CN209402493U - 一种大功率p-mos管的驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种大功率P‑MOS管的驱动电路，包括施密特触发器U2、光耦U1、P‑MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P‑MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P‑MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接；通过P‑MOS管T1设置，实现了大功率驱动控制，不受开关速度的限制，采用P‑MOS芯片T1驱动，起到真正意义上的关断，不会出现漏电等隐患，采用光耦U1驱动，对单片机起到隔离和保护作用。

Description

一种大功率P-MOS管的驱动电路

技术领域

本实用新型涉及开关驱动电路技术领域，具体为一种大功率P-MOS管的驱动电路。

背景技术

随着电子技术的发展和人们生活水平的不断提高，人们对电子产品的寿命和体积的要求越来越高，都希望使用的电子产品更加轻薄更加耐用，目前使用的开关的驱动芯片主要是继电器、三极管和N-MOS管，但是，这这三种芯片都各有各的缺点，无法满足人们对电子产品轻薄耐用的要求，继电器体积过大，寿命有限；三极管是电流驱动型芯片，大流下的驱动电路比较复杂，内阻较大，需要添加散热片；N-MOS只能控制负极开关，不能实现真正意义上的关断，容易漏电。

实用新型内容

基于此，本实用新型提供了一种大功率P-MOS管的驱动电路。

一种大功率P-MOS管的驱动电路，包括施密特触发器U2、光耦U1、P-MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P-MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P-MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接。

其中一个实施例为，所述P-MOS芯片T1的两端并联有二极管D1。

其中一个实施例为， 一种大功率P-MOS管的驱动电路还包括电阻R3、二极管D2和瓷片电容C4，电阻R3的一端与P-MOS芯片T1的漏极连接，另一端与地极连接，二极管D2和瓷片电容C4分别与电阻R3并联连接且分别与负载的两端连接。

其中一个实施例为，所述二极管D1为肖特基二极管。

上述一种大功率P-MOS管的驱动电路，通过P-MOS芯片T1设置，实现了大功率驱动控制，不受开关速度的限制，而且采用P-MOS芯片T1驱动，控制电压正极开关，起到真正意义上的关断，不会出现漏电等隐患，而且电路结构简单，使电子产品体积轻薄；同时采用光耦U1驱动，对单片机起到隔离和保护作用。

附图说明

图1为本实用新型一实施例一种大功率P-MOS管的驱动电路的电路图。

如附图所示：施密特触发器U2、光耦U1、P-MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、电容C3、瓷片电容C4、二极管D1、二极管D2。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一种大功率P-MOS管的驱动电路，包括施密特触发器U2、光耦U1、P-MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P-MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P-MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接。

当单片机发出电压控制信号后，电压控制信号经过施密特触发器U2驱动光耦U1启动，光耦U1的信号输出端输出电压信号给P-MOS芯片T1的栅极，使P-MOS芯片T1的源极和漏极导通，驱动负载启动。

单片机通过施密特触发器U2与光耦U1的二极管正极连接，对单片机I/O端口的驱动能力要求降低，以适应各种单片机驱动；光耦U1的电源与负载电源采用同样的24V输入，输出端与P-MOS芯片T1连接，并且连接上拉电阻R1，保证驱动电路在未启动控制状态下处于关断状态。

这样，一种大功率P-MOS管的驱动电路，通过P-MOS芯片T1设置，实现了大功率驱动控制，不受开关速度的限制，而且采用P-MOS芯片T1驱动，控制电压正极开关，起到真正意义上的关断，不会出现漏电等隐患，而且电路结构简单，使电子产品体积轻薄；同时采用光耦U1驱动，对单片机起到隔离和保护作用。

进一步地，为了避免P-MOS芯片T1损坏，所述P-MOS芯片T1的两端并联有二极管D1，所述二极管D1为肖特基二极管。

这样，在P-MOS芯片T1的两端并联肖特基二极管D1，消除负载关断时参数的反应电压，避免负载浪涌电压对P-MOS芯片T1的损坏，从而保护P-MOS芯片T1在工作时不损坏，可以长时间使用。

进一步地，为了保护驱动芯片和负载不损坏，一种大功率P-MOS管的驱动电路还包括电阻R3、二极管D2和瓷片电容C4，电阻R3的一端与P-MOS芯片T1的漏极连接，另一端与地极连接，二极管D2和瓷片电容C4分别与电阻R3并联连接且分别与负载的两端连接。

这样，在负载的两端，添加假负载电阻R3、二极管D2和瓷片电容C4，消除磁性负载产生反相电动势，保护驱动芯片和负载不损坏。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (4)

1.一种大功率P-MOS管的驱动电路，其特征在于：包括施密特触发器U2、光耦U1、P-MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P-MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P-MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接。

2.根据权利要求1所述的一种大功率P-MOS管的驱动电路，其特征在于： 所述P-MOS芯片T1的两端并联有二极管D1。

3.根据权利要求1所述的一种大功率P-MOS管的驱动电路，其特征在于： 一种大功率P-MOS管的驱动电路还包括电阻R3、二极管D2和瓷片电容C4，电阻R3的一端与P-MOS芯片T1的漏极连接，另一端与地极连接，二极管D2和瓷片电容C4分别与电阻R3并联连接且分别与负载的两端连接。

4.根据权利要求2所述的一种大功率P-MOS管的驱动电路，其特征在于：所述二极管D1为肖特基二极管。