CN209148978U - 全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器 - Google Patents
全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器 Download PDFInfo
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Abstract
本专利公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器,包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上;本专利通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高),通过引入几何相位,调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度,从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上,实现对涡旋光束的聚焦,在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理,在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。本专利大大提升了涡旋光产生器件的效率,降低器件的尺寸,提高了器件的可集成性。
Description
技术领域
本专利涉及光束整形及空间光场调控技术,具体指一种全电介质材料的高效率高数值孔径的多通道聚焦涡旋光束产生器及其制备方法。
背景技术
随着现代通信技术的发展,信息容量的爆发式增长对信道传输容量提出了更高的要求。涡旋光束因其独特的物理性质在提高信道传输容量方面存在着令人看好的应用前景,因此在过去的几年中基于涡旋光束轨道角动量的研究无论是在光子学或者射频通信领域都备受关注。
角动量是电磁波的一种内禀的物理属性,由自旋角动量(SAM)和轨道角动量(OAM)组成。圆偏振光束携带有自旋角动量很早就被理论与实验所证实。 1992年艾伦等发现可用一个方位相位项exp(ilθ)描述由带有的轨道角动量的光子组成的光束,其中l可以取任意整数。轨道角动量来源于相位波前的螺旋性质,螺旋型的相位分布意味着光的线动量有一个方位分量。从此之后,涡旋光束的研究成为了一个热点。与自旋角动量相比,轨道角动量对数据传输更有用。其中l是OAM的模数,也称为拓扑电荷数,可以是任意大的整数,θ为波面上坐标的方位角(θ=atan(x/y))。因此在涡旋光束的相位波前中心存在相位奇点,导致涡旋光束在与传播轴垂直的方向具有甜甜圈式的密度轮廓分布。与电磁波的偏振状态只提供有限的通道相比,OAM可以有无限多的彼此正交的本征态(也称为OAM模),从而可以提供更多的信道来增加通信传输容量。
传统的产生涡旋光束的方法有螺旋相位片﹑柱透镜﹑空间光调制器﹑叉形全息光栅等。然而由于这些传统的器件尺寸很大,光路系统复杂,因此很难被集成到光子集成电路中去,大大阻碍了涡旋光束在光子集成电路中的应用。因此,寻找一种易集成的﹑简单快捷的﹑能量分辨率高的涡旋光束产生器件已迫在眉睫。
目前,由周期或非周期亚波长厚度纳米柱阵列组成的二维超构材料(即二维超表面)由于其在对光束的偏振态﹑振幅﹑波前相位灵活有效的调控能力以及现代纳米加工的技术的巨大突破而备受关注。人们已经基于二维超表面调控光束波前的技术制备出了集中涡旋光束产生器件,器件具有10%~45%的产生效率。另外,基于金属纳米孔天线阵列对光束的振幅和相位同时调控,从而达到抑制高次衍射阶,提高涡旋光束的能量分辨率,减小噪声的目的,制备出了多路涡旋光束产生器件,然而由于金属的欧姆损耗及反射辐射损耗比较高,导致涡旋产生器的效率很低(约15%)。因此,基于全电介质材料的极低损耗特性,并将透镜的聚焦功能和涡旋相位片的功能集成到一块器件上,实现对涡旋光束的聚焦,不仅可以得到较高的涡旋光束产生效率,而且极大提高了焦平面上涡旋光束的能量分辨率,几乎没有高阶衍射的噪声干扰。
发明内容
本专利主要针对传统涡旋光产生器件的体积大﹑光路系统复杂﹑难于集成到光子电路中的不足,提出了一种基于全电介质材料的多路聚焦涡旋光束产生器及制备方法。
本专利所公开的一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器结构,包括衬底2、介质纳米柱阵列1。在所述的衬底2上按照从下向上的顺序依次生长介质纳米柱阵列2。
所述衬底2的材料为二氧化硅、氮化硅、宝石片、锗或氟化镁。所述介质纳米柱阵列1的材料是二氧化钛、硅、锗、氮化镓或硫化锌。通过选择合适的介质纳米柱周期,纳米柱尺寸。在保证较高的透过率以及偏振转化效率的前提下。调整纳米柱的旋转角度实现对透射光束波前的全相位调控。纳米柱高度范围为500nm~2000nm,周期范围为300nm~1800nm,纳米柱的长和宽的范围均为70nm~1500nm。为了达到对涡旋光束的聚焦以及实现多通道复用功能,依据全息原理和等光程原理,该介质纳米柱阵列必须补偿的相位差Φm(x,y,0)满足:
其中(x,y)是衬底上介质纳米柱的中心坐标,θ是其对应的方位角。j为虚数单位,i代表第i个通道,n代表通道的数目,li代表第i个通道的涡旋光束的拓扑电荷数。(xi,yi,fi)代表第i个通道的波束被聚焦的焦点位置,f为焦距。
纳米柱的旋转角度依据几何相位理论,满足下式:
本专利提供一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器的制备方法,包括以下步骤:
1)在衬底2上,利用等离子体增强化学气相沉积法、电子束蒸发或磁控溅射方法生长出介质薄膜,形成500nm~2000nm厚度的介质层1;
2)通过电子束光刻、纳米压印或紫外光刻等图形发生的方法在介质薄膜上形成按照上述方程排布的介质纳米柱阵列图案;
