CN209446777U - 探测器系统和辐射成像装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种探测器系统和辐射成像装置。探测器系统包括：探测器，包括重叠设置的多层探测器层，探测器层包括探测器元件层，多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；距离调节装置，与多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节探测器的相邻的探测器层的层间距离。辐射器成像装置包括前述的探测器系统。本公开的探测器系统和辐射成像装置利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
Description
技术领域
本公开涉及辐射探测技术领域，特别涉及一种探测器系统和辐射成像装置。
背景技术
在辐射探测技术领域中，康普顿成像方法是确定伽马放射性核素位置及空间分布的有效手段。康普顿相机是一种应用康普顿成像方法的辐射成像设备。
如图1所示，基本的康普顿相机的探测器20包括两层探测器层，第一层探测器层21作为散射探测器(scattering detector)，第二层探测器层22作为吸收探测器(absorbingdetector)。每个探测器层分割成多个体元(voxel)，构成可获取位置、能量和时间信息的探测器阵列。
来自放射源10的伽马射线在散射探测器中发生康普顿散射，在其中沉积能量为E1，散射位置为(x1，y1，z1)，散射光子在吸收探测器中发生光电反应被吸收探测器完全吸收，沉积能量为E2，散射位置为(x2，y2，z2)。
根据康普顿成像原理，伽马射线的发射位置可确定位于一个圆锥表面上的某一点，这个圆锥的顶点为(x1，y1，z1)，圆锥轴线为(x1，y1，z1)与(x2，y2，z2)的连线，锥角可由式(1)得出：
其中，me c2为电子的静止能量。
放射源是单个或多个点源的场合，通过多个事例，可以得到很多圆锥，这些圆锥所交汇的部分，理论上就是放射源所在位置。
康普顿相机需要在角度分辨、探测效率和成像视野这三个关键指标之间进行取舍。为提高角度分辨，需要加大散射探测器和吸收探测器之间的距离，必然导致探测效率和成像视野的减小；为提高探测效率并获得全方向探测能力，可采用3D位置灵敏探测器同时作为散射体和吸收体，但由于散射点和吸收点之间距离减小，角度分辨变差，一般只能达到20至30度。
实用新型内容
本公开的目的在于提供一种探测器系统和辐射成像装置。
本公开第一方面提供一种探测器系统，包括：
探测器，包括重叠设置的多层探测器层，所述探测器层包括探测器元件层，所述多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；
距离调节装置，与所述多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，所述距离调节装置通过沿所述探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节所述探测器的相邻的探测器层的层间距离。
进一步地，所述探测器元件层包括闪烁体探测元件层，所述探测器层包括与所述闪烁体探测元件层连接的光电转换元件和与所述光电转换元件连接的集成电路芯片。
进一步地，所述探测器包括三层以上探测器层。
进一步地，所述探测器元件层包括闪烁体探测元件层，所述闪烁体探测元件层包括沿与所述探测器层的厚度方向垂直的方向并排紧密排列的多个闪烁体条。
进一步地，所述闪烁体条两端面以外的侧面设有反射层。
进一步地，所述闪烁体条两端面以外的侧面设有遮光层。
进一步地，所述探测器层包括硅光电倍增管，各所述闪烁体条的两端各自设有一个所述硅光电倍增管。
进一步地，所述探测器层还包括集成电路芯片，所述集成电路芯片与其所在的探测器层的各所述硅光电倍增管连接。
进一步地，所述探测器系统包括与所述探测器连接的供电装置和数据采集装置。
进一步地，所述距离调节装置包括层间连接机构，所述层间连接机构与各所述探测器层连接，所述距离调节装置调节所述层间距离时，所述层间连接机构限定所有相邻的所述探测器层之间的层间距离相等。
进一步地，所述层间连接机构包括多个连接杆铰接形成的杆式伸缩结构，各所述探测器层与所述杆式伸缩结构铰接。
进一步地，所述距离调节装置包括为各所述探测器层移动进行导向的导向机构。
