CN209394507U - 研磨头施压参数的检测系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种研磨头施压参数的检测系统，方法包括：提供一待检测研磨头；设定待检测研磨头的使用模式，以及基于使用模式和预先建立的数据库，设定待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；在待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用待检测研磨头在使用模式下对薄膜感测片施压，以由薄膜感测片检测待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除薄膜感测片，并利用待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。所述方法可以确保晶圆的研磨效果，提高晶圆的良率。

Description

研磨头施压参数的检测系统

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种研磨头施压参数的检测系统。

背景技术

在半导体制造工艺中，通常会利用化学机械设备中的研磨头来研磨晶圆。

相关技术中，对于不同的晶圆，研磨头施压参数也不同(例如针对较厚的晶圆，研磨头的施压参数应较大，对于较薄的晶圆，研磨头的施压参数应较小)。因此，在研磨某一晶圆之前，工作人员会依据经验，预先将研磨头的施压参数设定为一合理的设定值，之后控制研磨头基于所述设定值研磨晶圆。

但是，相关技术中，会对化学机械研磨设备中的研磨头进行更换，则会使得研磨头的工艺参数发生变化，从而会造成更换后的研磨头研磨晶圆时的实际施压参数与预先设定的设定值之间存在较大误差，会影响晶圆的研磨效果，降低晶圆的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨头施压参数的检测系统，以确保晶圆的研磨效果，提高晶圆的良率。

本实用新型提供了一种研磨头施压参数的检测系统，所述系统包括：

待检测研磨头；

设定模块，用于设定待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；

薄膜感测片，放置在待检测研磨头上，以检测所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值施压时的第一实际施压参数；

验证模块，用于验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

可选的，所述系统还包括：数据库，所述数据库包括所述研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围。

可选的，所述研磨头包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，当所述研磨头研磨晶圆时，所述独立研磨区域独立的向所述晶圆施压；以及所述研磨头的使用模式包括所述研磨头中用于施压的独立研磨区域的位置和个数，所述研磨头的合格施压参数范围为用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围。

可选的，所述系统还包括：与所述薄膜感测片连接的显示装置，用于接收并显示所述薄膜感测片检测的第一实际施压参数。

可选的，所述系统还包括调整模块，用于当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值。

综上所述，本实用新型提供的研磨头检测系统，包括设定模块和验证模块，在利用待检测研磨头研磨晶圆之前，设定模块会基于数据库将待检测研磨头的施压参数设定为第一设定值，并且，所述第一设定值介于合格施压参数范围。之后，通过薄膜感测片会检测出所述待检测研磨头依照所述第一设定值施压时的第一实际施压参数，并且验证模块会验证所述待检测研磨头的第一实际施压参数与第一设定值之间相差是否小于预设值。当不小于预设值时，会调整所述待检测研磨头的实际施压参数，至与所述第一设定值之间相差小于预设值，从而确保了所述待检测研磨头的实际施压参数与所述第一设定值之间存在较小误差，进而确保所述实际施压参数介于合理施压参数范围内，避免了由于研磨头研磨晶圆时的实际施压参数与预先设定的设定值之间存在较大误差，导致所述实际施压参数不介于合理施压参数范围内，而影响晶圆的研磨效果的情况发生，提高了晶圆的良率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的一种研磨头施压参数的检测方法的流程示意图；

图2是本实用新型一实施例的一种研磨头结构示意图；

图3为本实用新型一实施例在使用模式一下，薄膜感测片检测出的研磨头的第二实际施压参数的示意图；

图4为本实用新型一实施例使用模式一下研磨头的一种施压实况模拟图；

图5为本实用新型一实施例的研磨头施压参数的检测系统的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的研磨头施压参数的检测系统作进一步详细说明。根据下面说明书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

图1是本实用新型一实施例的一种研磨头施压参数的检测方法的流程示意图，如图1所示，所述方法可以包括：

步骤10a，建立数据库，所述数据库包括所述研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围。

其中，本实施例中的研磨头可以包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，在研磨晶圆时，各个独立研磨区域分别与晶圆的某一区域对应，用于独立的向与其对应的晶圆某一区域施压。例如图2是本实用新型一实施例的一种研磨头结构示意图，如图2所示，所述研磨头可以包括独立研磨区域a、独立研磨区域b、独立研磨区域c和独立研磨区域d，并且，在研磨晶圆时，独立研磨区域a与晶圆的中心区域对应，用于向晶圆的中心区域施压，独立研磨区域d与晶圆的边缘区域对应，用于向晶圆的边缘区域施压。