3)通过干法刻蚀或湿法刻蚀方法对暴露出来的介质层进行刻蚀,形成介质纳米柱阵列即多通道聚焦涡旋光束产生器;
采用了上述技术方案后,本专利具有以下的有益效果:
可将入射的圆偏振光束转化成多通道聚焦涡旋光束,每个通道的涡旋光束携带任意设定的拓扑电荷数,每路涡旋光束被聚焦到设定的焦平面上,透射率达到80%以上。
附图说明
为了使本专利的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施案例并结合附图,对本专利作进一步详细的说明,其中
图1为本专利一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器的结构示意图;
图2为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后的透射谱、反射谱、吸收谱;
图3为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后的偏振转化效率﹑透过率;
图4为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后,透射光束的相位改变及透过率与介质纳米柱旋转角度的关系;
附图中标号为:
1为衬底;
2为介质纳米柱阵列。
具体实施方式
见图1为本专利的结构示意图,如图2-4所示,在保证单元器件具有较高的透过率和偏振转换效率的前提下,通过引入几何相位,渐变地调节介质纳米柱绕其中心轴的旋转角度,从而实现对透过光束的波前相位进行0~2π的全相位操控。通过将透镜和一般涡旋相位板的功能集成到一块超表面器件上,实现对涡旋光束的聚焦,在设定的焦平面上产生甜甜圈式的能量密度分布。介质纳米柱阵列1生长在介质衬底2上。如图2为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后的透射谱、反射谱、吸收谱;图3为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后的偏振转化效率﹑透过率;图4为本专利中入射光通过介质纳米柱阵列后,透射光束的相位以及透过率与介质纳米柱旋转角度的关系;
实施例1
见图1,一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束的产生器,包括衬底2、介质纳米柱阵列1。
ZnS纳米柱阵列生长在SiO2衬底上;纳米柱高度为550nm,长度为290nm,宽度70nm,纳米柱周期为320nm;为了达到对涡旋光束的聚焦以及实现多路复用功能,依据全息原理和等光程原理,该介质纳米柱阵列必须补偿的相位差Φm(x,y,0)满足:
其中(x,y)是衬底上介质纳米柱的中心坐标,θ是其对应的方位角,j为虚数单位,i代表第i个通道,n代表通道的数目,li代表第i个通道的涡旋光束的拓扑电荷数。(xi,yi,fi)代表第i个通道的波束被聚焦的焦点位置,f为焦距。作为展示取l1=-1,l2=-2,l3=1,l4=2,l5=0五路涡旋光束,分别对应焦点坐 (0,-30*tan15°,30),(0,30*tan15°,30),(30*tan15°,0,30),(-30*tan15°,0,30),(0,0,0),其中长度单位为微米。
纳米柱的旋转角度依据几何相位理论,满足下式:
本专利提供一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器的制备方法,包括以下步骤:
1)在SiO2衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法、电子束蒸发或磁控溅射方法生长出介质薄膜,形成550nm厚的ZnS介质层;
2)通过电子束光刻、纳米压印或紫外光刻等图形发生的方法在介质薄膜上形成按照上述方程排布的介质纳米柱阵列图案;
3)通过干法刻蚀或湿法刻蚀方法对暴露出来的介质层进行刻蚀,形成介质纳米柱阵列即多路聚焦涡旋光束产生器。
实施例2
见图1,一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束的产生器,包括衬底2、介质纳米柱阵列1。
Si纳米柱阵列生长在SiO2衬底上;Si纳米柱高度为800nm,长度为400nm,宽度120nm,纳米柱周期为500nm;为了达到对涡旋光束的聚焦以及实现多路复用功能,依据全息原理和等光程原理,该介质纳米柱阵列必须补偿的相位差Φm(x,y,0)满足:
其中(x,y)是衬底上介质纳米柱的中心坐标,θ是其对应的方位角。j为虚数单位,i代表第i个通道,n代表通道的数目,li代表第i个通道的涡旋光束的拓扑电荷数。(xi,yi,fi)代表第i个通道的波束被聚焦的焦点位置,f为焦距。作为展示取l1=-1,l2=-2,l3=1,l4=2四路涡旋光束,分别对应焦点坐(0,-30*tan15°,30), (0,30*tan15°,30),(30*tan15°,0,30),(-30*tan15°,0,30),其中长度单位为微米。
纳米柱的旋转角度依据几何相位理论,满足下式:
本专利提供一种基于全电介质材料的多路聚焦涡旋光束产生器的制备方法,包括以下步骤:
1)在SiO2衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法、电子束蒸发或磁控溅射方法生长出介质薄膜,形成800nm厚的Si介质层;
2)通过电子束光刻、纳米压印或紫外光刻等图形发生的方法在介质薄膜上形成按照上述方程排布的介质纳米柱阵列图案;
3)通过干法刻蚀或湿法刻蚀方法对暴露出来的介质层进行刻蚀,形成介质纳米柱阵列即多通道聚焦涡旋光束产生器。
实施例3
见图1,一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束的产生器,包括衬底2、介质纳米柱阵列1。
