CN209250508U - 一种励磁绕组系统柜 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种励磁绕组系统柜，所述励磁绕组系统柜包含三相六脉冲可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组以及柜体，所述三相六脉冲可控硅整流模组设置安装在柜体上部左/中侧，所述过压吸收保护模组设置在柜体上部右侧，所述控制模组设置在三相六脉冲可控硅整流模组的下部；所述双系统切换模组设置在设置在柜体的后侧。该方案励磁绕组系统柜采用三相六脉冲拓扑原理，可以快速对交流测进线电压与变压器二次侧电压进行匹配，整体结构简单，各组件模块化设计，更加快捷的实现安装维护；实现单/双套三相六脉冲可控硅整流励磁绕组系统功能；实现不同励磁绕组系统切换。

Description

一种励磁绕组系统柜

技术领域

本实用新型涉及一种变频器，具体涉及一种励磁绕组系统柜，属于励磁绕组系统结构部件技术领域。

背景技术

励磁装置系统作为三相同步电动机的重要组成部分，对于同步电动机的安全、高效运行起着重要的作用，因此励磁装置系统对于同步电动机的使用必须提供安全、连续及稳定运行条件，能够快速便捷的进行生产、维护。现有技术201721911300.0虽然可以有效提高系统运行可靠性，但是整个系统的空间利用较差，占据较大的使用空间；并且散热性能较差影响晶闸管的使用寿命。针对上述技术问题，本领域的技术人员一直尝试新的方案，但是上述问题一直没有得到妥善解决。

发明内容

本发明正是针对现有技术中存在的技术问题，提供一种励磁绕组系统柜，该技术方案采用各组件模块化设计，结构设计巧妙紧凑、简单，散热效果好，不仅快捷的实现安装维护，而且延长了晶闸管的使用寿命。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：一种种励磁绕组系统柜，包括可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组及柜体，所述可控硅整流模组安装在柜体上部左或中侧，所述过压吸收保护模组安装在柜体上部右侧，所述控制模组安装在可控硅整流模组的下部，所述双系统切换模组安装在柜体的后侧，所述可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组通过连接机构安装在柜体的相应位置。

优选的是，所述可控硅整流模组为三相六脉冲可控硅整流模组。

优选的是，所述三相六脉冲可控硅整流模组包括水冷散热器、单元外壳、可控硅、阻容吸收、脉冲功放板，所述可控硅、阻容吸收、脉冲功放板通过连接机构安装在水冷散热器一侧。

优选的是，所述水冷散热器采用双面安装方式，每侧安装一套完整的三相六脉冲可控硅整流模组。

优选的是，所述可控硅为三支双管可控硅，分别安装在三块铜排上。

优选的是，所述阻容吸收包含六个吸收电容、六个吸收电阻，两两串并联分布在每支可控硅连接的铜排上。

优选的是，所述吸收电容为新型薄膜电容，通过连接机构安装在可控硅连接的铜排上，吸收电阻通过螺栓安装在与水冷散热器对应流道散热处。

优选的是，还包括温度监控PT，所述温度监控PT通过连接机构安装在水冷散热器上下居中靠进进出口侧位置。

优选的是，所述过压吸收保护模组由压敏电阻、快速熔断器以及整流桥组成，所述压敏电阻、快速熔断器以及整流桥通过连接机构安装在三相六脉冲可控硅整流模组后面的交流进线侧。

优选的是，所述控制模组由脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组成，所述脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组装在一个安装板上，形成一个控制模组。

