CN209352972U - 一种用于多弧离子镀膜的小弧源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于多弧离子镀膜的小弧源，在安装法兰上螺栓固定屏蔽罩；在屏蔽罩的上方固定若干个支撑螺栓，在支撑螺栓上用螺母固定屏蔽板；在屏蔽板的中间套入靶材；在屏蔽罩的内部，在安装法兰上从下往上依次固定绝缘法兰、轭铁、靶座、靶材压框，固定靶材等部件；在安装法兰的边缘上开设一圆孔；在圆孔内设置自动引弧装置；小弧源采用三路磁场结构，外圈环形磁铁位置固定，中间的柱形磁铁高度可调，有效增强了靶材表面的磁场强度，可使用钨钼等耐高温难熔融靶材，解决了以往类似金属或合金难以镀膜的问题。

Description

一种用于多弧离子镀膜的小弧源

技术领域

本实用新型涉及多弧离子镀膜装置，尤其涉及一种用于多弧离子镀膜的小弧源。

背景技术

在现有的离子镀膜装置中，一般都采用平面大弧源以及小弧源进行多弧离子镀膜。平面大弧源基本采用线圈结构，通过电磁感应，生成可控制的磁场，束缚离子轰击靶材表面形成熔池，完成镀膜过程。小弧源多数采用单个的柱状磁铁产生的磁场，完成上述过程。使用的靶材通常是金属钛、金属铬或者镍铬合金等易熔金属或合金。但是，如果靶材是钨、钼或者钨钼合金的话，装置往往难以稳定运行，靶材表面的电弧经常跑出靶面的范围，使得固定靶材的零部件经常熔融损毁，会带来严重的安全隐患和损失。

实用新型内容

本实用新型的目的是根据上述现有技术的不足之处，本实用新型目的实现一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，包括磁铁调节柱、内磁铁、靶座、轭铁、水管、绝缘法兰、安装法兰、屏蔽罩、绝缘套、绝缘垫、屏蔽板、靶材压框、封水板、靶材、外磁铁，自动引弧装置；在所述的安装法兰上螺栓固定屏蔽罩；在屏蔽罩的上方固定若干个支撑螺栓，在支撑螺栓上用螺母固定所述的屏蔽板；在屏蔽板的中间套入靶材；在所述的屏蔽罩的内部，在安装法兰上从下往上依次固定绝缘法兰、轭铁、靶座；在所述的轭铁和靶座之间设置一圈所述的外磁铁；在所述的轭铁和靶座的中心位置上设置一凹槽，在凹槽中设置磁铁调节柱与内磁铁，所述的磁铁调节柱从上往下依次穿过所述的轭铁和所述的安装法兰；在所述的靶座与靶材之间设置封水板；在封水板下方的空缺中，螺纹连接水管，水管依次穿过靶座、轭铁以及安装法兰，在封水板上方设置靶材压框，固定靶材；在安装法兰的边缘上开设一圆孔；在圆孔内设置自动引弧装置。

进一步，所述的自动引弧装置包括引弧针、调节杆、密封轴、第一氟橡胶圈、密封环、绝缘件、第二氟橡胶圈、密封法兰、压环、紧固螺母、支架、气缸；所述的绝缘件固定在所述的安装法兰上，在所述的绝缘件的里面设置密封法兰；密封法兰穿过所述的安装法兰；在密封法兰内穿入密封轴，在密封轴和密封法兰之间，从上往下设置第一氟橡胶圈、密封环和压环；在密封轴的下方螺纹连接气缸；在密封轴的上方采用止头螺钉活动连接调节杆，在调节杆上横向固定引弧针；在密封法兰与绝缘件之间设置第二氟橡胶圈；在密封法兰的下方螺纹连接紧固螺母；在密封法兰的外侧套入支架。

进一步，所述的内磁铁、外磁铁均为钕铁硼永磁铁。

进一步，所述的绝缘法兰、绝缘套、绝缘垫均为聚四氟乙烯。

进一步，所述的绝缘件的材料为聚四氟乙烯。

进一步，所述的磁铁调节柱、轭铁、屏蔽板的材料为纯铁。

进一步，所述的封水板的材料为黄铜。

本实用新型的技术效果在于，小弧源采用三路磁场结构，外圈环形磁铁位置固定，中间的柱形磁铁高度可调，有效增强了靶材表面的磁场强度，可使用钨钼等耐高温难熔融靶材，解决了以往类似金属或合金难以镀膜的问题。

