CN209658923U - 一种可对0v电池充电的反接保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可对0V电池充电的反接保护电路，包括MOS场效应管Q10、NPN型晶体三极管Q11、二极管D3、电阻R3、电阻R24、电阻R25、电阻R26和电容C15组成，所述NPN型晶体三极管Q11的基极分别连接电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R26的一端和二极管D3的一端，所述NPN型晶体三极管Q11的发射极和电阻R25的另一端均接地，所述NPN型晶体三极管Q11的集电极与电阻R3的一端连接。本实用新型所述的一种可对0V电池充电的反接保护电路，利用二极管正向压降使得保护电路在输出0V时依然可以工作，可精准识别出被充目标是0V可激活电池和不可激活电池还是输出短路，防止智能充电器电池反接损坏，还可对0V镍氢电池进行激活充电，带来更好的使用前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池领域，特别涉及一种可对0V电池充电的反接保护电路。
背景技术
由于智能充电器可充电池种类繁多，电池状态不一。为了防止电池反接造成的损坏和准确判断是短路电池还是可重新激活的0V电池则需要对0V目标进行小电池充电。一般的反接保护电路对电压为0V的目标都没法提供充电电流或是直接认不到电池的接入；为此，我们提出一种可对0V电池充电的反接保护电路。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种可对0V电池充电的反接保护电路，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种可对0V电池充电的反接保护电路，包括MOS场效应管Q10、NPN型晶体三极管Q11、二极管D3、电阻R3、电阻R24、电阻R25、电阻R26和电容C15组成，所述NPN型晶体三极管Q11的基极分别连接电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R26的一端和二极管D3的一端，所述NPN型晶体三极管Q11的发射极和电阻R25的另一端均接地，所述NPN型晶体三极管Q11的集电极与电阻R3的一端连接。
优选的，所述MOS场效应管Q10的源级分别连接电阻R24的一端和通道输入CH+IN，所述MOS场效应管Q3的栅极分别连接电阻R3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电阻R24的另一端，所述MOS场效应管Q3的漏级、二极管D3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电容C15远离NPN型晶体三极管Q11的一端均与通道输出CH+OUT连接；
优选的，所述电阻R26远离NPN型晶体三极管Q11的一端与充电器主电源VIN连接。
优选的，所述MOS场效应管Q10的型号为AO3401。
优选的，所述NPN型晶体三极管Q11的型号为S8050。
优选的，所述电阻R3的阻值为1K，所述电阻R24、电阻R25和电阻R26的阻值均为10K。
优选的，所述电容C15的最大工作电压为50V，所述电容C15的容值为0.1uf。
与现有技术相比，本实用新型提供了一种可对0V电池充电的反接保护电路，具有如下有益效果：在充电接口端加入此反接保护电路，利用二极管正向压降使得保护电路在输出0V时依然可以工作，可精准识别出被充目标是0V可激活电池和不可激活电池还是输出短路，可防止智能充电器电池反接损坏，还可对0V镍氢电池进行激活充电，而且整个可对0V电池充电的反接保护电路的结构比较简单，操作方便，使用效果相对于传统方式更好，满足人们的使用要求，较为实用。
该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
附图说明
图1为本实用新型一种可对0V电池充电的反接保护电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
实施例1
如图1所示，一种可对0V电池充电的反接保护电路，包括MOS场效应管Q10、NPN型晶体三极管Q11、二极管D3、电阻R3、电阻R24、电阻R25、电阻R26和电容C15组成，NPN型晶体三极管Q11的基极分别连接电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R26的一端和二极管D3的一端，NPN型晶体三极管Q11的发射极和电阻R25的另一端均接地，NPN型晶体三极管Q11的集电极与电阻R3的一端连接。
MOS场效应管Q10的源级分别连接电阻R24的一端和通道输入CH+IN，MOS场效应管Q3的栅极分别连接电阻R3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电阻R24的另一端，MOS场效应管Q3的漏级、二极管D3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电容C15远离NPN型晶体三极管Q11的一端均与通道输出CH+OUT连接。