在此基础上，所述研磨头的使用模式包括用于施压的独立研磨区域的位置和个数。所述研磨头的合格施压参数范围包括用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围。

具体的，所述步骤10a中建立数据库的方法可以包括：

步骤一、设定所述研磨头的使用模式，以及将所述研磨头的施压参数设定为第二设定值，并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值对所述薄膜感测片施压，以检测所述研磨头在所述使用模式下的第二实际施压参数。

具体的，所述步骤一可以包括：基于待研磨晶圆的厚度分布状况确定所述研磨头中用于施压的独立研磨区域的位置和个数，以设定所述研磨头的使用模式，以及预先将所述研磨头中各个用于施压的独立研磨片区域的施压参数对应设定一第二设定值。并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述用于施压的独立研磨区域对所述薄膜感测片依照对应的第二设定值施压，以利用所述薄膜感测片检测每个用于施压的独立研磨区域的第二实际施压参数。

其中，需要说明的是，之所以要设定研磨头的使用模式和施压参数，是由于不同晶圆的厚度分布状况不同(例如晶圆厚度分布状况可以为：中心区域厚度＞边缘区域厚度＞其他区域厚度，或者边缘区域厚度＞中心区域厚度＞其他区域厚度等)，为了保证研磨后晶圆厚度的均匀性，所述研磨头的使用模式也不同，例如与晶圆厚度较小的区域对应的研磨头的独立研磨区域可以不用向晶圆施压，而与晶圆厚度较大的区域对应的研磨头的独立研磨区域需要向晶圆施压，因此，在研磨晶圆之前，需先确定研磨头的使用模式，也即是确定研磨头中用于施压的独立研磨区域的位置和个数。之后，还需将各个用于施压的独立研磨区域的施压参数对应设定一第二设定值，以使得研磨头在使用模式下以相应的研磨参数研磨晶圆。同时，为了确保研磨后的晶圆厚度分布均匀，所述用于施压的独立研磨区域的施压参数值与其对应的晶圆区域的厚度呈正相关。

例如，一待研磨晶圆的厚度分布状况为：边缘区域厚度＞中心区域厚度＞其他区域厚度。则在研磨所述待研磨晶圆之前，可以将研磨头的使用模式设定为使用模式一，所述使用模式一可以为：用于施压的独立研磨区域的位置位于研磨头的边缘区域和中心区域，用于施压的独立研磨区域的个数为2个(也即是对应图2中的独立研磨区域a和独立研磨区域d)。进一步地，由于所述待研磨晶圆边缘区域的厚度大于中心区域的厚度，因此，在设定所述研磨头的施压参数时，所述独立研磨区域a的施压参数应较小，所述独立研磨区域d的施压参数应较大。例如，可以将所述独立研磨区域a的施压参数设定为12牛(N)，将所述独立研磨区域d的施压参数设定为18N，以便在研磨待研磨晶圆时，使所述独立研磨区域a和d分别向所述待研磨晶圆的中心区域和边缘区域施加不同的压力，使得研磨后的晶圆厚度分布均匀。

以及，在设定了所述研磨头的施压参数后，还要利用薄膜感测片检测所述研磨头的第二实际施压参数，并利用一显示装置以坐标图的形式显示所述第二实际施压参数，所述坐标图的横轴用于指示所述研磨头的各个独立研磨区域，所述坐标轴的纵轴用于指示所述各个独立研磨区域的施压参数，则基于所述坐标图可以确定出所述薄膜感测片所检测出的研磨头的第二实际施压参数的具体数值，以便后续基于所述第二实际施压参数的具体数值建立数据库。

例如，图3为本实施例中在使用模式一下，薄膜感测片检测出的研磨头的第二实际施压参数的示意图。由图3可以得知，在使用模式一下，所述薄膜感测片所检测出的所述独立研磨区域a的第二实际施压参数为15N，所述独立研磨区域d的第二实际施压参数为20N。