进一步地，所述距离调节装置还包括驱动机构，所述驱动机构与所述多层探测器层中至少一层探测器层驱动连接，用于带动所述多层探测器层中至少部分探测器层沿所述探测器层的厚度方向移动以调节所述层间距离。
进一步地，所述探测器系统包括探测器支架，所述多层探测器和所述距离调节装置设置于所述探测器支架上。
本公开提供一种辐射成像装置，包括本公开第一方面中任一项所述的探测器系统。
基于本公开提供的探测器系统，可以调整探测器的各探测器层的层间距离，在层间距离最小时探测效率最高；在层间距离最大时探测效率最低、视野最小，但角度分辨最好；层间距离介于最大和最小之间时，探测效率、成像视野和角度分辨可根据层间距离改变，利于满足不同的辐射测量需求，因而，利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
本公开还提供一种辐射成像装置，包括本公开的探测器系统。该辐射成像装置与本公开的探测器系统具有相同的优点。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本申请的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中康普顿像机的探测器的工作原理示意图。
图2为本公开一实施例的探测器系统的探测器在各探测器层的层间距离最小时的结构示意图。
图3为图2所示实施例的探测器的各探测器层在层间距离最大时时的结构示意图。
图4为图2所示实施例的探测器的各探测器层在层间距离最小与层间距离最大之间的某一位置时的结构示意图。
图5为图2所示实施例的探测器的一探测器层的结构示意图。
图6为图2所示实施例的探测器的工作原理图。
图7和图8为图2所示实施例的探测器的放射源成像效果图。
图9为本公开另一实施例的探测器系统在探测器的各探测器层的层间距离最小时的结构示意图。
图10为图9所示实施例的探测器系统在探测器的各探测器层的层间距离最大时的结构示意图。
图11为图9所示实施例的探测器系统在探测器的各探测器层在层间距离最小与层间距离最大之间某一位置时的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在本公开的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本公开保护范围的限制。
在本公开的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
本公开所述“多”指二及三以上(含三)，例如“多层”指两层及三层以上(含三层)。
如图2至图5，图9至图11所示，本公开实施例提供的探测器系统200主要包括探测器210和距离调节装置220。探测器210包括沿探测器层211的厚度方向重叠设置的多层探测器层211，多层探测器层211中至少部分探测器层211沿探测器层211的厚度方向可移动，探测器层211包括探测器元件层。距离调节装置220与多层探测器层211中至少部分探测器层211驱动连接，距离调节装置220通过沿探测器层211的厚度方向移动至少部分探测器层211调节探测器210的相邻的探测器层211的层间距离。本公开描述的层间距离为相邻探测器层211的相对表面之间的距离。
本公开实施例提供的探测器系统200可以调整各探测器层211的层间距离，在层间距离最小时探测效率最高；在层间距离最大时，探测效率最低、视野最小，但角度分辨最好；层间距离介于最大和最小之间时，探测效率、成像视野和角度分辨根据层间距离变化，利于满足不同的辐射测量需求，因而，利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
探测器元件层例如为闪烁体探测元件层、半导体探测元件层或气体探测元件层等。闪烁体探测元件例如可以为GAGG闪烁体元件、LSO闪烁体元件、NaI闪烁体元件、CsI闪烁体元件或LaBr3闪烁体元件等。半导体探测器元件例如为高纯锗探器元件、碲锌镉探测器元件等。
在一些实施例中，探测器元件层包括闪烁体探测元件层，探测器层211包括与闪烁体探测元件层连接的光电转换元件和与光电转换元件的集成电路芯片。
光电转换元件例如可以为光电倍增管(photomultiplier tube，PMT)，光电二极管(Photo-Diode，PD)，雪崩光电二极管(avalanche photodiode，APD)或硅光电倍增管(Silicon photomultiplier，SiPM或者multi-pixel photon counter，MPPC)。光电转换元件用于将闪烁体探测元件层获取的光信号转变为电信号。
