器R89、电感L2和电容C7的一端，电感L2另一端连接输入电路，和电容C7另一端接地。

4.根据权利要求1所述的内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，所述升压电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、电容C9、电容C10和电容C11，所述二极管D1正极分别连接输出电路和电容C9一端，二极管D1负极分别连接二极管D3的正极和电容C11一端，二极管D3的负极分别连接电容C9另一端、二极管D2的正极和电容C10的一端，电容C11另一端分别连接二极管D2的负极和振荡与滤波电路，电容C10另一端连接振荡与滤波电路。

5.根据权利要求1所述的内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，所述输出电路包括MOS管Q2、电阻R7、电阻R11、电阻R19、电阻R22、电阻R26、电容C12、电容C18和镀金振膜B1，所述R7一端连接升压电路，另一端分别连接电容C12和电阻R11一端，其中电容C12另一端接地，电阻R11另一端分别连接镀金振膜B1和电容C18一端, MOS管Q2的栅极分别连接电容C18另一端和电阻R19一端，MOS管Q2的漏极分别连接电阻R22一端和运算放大电路，电阻R22另一端分别连接电阻R19另一端和电阻R26一端，电阻R26另一端接地，MOS管Q2的源极连接输入电路。

6.根据权利要求1所述的内置镀金振膜的手机麦克风音头，其特征在于，所述运算放大电路包括运算放大器U3、电阻R25、电阻R23、电容C25和电容C28，所述运算放大器U3的-IN分别连接输出电路、电阻R25和电容C28一端，运算放大器U3的OUT分别连接电阻R25和电容C28另一端，以及电容C25一端，电容C25另一端电阻R23，运算放大器U3的+IN和VCC均连接输入电路，运算放大器U3的GND接地。

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