CN209607561U - 一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4‑0.6时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第一引脚，N2绕组匝数为5至60匝之间,当变压器外接电器电路的功率因素在0.6‑0.9时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第五引脚，N2绕组匝数为20至60匝之间,所述N2绕组线的终止端不连接,所述的N2绕组线用单股或多股线并绕达到密绕一层。本实用新型绕制的变压器，具有较强的抗干扰性，可以达到很好的抑制高频150KHZ‑100MHZ的电磁干扰。
Description
技术领域
本实用新型属于变压器技术领域，具体涉及一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构。
背景技术
变压器为各式电器设备中经常使用的电子元件。目前的变压器结构在高频电路产生电磁干扰(Electromagnetic Interference；E.M.I.明显，造成LED灯使用效果不佳。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构及其方法，目的在于解决现有变压器存在的缺陷，提供一种抑制电磁干扰的高频变压器，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，当功率因素在0.4-0.6时，N2绕组起绕点接在变压器1脚，N2绕组匝数为5至60匝之间，用单股或多股线并绕达到密绕一层，可以达到很好的抑制高频150KHZ-100MHZ的电磁干扰，
一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第一引脚，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第五引脚，所述N2绕组线的终止端不连接。
优选地，当功率因素在0.4-0.6时，N2绕组匝数为5至60匝之间,当功率因素在0.6-0.9时，N2绕组匝数为20至60匝之间。
优选地，所述的N2绕组线用单股或多股线并绕达到密绕一层。
优选地，包括变压器骨架，变压器骨架上从内到外依次绕制有N1绕组、N2绕组、N3绕组、N4绕组、N5绕组，所述的N1绕组、N2绕组、N4绕组、N5绕组组成初级绕组，所述的N3绕组组成次级绕组，当外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第一引脚，当外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第五引脚，所述N2绕组线的终止端形成自由端。
优选地，所述N1绕组线的起绕点连接至变压器的第三引脚，终止端连接至变压器的第一引脚，所述N4绕组线的起绕点连接至变压器的第四引脚，终止端连接至变压器的第五引脚，所述N5绕组线的起绕点连接至变压器的第二引脚，终止端连接至变压器的第三引脚，所述N3绕组线的起绕点连接至变压器的第七引脚，终止端连接至变压器的第八引脚。
优选地，所述的变压器外接电器电路包括整流兀形滤波电路、PWM控制及辅助电路、尖峰吸收电路和二次侧整流滤波电路，其特征在于：所述整流兀形滤波电路的输入端接入100—264V交流电压，所述整流兀形滤波电路与PWM控制及辅助电路电性连接，所述PWM控制及辅助电路分别与尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述高频变压器电路和二次侧整流滤波电路电性连接。
优选地，所述整流兀形滤波电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RL1、电感L1、电容C1和电容C2，所述二极管D1的正向与熔断器F1串联，所述二极管D1的反向分别与二极管D2的反向接通和电阻RL1以及电感L1并联，所述电阻RL1和电感L1均与电容C2并联，所述二极管D2的正向与100—264V交流电压的火线连接，所述二极管D3的反向与熔断器F1串联，且所述二极管D3的正向与二极管D4的正向串联，所述PWM控制及辅助电路包括芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D6、电容C4、三极管Q1和电容C7，所述电阻R1与整流兀形滤波电路电性连接，所述电阻R1和电阻R2串联，所述电阻R2分别与电阻R10和电容C4连接，所述芯片U1的引脚5与电阻R10串联，所述芯片U1的引脚4与电阻R8串联，所述电阻R8与高频变压器电路电性连接，所述芯片U1的引脚1分别与电容C7和电阻R5并联，所述电阻R5与三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与芯片U1的引脚2连接，所述三极管Q1的集电极与尖峰吸收电路电性连接，所述芯片U1的引脚3与电阻R6串联，所述电阻R6连接在三极管Q1和电阻R5所在的电路上，所述尖峰吸收电路包括电阻R11、电容C3和二极管D5，所述电阻R11与PWM控制及辅助电路连接，且电阻R11与电容C3并联后与二极管D5的反向连接，所述二极管D5的正向与三极管Q1的集电极连接，所述变压器电路包括初级线圈N1、初级线圈N2、次级线圈N3、初级线圈N4和初级线圈N5，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在A点上，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在B点上，且所述初级线圈N2的另一个接线端形成自由端，所述二次侧整流滤波电路包括电容C7和电容C6。
本实用新型的有益效果为：本实用新型所述的变压器绕线结构具有较强的抗干扰性，可以达到很好的抑制高频150KHZ-100MHZ的电磁干扰。
附图说明
图1为本实用新型变压器外接电器电路的原理图。
图2为本实用新型变压器外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时,变压器的绕制结构图。
