CN209844922U - 一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及增益放大器技术领域，尤其为一种DC‑2GHz低功耗GainBlock放大器，包括两级达林顿管结构，采用复合过接方式，将两只晶体管集电极连在一起，而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级，发射极，集电极三个电极，该器件采用单电源供电。本实用新型电路结构简单，没有复杂的匹配网络，与传统的射频放大器相比，尺寸和成本大大减小，同时也是一种低功耗，低饱和输出功率的放大器，在低频段有着优异的性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及增益放大器技术领域，具体为一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器。
背景技术
传统的放大电路，通过复杂的拓扑结构达到优异的性能，功耗较高，一般尺寸都比较大，而且成本比较昂贵。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述DC-2GHz低功耗GainBlock放大器的电路结构简单，尺寸很小，成本较低，同时也是一种低功耗，低饱和输出功率的放大器，在低频段有着优异的性能，可以在功率输出有限制的链路中得到应用。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，包括两级达林顿管结构，采用复合过接方式，将两只晶体管集电极连在一起，而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级，发射极，集电极三个电极，该器件采用单电源供电。
优选的，第一级晶体管、第二级晶体管的基级、发射极连接有偏置电阻，集电极连接有反馈电阻。
优选的，第一级晶体管的基级连接隔直电容作为射频输入端口，第一级晶体管、第二级晶体管共集电极连接隔直电容作为射频输出端口。
优选的，单电源通过射频扼流圈连接共集电极供电。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型电路结构简单，没有复杂的匹配网络，与传统的射频放大器相比，尺寸和成本大大减小，同时也是一种低功耗，低饱和输出功率的放大器，在低频段有着优异的性能。
本实用新型电路，结构简单，尺寸很小，成本较低，同时也是一种低功耗，低饱和输出功率的放大器，在低频段有着优异的性能，可以在功率输出有限制的链路中得到应用。
本实用新型电路，由两级达林顿放大器构成，放大器采用单电源供电。两级放大器采用较小尺寸的HBT管。与传统结构相比，本结构具有尺寸小、成本低、功耗低、指标优异等优点。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；
图4为本实用新型电路的输入输出反射系数测试图；
图5为本实用新型电路的反向隔离测试图；
图6为本实用新型电路输出1dB压缩点以及饱和输出功率测试图；
图7为本实用新型电路输入功率为-10dBm不同频点OIP3测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1～7，本实用新型提供一种技术方案：
一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，基本结构为两级达林顿结构，采用复合过接方式，将两只晶体管集电极连在一起，而将晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管基极，最后分别引出B(基级)，E(发射极)，C(集电极)三个电极，器件采用单电源供电。
第一级晶体管Q1，第二级晶体管Q2，R1～R4为电阻，即为偏置电阻或反馈电阻。
下面结合举例对本发明做更详细的描述，参见图1，采用两级放大器，采用达林顿结构，两级放大器采用较小尺寸的HBT管。Q1发射极直接耦合接Q2基极；R1，R2通过分压为Q1提供基极电压，同时R1作为反馈电路，可以调节电路增益与驻波。R3为Q2基极提供偏置电压，R4为Q2发射极提供偏压。L1为射频扼流圈，C1，C2为隔直电容，根据不同的工作频段，灵活的选择适合的L1，C1，C2的值。Q1，Q2选用较小的管芯，满足低饱和输出功率的要求。
根据图1的电路结构，设计的DC-2GHz低功耗GainBlock放大器的实际测试结果参见图2-7。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：包括两级达林顿管结构，采用复合过接方式，将两只晶体管集电极连在一起，而将第一级晶体管的发射极直接耦合接到第二级晶体管的基极，最后分别引出基级，发射极，集电极三个电极，该器件采用单电源供电。
2.根据权利要求1所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：第一级晶体管、第二级晶体管的基级、发射极连接有偏置电阻，集电极连接有反馈电阻。
3.根据权利要求1所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：第一级晶体管的基级连接隔直电容作为射频输入端口，第一级晶体管、第二级晶体管共集电极连接隔直电容作为射频输出端口。
4.根据权利要求3所述的一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器，其特征在于：单电源通过射频扼流圈连接共集电极供电。
Priority Applications (1)
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| CN201921051233.9U CN209844922U (zh) | 2019-07-08 | 2019-07-08 | 一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN209844922U true CN209844922U (zh) | 2019-12-24 |
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ID=68899532
Family Applications (1)
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| CN201921051233.9U Active CN209844922U (zh) | 2019-07-08 | 2019-07-08 | 一种DC-2GHz低功耗GainBlock放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209844922U (zh) |
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2019
- 2019-07-08 CN CN201921051233.9U patent/CN209844922U/zh active Active
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