附图说明

图1是本实用新型的整体示意图。

图2是本实用新型的全剖视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

结合附图1、附图2所示，本实施例中提供了一种用于多弧离子镀膜的小弧源，包括磁铁调节柱1、内磁铁2、靶座3、轭铁4、水管5、绝缘法兰6、安装法兰7、屏蔽罩8、绝缘套9、绝缘垫10、屏蔽板13、靶材压框14、封水板15、靶材16、外磁铁17，自动引弧装置30；在安装法兰7上螺栓固定屏蔽罩8；在屏蔽罩8的上方固定若干个支撑螺栓12，在支撑螺栓12上用螺母11固定屏蔽板13；在屏蔽板13的中间套入靶材16；这样的结构使得靶材16能够采用较小的空间进行固定；在屏蔽罩8的内部，在安装法兰7上从下往上依次固定绝缘法兰6、轭铁4、靶座3；在轭铁4和靶座3之间设置一圈外磁铁17；在轭铁4和靶座3的中心位置上设置一凹槽31，在凹槽31中设置磁铁调节柱1与内磁铁2，磁铁调节柱1从上往下依次穿过轭铁4和安装法兰7；在磁铁调节柱1的安装上尽可能的缩小其安装空间且不影响调节内磁铁2高度与传导电源信号；在靶座3与靶材16之间设置封水板15；在封水板15下方的空缺中，螺纹连接水管5，水管5依次穿过靶座3、轭铁4以及安装法兰7，在封水板15上方设置靶材压框14，固定靶材16；采用封水板15的方式阻断靶座3和靶材16之间的冷却水传递，同时不影响对靶材16的降温效果；使得产品的结构进一步的紧凑；在安装法兰7的边缘上开设一圆孔32；在圆孔32内设置自动引弧装置30；这样安装自动引弧装置30主要是为了尽可能的应用安装法兰7的边缘，而且不影响引弧。通过上述结构的改变，有效增强了靶材表面的磁场强度，可使用钨钼等耐高温难熔融靶材，解决了以往类似金属或合金难以镀膜的问题。

在本实施例中，自动引弧装置30可以自动引弧，冷却水通过水管5直接给靶材16冷却。同时，采用封水板15进行密封；但是不影响对靶材16的降温效果，上述的结构既减少了结构，同时，保证了降温的效果，一举两得。

结合附图2所示，为了进一步使用自动引弧装置，对自动引弧装置30进行了设计，自动引弧装置30包括引弧针18、调节杆19、密封轴20、第一氟橡胶圈21、密封环22、绝缘件23、第二氟橡胶圈24、密封法兰25、压环26、紧固螺母27、支架28、气缸29；绝缘件23固定在安装法兰7上，在绝缘件23的里面设置密封法兰25；密封法兰25穿过安装法兰7；在密封法兰7内穿入密封轴20，在密封轴20和密封法兰25之间，从上往下设置第一氟橡胶圈21、密封环22和压环26；在密封轴20的下方螺纹连接气缸29；在密封轴20的上方采用止头螺钉活动连接调节杆19，在调节杆19上横向固定引弧针18；在密封法兰25与绝缘件23之间设置第二氟橡胶圈24；在密封法兰25的下方螺纹连接紧固螺母27；在密封法兰25的外侧套入支架28；这样的结构使得自动引弧装置30紧凑，符合在多弧离子镀膜的小弧源上的应用。使得自动引弧装置30的结构大为减少和简单。

为了达到多弧离子镀膜的小弧源上的应用，在材料上进行了选择内磁铁2、外磁铁17均为钕铁硼永磁铁。绝缘法兰6、绝缘套9、绝缘垫10、绝缘件23的材料均为聚四氟乙烯；磁铁调节柱1、轭铁4、屏蔽板13的材料为纯铁。封水板15的材料为黄铜。

作为本实用新型优选的实施例，对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型，也是本实用新型的保护范围。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，包括磁铁调节柱、内磁铁、靶座、轭铁、水管、绝缘法兰、安装法兰、屏蔽罩、绝缘套、绝缘垫、屏蔽板、靶材压框、封水板、靶材、外磁铁，自动引弧装置；在所述的安装法兰上螺栓固定屏蔽罩；在屏蔽罩的上方固定若干个支撑螺栓，在支撑螺栓上用螺母固定所述的屏蔽板；在屏蔽板的中间套入靶材；在所述的屏蔽罩的内部，在安装法兰上从下往上依次固定绝缘法兰、轭铁、靶座；在所述的轭铁和靶座之间设置一圈所述的外磁铁；在所述的轭铁和靶座的中心位置上设置一凹槽，在凹槽中设置磁铁调节柱与内磁铁，所述的磁铁调节柱从上往下依次穿过所述的轭铁和所述的安装法兰；在所述的靶座与靶材之间设置封水板；在封水板下方的空缺中，螺纹连接水管，水管依次穿过靶座、轭铁以及安装法兰，在封水板上方设置靶材压框，固定靶材；在安装法兰的边缘上开设一圆孔；在圆孔内设置自动引弧装置。

2.如权利要求1所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的自动引弧装置包括引弧针、调节杆、密封轴、第一氟橡胶圈、密封环、绝缘件、第二氟橡胶圈、密封法兰、压环、紧固螺母、支架、气缸；所述的绝缘件固定在所述的安装法兰上，在所述的绝缘件的里面设置密封法兰；密封法兰穿过所述的安装法兰；在密封法兰内穿入密封轴，在密封轴和密封法兰之间，从上往下设置第一氟橡胶圈、密封环和压环；在密封轴的下方螺纹连接气缸；在密封轴的上方采用止头螺钉活动连接调节杆，在调节杆上横向固定引弧针；在密封法兰与绝缘件之间设置第二氟橡胶圈；在密封法兰的下方螺纹连接紧固螺母；在密封法兰的外侧套入支架。

3.如权利要求1所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的内磁铁、外磁铁均为钕铁硼永磁铁。

4.如权利要求1所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的绝缘法兰、绝缘套、绝缘垫均为聚四氟乙烯。

5.如权利要求2所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的绝缘件的材料为聚四氟乙烯。

6.如权利要求1所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的磁铁调节柱、轭铁、屏蔽板的材料为纯铁。

7.如权利要求1所述的一种用于多弧离子镀膜的小弧源，其特征在于，所述的封水板的材料为黄铜。