CN209842037U - 一种tmr传感器 - Google Patents
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Abstract
一种TMR传感器,包括:绝缘基底;设置于所述绝缘基底上的MTJ阵列,所述MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成;连接电极,所述连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元,以及用于串联MTJ阵列中一排MTJ单元和其后一排MTJ单元;调节电极,所述调节电极从多个所述连接电极引出。本实用新型通过连接电极将阵列中每一排上相邻的MTJ单元串联在一起,以及将相邻排的MTJ单元串联在一起,并从一个或多个连接电极上引出调节电极,通过选择不同的调节电极作为输入端和输出端即可实现对MTJ单元串联个数的选择,并可通过将某些调节电极短路,调节阻值的大小,进而实现电路零点的调节。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁场探测传感器,尤指涉及一种串联个数可调的TMR传感器。
背景技术
磁传感器是一种可以探测磁场的方向、强度以及位置的传感器,在许多领域已得到了广泛使用。TMR(Tunnel Magnetoresistance,隧道磁电阻)型传感器是磁传感器的一种,由于具有偏移低,灵敏度高和温度性能好的优点,近年来逐渐在工业领域得到应用。TMR传感器的磁电阻会随外加磁场的大小、方向的变化而变化,其灵敏度优于霍尔效应传感器、AMR(Anisotropy Magnetoresistance,各向异性磁阻)型传感器以及GMR(GiantMagnetoresistance,巨磁电阻)型传感器,而且具备更好的温度稳定性和更低的功耗,加上TMR型传感器的加工工艺可以很方便地和现有半导体工艺结合,因此具有更多的应用前景。
MTJ(magnetic tunnel junction,磁隧道结)单元是TMR传感器的主要结构单元,MTJ单元会随着外加磁场变化而发生的巨大的电阻变化效应,是TMR传感器的工作核心来源。由于单个MTJ单元的击穿电压较低,TMR传感器中会采用串联多个MTJ单元的方式来增加整体的击穿电压,这样同时还能提高器件的信噪比。TMR传感器一般是由2个或4个TMR传感单元组成的桥式电路构成,在实际生产中,由于MTJ阵列中的一个或多个MTJ单元偶有短路导通现象,从而导致TMR传感单元之间存在阻值的偏差,阻值差通常为单个MTJ单元阻值的整数倍,增加了后期传感器电路调零的操作难度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种便于电路调零的TMR传感器。
为了实现上述目的,本实用新型采取如下的技术解决方案:
一种TMR传感器,包括:绝缘基底;设置于所述绝缘基底上的MTJ阵列,所述MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成;连接电极,所述连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元,以及用于串联MTJ阵列中一排MTJ单元和其后一排MTJ单元;调节电极,所述调节电极从多个所述连接电极引出。
进一步的,所述MTJ单元包括两个串联的MTJ结构。
进一步的,所述MTJ结构通过底电极串联。
进一步的,相邻排的MTJ单元串联时,一排MTJ单元在该排的第1个MTJ单元处或最后一个MTJ单元处通过连接电极与其后一排MTJ单元的第1个MTJ单元或最后一个MTJ单元相连,每一个MTJ单元上连接有两个连接电极。
进一步的,所述连接电极包括单连接电极,一个MTJ阵列中具有两个单连接电极,所述单连接电极连接于串联在一起的MTJ单元中的第一个MTJ单元和最后一个MTJ单元上;除了单连接电极外,每个连接电极均与两个MTJ单元相连,单连接电极只与一个MTJ单元相连。
进一步的,所述调节电极从MTJ阵列最外圈的所述连接电极引出。
进一步的,所述调节电极包括微调电极和粗调电极,所述微调电极从MTJ阵列中的第1排和/或第M排的MTJ单元间的连接电极引出,所述粗调电极从连接相邻排MTJ单元的连接电极引出。
