CN209375615U - 一种射频电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种射频电路，包括射频芯片、匹配网络、第一滤波模块、第二滤波模块、天线和电源，射频芯片包括电源输入端、第一信号端、第二信号端和接地端，电源输入端经第一滤波模块与电源电连接，第一信号端、第二信号端和接地端分别与第二滤波模块电连接，第二滤波模块经匹配网路与天线电连接。本实用新型实施例提供的射频电路，射频芯片通过第一滤波模块与电源进行电磁屏蔽，通过第二滤波模块与匹配网络和天线电连接，进行高频滤波，实现了射频电路满足电磁兼容，解决了现有的射频电路中射频辐射超标的问题。

Description

一种射频电路

技术领域

本实用新型实施例涉及射频识别技术，尤其涉及一种射频电路。

背景技术

射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是一种非接触的自动识别技术。RFID技术以其高度安全保密性、同时识别多个标签和高速运动物体、操作快捷方便等优点，使得射频识别技术在各领域广泛应用。研究、开发射频识别读写器，对其发展有着重要的实际意义。常用的读卡器中，在电磁兼容(EMC，Electro Magnetic Compatibility)中经常会出现射频辐射超标现象。

现有的射频电路中射频辐射超标现象的问题亟待解决。

实用新型内容

本实用新型提供一种天线装置和电子设备，以解决现有的射频电路中射频辐射超标的问题。

本实用新型实施例提供了一种射频电路，包括射频芯片、匹配网路、第一滤波模块、第二滤波模块、天线和电源；

射频芯片包括电源输入端、第一信号端、第二信号端和接地端；

电源输入端经第一滤波模块与电源电连接；

第一信号端、第二信号端和接地端分别与第二滤波模块电连接；

第二滤波模块经匹配网路与天线电连接。

进一步地，第一滤波模块包括第一磁珠、第一电容和第二电容；

第一磁珠的第一端与第一电容的第一端以及电源电连接，第一磁珠的第二端与第二电容的第二端以及射频芯片的电源输入端电连接，第一电容的第二端以及第二电容的第二端接地。

进一步地，第一滤波模块还包括第三电容，第三电容的第一端与第一磁珠的第二端电连接，第三电容的第二端接地。

进一步地，第一磁珠为10nH的电感。

进一步地，第一电容的电容值为1uF，第二电容的电容值为1000pF，第三电容的电容值为100nF。

进一步地，第二滤波模块包括第二磁珠、第三磁珠、第四电容和第五电容；

第二磁珠的第一端与射频芯片的第一信号端电连接，第三磁珠的第一端与射频芯片的第二信号端电连接，第二磁珠的第二端、第三磁珠的第二端与匹配网络电连接；

第四电容的第一端与第二磁珠的第二端电连接，第五电容的第一端与第三磁珠的第二端电连接，第四电容的第二端与第五电容的第二端接地。

进一步地，第二滤波模块还包括第四磁珠，第四磁珠的第一端与射频芯片的接地端电连接，第四磁珠的第二端与匹配网路的接地端电连接。

进一步地，第四电容与第五电容为33pF-330pF；第二磁珠、第三磁珠以及第四磁珠为33ohm/100MHz-330ohm/100MHz。

进一步地，匹配网路包括第一电阻、第二电阻、第六电容、第七电容、第八电容和第九电容；

第一电阻和第六电容串联后一端与第二磁珠的第二端电连接，另一端与天线的一端电连接；

第二电阻和第七电容串联后一端与第三磁珠的第二端电连接，另一端与天线的另一端电连接；

第一电阻和第六电容串联的连接点与第八电容的第一端电连接，第二电阻和第七电容串联的连接点与第九电容的第一端电连接，第八电容的第二端、第九电容的第二端与第四磁珠的第二端电连接。

本实用新型提供的射频电路包括射频芯片、匹配网路、第一滤波模块、第二滤波模块、天线和电源，射频芯片包括电源输入端、第一信号端、第二信号端和接地端，电源输入端经第一滤波模块与电源电连接，第一信号端、第二信号端和接地端分别与第二滤波模块电连接，第二滤波模块经匹配网路与天线电连接。本实用新型提供的射频电路，射频芯片通过第一滤波模块与电源进行电磁屏蔽，通过第二滤波模块与匹配网路和天线电连接，进行高频滤波，实现了射频电路满足电磁兼容，解决了现有的射频电路中射频辐射超标的问题。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种射频电路的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的另一种射频电路的结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的又一种射频电路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