如果探测器元件层为半导体探测元件层或气体探测元件层则无需设置光电转换元件。
在一些实施例中，探测器210可以包括三层以上探测器层211，例如三层、四层、六层、七层、九层、十层、十四层或更多层。优选为八层以上。当然，探测器210也可以仅包括两层探测器层211。
在一些实施例中，探测器层211的探测器元件层包括闪烁体探测元件层，闪烁体探测元件层包括沿与探测器层211的厚度方向垂直的方向并排紧密排列的多个闪烁体条2111。此时，探测器层211可以包括硅光电倍增管2112，各闪烁体条2111的两端各自设有一个硅光电倍增管2112。探测器层211还可以包括集成电路芯片，集成电路芯片与其所在的探测器层211的各硅光电倍增管2112连接。
在一些实施例中，闪烁体条2111的平行于探测器层211的厚度方向的侧面设有反射层。反射层用于隔离各闪烁体条2111的闪烁光，利于防止不同的闪烁体条2111之间发生干涉。
在一些实施例中，闪烁体条2111的平行于探测器层211的厚度方向的侧面设有遮光层。设置遮光层利于防止与检测射线无关的光线干扰。
在一些实施例中，探测器系统200包括与探测器210连接的供电装置和数据采集装置。
在一些实施例中，距离调节装置220包括层间连接机构221，层间连接机构221与各探测器层211连接，距离调节装置220调节层间距离时，层间连接机构221限定所有相邻的探测器层211之间的层间距离相等。
在一些实施例中，层间连接机构221包括多个连接杆铰接形成的杆式伸缩结构，各探测器层211与杆式伸缩结构铰接。在一些实施例中，杆式伸缩结构包括首尾依次铰接的多个连接杆。或者，在一些实施例中，杆式伸缩结构也可以包括依次相连接多个剪叉结构。
在一些实施例中，距离调节装置220包括为各探测器层211移动进行导向的导向机构222。导向机构222例如可以包括导向杆，各探测器层211包括与导向杆配合的导向孔。导向机构222也可以包括导轨和沿导轨可移动配合的配合件，各探测器层211上设置配合件。
在一些实施例中，距离调节装置220还包括驱动机构223，驱动机构223与多层探测器层211中至少一层探测器层211驱动连接，用于带动多层探测器层211中至少部分探测器层211沿探测器层211的厚度方向移动以调节层间距离。驱动机构223可以包括螺杆和与螺杆配合的螺母，螺母与一层探测器层211固定连接。其中螺杆可以手动驱动，也可以设置动力源驱动螺杆动作，例如步进电机等。
在一些实施例中，探测器系统200包括探测器支架230，多层探测器210和距离调节装置220设置于探测器支架230上。探测器支架230优选为框架结构。
以下将结合图2至图11对本公开一些实施例的探测器系统200进行详细说明。
图2至图8示出了本公开一实施例的探测器系统200的探测器210的结构、原理和效果。
该探测器系统200主要包括探测器210、距离调节装置、探测器支架、供电装置和数据采集装置。
如图2至图5所示，探测器210包括沿探测器层211的厚度方向重叠设置的八层探测器层211。探测器层211的厚度方向为图2至图5中的上下方向。八层探测器层211中除最底层的探测器层外的七层探测器层211沿探测器层211的厚度方向可移动。
距离调节装置与多层探测器层211中至少部分探测器层211驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层211的厚度方向移动至少部分探测器层211调节多层探测器层211的层间距离。本实施例重点介绍探测器210的结构、功能、原理和效果，因此，在图2至图4中仅示出了距离调节装置220的调节结果，并未示出距离调节装置的具体结构。本实施例对距离调节装置的结构不做具体限定。能实现探测器系统中探测器210的各探测器层211之间的层间距离调节的距离调节装置均可适用于本实施例，并且，本实施例的各探测器层211可以相应于距离调节装置的调节功能在结构上做出适应性改变，只要不影响探测器210的功能即可。
探测器层211的探测器元件层包括闪烁体探测元件层、与闪烁体探测元件层连接的硅光电倍增管2112和与硅光电倍增管2112连接的集成电路芯片。