由以上技术方案可知,本实用新型在设计传感器的电路布图时,通过连接电极将MTJ单元串联在一起,并从两个或两个以上连接电极处引出调节电极,可根据不同的需求,选择两个不同的调节电极作为MTJ单元的输入端和输出端,从而可以实现MTJ阵列中从几个到几百个MTJ单元串联个数的可选择性,进行电路调零操作时,可将某些调节电极短路,即可调节阻值的大小,进而调节电路的零点,大大降低了TMR传感器后期电路的调零难度,而且还可以满足不同电压需求的应用场景,如单个MTJ的工作电压在0.1V以内,通常电路中的标准电压有3.3V,5V,12V等,通过选择MTJ的串联个数,可以将其应用在不同电压的电路中,扩大了应用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的示意图;
图2为MTJ阵列的示意图;
图3为TMR单元的俯视图;
图4为MTJ的结构示意图;
图5为位于同一排的相邻MTJ单元通过连接电极连接的局部结构示意图;
图6为相邻排的MTJ单元通过连接电极连接的局部结构示意图。
具体实施方式
为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能更明显,下文特举本实用新型实施例,并配合所附图示,做详细说明如下。
如图1所示,本实施例的TMR传感器包括设置于绝缘基底(未图示)上的MTJ阵列、连接电极2、调节电极及外围电路(未图示)。MTJ阵列由多个MTJ单元1组成,MTJ单元1以M排×N列的形式排列形成阵列(图2),M、N为大于零的整数。如图3所示,一个MTJ单元1包括两个串联在一起的MTJ结构1-1,本实施例的MTJ结构1-1通过直接生长在绝缘基底上的底电极串联导通。MTJ结构1-1为常规结构,如图4所示,MTJ结构1-1为形成于绝缘基底10上的多层膜结构,MTJ结构1-1从下往上依次是缓冲层1-1a、自由层1-1b、势垒层1-1c、钉扎层1-1d和覆盖层1-1e。本实施例的缓冲层1-1a为三层结构,从下往上依次为Ta层、Ru层和Ta层。自由层1-1b可以由铁或镍或钴或镍铁合金或钴铁合金或钴铁非金元素合金(CoFeX固溶体,其中X为非金属元素,优选为ⅢA族元素)等材料制成。势垒层1-1c可以由氧化镁或三氧化二铝等材料制成。钉扎层1-1d由铁磁层(CoFeB)和反铁磁层(IrMn)构成,覆盖层1-1e包括黏附层(Ta)和隔离层(Ru)。
结合图1、图5和图6,MTJ阵列中,位于同一排上的相邻的两个MTJ单元1通过连接电极2串联在一起。同时,相邻排的MTJ单元也通过连接电极2串联,即MTJ阵列中,一排MTJ单元在该排的首端(第1个MTJ单元)或尾端(第N个MTJ单元)通过连接电极2与其后一排MTJ单元的首端(第1个MTJ单元)或尾端(第N个MTJ单元)对应相连,从而使各排MTJ单元串联在一起。每一个MTJ单元上都连接有两个连接电极2,连接电极2中有两个单连接电极2’,除了单连接电极2’外,每个连接电极2均与两个MTJ单元相连,单连接电极2’连接于串联在一起的MTJ单元中的第一个MTJ单元和最后一个MTJ单元上。本实施例中,与第1排的首个MTJ单元相连的两个连接电极2中,有一个连接电极2为单连接电极2’,单连接电极2’只与一个MTJ单元相连,不与相邻排上对应位置的MTJ单元相连。同样的,与第M排的首个(或最后一个)MTJ单元相连的两个连接电极2中,也有一个连接电极2对应为单连接电极2’。
图1所示的MTJ阵列中,第1排的首个MTJ单元上连接有一个单连接电极2’,第1个MTJ单元同时通过连接电极2与第1排的第2个MTJ单元相连,每一排上的MTJ单元都通过连接电极2依次与其后一个(或前一个)MTJ单元串联,第1排的最后1个MTJ单元与第2排的最后一个MTJ单元通过连接电极2串联,第2排的首个MTJ单元与第3排的首个MTJ单元通过连接电极2串联,第3排的最后一个MTJ单元和第4排的最后一个MTJ单元通过连接电极2串联,以此类推,最后一排的最后一个MTJ单元上对应连接有一个单连接电极2’。
调节电极从一个或多个连接电极2上引出,为了便于电路版图设计及方便走线布图,优选的,调节电极从MTJ阵列最外圈的一个或多个连接电极2上引出。调节电极包括微调电极3-1和粗调电极3-2。其中,微调电极3-1从第1排和/或第M排的MTJ单元间的一个或多个连接电极2上引出,粗调电极3-2从连接相邻排MTJ单元的一个或多个连接电极2上引出。以本实施例的MTJ阵列为例,在进行粗调节时,通过将相邻的粗调电极3-2用焊接引线方式短接,可以获得以10个MTJ电阻为单元的电阻调节量;在进行微调时,通过将相邻的微调电极3-1用焊接引线方式短接,可以获得以2个MTJ电阻为单元的电阻调节量。连接电极2和调节电极可采用金或银或铜等材质制成。