优选的是，所述双系统切换模组由多路切换刀闸组成，通过切换刀闸可以快速实现不同励磁绕组系统切换。

相对于现有技术，本实用新型具有如下优点，

1）采用水冷散热器方式，极大提高系统散热性能；

2）励磁绕组系统通过可控硅整流模组不同组装方式实现单/双套三相六脉冲可控硅整流励磁绕组系统功能，有效的提高空间利用；

3）优化阻容吸收方案，提高阻容吸收效果，有效提高系统可靠性；

4）优化过压吸收保护模组、控制模组，进一步保证系统稳定性，提高系统可靠性；

5）该技术方案结构简单，具有低成本高可靠性的优点；各组件模块化设计，能够更加快捷的实现快速安装维护。

附图说明

图1为本实用新型的励磁绕组系统结构示意图。

图2为本实用新型的三相六脉冲可控硅整流模组结构示意图。

图中：1、可控硅整流模组，2、过压吸收保护模组，3、控制模组，4、双系统切换模组，5、柜体，101、水冷散热器，102、单元外壳，103、可控硅，104、阻容吸收，105、脉冲功放板、106、温度监控PT。

具体实施方式：

为了能够更清楚地理解本发明内容，下面结合附图及具体实施方式对本发明进行详细描述。

实施例1：参见图1，一种励磁绕组系统柜，包括可控硅整流模组1、过压吸收保护模组2、控制模组3、双系统切换模组4以及柜体5，所述可控硅整流模组1通过滑轨、螺栓设置安装在柜体5上部左/中侧；所述过压吸收保护模组2为可控硅整流模组1内部晶闸管提供过压吸收、保护功能，通过螺栓设置安装在柜体上部右侧；所述控制模组3提供控制、传输、触发功能，通过螺栓设置安装在可控硅整流模组的下部；所述双系统切换模组4由多路切换刀闸组成，通过螺栓设置安装在控制模组后侧。所述可控硅整流模组1、过压吸收保护模组2、控制模组3、双系统切换模组4设计成相应的模组，通过螺栓、导轨等连接方式固定安装在柜体5相应位置。

实施例2：参见图1、2，作为本实用新型的一种改进，所述三相六脉冲可控硅整流模组包括水冷散热器101、单元外壳102、可控硅103、阻容吸收104、脉冲功放板105，所述双管可控硅103、阻容吸收104、脉冲功放板105通过螺栓安装在水冷散热器101一侧，通过铜排方式完成功能连接。

水冷散热器101设计双面安装方式，每侧可以通过螺栓安装一套三相六脉冲可控硅整流模组，根据需求实现单/双套三相六脉冲可控硅整流励磁绕组功能。

单元外壳102，整体设计合理运用绝缘板材和金属板材相配合的方式，即安全实现模组单元的组装、强度，又保证了整体绝缘防护，实现方式简单，又能极大减少整体成本；

可控硅103为三支双管可控硅。阻容吸收104包含六个吸收电容、六个吸收电阻，两两串并联分布在每支可控硅连接的铜排上，根据实际工况通过改变串并联连接方式，实现参数调节。吸收电容选取新型薄膜电容，直接近距离通过电缆、螺栓、铜排等安装在可控硅连接的铜排上。吸收电阻直接设计通过螺栓安装在水冷散热器对应流道散热。提高阻容吸收效果，有效提高系统可靠性。

三支双管可控硅103、阻容吸收104、脉冲功放板105通过螺栓安装在水冷散热器101一侧，通过铜排等方式完成功能连接，实现单套三相六脉冲可控硅整流励磁绕组功能，双系统需求时双侧安装可实现双励磁绕组功能；

脉冲功放板105为三块，用来分别触发控制对应的双管可控硅103。

三相六脉冲可控硅整流模组还包括温度监控PT106，在水冷散热器101上设置一个温度检测PT106，选取螺栓式，直接固定在水冷散热器101上下居中靠进进出口侧位置，提供散热器温度信号；

所述可控硅103、阻容吸收104通过连接铜排相互完成连接，整体与水冷散热器101、单元外壳102设计成一个可控硅整流装配模组1，通过滑轨、螺栓设置安装在柜体5上部左/中侧。

