CN208724231U - 一种led线性去工频系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种LED线性去工频系统。系统包括：驱动单元，驱动单元一端耦接到电源，一端与一个或多个LED灯珠耦接；以及去工频单元，去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠耦接；其中去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部的金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端，从而抑制输出到一个或多个LED灯珠的电流的工频纹波。

Description

一种LED线性去工频系统

技术领域

本实用新型技术涉及一种LED线性去工频系统，能够满足输出电流低工频纹波要求，并具有小体积和低成本的优点。

背景技术

高PF的LED驱动器，其输出功率随输入工频电压变化，导致其输出滤波电容上会存在工频的电压波动，由于LED的特性，较小的电压波动会导致电流上存在一个较大的电流波动，即LED的频闪(flicker)。这种频闪并不会被肉眼所看到，但是在手机等设备拍摄下会看到明显的条纹波动。

随着LED技术的不断成熟，以及针对LED的要求不断提高，低频闪已经逐渐成为LED的基本要求。传统的LED低频闪方案，低PF方案已经不能满足当前的市场要求。而使用两级架构的高PF方案，优点是可以减小波形畸变、改善功率因数，而且输出电流没有工频纹波。然而，由于增加了一级额外的PFC(Power Factor Correction)电路，使整个开关电源系统的元器件数量和系统成本大为增加，转换效率有所下降。另一方面，电路体积大，无法适用于球泡、灯丝灯等小体积应用。

所以需要一种新型的低成本小体积方案，来解决LED的频闪问题。

发明内容

本实用新型的某些实施例涉及集成电路。更具体地，本实用新型的一些实施例提供了一种LED线性去工频系统。仅作为示例，本实用新型的一些实施例被应用到LED系统。但是，将认识到，本实用新型有更广泛的适用范围。

本实用新型的实施例提供了一种LED线性去工频系统，包括：驱动单元，驱动单元一端耦接到电源，一端与一个或多个LED灯珠耦接；以及去工频单元，去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠耦接；其中去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部的金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端，从而抑制输出到一个或多个 LED灯珠的电流的工频纹波。

根据实施例，可以获得一项或多项益处。参考随后的详细的说明和附图，这些好处和本实用新型的各种附加的目的、特征和优势可得以透彻地理解。

附图说明

图1是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。

图2是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。

图3是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。

图4是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。

具体实施方式

下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中提出了许多具体细节，以便提供对本实用新型的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型的更好的理解。本实用新型决不限于下面所提出的任何具体配置和算法，而是在不脱离本实用新型的精神的前提下覆盖了元素、部件和算法的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中，没有示出公知的结构和技术，便避免对本实用新型造成不必要的模糊。

图1是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。图1仅是示例，其不应不适当地限制权利要求的范围。本领域普通技术人员将认识到许多变化、替换和修改。系统包括前级高PF LED驱动电路(1)，输出线性去工频系统(2)，输出电路(3)。

前级高PF LED驱动电路(1)可以是任何拓扑形式的LED驱动电路 (包括但不限于，恒流型、稳压型)，其包含输出滤波电容C1。不同的系统控制架构主要体现在恒流控制单元的差异，如开关电源恒流控制架构和线性恒流控制架构，其中开关电源控制中又包括boost，buck，flyback， buck-boost等恒流控制架构。

当上电时，系统接收交流电(AC)输入电压。输入电压由LED驱动器，随后生成经整流的输出电流。输出滤波电容C1一端与LED驱动器的输出连接，一端接地。

输出线性去工频系统(2)包括线性去工频芯片U1，电容C2，以及可选电阻R1。所述电路既可以接在输出LED正端(如图1所示)，也可以接在输出LED负端(如图2所示)。

根据本公开的实施例，U1为线性去工频芯片，所述控制芯片包括：

DRAIN脚：LED电流输入脚；

GT脚：内部MOSFET驱动脚；以及

GND脚：芯片基准地。

在工作时，芯片维持内部MOSFET工作于饱和区，其中各种特性都稳定。通过MOSFET工作在饱和区时超大的交流阻抗的特性，将前级的电压纹波叠加到MOSFET两端，达到抑制输出电流的工频纹波的目的。

图3、图4是示出了根据本公开的实施例的一种LED线性去工频系统的简化图示。其示出了图1、图2所示的实施例中，包括可选电阻R1的情况，电阻R1并联在芯片DRAIN和GT脚之间。

根据一个实施例，提供了一种LED线性去工频系统，包括：驱动单元，驱动单元一端耦接到电源，一端与一个或多个LED灯珠耦接；以及去工频单元，去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠耦接；其中去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部的金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端，从而抑制输出到一个或多个LED灯珠的电流的工频纹波。

根据一个实施例，去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠的正极耦接。

根据一个实施例，去工频单元与驱动单元以及一个或多个LED灯珠的负极耦接。

根据一个实施例，去工频单元包括控制芯片以及电容器，其中控制芯片包括：DRAIN脚：用于接收输入电流；GT脚：内部MOSFET的驱动脚；以及GND脚：芯片基准地。

根据一个实施例，去工频单元还包括电阻器，所述电阻器并联在芯片 DRAIN脚和GT脚之间。

根据一个实施例，提供了一种包括如本公开的任意实施例所述的LED 线性去工频系统的LED系统。

例如，使用一个或多个软件组件、一个或多个硬件组件、和/或软件和硬件组件的一个或多个组合，本实用新型的各种实施例的一些或全部组件各自单独地和/或以与至少另一组件结合的方式被实施。在另一示例中，本实用新型的各种实施例的一些或全部组件各自单独地和/或以与至少另一组件结合的方式被实施在诸如一个或多个模拟电路和/或一个或多个数字电路之类的一个或多个电路中。在另一示例中，本实用新型的各种实施例和/或示例可以被结合。

虽然已经描述了本实用新型的特定实施例，但本领域的技术人员应该理解，存在等同于所描述的实施例的其它实施例。因此，应该理解，本实用新型并不限于所示出的具体实施例，而仅由所附权利要求的范围所限定。

Claims (6)

1.一种LED线性去工频系统，包括：

驱动单元，所述驱动单元一端耦接到电源，一端与一个或多个LED灯珠耦接；以及

去工频单元，所述去工频单元与所述驱动单元以及所述一个或多个LED灯珠耦接；

其中所述去工频单元被配置为将来自的驱动单元的输出电压纹波叠加到内部金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET两端，从而抑制输出到所述一个或多个LED灯珠的电流的工频纹波。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述去工频单元与所述驱动单元以及所述一个或多个LED灯珠的正极耦接。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述去工频单元与所述驱动单元以及所述一个或多个LED灯珠的负极耦接。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述去工频单元包括控制芯片以及电容器，其中所述控制芯片包括：

DRAIN脚：用于接收输入电流；

GT脚：所述内部MOSFET的驱动脚；以及

GND脚：芯片基准地。

5.如权利要求4所述的系统，其中所述去工频单元还包括电阻器，所述电阻器并联在所述芯片DRAIN脚和GT脚之间。

6.一种包括如权利要求1-5中的任何一项所述的LED线性去工频系统的LED系统。