CN209389712U - 一种带诊断功能的高次侧冗余电路 - Google Patents
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Abstract
一种带诊断功能的高次侧冗余电路，涉及电气技术领域，本实用新型采用MOS管代替二极管有效的解决了二极管发热的问题，因MOS管导通压降小，所以功耗低，适合用于大功率场合，使用MOS管进行冗余时，可以很好实现MOS管冗余功能，而且支持高次侧电压冗余功能,本实用新型具有硬件简单、体积小、可靠性高等特点，在电源冗余供电领域有着广泛的应用前景,适合大范围的推广和应用。
Description
技术领域
本实用新型涉及电气技术领域，具体涉及一种带诊断功能的高次侧冗余电路。
背景技术
已知的，在要求可靠性高的应用场合，例如基站通信、服务器等，往往采用冗余供电，而冗余供电的传统方法是采用二极管实现冗余功能，具体如附图1所示，电源1的正输出经过冗余二极管（OR-ing diodes）送入负载，电源2的正输出经过冗余二极管（OR-ingdiodes）送入负载，依次类推，实现冗余功能。这种方法简单易行，但是冗余二极管存在发热问题，尤其在大功率应用场合，冗余二极管发热严重，这不仅降低电源效率，甚至给整个供电系统埋下安全隐患，甚至影响供电系统的可靠性等。
发明内容
为克服背景技术中存在的不足，本实用新型提供了一种带诊断功能的高次侧冗余电路，本实用新型采用MOS管代替二极管有效的解决了二极管发热的问题，因MOS管导通压降小，所以功耗低，适合用于大功率场合，使用MOS管进行冗余时，可以很好实现MOS管冗余功能，而且支持高次侧电压冗余功能。
为实现如上所述的发明目的，本实用新型采用如下所述的技术方案：
一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A、电阻A、MOS管B、电阻B、电阻C、电阻D、电容A、电容B、芯片、电阻E、电阻F和电阻G，所述MOS管A和MOS管B的栅极并联连接输入Vin，MOS管A和MOS管B的漏极分别连接输出Vout，输入Vin依次串联连接电阻A和电容B，所述电容B的另一端连接GND，所述电阻A和电容B的节点分别连接芯片的IN引脚和电容A的一端，所述电容A的另一端分别连接芯片的OUT引脚和电阻C的一端，所述电阻C的另一端连接输出Vout，芯片的GATE引脚连接电阻B的一端, 电阻B的另一端连接MOS管A的门极，芯片的GATE引脚连接电阻D的一端, 电阻D的另一端连接MOS管B的门极，所述芯片的GND引脚连接GND，输入OFF信号依次串联连接电阻E和电阻G，所述电阻G连接GND，所述电阻E和电阻G之间节点连接芯片的OFF引脚，输出nFGD信号串联连接电阻F的一端，电阻F的另一端连接芯片的nFGD引脚形成所述的带诊断功能的高次侧冗余电路。
所述的带诊断功能的高次侧冗余电路，所述芯片为LM5050MK-2芯片。
采用如上所述的技术方案，本实用新型具有如下所述的优越性：
本实用新型采用MOS管代替二极管有效的解决了二极管发热的问题，因MOS管导通压降小，所以功耗低，适合用于大功率场合，使用MOS管进行冗余时，可以很好实现MOS管冗余功能，而且支持高次侧电压冗余功能,本实用新型具有硬件简单、体积小、可靠性高等特点，在电源冗余供电领域有着广泛的应用前景,适合大范围的推广和应用。
附图说明
图1是现有冗余供电电路的示意图；
图2是本实用新型的电路示意图；
在图中：1、MOS管A；2、电阻A；3、MOS管B；4、电阻B；5、电阻C；6、电阻D；7、电容A；8、电容B；9、芯片；10、电阻E；11、电阻F；12、电阻G。
具体实施方式
通过下面的实施例可以更详细的解释本实用新型，本实用新型并不局限于下面的实施例；
