CN209404807U - 一种医学成像设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种医学成像设备，包括磁共振成像系统和正电子发射断层成像系统，磁共振成像系统的至少一个射频线圈位于正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区内部；磁共振成像系统的信号调理电路与射频线圈电连接，信号调理电路位于正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区外部。本实用新型实施例提供的技术方案可以降低磁共振成像系统中的射频线圈单元对正电子发射断层成像系统的影响，提高正电子发射断层成像系统的成像质量。

Description

一种医学成像设备

技术领域

本实用新型涉及医疗设备技术领域，尤其涉及一种医学成像设备。

背景技术

PET-MRI是将PET(Positron Emission Computed Tomography，正电子发射计算机断层成像)的分子成像功能与MRI(Magnetic Resonance Imaging，磁共振成像)卓越的软组织对比功能结合起来的一种新技术。它可以对在软组织中扩散的疾病细胞进行成像。它使病患能够在各个模式下进行扫描，该系统还可以分别收集PET影像和MR影像。PET/MRI检查与其他手段相比，它的灵敏度高、准确性好，对许多疾病(尤其是肿瘤和最为常见的心脑疾病)具有早期发现、早期诊断的价值。

PET/MR一体机是将正电子发射断层成像系统和磁共振成像系统有机组合在同一个机架内的仪器，其实现了不同影像模式的空间和时间上的精确配准和融合。这一成像技术的应用实现了分子功能成像和精细的解剖结构同步采集，能够提供多模态分子影像信息，在临床应用及科研领域均具有重要价值。

但是，将正电子发射断层成像系统和磁共振成像系统结合后，正电子发射断层成像系统的成像质量受到影响，成像质量降低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种医学成像设备，以降低磁共振成像系统中的射频线圈单元对正电子发射断层成像系统的影响，提高正电子发射断层成像系统的成像质量。

本实用新型实施例提供了一种医学成像设备，包括：磁共振成像系统和正电子发射断层成像系统，

磁共振成像系统的至少一个射频线圈位于正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区内部；

磁共振成像系统的信号调理电路与射频线圈电连接，信号调理电路位于正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区外部。

进一步地，射频线圈包括多段导电平板，至少部分相邻两段导电平板的至少部分重叠设置，两段导电平板的重叠部分之间设置有介质层。

进一步地，射频线圈与信号调理电路通过平行设置的两段导电平板电连接。

进一步地，信号调理电路包括：阻抗匹配电路、调失谐控制电路、移相电路和放大器。

进一步地，阻抗匹配电路的输入端与射频线圈电连接，阻抗匹配电路的输出端与调失谐控制电路的输入端电连接，调失谐控制电路的输出端与移相电路的输入端电连接，移相电路的输出端与放大器的输入端电连接，

