CN208888495U

CN208888495U - 一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构

Info

Publication number: CN208888495U
Application number: CN201820970983.5U
Authority: CN
Inventors: 张亮
Original assignee: Xian Cresun Innovation Technology Co Ltd
Current assignee: Xian Cresun Innovation Technology Co Ltd
Priority date: 2018-06-22
Filing date: 2018-06-22
Publication date: 2019-05-21
Anticipated expiration: 2028-06-22

Abstract

本实用新型涉及一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，包括：金属膜、位于所述金属膜上的基础U型缝、位于所述金属膜上且与所述基础U型缝并列的增强C型缝，且设置在所述基础U型缝一侧。本实用新型实施例通过在包含基础U型缝的金属膜上添加一个增强C型缝，改变了原来U型金属薄膜上的电流流向，在存在电偶极子的基础上，横缝处出现了磁偶极子，由于电偶极子和磁偶极子共同作用，圆二色性得到了显著增强。

Description

一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构

技术领域

本实用新型属于光学器件领域，具体涉及一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构。

背景技术

手性是指结构与其镜像不能重合的性质，手性结构普遍存在于大自然中，例如蛋白质、糖类化及DNA等生物大分子，手性在生物化学和生命进化中起着关键的作用。手性根据其结构特点可以分为：内在手性和外在手性。内在手性即结构本身具有的手性，外在手性指结构与入射光一起构成的手性。

圆二色性(Circular Dichroism，CD)是研究手性化合物一个十分重要的手段。在手性分子非对称性的研究中，当左旋圆偏振光和右旋圆偏振光入射时，手性材料会呈现出不同的有效折射率且传播速度也不同。当超材料有极强的手性时，甚至会呈现出负折射率，负折射率材料也被称为手性超材料。利用负折射率材料可以对物体进行隐身，实现突破衍射极限的亚波长分辨率成像等等。这对于物理学、工程学、光学和材料学等领域的研究有可能产生重大的影响。因此对于手性结构的研究成为了电磁学和光学领域最前沿的研究课题。

现有技术对手性结构研究中，通过设计二维的金属薄膜手性结构已经可以实现对光束偏振特性的调制或者用来检测手性物质的圆二色谱，但是当被检测信号本身比较微弱时，得到的圆二色谱信号不明显，即检测效果较差。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本实用新型实施例提供了一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，包括：金属膜、位于所述金属膜上的基础U型缝、位于所述金属膜上的增强C型缝，且设置在所述基础U型缝一侧。

在本实用新型的一个实施例中，所述金属膜形状为矩形。

在本实用新型的一个实施例中，所述金属膜第一边长和第二边长的范围均为400nm～1000nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述金属膜的厚度范围为20nm～100nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述基础U型缝的第一左臂、右臂、第一下臂的长度范围均为100nm～300nm，宽度范围均为30nm～50nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述基础U型缝的厚度范围为 20nm～100nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述增强C型缝的上臂、第二下臂、第二左臂的长度范围均为100nm～300nm，宽度范围均为30nm～50nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述增强C型缝的厚度范围为 20nm～100nm。

在本实用新型的一个实施例中，所述基础U型缝与所述增强C型缝的间距范围为30nm～50nm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

本实用新型通过在包含基础U型缝的金属膜上添加一个增强C型缝，改变了原来U型金属薄膜上的电流流向，在存在电偶极子的基础上，横缝处出现了磁偶极子，由于电偶极子和磁偶极子共同作用，圆二色性得到了显著增强。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构示意图。

图2为本实用新型实施例提供的手性光学结构产生圆二色性的原理图。

图3为本实用新型实施例提供的手性光学结构对比图。

图4为本实用新型实施例提供的左旋偏振光和右旋偏振光的投射光谱图。

图5为本实用新型实施例提供的未添加增强C型缝的手性光学结构和添加增强C型缝的手性光学结构产生的圆二色谱对比图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例一

请参见图1，图1为本实用新型实施例提供的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构示意图。该手性光学结构包括金属膜21、位于金属膜21上的基础U型缝22、位于金属膜21上的增强C型缝23，且设置在所述基础 U型缝一侧。

金属膜21的形状为矩形，具有第一边长和第二边长，第一边长的长度为Px，长度范围为400～1000nm；第二边长的长度为Py，长度范围为 400～1000nm；Px与Py可以相等，也可以不等。金属膜21的厚度范围为 20nm～100nm，金属膜21的材料采用良导体，包括金、银、铜、铝等金属材料。

基础U型缝22包括三个臂，分别为第一左臂、右臂、第一下臂，其长度依次为l₁、l₂、l₃，三个臂的长度范围均为100nm～300nm，三个臂的长度可以相等，也可以不等；三个臂的宽度依次为w₁、w₂、w₃，宽度范围为 30nm～50nm，三个臂的宽度可以相等，也可以不等；基础U型缝22的厚度范围为20nm～100nm。

增强C形缝23包括三个臂，分别为上臂、第二下臂、第二左臂，其长度依次为l₄、l₅、l₆，三个臂的长度范围均为100nm～300nm，三个臂的长度可以相等，也可以不等；三个臂具有相同的宽度w₄、w₅、w₆，宽度范围为 30nm～50nm，w₄、w₅、w₆可以相同，也可以不同，w₄、w₅、w₆与w₁、w₂、 w₃可以相同，也可以不同；增强C型缝23的厚度范围为20nm～100nm。