本实用新型通过连接电极将阵列中每一排上相邻的MTJ单元串联在一起,以及将相邻排的MTJ单元串联在一起,并从一个或多个连接电极上引出调节电极。在将MTJ阵列与传感器的外围电路连接时,选择两个不同的调节电极作为输入端和输出端,此时连接电极会将输入端和输出端之间特定数量的MTJ单元串联在一起,通过选择不同的调节电极作为输入端和输出端即可实现对MTJ单元串联个数的选择。在进行电路调零操作时,根据调零时阻值一致性的调节需求,在某些调节电极之间点焊短路引线a(图1),通过短路引线a使相连的调节电极短路,即可调节MTJ阵列的阻值的大小,进而可以调节电路的零点。
下面对本实用新型TMR传感器的制备方法进行说明,其制备过程包括以下步骤:
利用磁控溅射在绝缘基底上依次生长出缓冲层、自由层、势垒层、钉扎层和覆盖层,形成多层膜结构;
在多层膜结构上通过掩膜和光刻技术匀胶并显影出想要的结构,形成相互独立的MTJ单元,采用等离子体刻蚀技术刻蚀并将残胶去掉后,得到MTJ阵列,此时,阵列中的MTJ单元之间无连接导通,每个MTJ单元均包括一对MTJ结构,MTJ结构(通过底电极)互相串联;
在MTJ阵列上进行第二次光刻,然后在阵列结构上再次生长一层电极层,用于形成连接电极和调节电极,去胶剥离后,得到通过连接电极连接导通的MTJ阵列,一个MTJ阵列中只有两个单连接电极,调节电极(微调电极和粗调电极)的引出位置和设置数量可根据需求进行相应设计;
根据传感器的电压需求,从调节电极中选择两个作为MTJ阵列的输出端和输出端与传感器的外围电路相连,连接完成后,从输入端输入电流,并检测输出电压,进行传感器测试,测试合格后即得到传感器成品。
当然,本实用新型的技术构思并不仅限于上述实施例,还可以依据本实用新型的构思得到许多不同的具体方案,例如,排、列和方向相关,在以上说明中,排和列是以图1和图2所示的方向来进行描述,如图1、图2中MTJ阵列由12排×5列的MTJ单元组成,同一排的5个MTJ单元中相邻的两两之间通过连接电极相连,相邻排的MTJ单元在首端或尾端通过调节电极与下一排的MTJ单元的首端或尾端对应连接;当将图1、图2所示的阵列旋转90°后,排和列正好颠倒,即MTJ阵列由5排×12列的MTJ单元组成,但连接电极、调节电极与MTJ阵列间的连接关系依然不变,同一排的12个MTJ单元中相邻的两两之间仍是通过连接电极相连,相邻排的MTJ单元在首端或尾端通过调节电极与下一排的MTJ单元的首端或尾端对应连接;诸如此等改变以及等效变换均应包含在本实用新型所述的范围之内。
Claims (7)
1.一种TMR传感器,其特征在于,包括:
绝缘基底;
设置于所述绝缘基底上的MTJ阵列,所述MTJ阵列由M×N个间隔设置的MTJ单元组成;
连接电极,所述连接电极用于串联MTJ阵列中位于同一排的两个相邻的MTJ单元,以及用于串联MTJ阵列中一排MTJ单元和其后一排MTJ单元;
调节电极,所述调节电极从多个所述连接电极引出。
2.如权利要求1所述的TMR传感器,其特征在于:所述MTJ单元包括两个串联的MTJ结构。
3.如权利要求2所述的TMR传感器,其特征在于:所述MTJ结构通过底电极串联。
4.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:相邻排的MTJ单元串联时,一排MTJ单元在该排的第1个MTJ单元处或最后一个MTJ单元处通过连接电极与其后一排MTJ单元的第1个MTJ单元或最后一个MTJ单元相连,每一个MTJ单元上连接有两个连接电极。
5.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:所述连接电极包括单连接电极,一个MTJ阵列中具有两个单连接电极,所述单连接电极连接于串联在一起的MTJ单元中的第一个MTJ单元和最后一个MTJ单元上;除了单连接电极外,每个连接电极均与两个MTJ单元相连,单连接电极只与一个MTJ单元相连。
6.如权利要求1或2或3所述的TMR传感器,其特征在于:所述调节电极从MTJ阵列最外圈的所述连接电极引出。
7.如权利要求6所述的TMR传感器,其特征在于:所述调节电极包括微调电极和粗调电极,所述微调电极从MTJ阵列中的第1排和/或第M排的MTJ单元间的连接电极引出,所述粗调电极从连接相邻排MTJ单元的连接电极引出。
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