CN209105432U - 一种交叉复合膜换能器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种交叉复合膜换能器，包括低频单元和设置于低频单元内的高频单元，所述低频单元包括复合低频振膜和结合于复低频振膜下部的线圈框体一，所述线圈框体一为中空结构，所述线圈框体一外套接有音圈一，所述高频单元包括高频振膜和结合于高频振膜下部线圈框体二，所述线圈框体二为中空结构，所述线圈框体二外套接有音圈二，本实用新型新型中通过复合低频振膜的设置，其中中面积振膜可以加固低频振膜降低音盆振裂现象，并能优化中频段丰满度，小面积振膜能进一步加固低频振膜，并且能使音圈一震动时不产生变形，始终保持低失真功效，以低频振膜为主体集复合低频振膜与高频单元于一体，能有效消除交叉失真及相位失真。
Description
技术领域
本发明涉及换能器技术领域，具体是指一种交叉复合膜换能器。
背景技术
换能器，是指电能和声能相互转换的器件，现有技术中电声换能器包括振动系统，磁路系统，收容固定所述振动系统与所述磁路系统的壳体，但是，现有的换能器容易产生音盆振裂现象及音频漂移现象，出现交叉失真及相位失真现象，影响换能器的使用，因此，设计一种能解决音盆振裂及失真现象的换能器是相关领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种交叉复合膜换能器，包括低频单元和设置于低频单元内的高频单元，所述低频单元包括复合膜和结合于复合膜下部的线圈框体一，所述线圈框体一为中空结构，所述线圈框体一外套接有音圈一，所述线圈框体一内侧设有永磁框体，所述高频单元包括高频振膜和结合于高频振膜下部线圈框体二，所述线圈框体二为中空结构，所述线圈框体二外套接有音圈二。
作为改进，所述高频振膜和结合于高频振膜下部线圈框体二设置于永磁框体内部，所述高频振膜外沿与永磁框体内壁相接。
作为改进，所述复合膜包括与线圈框体一顶部结合的低频振膜、设置于低频振膜外侧的中面积振膜和设置于中面积振膜外的小面积振膜，所述中面积振膜、小面积振膜均与线圈框体一上部连接。
作为改进，所述低频振膜、高频振膜结构相同，所述低频振膜包括中心的球顶部和设于球顶部外侧的折环部，所述线圈框体一结合于球顶部与折环部的连接处。
作为改进，所述低频振膜、中面积振膜、小面积振膜的面积依次减小，所述中面积振膜的面积为低频振膜的1/2。
作为改进，所述音圈一、音圈二为扁形结构，所述音圈一、音圈二由纯铜线制成。
采用以上结构后，本发明具有如下优点：信号输入音圈，产生磁场，磁场互感带动线圈框体，推动振膜震动，产生声波；
一方面，本发明中通过复合膜的设置，其中中面积振膜可以加固低频振膜降低音盆振裂现象，并能优化中频段丰满度，小面积振膜能进一步加固低频振膜，并且能使音圈一震动时不产生变形，始终保持低失真功效度。
另一方面，本发明以复合膜为主体，复合膜发生音盆能有效解决盆裂效应导致的目标失真，且集复合膜与高频单元于一体，能有效消除交叉失真及相位失真。
附图说明
图1是本发明一种交叉复合膜换能器的拆分结构示意图。
图2是本发明一种交叉复合膜换能器的组合结构示意图。
如图所示：1、低频单元，1.1、复合膜，1.1a、低频振膜，1.1a1、球顶部，1.1a2、折环部，1.1b、中面积振膜，1.1c、小面积振膜，1.2、线圈框体一，1.3、音圈一，1.4、永磁框体，2、高频单元，2.1、高频振膜，2.2、线圈框体二，2.3、音圈二。
具体实施方式
结合附图1～2，一种交叉复合膜换能器，包括低频单元1和设置于低频单元1内的高频单元2，所述低频单元1包括复合膜1.1和结合于复合膜1.1下部的线圈框体一1.2，所述线圈框体一1.2为中空结构，所述线圈框体一1.2外套接有音圈一1.3，所述线圈框体一1.2内侧设有永磁框体1.4，所述高频单元2包括高频振膜2.1和结合于高频振膜2.1下部线圈框体二2.2，所述线圈框体二2.2为中空结构，所述线圈框体二2.2外套接有音圈二2.3。所述低频单元1、高频单元2的中线位于同一条直线上。
作为本实施例较佳实施方案的是，所述高频振膜2.1和结合于高频振膜2.1下部线圈框体二2.2设置于永磁框体1.4内部，所述高频振膜2.1外沿与永磁框体1.4内壁相接。