增强C型缝23，且设置在所述基础U型缝22一侧，基础U型缝22与增强C型缝23之间的间隔为d，间隔d与宽度w₁、w₂、w₃、w₄、w₅、w₆的范围相近，为30nm～50nm，d可以与w₁、w₂、w₃、w₄、w₅、w₆相同，也可以不同。

优选的，本实用新型实施例设计的手性光学结构为：金属膜21采用金材料，金属膜21的第一边长Px与第二边长Py相等，长度均为500nm，金属膜21的厚度为30nm；基础U型缝的第一左臂、右臂、第一下臂的长度 l₁、l₂、l₃相等，即l₁＝l₂＝l₃＝200nm，宽度w₁＝w₂＝w₃＝40nm，厚度为30nm；增强C型缝的上臂、第二下臂的长度l₄、l₅相等，即l₄＝l₅＝180nm，第二左臂的长度l₆与基础U型缝的右臂长度l₂相等l₆＝l₂＝200nm，宽度 w₄＝w₅＝w₆＝w₁＝40nm，厚度为30nm；增强C型缝23设置在基础U型缝22 的右侧，在手性光学结构上横向并列，第一下臂与第二下臂位于同一水平线上，基础U型缝22与增强C型缝23之间的间隔为第一右臂与第二左臂之间的距离，间隔d为40nm。

本实用新型实施例通过在包含基础U型缝的金属膜上添加一个增强C 型缝，改变了原来U型金属薄膜上的电流流向，在电偶极子的基础上，横缝处出现了磁偶极子，由于电偶极子和磁偶极子共同作用，圆二色性得到了显著增强。

实施例二

请参见图2，图2为本实用新型实施例提供的手性光学结构产生圆二色性的原理图。当一束左旋偏振光(left circularly polarized，LCP)从该手性光学结构正面入射，经过该手性光学结构后，接收到的左旋偏振光的透射率为T--，当一束右旋偏振光(rightcircularly polarized，RCP)从该手性光学结构正面入射，经过该手性光学结构后，接收到的右旋偏振光的透射率为 T++，其中下标“--”表示为左旋偏振光，“++”表示为右旋偏振光，则该手性光学结构的圆二色性可以表示为：

CD＝T++-T--

左旋偏振光和右旋偏振光经过手性光学结构后的透射率是不相同的，即T++≠T--，因此，CD的大小代表了手性光学结构的圆二色性的强弱。

请参见图3，图3为本实用新型实施例提供的手性光学结构对比图，其中图3a为未添加增强C型缝的手性光学结构，其手性光学结构：金属膜21 采用金材料，金属膜21的第一边长Px与第二边长Py相等，长度均为500nm，金属膜21的厚度为30nm；基础U型缝的第一左臂、右臂、第一下臂的长度l₁、l₂、l₃相等，即l₁＝l₂＝l₃＝200nm，宽度w＝40nm，厚度为30nm。图3b 为添加增强C型缝的手性光学结构，其手性光学结构为本实用新型实施例一优选设计的手性光学结构。

请参见图4，图4为本实用新型实施例提供的左旋偏振光和右旋偏振光的投射光谱图，其中，“T--”表示为左旋偏振光，“T++”表示为右旋偏振光；圆偏振光在z-x平面内，让左、右旋光均沿着x和z负方向以45°角倾斜入射到添加增强C型缝的手性光学结构上，得到图4；由图4可见，左旋光和右旋光入射图3b的手性光学结构，其透射率不同，产生的光谱也不同，由右旋偏振光减去左旋偏振光得到手性光学结构的圆二色性。

请参见图5，图5为本实用新型实施例提供的未添加增强C型缝的手性光学结构和添加增强C型缝的手性光学结构产生的圆二色谱对比图，其中，圆偏振光在z-x平面内，让左、右旋光均沿着x和z负方向以45°角倾斜入射到未添加增强C型缝的手性光学结构(如图3a所示)和添加增强C型缝的手性光学结构(如图3b所示)上，得到图5。由图5可见，在未添加增强C型缝的手性光学结构的CD谱上，波长λ＝860nm处CD为7.4％，在添加增强C型缝的手性光学结构的CD谱上波长λ＝860nm处CD为16.5％。这是由于，在添加增强C型缝之前，手性光学结构只产生电偶极子，增强 C型缝的添加改变了原来基础U型缝手性光学结构上的电流流向，在增强 C型缝处出现了磁偶极子，由于电偶极子和磁偶极子的共同作用，CD信号得到了显著增强。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，其特征在于，包括：

金属膜，

位于所述金属膜上的基础U型缝，

位于所述金属膜上的增强C型缝，且设置在所述基础U型缝一侧。

2.如权利要求1所述的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，其特征在于，所述金属膜形状为矩形。

3.如权利要求2所述的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，其特征在于，所述金属膜第一边长和第二边长的范围均为400nm～1000nm。

4.如权利要求1所述的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，其特征在于，所述金属膜厚度范围为20nm～100nm。

5.如权利要求1所述的双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构，其特征在于，所述基础U型缝与所述增强C型缝的间距范围为30nm～50nm。