Si纳米柱阵列生长在MgF2衬底上;Si纳米柱高度为1500nm,长度为400nm,宽度100nm,纳米柱周期为800nm;为了达到对涡旋光束的聚焦以及实现多路复用功能,依据全息原理和等光程原理,该介质纳米柱阵列必须补偿的相位差Φm(x,y,0)满足:
其中(x,y)是衬底上介质纳米柱的中心坐标,θ是其对应的方位角。j为虚数单位,i代表第i个通道,n代表通道的数目,li代表第i个通道的涡旋光束的拓扑电荷数。(xi,yi,fi)代表第i个通道的波束被聚焦的焦点位置,f为焦距。作为展示取l1=-1,l2=-2,l3=1,l4=2四路涡旋光束,分别对应焦点坐(0,-30*tan15°,30), (0,30*tan15°,30),(30*tan15°,0,30),(-30*tan15°,0,30),其中长度单位为微米。
纳米柱的旋转角度依据几何相位理论,满足下式:
本专利提供一种基于全电介质材料的多路聚焦涡旋光束产生器的制备方法,包括以下步骤:
1)在SiO2衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法、电子束蒸发或磁控溅射方法生长出介质薄膜,形成1500nm厚的Si介质层;
2)通过电子束光刻、纳米压印或紫外光刻等图形发生的方法在介质薄膜上形成按照上述方程排布的介质纳米柱阵列图案;
3)通过干法刻蚀或湿法刻蚀方法对暴露出来的介质层进行刻蚀,形成介质纳米柱阵列即多通道聚焦涡旋光束产生器。
实施例4
见图1,一种基于全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束的产生器,包括衬底2、介质纳米柱阵列1。
Si纳米柱阵列生长在MgF2衬底上;Si纳米柱高度为2000nm,长度为 1500nm,宽度350nm,纳米柱周期为1800nm;为了达到对涡旋光束的聚焦以及实现多路复用功能,依据全息原理和等光程原理,该介质纳米柱阵列必须补偿的相位差Φm(x,y,0)满足:
其中(x,y)是衬底上介质纳米柱的中心坐标,θ是其对应的方位角。j为虚数单位,i代表第i个通道,n代表通道的数目,li代表第i个通道的涡旋光束的拓扑电荷数。(xi,yi,fi)代表第i个通道的波束被聚焦的焦点位置,f为焦距。作为展示取l1=-1,l2=-2,l3=1,l4=2四路涡旋光束,分别对应焦点坐(0,-30*tan15°,30), (0,30*tan15°,30),(30*tan15°,0,30),(-30*tan15°,0,30),其中长度单位为微米。
纳米柱的旋转角度依据几何相位理论,满足下式:
本专利提供一种基于全电介质材料的多路聚焦涡旋光束产生器的制备方法,包括以下步骤:
1)在MgF2衬底上,利用等离子体增强化学气相沉积法、电子束蒸发或磁控溅射方法生长出介质薄膜,形成2000nm厚的Si介质层;
2)通过电子束光刻、纳米压印或紫外光刻等图形发生的方法在介质薄膜上形成按照上述方程排布的介质纳米柱阵列图案;
3)通过干法刻蚀或湿法刻蚀方法对暴露出来的介质层进行刻蚀,形成介质纳米柱阵列即多通道聚焦涡旋光束产生器。
Claims (1)
1.一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器,包括衬底(2)、电介质纳米柱阵列(1),其特征在于:
所述的多通道聚焦涡旋光束产生器的结构为:在所述的衬底(2)上生长电介质纳米柱阵列(1);
所述衬底(2)的材料是二氧化硅、氮化硅、宝石片、锗或氟化镁;
所述电介质纳米柱阵列(1)的材料是二氧化钛、硅、锗、氮化镓或硫化锌,纳米柱高度为500nm~2000nm,纳米柱的周期,即相邻纳米柱的间距,为300nm~1800nm,纳米柱的长和宽的为70nm~1500nm,纳米柱的旋转为0~π弧度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201821638646.2U CN209148978U (zh) | 2018-10-10 | 2018-10-10 | 全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器 |
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CN201821638646.2U CN209148978U (zh) | 2018-10-10 | 2018-10-10 | 全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器 |
Publications (1)
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Cited By (4)
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CN109100870A (zh) * | 2018-10-10 | 2018-12-28 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法 |
CN111293421A (zh) * | 2020-02-14 | 2020-06-16 | 电子科技大学 | 一种具有汇聚功能的偏馈式涡旋波发生器 |
CN111338090A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-06-26 | 浙江科技学院 | 基于全介质超表面材料的艾里光束产生器 |
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2018
- 2018-10-10 CN CN201821638646.2U patent/CN209148978U/zh active Active
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