图3为本实用新型变压器外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时,变压器的绕制结构图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制方法，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第一引脚,如图2，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时，N2绕组线的起绕点连接至变压器的第五引脚，所述N2绕组线的终止端不连接，如图3，图中黑点为起绕点，同时配合变压器外接电器电路的电容CY1和电容CY2的安装方法效果更好,即N2绕组线的起绕点接变压器外接电器电路中的A点，当功率因素在0.6-0.9时，N2绕组起绕点接在变压器5脚，N2绕组匝数为20至60匝之间，用单股或多股线并绕达到密绕一层。可以达到很好的抑制高频150KHZ-100MHZ的电磁干扰，同时配合变压器外接电器电路的电容CY1和电容CY2的安装方法效果更好,即N2绕组线的起绕点接变压器外接电器电路中的B点。
优选地，当功率因素在0.4-0.6时，N2绕组匝数为5至60匝之间,当功率因素在0.6-0.9时，N2绕组匝数为20至60匝之间。
优选地，所述的N2绕组线用单股或多股线并绕达到密绕一层。
优选地，包括变压器骨架，变压器骨架上从内到外依次绕制有N1绕组、N2绕组、N3绕组、N4绕组、N5绕组，所述的N1绕组、N2绕组、N4绕组、N5绕组组成初级绕组，所述的N3绕组组成次级绕组，当外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第一引脚，当外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第五引脚，所述N2绕组线的终止端形成自由端。
优选地，所述N1绕组线的起绕点连接至变压器的第三引脚，终止端连接至变压器的第一引脚，所述N4绕组线的起绕点连接至变压器的第四引脚，终止端连接至变压器的第五引脚，所述N5绕组线的起绕点连接至变压器的第二引脚，终止端连接至变压器的第三引脚，所述N3绕组线的起绕点连接至变压器的第七引脚，终止端连接至变压器的第八引脚。
优选地，所述的变压器外接电器电路包括整流兀形滤波电路、PWM控制及辅助电路、尖峰吸收电路和二次侧整流滤波电路，其特征在于：所述整流兀形滤波电路的输入端接入100—264V交流电压，所述整流兀形滤波电路与PWM控制及辅助电路电性连接，所述PWM控制及辅助电路分别与尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述尖峰吸收电路和变压器电路电性连接，所述高频变压器电路和二次侧整流滤波电路电性连接。
优选地，所述整流兀形滤波电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RL1、电感L1、电容C1和电容C2，所述二极管D1的正向与熔断器F1串联，所述二极管D1的反向分别与二极管D2的反向接通和电阻RL1以及电感L1并联，所述电阻RL1和电感L1均与电容C2并联，所述二极管D2的正向与100—264V交流电压的火线连接，所述二极管D3的反向与熔断器F1串联，且所述二极管D3的正向与二极管D4的正向串联，所述PWM控制及辅助电路包括芯片U1、电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D6、电容C4、三极管Q1和电容C7，所述电阻R1与整流兀形滤波电路电性连接，所述电阻R1和电阻R2串联，所述电阻R2分别与电阻R10和电容C4连接，所述芯片U1的引脚5与电阻R10串联，所述芯片U1的引脚4与电阻R8串联，所述电阻R8与高频变压器电路电性连接，所述芯片U1的引脚1分别与电容C7和电阻R5并联，所述电阻R5与三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与芯片U1的引脚2连接，所述三极管Q1的集电极与尖峰吸收电路电性连接，所述芯片U1的引脚3与电阻R6串联，所述电阻R6连接在三极管Q1和电阻R5所在的电路上，所述尖峰吸收电路包括电阻R11、电容C3和二极管D5，所述电阻R11与PWM控制及辅助电路连接，且电阻R11与电容C3并联后与二极管D5的反向连接，所述二极管D5的正向与三极管Q1的集电极连接，所述变压器电路包括初级线圈N1、初级线圈N2、次级线圈N3、初级线圈N4和初级线圈N5，当变压器外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在A点上，当变压器外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时,所述初级线圈N2绕组线的起绕点接在B点上，且所述初级线圈N2的另一个接线端形成自由端，所述二次侧整流滤波电路包括电容C7和电容C6。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构，其特征在于：包括变压器骨架，变压器骨架上从内到外依次绕制有N1绕组、N2绕组、N3绕组、N4绕组、N5绕组，所述的N1绕组、N2绕组、N4绕组、N5绕组组成初级绕组，所述的N3绕组组成次级绕组，当外接电器电路的功率因素在0.4-0.6时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第一引脚，当外接电器电路的功率因素在0.6-0.9时，所述N2绕组线的起绕点连接至变压器骨架上的第五引脚，所述N2绕组线的终止端形成自由端。
2.根据权利要求1所述的一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构，其特征在于：当功率因素在0.4-0.6时，N2绕组匝数为5至60匝之间,当功率因素在0.6-0.9时，N2绕组匝数为20至60匝之间。
3.根据权利要求1所述的一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构，其特征在于：所述的N2绕组线用单股或多股线并绕达到密绕一层。
4.根据权利要求1所述的一种抑制电磁干扰高频变压器的绕制结构，其特征在于：所述N1绕组线的起绕点连接至变压器的第三引脚，终止端连接至变压器的第一引脚，所述N4绕组线的起绕点连接至变压器的第四引脚，终止端连接至变压器的第五引脚，所述N5绕组线的起绕点连接至变压器的第二引脚，终止端连接至变压器的第三引脚，所述N3绕组线的起绕点连接至变压器的第七引脚，终止端连接至变压器的第八引脚。
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