此外，还要说明的是，在本实施例中，还可以利用所述薄膜感测片模拟出所述研磨头的施压实况，并会在显示装置上显示所述研磨头的施压实况模拟图。其中，所述施压实况模拟图不仅可以反映出所述研磨头各个用于施压的独立研磨区域的实际施压参数的大小分布状况，还可以反映出待研磨晶圆的厚度分布状况，其中，研磨头的实际施压参数较大的区域对应于晶圆的较厚区域，研磨头的实际施压参数较小的区域对应于晶圆的较薄区域。

进一步地，图4为本实施例使用模式一下研磨头的一种施压实况模拟图。如图4所示，所述独立研磨区域实际施压参数的大小可以以该独立研磨区域颜色深浅表示，例如，颜色较深的独立研磨区域的实际施压参数较大，颜色较浅的独立研磨区域的实际施压参数较小。其中，图4所示的独立研磨区域d的实际施压参数＞独立研磨区域a的实际施压参数＞独立研磨区域b和c的实际施压参数，也即是，独立研磨区域d对应的晶圆区域的厚度＞独立研磨区域a对应的晶圆区域的厚度＞独立研磨区域b和c对应的晶圆区域的厚度。

步骤二，摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照第二设定值研磨一晶圆，记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求；若满足，则所述第二实际施压参数为合格施压参数，并收集所述合格施压参数，所述晶圆满足工艺要求具体可以指所述晶圆的厚度均匀性较高或者所述晶圆完整性较高(也即所述晶圆未发生破损)。

其中，需要说明的是，在本步骤二中所述研磨头在所述使用模式下依照第二设定值研磨晶圆时，所述用于施压的独立研磨区域对于所述晶圆的施压参数为第二实际施压参数，该第二实际施压参数与第二设定值之间可能存在误差。基于此，可以得知，所述晶圆最后的研磨效果实质上是与所述研磨头的第二实际施压参数相关，因此，在本实施例中，当研磨后的晶圆满足工艺要求时，是将第二实际施压参数确定为合格施压参数。

以及，在同一使用模式下针对多个晶圆循环执行步骤一和步骤二，以获取所述使用模式对应的多个合格施压参数，并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，构成合格施压参数范围。其中，所述多个晶圆中的每个晶圆的厚度分布状况相同，但厚度大小不同。

其中，在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二，具体是为了获取所述使用模式下的每个用于施压的独立研磨区域对应的多个合格施压参数，以便在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，构成所述使用模式对应的每个用于施压的独立研磨区域的合格施压参数范围。

例如，假设在所述研磨头的使用模式一下，所述研磨头利用独立研磨区域a和独立研磨区域d对第一晶圆、第二晶圆、第三晶圆以及第四晶圆分别进行了研磨，以及在研磨所述第一晶圆之前，检测的所述独立研磨区域a的第二实际施压参数为A1N，所述独立研磨区域d的第二实际施压参数为A2N。在研磨所述第二晶圆之前，检测的所述独立研磨区域a的第二实际施压参数为A3N，所述独立研磨区域d的第二实际施压参数为A4N。在研磨所述第三晶圆之前，检测的所述独立研磨区域a的第二设定值为A5N，所述独立研磨区域d的第二设定值为A6N。在研磨所述第四晶圆之前，检测的所述独立研磨区域a的第二实际施压参数为A7N，所述独立研磨区域d的第二实际施压参数为A8N。并且，研磨后的所述第一晶圆、第二晶圆以及第三晶圆均满足工艺要求。

则可以确定A1N、A3N以及A5N为所述独立研磨区域a的合理施压参数，A2N、A4N以及A6N为所述独立研磨区域d的合理施压参数，并且，A5＜A1＜A3，A4＜A2＜A6。则可以得知所述独立研磨区域a对应的合格施压参数范围为[A5，A3]，所述独立研磨区域d对应的合格施压参数范围为[A4，A6]。

最后，将所述研磨头的使用模式与所述研磨头的合格施压参数范围对应存储至数据库。

其中，具体是将所述研磨头的使用模式，以及在所述使用模式下每个用于施压的独立研磨区域的合格施压参数范围对应存储至数据库。

例如可以将使用模式一与独立研磨区域a的合格施压参数范围为[A5，A3]；独立研磨区域d的合格施压参数范围为[A4，A6]对应存储至数据库。例如，可以按照表1的方式对应存储。