放大器的输出端用于输出磁共振信号；

调失谐控制电路的控制端用于接收调谐控制信号和失谐控制信号。

进一步地，调失谐控制电路包括第一二极管和第一电容；调失谐控制电路的控制端包括第一控制端和第二控制端；

其中，第一二极管与第一电容串联，形成第一串联支路；

第一串联支路的第一端接地；

调失谐控制电路的输入端，以及第一串联支路的第二端均与调失谐控制电路的输出端电连接；

第一二极管的第一极和第二极分别与第一控制端和第二控制端电连接；

调谐控制信号为施加在第一控制端和第二控制端之间，控制第一二极管关断的反向截止电压信号；

失谐控制信号为施加在第一控制端和第二控制端之间，控制第一二极管导通的正向导通电流信号。

进一步地，调失谐控制电路还包括第一电感、第二电容和第二二极管；

其中，第一电感与第二二极管串联连接后的两端，分别与第二电容的两端电连接；

第一二极管的第一极，以及第二电容的第一端均与调失谐控制电路的输入端电连接，第一二极管的第二极经第一电容接地；

第二电容的第二端与调失谐控制电路的输出端电连接；

调失谐控制电路的第一控制端经第一电感与第二二极管的串联支路后，与第一二极管的第一极电连接；

第一二极管的第二极与调失谐控制电路的第二控制端电连接；

调谐控制信号为施加在第一控制端和第二控制端之间，控制第一二极管和第二二极管关断的反向截止电压信号；

失谐控制信号为施加在第一控制端和第二控制端之间，控制第一二极管和第二二极管导通的正向导通电流信号。

进一步地，阻抗匹配电路包括第二电感、第三电容和第四电容，

其中，第二电感的第一端，以及第三电容的第一端均与阻抗匹配电路的输入端电连接；

第二电感的第二端，以及第四电容的第一端均与阻抗匹配电路的输出端电连接；

第三电容的第二端，以及第四电容的第二端均接地。

进一步地，移相电路包括第三电感、第五电容和第六电容，

其中，第三电感的第一端，以及第五电容的第一端均与移相电路的输入端电连接；

第三电感的第二端，以及第六电容的第一端均与移相电路的输出端电连接；

第五电容的第二端，以及第六电容的第二端均接地。

进一步地，至少一个射频线圈设置于包括下述至少一种射频线圈单元中：头部线圈、脊柱线圈、腹部线圈和关节线圈。

本实用新型实施例的技术方案通过将磁共振成像系统的信号调理电路移出至正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区外部，以降低射频线圈单元的高密度电气或机械组件对正电子发射断层成像系统的光子探测器探测光子时，造成的损耗和散射，提高图像敏感度，减少伪影，提高PET成像质量。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备的剖视图结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备在使用状态时沿图1中OO＇方向的剖面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种射频线圈的结构示意图；

图5为图4中A区域的局部放大示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种信号调理电路的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的又一种信号调理电路的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种调失谐控制电路的结构示意图。

其中：110、光子探测器；111、探测区；200、磁共振成像系统；210、射频线圈；220、信号调理电路；211、导电平板；212、介质层；221、阻抗匹配电路；222、调失谐控制电路；223、移相电路；224、放大器；D1、第一二极管；C1、第一电容；L1、第一电感；C2第二电容；D2第二二极管；L2、第二电感；C3、第三电容；C4、第四电容；L3、第三电感；C5、第五电容；C6、第六电容；213、绝缘介质；L4、第四电感；L5、第五电感；L6、第六电感；230、第一结构。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供一种医学成像设备。图1为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备的结构示意图。图2为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备的剖视图结构示意图。图3为本实用新型实施例提供的一种医学成像设备在使用状态时沿图1中OO＇方向的剖面结构示意图。结合图1至图3所示，该医学成像设备包括：磁共振成像系统200和正电子发射断层成像系统，磁共振成像系统200的至少一个射频线圈210位于正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111内部；磁共振成像系统200的信号调理电路220与射频线圈210电连接，信号调理电路220位于正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111外部。

其中，正电子发射断层成像系统的光子探测器110可以呈环状，以容纳被检查者的待检查部位。该正电子发射断层成像系统的光子探测器110可包括像素化闪烁体和光电二极管阵列。被检查者被注射有放射性药品，以产生具有511KeV能量的光子。该至少一个射频线圈210可设置于体线圈单元和/或局部线圈单元中。可选的，至少一个射频线圈210可设置于包括下述至少一种射频线圈单元中：头部线圈、脊柱线圈、腹部线圈和关节线圈。其中，头部线圈和脊柱线圈为位置固定且具有硬性外壳的线圈，通常设置在扫描床的固定位置上；腹部线圈和关节线圈为摆位不固定的柔性线圈，在使用时，通常将其覆盖在待检查者的待检查部位，例如将腹部线圈覆盖在待检查者的腹部，在使用结束后，将其从待检查者的待检查部位拿走。在需要对被检查者的多个待检查部位进行PET/MR联合扫描时，可通过驱动扫描床移动，使得各局部线圈(即头部线圈、脊柱线圈、腹部线圈和关节线圈)依次移动至正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111内部，以实现对各检测部位的检查。该射频线圈为射频接收线圈。信号调理电路用于将射频线圈接收的射频信号，经信号调理作用后输出磁共振信号至其输出端。该信号调理电路可以是射频前端电路，包括下述至少一种：阻抗匹配电路、调失谐控制电路、移相电路和放大器。

