CN209416507U - 一种高阻抗集成芯片及热释电传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种高阻抗集成芯片及热释电传感器，高阻抗集成芯片应用于热释电传感器，包括运算放大器和电阻Rg，所述运算放大器的同相输入端和反向输入端分别与热释电感应元的两端连接；所述电阻Rg的两端分别一一对应与所述运算放大器的同相输入端和反向输入端连接；所述运算放大器的正电源端与电源VDD连接；所述运算放大器的负电源端与电源VSS连接；所述运算放大器的输出端输出信号。相对现有技术，本实用新型结构简单可靠，采用10‑120G ohm的电阻Rg实现热释电感应元阻抗变换；显著改善产品的温度和信号稳定性；产品的热释电信号稳定和一致性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及热释电传感器技术领域，具体而言，特别涉及一种高阻抗集成芯片及热释电传感器。
背景技术
相关技术中，采用JFET(结型场响应管)引出信号的热释电传感器；存在以下不足：1、通用JFET输入阻抗大于1Tohm不稳定，输入阻抗分布大；2、通用JFET的偏置电压离散性比较大一般在0.3-1.5V；偏置电压稳定0.3-2.0V中间设计，分布+/-20％范围；3、JFET输入电容和跨导分布较大，输出信号离散型大。客户使用一致性差；4、高性能的热释电传感器，电路配置一个50Gohm的电阻，成本高和生产工艺复杂。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种简单可靠、实现阻抗变换、改善温度和信号稳定性的高阻抗集成芯片及热释电传感器。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种高阻抗集成芯片，应用于热释电传感器，包括运算放大器和电阻Rg，所述运算放大器的同相输入端和反向输入端分别与热释电感应元的两端连接；所述电阻Rg的两端分别一一对应与所述运算放大器的同相输入端和反向输入端连接；所述运算放大器的正电源端与电源VDD连接；所述运算放大器的负电源端与电源VSS连接；所述运算放大器的输出端输出信号。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，还包括电阻Rd，所述运算放大器的正电源端经电阻Rd与电源VDD连接。
进一步，还包括电阻Rs，所述运算放大器的负电源端经电阻Rs与电源VSS连接。
进一步，所述电阻Rg为阻值可调电阻，所述电阻Rg的阻值为10-120G ohm。
本实用新型的有益效果是：结构简单可靠，采用10-120G ohm的电阻Rg实现热释电感应元阻抗变换；显著改善产品的温度和信号稳定性；产品的热释电信号稳定和一致性好。
本实用新型解决上述技术问题的另一技术方案如下：一种热释电传感器，包括热释电感应元和高阻抗集成芯片，所述热释电感应元的两个信号端分别一一对应与所述集成芯片的同相输入端和反向输入端连接。
进一步，还包括滤光片，所述滤光片置于所述热释电感应元的一侧，所述滤光片与所述热释电感应元处于同一水平线上。
本实用新型的有益效果是：热释电感应元和高阻抗集成芯片带阻抗变换和固定增益，信号经过阻抗变换，提高信号的稳定性和耦合一致性，然后通过运算放大器输出电信号。
附图说明
图1为本实用新型一种高阻抗集成芯片及热释电传感器的电路原理图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、热释电感应元，2、集成芯片，2.1、运算放大器，3、滤光片。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种高阻抗集成芯片，应用于热释电传感器，包括运算放大器2.1和电阻Rg，所述运算放大器2.1的同相输入端和反向输入端分别与热释电感应元1的两端连接；所述电阻Rg的两端分别一一对应与所述运算放大器2.1的同相输入端和反向输入端连接；所述运算放大器2.1的正电源端与电源VDD连接；所述运算放大器2.1的负电源端与电源VSS连接；所述运算放大器2.1的输出端输出信号。
上述实施例中，还包括电阻Rd，所述运算放大器2.1的正电源端经电阻Rd与电源VDD连接；集成电阻Rd，更好的适应电源的波动。
上述实施例中，还包括电阻Rs，所述运算放大器2.1的负电源端经电阻Rs与电源VSS连接。集成电阻Rs到高阻抗集成芯片，后端电路应用简单。
上述实施例中，所述电阻Rg为阻值可调电阻，所述电阻Rg的阻值为10-120G ohm。
热释电感应元1的信号通过电阻Rg变换可以输出稳定的信号；通过规范电阻Rg变换的输入阻抗在10-120G ohm&0.1-10pF的耦合电容，能显著降低热释电传感器在低温和高温因为热释电感应元1材料内阻的剧烈变换产生的信号不稳定，以及显著改善热释电感应元1输出信号的分布集中度；内置电阻Rs的阻值为20K-1M ohm有效降低干扰和客户成本。
如图1所示，一种热释电传感器，包括热释电感应元1和高阻抗集成芯片2，所述热释电感应元1的两个信号端分别一一对应与所述高阻抗集成芯片2的同相输入端和反向输入端连接。
上述实施例中，还包括滤光片3，所述滤光片3置于所述热释电感应元1的一侧，所述滤光片3与所述热释电感应元1处于同一水平线上。
热释电感应元1和高阻抗集成芯片2带阻抗变换和固定增益，信号经过阻抗变换，提高信号的稳定性和耦合一致性，然后通过运算放大器2.1输出电信号。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高阻抗集成芯片，应用于热释电传感器，其特征在于：包括运算放大器(2.1)和电阻Rg，所述运算放大器(2.1)的同相输入端和反向输入端分别与热释电感应元(1)的两端连接；所述电阻Rg的两端分别一一对应与所述运算放大器(2.1)的同相输入端和反向输入端连接；所述运算放大器(2.1)的正电源端与电源VDD连接；所述运算放大器(2.1)的负电源端与电源VSS连接；所述运算放大器(2.1)的输出端输出信号。
2.根据权利要求1所述一种高阻抗集成芯片，其特征在于：还包括电阻Rd，所述运算放大器(2.1)的正电源端经电阻Rd与电源VDD连接。
3.根据权利要求2所述一种高阻抗集成芯片，其特征在于：还包括电阻Rs，所述运算放大器(2.1)的负电源端经电阻Rs与电源VSS连接。
4.根据权利要求1至3任一项所述一种高阻抗集成芯片，其特征在于：所述电阻Rg为阻值可调电阻，所述电阻Rg的阻值为10-120G ohm。
5.一种热释电传感器，其特征在于：包括热释电感应元(1)和权利要求1至4任一项所述的高阻抗集成芯片(2)，所述热释电感应元(1)的两个信号端分别一一对应与所述高阻抗集成芯片(2)的同相输入端和反向输入端连接。
6.根据权利要求5所述一种热释电传感器，其特征在于：还包括滤光片(3)，所述滤光片(3)置于所述热释电感应元(1)的一侧，所述滤光片(3)与所述热释电感应元(1)处于同一水平线上。
Priority Applications (1)
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| CN201920202362.7U CN209416507U (zh) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | 一种高阻抗集成芯片及热释电传感器 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201920202362.7U CN209416507U (zh) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | 一种高阻抗集成芯片及热释电传感器 |
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| CN209416507U true CN209416507U (zh) | 2019-09-20 |
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| CN201920202362.7U Active CN209416507U (zh) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | 一种高阻抗集成芯片及热释电传感器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109764966A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-17 | 东莞传晟光电有限公司 | 一种高阻抗集成芯片及热释电传感器 |
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2019
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