表1

步骤20a，提供一待检测研磨头并设定所述待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值。

其中，步骤20a中主要包括：

第一步，基于所述待检测研磨头的使用模式，从所述数据库中确定对应的合格施压参数范围。

具体的，先基于待研磨晶圆的厚度分布状况确定出研磨头的使用模式，再基于所述待检测研磨头的使用模式，在所述数据库中确定出每个用于施压的独立研磨片区域的合格施压参数范围。其中，所述研磨头的使用模式的确定方式与步骤10a中步骤一中的确定方式相同，本实用新型在此不做赘述。

例如，预先设定的所述待检测研磨头的使用模式为使用模式一，则参考表1可以确定出，独立研磨区域a的合格施压参数范围为[A5，A3]；独立研磨区域d的合格施压参数范围为[A4，A6]。

第二步，基于确定的所述合格施压参数范围确定所述第一设定值，所述第一设定值介于所述对应的合格施压参数范围内。

具体的，基于各个用于施压的独立研磨区域的合格施压参数范围，将各个用于施压的独立研磨区域施压参数设定为对应的第一设定值，其中，各个用于施压的独立研磨区域的第一设定值均介于各个用于施压的独立研磨区域的合格施压参数范围内。

例如，所述独立研磨区域a的第一设定值可以为15N，所述独立研磨区域d的第一设定值可以为14N，其中，A5＜15＜A3，A4＜14＜A6。

则相比于相关技术中，在研磨晶圆之前，工作人员基于经验设定研磨头的研磨参数的方法而言，本实用新型中通过数据库设定待检测研磨头的研磨参数，且所述数据库是通过大量实验数据所建立。因此，本实用新型中在研磨晶圆之前，设定研磨头的施压参数的方法更精确，则确保了研磨后的晶圆的研磨效果，提高了晶圆的良率。

步骤30a，在所述待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照第一设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值。

其中，当利用待检测研磨头研磨晶圆时，所述待检测研磨头的第一实际施压参数与所述待检测研磨头的第一设定值之间可能存在误差，使得两者之间存在一差值。其中，如果所述差值足够小，当所述第一设定值介于合格施压参数范围时，可以保证所述第一实际施压参数也介于合格施压参数范围，则可以确保在利用所述研磨头在所述使用模式下依照第一设定值研磨晶圆之后，所述研磨后的晶圆满足工艺要求。而如果所述差值较大，则当所述第一设定值介于合格施压参数范围时，所述待检测研磨头的第一实际施压参数可能不介于合格施压参数范围内，则会造成研磨后的晶圆不满足生产要求，影响晶圆的研磨效果，降低晶圆的良率。

因此，在设定了待检测研磨头的第一设定值之后，还需要验证所述待检测研磨头的第一实际施压参数与所述第一设定值相差是否小于预设值，所述预设值应足够小，例如，所述预设值可以介于1～2N之间，以确保所述第一实际施压参数介于合格施压参数范围内，从而保证晶圆的研磨效果，提高晶圆的良率。

具体的，所述步骤30a可以包括：利用所述待检测研磨头的每个用于施压的独立研磨区域对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测得每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数。以及，验证所述每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数与第一设定值是否小于预设值。

例如，假设所述薄膜感测片检测的独立研磨区域a的第一实际施压参数为16N，检测的所述独立研磨区域d的第一实际施压参数为20N，所述预设值为15N。则所述独立研磨区域a的第一设定值和第一实际施压参数相差1N，小于预设值，所述独立研磨区域d的第一设定值和第一实际施压参数相差6N，大于预设值。

其中，需要说明的是，本实用新型中所述研磨头的第一实际施压参数也是通过显示图的形式显示在所述显示装置上的，以便基于所述显示装置的显示结果确定所述第一实际施压参数的具体数值，其中，所述第一实际施压参数的显示方式与第二实际施压参数的显示方式类同，具体可以参见附图3，本实用新型在此不做赘述。

步骤40a，当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

其中，当所述待检测研磨头的每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数与第一设定值之间均小于预设值时，则可以确定每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数均介于合理施压参数范围内，则摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头的每个用于施压的独立研磨区域按照对应的第一设定值研磨晶圆，从而可以保证研磨后的晶圆满足工艺要求。