其中，通过将信号调理电路220设置在正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111外部，以降低高密度电气或机械组件对光子造成的损耗和散射，从而可以提高图像敏感度，减少伪影，提高PET图像质量。

需要说明的是，对于位置固定且具有硬性外壳的线圈，还可预先对探测区内的电气或机械组件进行扫描探测(在对被检查者进行扫描探测之前)，以转换为衰减参数，并将其加入至对被检查者进行检查时探测的光子信号中，以抵消射频线圈的负面影响，即通过算法补偿探测区111内的电气或机械组件对光子信号造成的损耗和散射，以提高PET的成像质量，还可通过将硬性外壳的线圈连接的信号调理电路设置于正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111外部，以降低高密度电气或机械组件对光子造成的损耗和散射，从而可以提高图像敏感度，减少伪影，提高PET图像质量；而摆位不固定的柔性线圈因其随待检查者的体形不同，位置不固定，不能采用算法补偿的方式，以提高PET的成像质量，但是可通过将柔性线圈的信号调理电路设置于正电子发射断层成像系统的光子探测器110的探测区111外部，以降低高密度电气或机械组件对光子造成的损耗和散射，从而可以提高图像敏感度，减少伪影，提高PET图像质量，即通过对射频线圈单元(包括射频线圈和射频前端电路)的硬件设计进行改进，从而减少MR射频线圈单元对PET光子信号的影响。

需要说明的是，磁共振成像系统还可包括主磁体、梯度线圈和射频发射线圈等，可构成图1和图2中的第一结构230。正电子发射断层成像系统通过光子探测器110探测探测区111内的光子信号，并经预设图像处理得到探测区的PET影像，即成像区域为探测区。磁共振成像系统可对信号调理电路输出的磁共振信号，进行处理以获得MR影像。

本实施例的技术方案通过将磁共振成像系统的信号调理电路移出至正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区外部，以降低射频线圈单元的高密度电气或机械组件对正电子发射断层成像系统的光子探测器探测光子时，造成的损耗和散射，提高图像敏感度，减少伪影，提高PET成像质量。

本实用新型实施例提供又一种医学成像设备。图4为本实用新型实施例提供的一种射频线圈的结构示意图。图5为图4中A区域的局部放大示意图。在上述实施例的基础上，结合图4和图5所示，射频线圈210包括多段导电平板211，至少部分相邻两段导电平板211的至少部分重叠设置，两段导电平板211的重叠部分之间设置有介质层212。

其中，设置有介质层212的两段导电平板211平行相对的重叠部分，即图5中A区域，相当于一电容，以代替现有技术中的贴片电容，可避免贴片电容与连接贴片电容的导体之间进行焊接，从而降低焊接点处的焊锡对光子信号造成的损耗和散射，降低焊接点对正电子发射断层成像系统的光子探测器探测光子的影响，可提高图像敏感度，减少伪影，提高PET成像质量。通过改变介质层212的厚度和/或重叠部分的正对面积，可以改变A区域形成的电容的容值。可选的，如图5所示，通过设置两段导电平板211的重叠部分的长度D(沿导电平板的延伸方向的长度，导电平板的宽度均相同)，以设置所需容值的电容。可选的，导电平板211与介质层212之间通过粘合剂粘接。该粘合剂可以是双面胶。可选的，介质层212包括聚酰亚胺薄膜介质层，该聚酰亚胺薄膜可以是由均苯型四甲酸二酐和4，4'-二胺基二苯醚在极性溶剂N，N'-二甲基乙酰中合成。可选的，导电平板211为铜箔。需要说明的是，图3中相邻两个射频线圈的部分之间是叠放的，以达到去除射频线圈通道间电磁耦合的目的，具体射频线圈相对位置关系，可根据具体射频线圈总尺寸和通道间电磁解耦方式设计，本实用新型实施例对此不作限定。