如图2至图5所示，闪烁体探测元件层包括沿与探测器层211的厚度方向垂直的方向并排紧密排列的16个闪烁体条2111。闪烁体条2111为GAGG闪烁体条。闪烁体条2111的尺寸为3mm×3mm×48mm。各闪烁体条2111的除两端正方形面以外的四个侧面均覆有反射层和遮光层。每层闪烁体探测元件层的多个GAGG闪烁体条紧密排列，使得各探测器层中心距为探测器层的厚度(层间紧密配合)时，探测效率更高，且对各方位探测效率的一致性更好。
探测器层211包括32个硅光电倍增管2112，16个闪烁体条2111中每一个的两端各自设有一个硅光电倍增管2112。集成电路芯片可为ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit)芯片，与其所在的探测器层211的32个硅光电倍增管2112连接。本实施例中，与闪烁体条2111两端的端面配合地，闪烁体条2111两端采用有效面积3mm×3mm的硅光电倍增管2112读出，各闪烁体条2111与其两端的两个硅光电倍增管2112构成一个基本探测单元。
如图6所示，该探测器系统200的探测器210包括八层探测器层211，探测器210可探测多个位置的射线源100发出的射线。每一层探测器层211可获取被探测事件的能量、时间及二维位置信息。各层探测器210功能相同，既可以是吸收探测器也可以是散射探测器，针对被探测事件采用符合法确定相关信息。符合法是指：规定一定宽度的时间窗，比如取100ns的典型值，当任意一层探测器层211有触发时开始这个时间窗，各层落在该窗口内的事例统一记录，若有正好多层探测器其中两层有事例则认为可以用来成像，并可确定对于该事件而言哪一层探测器层211作为该事件的吸收探测器，哪一层探测器层211作为散射探测器。
图2示出了本实施例的探测器210中各层探测器层211紧密结合时探测器210的结构示意图。此时层间距离最小，具体地层间距离为零，相邻的探测器210的中心距为探测器层211的厚度。每根闪烁体条2111在阵列中的位置即包含二维信息，通过闪烁体条2111两端的硅光电倍增管2112可以确定射线源的作用点在每根闪烁体条2111内的位置，从而得到三维位置信息。且各层探测器210之间可以独立读出并采用符合法进行符合。此时整个探测器210是一个3D位置灵敏探测器210，可以实现全方向探测，角度分辨约为40度，用于快速(<1s)确定核素种类及感兴趣的成像区域，些时探测器210的效率最高。选择本实施例的探测器210，对662keV伽马射线本征探测效率可达20％。
图3示出了本实施例的探测器210中各层探测器层211的层间距离最大(例如层中心距5倍于探测器层211的厚度)时探测器210的结构示意图。此时探测器210可对150度范围进行高精度成像。因为各探测器层211的层间距离拉大，每层探测器层211对其余层探测器层211所张开的立体角变小，所以探测效率下降，且拉开层间距离后对侧面入射无法有效成像，故视野变小，但层间距离拉大后，作用点定位的不确定性对确定作用点连线的方向的影响减小，从而角度分辨变好。
图4示出了本实施例的探测器210中各层探测器层211的层间距离处于层间距离最小和层间距离最大之间时的探测器210的结构示意图。各层探测器层211的层间距离最小时，作用点距离较小，定位的不确定性对确定作用点连线的方向影响较大，角度分辨较差。拉开层间距离后，作用点距离拉大，角度分辨变好，但效率下降，视野变小。通过灵活调整层间距离，可以应对不同的应用场合对成像视野、探测效率、角度分辨等的要求。
图7和图8为图2至图5所示实施例的探测器210的在各探测器层211的层间距离最大时的放射源成像效果图。具体地，图7和图8是采用简单反投影法得到的137Cs放射源成像效果图。
图7的横坐标为方位角，纵坐标为倾斜角，条形色带表示投影的相对强度。图7中图像中心处强度较高的区域即为重建得到的射线强度较高的区域，对应137Cs放射源的位置。
图8的横坐标表示计算得到的反投影角度与真实放射源的角度之差，纵坐标表示单位角度差内的事件数量，折线是统计条形图，光滑曲线是高斯拟合的拟合结果，根据拟合结果可以得到角度分辨，即拟合得到的高斯分布的半高全宽(full width at halfmaxima，FWHM)。
模拟计算时，采用尺寸为3mm×3mm×48mm尺寸的GAGG闪烁体条，每层16根，共8层探测器层，在探测器层的层中心距为15mm时，共统计1805个事例，本征探测效率达到1.8％，角度分辨达到10度。