电阻R26远离NPN型晶体三极管Q11的一端与充电器主电源VIN连接；MOS场效应管Q10的型号为AO3401；NPN型晶体三极管Q11的型号为S8050；电阻R3的阻值为1K，电阻R24、电阻R25和电阻R26的阻值均为10K；电容C15的最大工作电压为50V，电容C15的容值为0.1uf。
在充电接口端加入此反接保护电路，利用二极管正向压降使得保护电路在输出0V时依然可以工作，可精准识别出被充目标是0V可激活电池和不可激活电池还是输出短路，可以防止智能充电器电池反接损坏，还可对0V镍氢电池进行激活充电，而且整个可对0V电池充电的反接保护电路的结构比较简单，操作方便，使用效果相对于传统方式更好，满足人们的使用要求，较为实用。
实施例2
如图1所示，一种可对0V电池充电的反接保护电路，当正常充电时CH+OUT电压>0.5V，VIN(充电器主电源)经R26经Q11加正偏电压Q11导通，Q10的G极经R3下拉使得Q11得到正偏电压导通，充电电流由CH+IN经Q11流向CH+OUT电路正常充电；
当电池反接时，电池正极由地线流向Q11的E极和经R25再流向D3再流回电池负极。此时R25上的电压为电池电压减D3的正向压降(约0.6V)。
假设电池电压为4V那么R25上的电压约为3.4V，R25与Q11的发射结并联，而此时R25上的电压对于NPN型的Q11来说是反偏，所以截止，Q10的VGS电压经R24放电为0V截止关闭了反向电流实现了保护。C15为回速电容，使Q11快速截止防止电池反接的尖峰电流损坏Q10；当电池0V或是输出短路时因为有D3的存在，使是Q11的VBE能有一个D3的正向压降(约0.6V)，所以Q11不会截止，从面实现了对0V电池也能提供充电电流的目的。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种可对0V电池充电的反接保护电路，包括MOS场效应管Q10、NPN型晶体三极管Q11、二极管D3、电阻R3、电阻R24、电阻R25、电阻R26和电容C15组成，其特征在于：所述NPN型晶体三极管Q11的基极分别连接电阻R25的一端、电容C15的一端、电阻R26的一端和二极管D3的一端，所述NPN型晶体三极管Q11的发射极和电阻R25的另一端均接地，所述NPN型晶体三极管Q11的集电极与电阻R3的一端连接，所述MOS场效应管Q10的源级分别连接电阻R24的一端和通道输入CH+IN，所述MOS场效应管Q3的栅极分别连接电阻R3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电阻R24的另一端，所述MOS场效应管Q3的漏级、二极管D3远离NPN型晶体三极管Q11的一端和电容C15远离NPN型晶体三极管Q11的一端均与通道输出CH+OUT连接，所述电阻R26远离NPN型晶体三极管Q11的一端与充电器主电源VIN连接。
2.根据权利要求1所述的一种可对0V电池充电的反接保护电路，其特征在于：所述MOS场效应管Q10的型号为AO3401。
3.根据权利要求1所述的一种可对0V电池充电的反接保护电路，其特征在于：所述NPN型晶体三极管Q11的型号为S8050。
4.根据权利要求1所述的一种可对0V电池充电的反接保护电路，其特征在于：所述电阻R3的阻值为1K，所述电阻R24、电阻R25和电阻R26的阻值均为10K。
5.根据权利要求1所述的一种可对0V电池充电的反接保护电路，其特征在于：所述电容C15的最大工作电压为50V，所述电容C15的容值为0.1uf。
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| CN201821980172.XU CN209658923U (zh) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 一种可对0v电池充电的反接保护电路 |
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| CN201821980172.XU Active CN209658923U (zh) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 一种可对0v电池充电的反接保护电路 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112994188A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-06-18 | 上海南麟电子股份有限公司 | 可充电电池与电池保护芯片的反接保护电路 |
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2018
- 2018-11-28 CN CN201821980172.XU patent/CN209658923U/zh active Active
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|---|---|---|---|---|
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