可选的，射频线圈210与信号调理电路220通过平行设置的两段导电平板211(作为传输线)电连接，将导电平板替换现有技术中的同轴电缆，使得射频线圈中的电容和传输线皆由导电平板实现，整个结构中无需焊接，以进一步减少焊接点的数量，降低焊锡对正电子发射断层成像系统的光子探测器探测光子的影响，且导电平板较同轴电缆对光子的损耗和散射影响较小，且通过调整介质层212的厚度和/或重叠部分的正对面积，以保证所需的射频电路性能。连接射频线圈210与信号调理电路220的导电平板211的长度与射频线圈的类型(包括头部线圈、脊柱线圈、腹部线圈和关节线圈等类型)有关。

本实用新型实施例提供又一种医学成像设备。图6为本实用新型实施例提供的一种信号调理电路的结构示意图。在上述实施例的基础上，信号调理电路220包括阻抗匹配电路221、调失谐控制电路222、移相电路223和放大器224。

其中，阻抗匹配电路221的输入端In1与射频线圈210电连接，阻抗匹配电路221的输出端Out1与调失谐控制电路222的输入端In2电连接，调失谐控制电路222的输出端Out2与移相电路223的输入端In3电连接，移相电路223的输出端Out3与放大器224的输入端In4电连接，放大器224的输出端Out4用于输出磁共振信号；调失谐控制电路222的控制端Ctr1用于接收调谐控制信号和失谐控制信号。

其中，信号调理电路220的数量可以是多个，与射频线圈210一一对应设置。阻抗匹配电路221用于与射频线圈的输出阻抗匹配，以获得最大的传输功率。当调失谐控制电路222接收到调谐控制信号时，调失谐控制电路222在调谐控制信号的作用下，以使射频线圈的谐振频率为主磁场频率，以接收射频信号，信号调理电路220将输出磁共振信号至其输出端(与放大器224的输出端电连接)；当调失谐控制电路222接收到失谐控制信号时，调失谐控制电路222在失谐控制信号的作用下，以使射频线圈的谐振频率偏离主磁场频率，以无法接收射频信号。当射频线圈接收射频信号时，移相电路223可调节放大器224与射频线圈间所有电路的相位值，从而达到射频线圈单元间前放去耦的效果。调谐控制信号和失谐控制信号为直流信号。该放大器224可为低噪放大器。

可选的，在上述实施例的基础上，图7为本实用新型实施例提供的又一种信号调理电路的结构示意图，阻抗匹配电路221包括第二电感L2、第三电容C3和第四电容C4。其中，第二电感L2的第一端，以及第三电容C3的第一端均与阻抗匹配电路221的输入端In1电连接；第二电感L2的第二端，以及第四电容C4的第一端均与阻抗匹配电路221的输出端Out1电连接；第三电容C3的第二端，以及第四电容C4的第二端均接地。

可选的，在上述实施例的基础上，继续参见7，移相电路223包括第三电感L3、第五电容C5和第六电容C6。其中，第三电感L3的第一端，以及第五电容C5的第一端均与移相电路223的输入端In3电连接；第三电感L3的第二端，以及第六电容C6的第一端均与移相电路223的输出端Out3电连接；第五电容C5的第二端，以及第六电容C6的第二端均接地。

本实用新型实施例提供又一种医学成像设备。在上述实施例的基础上，继续参见图7，调失谐控制电路222包括第一二极管D1和第一电容C1；调失谐控制电路222的控制端Ctr1包括第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12。

其中，第一二极管D1与第一电容C1串联，形成第一串联支路；第一串联支路的第一端接地；调失谐控制电路222的输入端In2，以及第一串联支路的第二端均与调失谐控制电路222的输出端Out2电连接；第一二极管D1的第一极和第二极分别与第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12电连接；调谐控制信号为施加在第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12之间，控制第一二极管D1关断的反向截止电压信号；失谐控制信号为施加在第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12之间，控制第一二极管D1导通的正向导通电流信号。

