CN209419192U - 底边驱动的短路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种底边驱动的短路保护电路，该电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。所述三极管Q1为NPN型三极管。所述三极管Q2为NPN型三极管。所述三极管Q3为PNP型三极管。所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管或NPN型三极管代替。
Description
技术领域：
本实用新型涉及汽车控制电路，特别涉及一种底边驱动的短路保护电路。
背景技术：
当前，随着汽车对安全性要求越来越高，对各种保护电路功能要求越来越多。
传统的底边驱动负载的电路，短路保护功能电路多采用运放搭建，或采用自带短路保护功能的驱动芯片，诸如市场使用的VN7040驱动芯片，其工作电压范围窄DC:4—28V，驱动电流小、价格高。这些驱动芯片功耗大、成本高、电路复杂。
实用新型内容：
鉴于上述技术问题，本实用新型提供了一种底边驱动的短路保护电路。该电路采用市场常规元器件，成本低，驱动能力可根据MOS管(或三极管)Q4的选择设定，可满足不同功率负载的驱动，驱动范围大。
本实用新型的具体技术方案如下：
底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。
上述方案中，所述三极管Q1为NPN型三极管。
上述方案中，所述三极管Q2为NPN型三极管。
上述方案中，所述三极管Q3为PNP型三极管。
上述方案中，所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管。
上述方案中，所述MOS管Q4还可以用NPN型三极管代替。
本实用新型所述电路的有益效果如下：
1.控制信号开启驱动短路保护电路。
2.正常工作保护短路不会误动作。
3.短路保护。
附图说明：
以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本实用新型。
图1为本实用新型所述采用MOS管的底边驱动的短路保护电路结构图。
图2为本实用新型所述采用三极管的底边驱动的短路保护电路结构图。
具体实施方式：
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
如图1和图2所示，本实用新型所述的底边驱动的短路保护电路，包括连接电源正极的负载、三极管Q1(NPN型)、三极管Q2(NPN型)、三极管Q3(PNP型)和MOS管Q4(N沟道MOSFET管或NPN型三极管)；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。
这种电路根据实际运用环境对电路中包含的阻抗、电容、负载选择所需要的规格元器件，此处主要强调电路结构，元器件的详细规格不在此赘述。
根据本实用新型所述电路的结构，其在具体运行时的电路原理为：
1：控制电路提供的控制信号分成两路，一路经R1、R2的分压给三极管或MOS管，使三极管或MOS管开通负载工作，一路经R3到短路保护电路。
2：由于C1比C2电容的容量大，使Q1开通时间延后于驱动负载的Q4开通时间，等到Q1延时时间达到并开启时，因Q4比Q1提前开通，此时Q4两端的电压很低，(＜0.5V)，使得Q3没有电流流过，Q2没有驱动电流不导通，保证正常工作时短路保护电路不启动，电路能正常工作。
3：负载发生短路时，Q4两端电压为电源电压，使得Q3导通，驱动Q2导通将Q4的控制信号拉低(＜0.3V)，使Q4关断，起到短路保护作用。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述电路包括连接电源正极的负载、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4；所述负载通过连接MOS管Q4连接接地GND，所述负载还分别连接阻抗R5和阻抗R6；所述三极管Q1分别连接阻抗R3、阻抗R4、阻抗R7以及电容C1；所述三极管Q2分别连接阻抗R8和MOS管Q4；所述三极管Q3分别连接阻抗R5、阻抗R6、阻抗R7和阻抗R8；所述MOS管Q4分别连接阻抗R1、阻抗R2、电容C2、负载和接地GND。
2.根据权利要求1所述的底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q1为NPN型三极管。
3.根据权利要求1所述的底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q2为NPN型三极管。
4.根据权利要求1所述的底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述三极管Q3为PNP型三极管。
5.根据权利要求1所述的底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述MOS管Q4为N沟道MOSFET管。
6.根据权利要求1至5任一所述的底边驱动的短路保护电路，其特征在于，所述MOS管Q4还可以用NPN型三极管代替。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920144707.8U CN209419192U (zh) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 底边驱动的短路保护电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920144707.8U CN209419192U (zh) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 底边驱动的短路保护电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN209419192U true CN209419192U (zh) | 2019-09-20 |
Family
ID=67944304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920144707.8U Active CN209419192U (zh) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 底边驱动的短路保护电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209419192U (zh) |
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2019
- 2019-01-28 CN CN201920144707.8U patent/CN209419192U/zh active Active
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