此外，当所述待检测研磨头的第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的第一实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值。

具体的，当所述待检测研磨头中的某一个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，将所述某一个用于施压的独立研磨区域确定为故障独立研磨区域，并调整所述某一个用于施压的独立研磨区域的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值。

例如，比对出独立研磨区域d的第一设定值和第一实际施压参数相差大于预设值，则将所述独立研磨区域d确定为故障独立研磨区域，并调整独立研磨区域d的实际施压参数至与对应的第一设定值相差小于预设值，例如，可以将所述独立研磨区域d的实际施压参数调整至14N。

之后，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头的用于施压的独立研磨区域按照对应的第一设定值研磨晶圆。

综上所述，本实用新型提供的研磨头检测方法，在利用待检测研磨头研磨晶圆之前，会基于数据库将待检测研磨头的施压参数设定为第一设定值，并且，所述第一设定值介于合格施压参数范围，之后，通过薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数，并判断所述待检测研磨头的第一实际施压参数与第一设定值之间相差是否小于预设值，当不小于预设值时，会调整所述待检测研磨头的实际施压参数，至与所述第一设定值之间相差小于预设值，从而确保了所述待检测研磨头的实际施压参数介于合理施压参数范围内，避免了由于研磨头研磨晶圆时的实际施压参数与预先设定的设定值之间存在较大误差，而影响晶圆的研磨效果的情况发生，提高了晶圆的良率。

进一步地，本实用新型还提供了一种研磨头施压参数的检测系统，图5为本实用新型一实施例的研磨头施压参数的检测系统的结构示意图。如图5所示，所述系统包括：

待检测研磨头01；

设定模块02，用于设定待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；

薄膜感测片03，放置在待检测研磨头上，以检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数；

验证模块04，用于验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

可选的，所述系统还包括：数据库，所述数据库包括所述研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围。

可选的，所述研磨头包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，当所述研磨头研磨晶圆时，所述独立研磨区域独立的向所述晶圆施压；以及所述研磨头的使用模式包括所述研磨头中用于施压的独立研磨区域的位置和个数，所述合格施压参数范围包括所述独立研磨区域施压参数的合格范围。

可选的于，所述系统还包括：显示装置，用于接收并显示所述薄膜感测片检测的第一实际施压参数。

可选的，所述系统还包括调整模块，用于当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值。

综上所述，本实用新型提供的研磨头检测系统，包括设定模块和验证模块，在利用待检测研磨头研磨晶圆之前，设定模块会基于数据库将待检测研磨头的施压参数设定为第一设定值，并且，所述第一设定值介于合格施压参数范围。之后，通过薄膜感测片会检测出所述待检测研磨头依照所述第一设定值施压时的第一实际施压参数，并验证模块验证所述待检测研磨头的第一实际施压参数与第一设定值之间相差是否小于预设值。当不小于预设值时，会调整所述待检测研磨头的实际施压参数，至与所述第一设定值之间相差小于预设值，从而确保了所述待检测研磨头的实际施压参数介于合理施压参数范围内，避免了由于研磨头研磨晶圆时的实际施压参数与预先设定的设定值之间存在较大误差，而影响晶圆的研磨效果的情况发生，提高了晶圆的良率。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (5)

1.一种研磨头施压参数的检测系统，其特征在于，所述系统包括：

待检测研磨头；

设定模块，用于设定待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；

薄膜感测片，放置在待检测研磨头上，以检测所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值施压时的第一实际施压参数；

验证模块，用于验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。

2.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测系统，其特征在于，所述系统还包括：数据库，所述数据库包括所述研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围。

3.如权利要求2所述的研磨头施压参数的检测系统，其特征在于，所述研磨头包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，当所述研磨头研磨晶圆时，所述独立研磨区域独立的向所述晶圆施压；以及所述研磨头的使用模式包括所述研磨头中用于施压的独立研磨区域的位置和个数，所述研磨头的合格施压参数范围为用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围。

4.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测系统，其特征在于，所述系统还包括：与所述薄膜感测片连接的显示装置，用于接收并显示所述薄膜感测片检测的第一实际施压参数。

5.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测系统，其特征在于，所述系统还包括调整模块，用于当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值。