图9至图11示出了本公开另一实施例的探测器系统200的结构图。本实施例的描述重点为探测器系统200的距离调节装置220的示例。本实施例的探测器系统200中，其探测器210与前述实施例在结构、功能、原理和效果等方面均可参考前述实施例的探测器系统的相关描述。本实施例的探测器210与前述实施例的探测器210的差别在于包括的探测器层211的数量为16层，并且示出了各层探测器层211与距离调节装置220的连接用的连接结构2113。连接结构2113设置在探测器层211的闪烁体探测元件层未设置光电转换元件的两侧。如图9至11所示，本实施例中探测器层211的上下两侧设置硅光电倍增管2112，前后两侧设置前述连接结构2113。图9至图11中的左右方向为本实施例中的探测器层211的厚度方向。
如图9至11所示，本实施例的探测器系统200的距离调节装置220包括层间连接机构221、导向机构222和驱动机构223。本实施例的探测器系统200还包括探测器支架230，探测器210的多层探测器210和距离调节装置220均设置于探测器支架230上。
中层间连接机构221是使各探测器层211的层间距离保持相等的控制机构。层间连接机构221与各探测器层211连接，距离调节装置220调节层间距离时，层间连接机构221限定所有相邻的探测器层211之间的层间距离相等。
如图9至11所示，本实施例中，层间连接机构221包括多个连接杆铰接形成的杆式伸缩结构，各探测器层211与杆式伸缩结构铰接。杆式伸缩结构包括首尾依次铰接的多个连接杆。杆式伸缩结构的两个最外侧(左右两侧)的连接杆为长度较短的短连接杆，短连接杆的两端分别铰接于相邻的连接杆和最外侧的探测器层211的中部，位于两个短连接杆之间的连接杆为长度较长的长连接杆，多个长连接杆与位于两个最外侧的探测器层211之间的多个探测器层211一一对应设置且首尾顺次连接，各长连接杆的中部与对应的探测器层211的中部铰接。如图9至图11所示，杆式伸缩结构的各连接杆铰接于各对应的探测器层211的连接结构2113上。
由于层间连接机构221将各探测器层211连接在一起，从而将各探测器层211的动作及位移联系起来，实现限定所有相邻的探测器层211之间的层间距离相等的功能。
本实施例中为了保证探测器层211的层间距离调节后的精度，在前后两侧对称设置了一个杆式伸缩结构。
导向机构222为各探测器层211移动进行导向。如图9至图11所示，本实施例中导向机构222包括导向杆，各探测器层211包括与导向杆配合的导向孔。导向孔设置于探测器层211的连接结构2113上。为了更好地支持各探测器层211并对探测器层211更好地导向，本实施例中，在探测器210的四个角部各设置了一个导向杆。四根导向杆彼此平行，与层间连接机构221配合，对各探测器层211的位置可做出准确的调节。
驱动机构223可以与多层探测器层211中至少一层探测器层211驱动连接。如图9至图11所示，本实施例中，靠近右侧的探测器层211保持固定，驱动机构223与多层探测器层211中最左侧的探测器层211驱动连接，用于带动除最右侧的探测器层211以外的其余各探测器层211相对于最右侧的探测器层211移动，以调节各相邻探测器层211之间的层间距离。具体地，驱动机构223包括螺杆和与螺杆配合的螺母，螺母与一层探测器层211固定连接。
本公开的描述中，对螺母的外部轮廓及螺纹孔相对于螺母的外部轮廓的相对位置不做限制，只要其具有与螺杆配合以调节各层探测器层211的相对位移的螺纹孔即可。例如，螺母的形状可以为六角形、圆形、方形或异形。如图9至图11所示，本实施例中的螺母的外形为方形。方形螺母固定于最右侧的探测器层211的右侧，螺纹孔设置于方形螺母外部轮廓的底部并位于探测器210的下方。
如图9至图11所示，本实施例中探测器支架230为矩形框架式结构，导向机构222的各导向杆和驱动机构223的螺杆均设置于探测器支架230上，各探测器层211通过导向孔与导向杆的配合设置于四根导向杆上。
为防止探测器支架230和距离调节装置220及探测器层的连接结构影响探测器210探测射线源100，探测器支架230、距离调节装置220及探测器层的连接结构可以采用低Z材料制作。低Z材料对高能射线影响有限，因此基本不会影响探测器对射线源的检测。
本公开实施例还提供一种辐射成像装置，包括本公开实施例的探测器系统200。该辐射成像装置与本公开实施例的探测器系统200具有相同的优点。本公开实施例的辐射成像装置利用位置灵敏探测器和康普顿成像原理，适于在核辐射探测、辐射成像、放射性核素监测及核技术应用等领域应用。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本公开进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本公开的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本公开技术方案的精神，其均应涵盖在本公开请求保护的技术方案范围当中。