结合附图2所述的一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A1、电阻A2、MOS管B3、电阻B4、电阻C5、电阻D6、电容A7、电容B8、芯片9、电阻E10、电阻F11和电阻G12，所述MOS管A1和MOS管B3的栅极（S）并联连接输入Vin，MOS管A1和MOS管B3的漏极（D）分别连接输出Vout，输入Vin依次串联连接电阻A2和电容B8，所述电容B8的另一端连接GND，所述电阻A2和电容B8的节点分别连接芯片9的IN引脚和电容A7的一端，所述电容A7的另一端分别连接芯片9的OUT引脚和电阻C5的一端，所述电阻C5的另一端连接输出Vout，芯片9的GATE引脚连接电阻B4的一端, 电阻B4的另一端连接MOS管A1的门极（G），芯片9的GATE引脚连接电阻D6的一端, 电阻D6的另一端连接MOS管B3的门极（G），所述芯片9的GND引脚连接GND，输入OFF信号依次串联连接电阻E10和电阻G12，所述电阻G12连接GND，所述电阻E10和电阻G12之间节点连接芯片9的OFF引脚，输出nFGD信号串联连接电阻F11的一端，电阻F11的另一端连接芯片9的nFGD引脚形成所述的带诊断功能的高次侧冗余电路。
其中所述芯片9为LM5050MK-2芯片，MOS管A1和MOS管B3为OR-ing FET。
本实用新型有两种工作模式：正常模式和诊断模式，当工作在正常模式时，通过检测MOS管A1和MOS管B3两端电压，控制MOS管A1和MOS管B3的开通与关断，实现冗余功能。当工作在诊断模式时，通过在OFF端注入高电平，检测nFGD端输出电平，若nFGD端为低电平MOS管A1和MOS管B3正常，若nFGD端为高电平MOS管A1和MOS管B3损坏。
本实用新型未详述部分为现有技术。
为了公开本实用新型的发明目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但是，应了解的是，本实用新型旨在包括一切属于本构思和发明范围内的实施例的所有变化和改进。
Claims (2)
1.一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A（1）、电阻A（2）、MOS管B（3）、电阻B（4）、电阻C（5）、电阻D（6）、电容A（7）、电容B（8）、芯片（9）、电阻E（10）、电阻F（11）和电阻G（12），其特征是：所述MOS管A（1）和MOS管B（3）的栅极并联连接输入Vin，MOS管A（1）和MOS管B（3）的漏极分别连接输出Vout，输入Vin依次串联连接电阻A（2）和电容B（8），所述电容B（8）的另一端连接GND，所述电阻A（2）和电容B（8）的节点分别连接芯片（9）的IN引脚和电容A（7）的一端，所述电容A（7）的另一端分别连接芯片（9）的OUT引脚和电阻C（5）的一端，所述电阻C（5）的另一端连接输出Vout，芯片（9）的GATE引脚连接电阻B（4）的一端, 电阻B（4）的另一端连接MOS管A（1）的门极，芯片（9）的GATE引脚连接电阻D（6）的一端, 电阻D（6）的另一端连接MOS管B（3）的门极，所述芯片（9）的GND引脚连接GND，输入OFF信号依次串联连接电阻E（10）和电阻G（12），所述电阻G（12）连接GND，所述电阻E（10）和电阻G（12）之间节点连接芯片（9）的OFF引脚，输出nFGD信号串联连接电阻F（11）的一端，电阻F（11）的另一端连接芯片（9）的nFGD引脚形成所述的带诊断功能的高次侧冗余电路。
2.根据权利要求1所述的带诊断功能的高次侧冗余电路，其特征是：所述芯片（9）为LM5050MK-2芯片。
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| CN201920164364.1U CN209389712U (zh) | 2019-01-30 | 2019-01-30 | 一种带诊断功能的高次侧冗余电路 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109888771A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-14 | 洛阳隆盛科技有限责任公司 | 一种带诊断功能的高次侧冗余电路 |
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