作为本实施例较佳实施方案的是，所述复合膜1.1包括与线圈框体一1.2顶部结合的低频振膜1.1a、设置于低频振膜1.1a外侧的中面积振膜1.1b和设置于中面积振膜1.1b外的小面积振膜1.1c，所述中面积振膜1.1a、小面积振膜1.1b均与线圈框体一1.2上部连接。
作为本实施例较佳实施方案的是，所述低频振膜1.1a、高频振膜2.1结构相同，所述低频振膜1.1a包括中心的球顶部1.1a1和设于球顶部1.1a1外侧的折环部1.1a2，所述线圈框体一1.2结合于球顶部1.1a1 与折环部1.1a2的连接处。
作为本实施例较佳实施方案的是，所述低频振膜1.1a、中面积振膜1.1b、小面积振膜1.1c的面积依次减小，所述中面积振膜1.1b的面积为低频振膜1.1a的1/2。
作为本实施例较佳实施方案的是，所述音圈一1.3、音圈二2.3为扁形结构，所述音圈一1.3、音圈二 2.3由纯铜线制成。
本发明在具体实施时，信号输入音圈一1.3、音圈二2.3，产生磁场，磁场互感分别带动线圈框体以1.2、线圈框体二2.2，推动振膜震动，产生声波；
一方面，本发明中通过复合膜1.1的设置，其中中面积振膜1.1b可以加固低频振膜1.1a降低音盆振裂现象，并能优化中频段丰满度，小面积振膜1.1c能进一步加固低频振膜1.1a，并且能使音圈一1.3震动时不产生变形，始终保持低失真功效。
另一方面，本发明以复合膜1.1为主体，复合膜1.1发生音盆能有效解决盆裂效应导致的目标失真，且集复合膜1.1与高频单元2于一体，能有效消除交叉失真及相位失真。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种交叉复合膜换能器，其特征在于：包括低频单元和设置于低频单元内的高频单元，所述低频单元包括复合膜和结合于复合膜下部的线圈框体一，所述线圈框体一为中空结构，所述线圈框体一外套接有音圈一，所述线圈框体一内侧设有永磁框体，所述高频单元包括高频振膜和结合于高频振膜下部线圈框体二，所述线圈框体二为中空结构，所述线圈框体二外套接有音圈二。
2.根据权利要求1所述的一种交叉复合膜换能器，其特征在于：所述高频振膜和结合于高频振膜下部线圈框体二设置于永磁框体内部，所述高频振膜外沿与永磁框体内壁相接。
3.根据权利要求1所述的一种交叉复合膜换能器，其特征在于：所述复合膜包括与线圈框体一顶部结合的低频振膜、设置于低频振膜下部侧的中面积振膜和设置于中面积振膜下部的小面积振膜，所述中面积振膜、小面积振膜均与线圈框体一上部连接。
4.根据权利要求3所述的一种交叉复合膜换能器，其特征在于：所述低频振膜、高频振膜结构相同，所述低频振膜包括中心的球顶部和设于球顶部外侧的折环部，所述线圈框体一结合于球顶部与折环部的连接处。
5.根据权利要求3所述的一种交叉复合膜换能器，其特征在于：所述低频振膜、中面积振膜、小面积振膜的面积依次减小，所述中面积振膜的面积为低频振膜的1/2。
6.根据权利要求1所述的一种交叉复合膜换能器，其特征在于：所述音圈一、音圈二为扁形结构，所述音圈一、音圈二由纯铜线制成。
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| CN201821005622.3U CN209105432U (zh) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | 一种交叉复合膜换能器 |
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| CN (1) | CN209105432U (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108513239A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-09-07 | 陈经纶 | 一种交叉复合膜换能器 |
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2018
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