其中，图7示例性的画出第一电容C1的第一端与调失谐控制电路的输入端In2电连接，第一电容C1的第二端与第一二极管D1的阳极电连接，第一二极管D1的阴极接地的情况。当调失谐控制电路222接收到失谐控制信号时，在失谐控制信号的作用下，第一二极管D1导通，第一电容C1的阻抗通过阻抗匹配电路221和连接射频线圈210与信号调理电路220的导电平板211后，在射频线圈的端口处变换为一个大阻抗，从而达到调节失谐的目的。不同类型的射频线圈中，连接射频线圈210与信号调理电路220的导电平板的长度不同，根据需要，设置所需的第一电容C1的电容值，以达到最好的失谐效果，以降低连接射频线圈210与信号调理电路220的导电平板的长度对性能的影响。当调失谐控制电路222接收到调谐控制信号时，在调谐控制信号的作用下，第一二极管D1截止，第一电容C1所在支路相当于断开，射频线圈接收的射频信号不会经过第一电容，而直接经移相电路223和放大器224后转换成所需的磁共振信号输出。

需要说明的是，图7示例性的画出图4中B区域的局部放大的情况，连接射频线圈210与信号调理电路220的两导电平板211之间设置绝缘介质213，根据需要，选择所需的介电常数的绝缘介质213的材料。可选的，调失谐控制电路222还包括第四电感L4，第一控制端Ctr11经第四电感L4与第一二极管D1电连接。第四电感L4用于在直流控制信号回路中抑制射频信号。

本实用新型实施例提供又一种医学成像设备。图8为本实用新型实施例提供的一种调失谐控制电路的结构示意图。在上述实施例的基础上，调失谐控制电路222还包括第一电感L1、第二电容C2和第二二极管D2。

其中，第一电感L1与第二二极管D2串联连接后的两端，分别与第二电容C2的两端电连接；第一二极管D1的第一极，以及第二电容C2的第一端均与调失谐控制电路222的输入端In2电连接，第一二极管D1的第二极经第一电容C1接地；第二电容C2的第二端与调失谐控制电路222的输出端Out2电连接；调失谐控制电路222的第一控制端Ctr11经第一电感L1与第二二极管D2的串联支路后，与第一二极管D1的第一极电连接；第一二极管D1的第二极与调失谐控制电路222的第二控制端Ctr12电连接；调谐控制信号为施加在第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12之间，控制第一二极管D1和第二二极管D2关断的反向截止电压信号；失谐控制信号为施加在第一控制端Ctr11和第二控制端Ctr12之间，控制第一二极管D1和第二二极管D2导通的正向导通电流信号。

其中，结合图6和图8所示，当调失谐控制电路222接收到失谐控制信号时，在失谐控制信号的作用下，第一二极管D1和第二二极管D2导通，第一电容C1的阻抗通过阻抗匹配电路221和连接射频线圈210与信号调理电路220的导电平板211后，在射频线圈的端口处变换为一个大阻抗，从而达到调节失谐的目的，此外，第一电感L1和第二电容C2开始并联谐振，以进一步阻断射频线圈与放大器之间的连接，从而降低接收噪声。当调失谐控制电路222接收到调谐控制信号时，在调谐控制信号的作用下，第一二极管D1和第二二极管D2截止，第一电容C1所在支路相当于断开，射频线圈接收的射频信号不会经过第一电容C1，而直接经移相电路223和放大器224后转换成所需的磁共振信号输出。

需要说明的，第一二极管D1的第一极可为阳极或阴极。图8示例性的画出第一电感L1与第二二极管D2的串联连接的一种情况，该第一电感L1与第二二极管D2位置还可以互换。可根据需要进行设置，只要满足所需的导通和关断需求即可，本实用新型实施例对此不作限定。

可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图8，调失谐控制电路222还包括第五电感L5和第六电感L6，其中，第一二极管D1的第二极经第五电感L5与调失谐控制电路222的第二控制端Ctr12电连接，调失谐控制电路222的第一控制端Ctr11经第六电感L6后，与第一电感L1与第二二极管D2的串联支路电连接。第五电感L5和第六电感L6用于在直流控制信号回路中抑制射频信号。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种医学成像设备，包括：磁共振成像系统和正电子发射断层成像系统，其特征在于，