图1是本实用新型实施例提供的一种射频电路的结构示意图。参见图1，本实用新型实施例提供的射频电路包括射频芯片1、匹配网路2、第一滤波模块 3、第二滤波模块4、天线5和电源6，射频芯片1包括电源输入端11、第一信号端12、第二信号端13和接地端14，电源输入端11经第一滤波模块3与电源 6电连接，第一信号端12、第二信号端13和接地端14分别与第二滤波模块4 电连接，第二滤波模块4经匹配网路2与天线5电连接。

具体地，第一滤波模块3滤除射频芯片1的电磁干扰信号，避免射频芯片 1的强电磁干扰信号通过电源输入端传到电源6，保护与电源6电连接的其他电路元件不受射频芯片1的强电磁干扰信号的影响。射频芯片1通过匹配网路2 与天线5电连接，通过匹配网路2实现天线5与射频芯片1通信的阻抗匹配，射频芯片1产生的强电磁干扰信号也会通过匹配网路2和天线5形成的闭合回路产生电磁辐射，在射频芯片1与匹配网路之间设置第二滤波模块4，第二滤波模块4将射频芯片1产生的电磁辐射信号滤除，提高射频电路的电磁兼容性能。通过设置第一滤波模块3和第二滤波模块4的参数，滤除现有的射频辐射骚扰信号。

本实用新型提供的射频电路，射频芯片通过第一滤波模块与电源进行电磁屏蔽，通过第二滤波模块与匹配网路和天线电连接，进行高频滤波，实现了射频电路满足电磁兼容，解决了现有的射频电路中射频辐射超标的问题。

可选地，图2是本实用新型实施例提供的另一种射频电路的结构示意图。参见图2，第一滤波模块3可以包括第一磁珠31、第一电容32和第二电容33，第一磁珠31的第一端与第一电容32的第一端以及电源6电连接，第一磁珠31 的第二端与第二电容33的第二端以及射频芯片1的电源输入端11电连接，第一电容32的第二端以及第二电容33的第二端接地。

具体地，第一磁珠31起高阻作用，用于阻隔射频芯片1产生的高频信号，第一电容32与第二电容33起滤波作用，将第一磁珠31阻隔的电磁干扰信号滤除，防止射频芯片1的干扰信号通过电源6形成更大的环路的空间辐射。

可选地，继续参见图2，第一滤波模块3还可以包括第三电容34，第三电容34的第一端与第一磁珠31的第二端电连接，第三电容34的第二端接地。

具体地，第三电容34位于第一磁珠31靠近射频芯片1的一侧，第三电容 34与第二电容33并联，通过调整第三电容34与第二电容33的电容值，实现更宽频率范围的滤波。

可选地，第一磁珠31可以为10nH的电感。第一电容32的电容值可以为 1uF，第二电容33的电容值可以为1000pF，第三电容34的电容值可以为100nF。

具体地，通过调整合适的第一磁珠31、第一电容32、第二电容33以及第三电容34的值，使得射频电路有效解决13.56MHz倍频辐射的问题。

可选地，继续参见图2，第二滤波模块4可以包括第二磁珠41、第三磁珠 42、第四电容44和第五电容45，第二磁珠41的第一端与射频芯片1的第一信号端12电连接，第三磁珠42的第一端与射频芯片1的第二信号端13电连接，第二磁珠41的第二端、第三磁珠42的第二端与匹配网路2电连接，第四电容 44的第一端与第二磁珠41的第二端电连接，第五电容45的第一端与第三磁珠 42的第二端电连接，第四电容44的第二端与第五电容45的第二端接地。

具体地，第二磁珠41起高阻作用，用于阻隔通过第一信号端12传输的射频芯片1产生的高频信号，第四电容44起滤波作用，将通过第一信号端12传输的射频芯片1产生的高频信号滤除；第三磁珠42起高阻作用，用于阻隔通过第二信号端13传输的射频芯片1产生的高频信号，第五电容45起滤波作用，将通过第二信号端13传输的射频芯片1产生的高频信号滤除，避免射频芯片1 产生的电磁骚扰信号通过第一信号端12和第二信号端13传输至匹配网路2或天线5。

可选地，图3是本实用新型实施例提供的又一种射频电路的结构示意图。参见图3，第二滤波模块4还包括第四磁珠43，第四磁珠43的第一端与射频芯片1的接地端电连接，第四磁珠43的第二端与匹配网路2的接地端电连接。

具体地，第四磁珠43起高阻作用，用于阻隔通过接地端14传输的射频芯片1产生的高频信号，第四电容44和第五电容45起滤波作用，将通过接地端 14传输的射频芯片1产生的高频信号滤除，避免射频芯片1产生的高频信号通过接地端传输到射频电路的地，影响其他共地的电路元件的电磁兼容性能。

可选地，第四电容44与第五电容45可以为33pF-330pF；第二磁珠41、第三磁珠42以及第四磁珠43可以为33ohm/100MHz-330ohm/100MHz。