实施例3：参见图1，作为本实用新型的一种改进，所述过压吸收保护模组2由压敏电阻、快速熔断器以及整流桥组成，通过电缆、螺栓连接在三相六脉冲可控硅整流模组后面的系统交流进线侧，实现稳定可靠的过压吸收保护功能，更加有效快速吸收系统交流的尖峰电压，降低di/dt，保护可控硅。

实施例4：参见图1，作为本实用新型的一种改进，所述控制模组3由脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组成，所述脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组装在一个安装板上，形成一个控制模组。所述控制模组通过脉冲分配板、继电器等电气元件控制、传输，通过光纤传输、接受信号到全数字调节系统柜，通过温度监控仪接收散热器温度检测温度，电压互感器检测系统电压，从而控制、触发可控硅整流模组系统组件，进一步保证系统稳定性，提高系统可靠性。

实施例5：参见图1，作为本实用新型的一种改进，所述双系统切换模组4由多路切换刀闸组成，通过切换刀闸可以快速实现不同励磁绕组系统切换。

由上所述可见，三相六脉冲可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组、等模组，通过螺栓、导轨等连接方式固定安装在柜体相应位置，组装成完整的励磁绕组系统；通过可控硅整流模组不同组装方式实现单、双励磁绕组系统功能；每个脉冲功放板分别触发控制对应可控硅功能动作；通过可控硅整流模组内置温度监控PT，配合温度监控仪实现系统温度检测，优化阻容吸收、过压吸收保护、控制等模组进一步保证系统可靠性；通过切换刀闸可以快速实现不同励磁绕组系统切换；各组件模块化设计，能够更加快捷的实现快速安装维护；对于同步电动机的使用提供安全、连续及稳定运行条件，可以独立运行、稳定可靠、功能完整实现对同步机电动机转子侧励磁电流的调节功能。

本实用新型还可以将实施例2、3、4、5所述技术特征中的至少一个与实施例1组合形成新的实施方式。

需要说明的是上述实施例仅仅是本实用新型的较佳实施例，并没有用来限定本实用新型的保护范围，在上述技术方案的基础上做出的等同替换或者替代均属于本实用新型保护范围。

Claims (10)

1.一种励磁绕组系统柜，其特征在于，包括可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组及柜体，所述可控硅整流模组安装在柜体上部左或中侧，所述过压吸收保护模组安装在柜体上部右侧，所述控制模组安装在可控硅整流模组的下部，所述双系统切换模组安装在柜体的后侧，所述可控硅整流模组、过压吸收保护模组、控制模组、双系统切换模组通过连接机构安装在柜体的相应位置。

2.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述可控硅整流模组为三相六脉冲可控硅整流模组。

3.根据权利要求2所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述三相六脉冲可控硅整流模组包括水冷散热器、单元外壳、可控硅、阻容吸收、脉冲功放板，所述可控硅、阻容吸收、脉冲功放板通过连接机构安装在水冷散热器一侧。

4.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述水冷散热器采用双面安装方式，每侧安装一套完整的三相六脉冲可控硅整流模组。

5.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述可控硅为三支双管可控硅，分别安装在三块铜排上。

6.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述阻容吸收包含六个吸收电容、六个吸收电阻，两两串并联分布在每支可控硅连接的铜排上。

7.根据权利要求6所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述吸收电容为新型薄膜电容，通过连接机构安装在可控硅连接的铜排上，吸收电阻通过螺栓安装在与水冷散热器对应流道散热处。

8.根据权利要求3所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，还包括温度监控PT，所述温度监控PT106通过连接机构安装在水冷散热器上下居中靠进进出口侧位置。

9.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述过压吸收保护模组(2)由压敏电阻、快速熔断器以及整流桥组成，所述压敏电阻、快速熔断器以及整流桥通过连接机构安装在三相六脉冲可控硅整流模组后面的交流进线侧。

10.根据权利要求1所述的励磁绕组系统柜，其特征在于，所述控制模组由脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组成，所述脉冲分配板、继电器、开关电源、绝缘监视仪、温度监控仪、电压互感器组装在一个安装板上，形成一个控制模组。