Claims (15)
1.一种探测器系统，其特征在于，包括：
探测器(210)，包括重叠设置的多层探测器层(211)，所述探测器层(211)包括探测器元件层，所述多层探测器层(211)中至少部分探测器层(211)沿探测器层(211)的厚度方向可移动；
距离调节装置(220)，与所述多层探测器层(211)中至少部分探测器层(211)驱动连接，所述距离调节装置(220)通过沿所述探测器层(211)的厚度方向移动至少部分探测器层(211)调节所述探测器(210)的相邻的探测器层(211)的层间距离。
2.根据权利要求1所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器元件层包括闪烁体探测元件层，所述探测器层(211)包括与所述闪烁体探测元件层连接的光电转换元件和与所述光电转换元件连接的集成电路芯片。
3.根据权利要求1所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器(210)包括三层以上探测器层(211)。
4.根据权利要求1所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器元件层包括闪烁体探测元件层，所述闪烁体探测元件层包括沿与所述探测器层(211)的厚度方向垂直的方向并排紧密排列的多个闪烁体条(2111)。
5.根据权利要求4所述的探测器系统，其特征在于，所述闪烁体条(2111)两端面以外的侧面设有反射层。
6.根据权利要求4所述的探测器系统，其特征在于，所述闪烁体条(2111)两端面以外的侧面设有遮光层。
7.根据权利要求4所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器层(211)包括硅光电倍增管(2112)，各所述闪烁体条(2111)的两端各自设有一个所述硅光电倍增管(2112)。
8.根据权利要求7所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器层(211)还包括集成电路芯片，所述集成电路芯片与其所在的探测器层(211)的各所述硅光电倍增管(2112)连接。
9.根据权利要求1所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器系统(200)包括与所述探测器(210)连接的供电装置和数据采集装置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的探测器系统，其特征在于，所述距离调节装置(220)包括层间连接机构(221)，所述层间连接机构(221)与各所述探测器层(211)连接，所述距离调节装置(220)调节所述层间距离时，所述层间连接机构(221)限定所有相邻的所述探测器层(211)之间的层间距离相等。
11.根据权利要求10所述的探测器系统，其特征在于，所述层间连接机构(221)包括多个连接杆铰接形成的杆式伸缩结构，各所述探测器层(211)与所述杆式伸缩结构铰接。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的探测器系统，其特征在于，所述距离调节装置(220)包括为各所述探测器层(211)移动进行导向的导向机构(222)。
13.根据权利要求1至9中任一项所述的探测器系统，其特征在于，所述距离调节装置(220)还包括驱动机构(223)，所述驱动机构(223)与所述多层探测器层(211)中至少一层探测器层(211)驱动连接，用于带动所述多层探测器层(211)中至少部分探测器层(211)沿所述探测器层(211)的厚度方向移动以调节所述层间距离。
14.根据权利要求1至9中任一项所述的探测器系统，其特征在于，所述探测器系统(200)包括探测器支架(230)，所述多层探测器(210)和所述距离调节装置(220)设置于所述探测器支架(230)上。
15.一种辐射成像装置，包括权利要求1至14中任一项所述的探测器系统(200)。
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