具体地，通过调整第四电容44和第五电容45的电容值，通过选取合适的第二磁珠41、第三磁珠42以及第四磁珠的大小，实现提高射频电路的电磁兼容能力，有效解决13.56MHz倍频辐射的问题，减少测试成本的同时加快产品的研发进度。

可选地，继续参见图3，匹配网路2包括第一电阻21、第二电阻22、第六电容23、第七电容24、第八电容25和第九电容26，第一电阻21和第六电容 23串联后一端与第二磁珠41的第二端电连接，另一端与天线5的一端电连接，第二电阻22和第七电容24串联后一端与第三磁珠42的第二端电连接，另一端与天线5的另一端电连接，第一电阻21和第六电容23串联的连接点与第八电容25的第一端电连接，第二电阻22和第七电容24串联的连接点与第九电容26的第一端电连接，第八电容25的第二端、第九电容26的第二端与第四磁珠 43的第二端电连接。

具体地，匹配网路2中第一电阻21、第六电容23与第八电容25构成阻容滤波，第一电阻21并进行阻抗匹配，减小射频芯片1的第一信号端12与天线 5之间信号的通信损耗；匹配网路2中第二电阻22、第七电容24与第九电容 26构成阻容滤波，第二电阻22进行阻抗匹配，减小射频芯片1的第二信号端 13与天线5之间信号的通信损耗。需要说明的是，图3示例性地画出第一电阻 21和第六电容23串联后一端由第六电容23的一端与第二磁珠41的第二端电连接，另一端由第一电阻21的一端与天线5的一端电连接，第二电阻22和第七电容24串联后一端由第七电容24的一端与第三磁珠42的第二端电连接，另一端由第二电阻22的一端与天线5的另一端电连接。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (9)

1.一种射频电路，其特征在于，包括：射频芯片、匹配网路、第一滤波模块、第二滤波模块、天线和电源；

所述射频芯片包括电源输入端、第一信号端、第二信号端和接地端；

所述电源输入端经所述第一滤波模块与所述电源电连接；

所述第一信号端、所述第二信号端和所述接地端分别与所述第二滤波模块电连接；

所述第二滤波模块经所述匹配网路与所述天线电连接。

2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，

所述第一滤波模块包括第一磁珠、第一电容和第二电容；

所述第一磁珠的第一端与所述第一电容的第一端以及电源电连接，所述第一磁珠的第二端与所述第二电容的第二端以及所述射频芯片的电源输入端电连接，所述第一电容的第二端以及所述第二电容的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的射频电路，其特征在于，

所述第一滤波模块还包括第三电容，所述第三电容的第一端与所述第一磁珠的第二端电连接，所述第三电容的第二端接地。

4.根据权利要求3所述的射频电路，其特征在于，

所述第一磁珠为10nH的电感。

5.根据权利要求3所述的射频电路，其特征在于，所述第一电容的电容值为1uF，所述第二电容的电容值为1000pF，所述第三电容的电容值为100nF。

6.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述第二滤波模块包括第二磁珠、第三磁珠、第四电容和第五电容；

所述第二磁珠的第一端与所述射频芯片的第一信号端电连接，所述第三磁珠的第一端与所述射频芯片的第二信号端电连接，所述第二磁珠的第二端、所述第三磁珠的第二端与所述匹配网路电连接；

所述第四电容的第一端与所述第二磁珠的第二端电连接，所述第五电容的第一端与所述第三磁珠的第二端电连接，所述第四电容的第二端与所述第五电容的第二端接地。

7.根据权利要求6所述的射频电路，其特征在于，所述第二滤波模块还包括第四磁珠，所述第四磁珠的第一端与所述射频芯片的接地端电连接，所述第四磁珠的第二端与所述匹配网路的接地端电连接。

8.根据权利要求7所述的射频电路，其特征在于，

所述第四电容与所述第五电容为33pF-330pF；所述第二磁珠、所述第三磁珠以及所述第四磁珠为33ohm/100MHz-330ohm/100MHz。

9.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，

所述匹配网路包括第一电阻、第二电阻、第六电容、第七电容、第八电容和第九电容；

所述第一电阻和所述第六电容串联后一端与第二磁珠的第二端电连接，另一端与所述天线的一端电连接；

所述第二电阻和所述第七电容串联后一端与第三磁珠的第二端电连接，另一端与所述天线的另一端电连接；

所述第一电阻和所述第六电容串联的连接点与所述第八电容的第一端电连接，所述第二电阻和所述第七电容串联的连接点与所述第九电容的第一端电连接，所述第八电容的第二端、所述第九电容的第二端与第四磁珠的第二端电连接。