所述磁共振成像系统的至少一个射频线圈位于所述正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区内部；

所述磁共振成像系统的信号调理电路与所述射频线圈电连接，所述信号调理电路位于所述正电子发射断层成像系统的光子探测器的探测区外部。

2.根据权利要求1所述的医学成像设备，其特征在于，所述射频线圈包括多段导电平板，至少部分相邻两段导电平板的至少部分重叠设置，所述两段导电平板的重叠部分之间设置有介质层。

3.根据权利要求1所述的医学成像设备，其特征在于，所述射频线圈与所述信号调理电路通过平行设置的两段导电平板电连接。

4.根据权利要求1所述的医学成像设备，其特征在于，所述信号调理电路包括：阻抗匹配电路、调失谐控制电路、移相电路和放大器。

5.根据权利要求4所述的医学成像设备，其特征在于，

所述阻抗匹配电路的输入端与所述射频线圈电连接，所述阻抗匹配电路的输出端与所述调失谐控制电路的输入端电连接，所述调失谐控制电路的输出端与所述移相电路的输入端电连接，所述移相电路的输出端与所述放大器的输入端电连接，

所述放大器的输出端用于输出磁共振信号；

所述调失谐控制电路的控制端用于接收调谐控制信号和失谐控制信号。

6.根据权利要求5所述的医学成像设备，其特征在于，所述调失谐控制电路包括第一二极管和第一电容；所述调失谐控制电路的控制端包括第一控制端和第二控制端；

其中，所述第一二极管与所述第一电容串联，形成第一串联支路；

所述第一串联支路的第一端接地；

所述调失谐控制电路的输入端，以及所述第一串联支路的第二端均与所述调失谐控制电路的输出端电连接；

所述第一二极管的第一极和第二极分别与所述第一控制端和所述第二控制端电连接；

所述调谐控制信号为施加在所述第一控制端和所述第二控制端之间，控制所述第一二极管关断的反向截止电压信号；

所述失谐控制信号为施加在所述第一控制端和所述第二控制端之间，控制所述第一二极管导通的正向导通电流信号。

7.根据权利要求6所述的医学成像设备，其特征在于，所述调失谐控制电路还包括第一电感、第二电容和第二二极管；

其中，所述第一电感与所述第二二极管串联连接后的两端，分别与所述第二电容的两端电连接；

所述第一二极管的第一极，以及所述第二电容的第一端均与所述调失谐控制电路的输入端电连接，所述第一二极管的第二极经所述第一电容接地；

所述第二电容的第二端与所述调失谐控制电路的输出端电连接；

所述调失谐控制电路的第一控制端经所述第一电感与所述第二二极管的串联支路后，与所述第一二极管的第一极电连接；

所述第一二极管的第二极与所述调失谐控制电路的第二控制端电连接；

所述调谐控制信号为施加在所述第一控制端和所述第二控制端之间，控制所述第一二极管和所述第二二极管关断的反向截止电压信号；

所述失谐控制信号为施加在所述第一控制端和所述第二控制端之间，控制所述第一二极管和所述第二二极管导通的正向导通电流信号。

8.根据权利要求5所述的医学成像设备，其特征在于，所述阻抗匹配电路包括第二电感、第三电容和第四电容，

其中，所述第二电感的第一端，以及所述第三电容的第一端均与所述阻抗匹配电路的输入端电连接；

所述第二电感的第二端，以及所述第四电容的第一端均与所述阻抗匹配电路的输出端电连接；

所述第三电容的第二端，以及所述第四电容的第二端均接地。

9.根据权利要求5所述的医学成像设备，其特征在于，所述移相电路包括第三电感、第五电容和第六电容，

其中，所述第三电感的第一端，以及所述第五电容的第一端均与所述移相电路的输入端电连接；

所述第三电感的第二端，以及所述第六电容的第一端均与所述移相电路的输出端电连接；

所述第五电容的第二端，以及所述第六电容的第二端均接地。

10.根据权利要求1所述的医学成像设备，其特征在于，所述至少一个射频线圈设置于包括下述至少一种射频线圈单元中：头部线圈、脊柱线圈、腹部线圈和关节线圈。