CN208596771U - 一种低互调负载设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低互调负载设备，所述低互调负载设备包括：壳体和至少两个功率吸收部件；所述功率吸收部件包括：同轴电缆、吸收介质、绕线盘和连接器；所述连接器，贯穿所述壳体，用于接收外部的入射功率；所述吸收介质，用于吸收外部的入射功率；所述同轴电缆，连接吸收介质和连接器，用于传输入射功率；所述绕线盘，用于通过绕线柱缠绕所述同轴电缆；所述壳体，用于封装所述至少两个功率吸收部件中的所述同轴电缆、所述吸收介质和所述绕线盘。本实用新型解决了多个单端口器件无法同时进行互调测量以及多端口器件的互调测量问题。

Description

一种低互调负载设备

技术领域

本实用新型涉及移动通信技术领域，尤其涉及一种低互调负载设备。

背景技术

随着移动通信的快速发展，通信系统中载波数量和功率不断增加的同时，对设备的互调要求也越来越高，作为通信系统中的功率吸收装置，低互调负载正变得越来越重要。

目前常见的低互调负载中，一种是电缆绕组式负载，其原理是通过电缆的自然衰落来实现负载特性；另一种是电阻式负载，电阻材料放置于不同波段的射频电路结构中形成相应频率的负载。

然而，现有的这些低互调设备往往只能满足单端口器件的反射互调测量，多个单端口器件同时测量时，需要准备多个低互调设备以满足测量要求；同时，当多端口器件进行互调测量时，为了保证测量精度，被测多端口器件的未测端口都必须连接相匹配的负载，而现有的设备难以满足这一测试需求。

实用新型内容

本实用新型提供了一种低互调负载设备，以优化现有低互调负载设备的功能，提高低互调负载设备的应用范围。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种低互调负载设备，包括：壳体和至少两个功率吸收部件；

所述功率吸收部件包括：同轴电缆、吸收介质、绕线盘和连接器；

所述连接器，贯穿所述壳体，用于接收外部的入射功率；

所述吸收介质，用于吸收外部的入射功率；

所述同轴电缆，连接吸收介质和连接器，用于传输入射功率；

所述绕线盘，用于通过绕线柱缠绕所述同轴电缆；

所述壳体，用于封装所述至少两个功率吸收部件中的所述同轴电缆、所述吸收介质和所述绕线盘。

在所述绕线盘上形成有至少一个散热通孔。

所述功率吸收部件还包括：绕线盘底座；

所述绕线盘底座通过至少一个紧固器件与所述壳体固定连接，用于固定所述功率吸收部件中的所述绕线盘。

所述功率吸收部件还包括：固定器；

所述固定器，设置于所述绕线盘上，用于固定所述绕线盘上缠绕的所述同轴电缆。

所述壳体的至少一个侧板在至少一个方向上延伸出所述壳体，且在延伸区域设置有至少一个固定孔；其中，所述固定孔用于将所述低互调负载设备连接其他设备。

所述同轴电缆包裹于金属薄膜中。

所述吸收介质，包括：射频电阻。

所述连接器为4.3-10型射频同轴连接器。

在所述壳体上设置有多个散热片。

本实用新型的有益效果为：本实用新型提供了一种低互调负载设备，利用吸收介质来吸收互调测量中产生的功率，并将多组功率吸收装置集成于一个设备上。解决了传统测量中，多个单端口器件无法同时进行互调测量，以及多端口器件进行互调测量的问题。

附图说明

图1A是本实用新型具体实施方式提供的一种低互调负载设备的俯视结构图。

图1B是本实用新型具体实施方式提供的一种低互调负载设备的正面结构图。

图2A是本实用新型具体实施方式提供的一种低互调负载设备的俯视结构图。

图2B是本实用新型具体实施方式提供的一种低互调负载设备的正面结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

实施例一

如图1A所示，本实施方式提供了一种低互调负载设备，该设备包括：壳体1和至少两个功率吸收部件2；

所述功率吸收部件2包括：连接器21、吸收介质22、同轴电缆23、和绕线盘24；

所述壳体1，用于封装所述至少两个功率吸收部件中的所述吸收介质22、所述同轴电缆23和所述绕线盘24。

所述连接器21，贯穿所述壳体1，用于接收外部的入射功率；

连接器21通常安装于各设备之间起到电连接的作用，是电子设备中不可缺少的部件。连接器21的形式和结构多种多样，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。但是无论什么样的连接器，其主要目的都是保证电流顺畅连续和可靠地流通。

作为连接器21的一个重要分支，射频同轴连接器常常安装于电缆或仪器上，作为传输线电连接的元件。

可选的，本实施例中，连接器21选择4.3-10型射频同轴连接器(简称4.3-10RF)，所述4.3-10RF，内外导体均采用了径向接触的方式，电气平面与机械平面是独立的，施加较小的扭矩就能可靠连接，因此4.3-10RF具有极低的互调性能。同时，所述连接器21采用了螺口式、手动旋紧式和快速锁紧式三种连接方式，相较于其他同类型连接器，缩小了尺寸的同时大大减轻了重量，所述4.3-10RF的母头可与上述三种连接方式的公头插合，适用于市面上绝大多数的测量设备，其在2GHz频率下具有500W功率的传输能力。

所述吸收介质22，用于吸收外部的入射功率；

在各种无线电频段的双工通讯方式中，由于设备中的无源器件，例如：双工器、滤波器等，在材料特性、制造工艺上的缺陷以及连接不当会产生非线性作用，从而引发多阶无源互调干扰信号，这些互调干扰信号一旦落入接收机的接收频段，就会产生对该系统及其附近系统的通讯干扰，因此，在现有的微波通讯系统设备中，作为功率的吸收和匹配要大量用到吸收介质。常用的吸收介质一般有两种，电阻式或电缆式。电缆式吸收介质具有带宽宽、互调低的特点，但是散热性能差导致其功率较低，往往需要几十米甚至上百米电缆来完成吸收任务，成本极高；电阻式吸收介质具有带宽宽、功率大和一致性好的特点，价格较低，设计也较为成熟。

射频电阻由于其体积小,功率容量大,高频特性好以及性能稳定等优点，适用于高频电路中作为隔离电阻、终端负载电阻和功率分配器，而且无论是体积、功率、阻值、工作频率、驻波比、工作温度等都能根据不同的工作使用场合和规格要求提供不同的产品，因此，可选的，在本实施例中，所述吸收介质22可以选用射频电阻。

所述同轴电缆23，连接吸收介质和连接器，用于传输外部的入射功率；

同轴电缆23连接吸收介质和连接器，将外部的入射功率由连接器传输到吸收介质，同轴电缆23本身也可以吸收部分入射功率。同轴电缆23有两个同心导体，而导体和屏蔽层又共用同一轴心。同轴电缆23由里层绝缘材料隔离的铜线导体组成，里层绝缘材料可以采用塑料绝缘体，而在里层绝缘材料的外部是一层环形导体，称为网状导电层，最外部则是一层电线外皮，一般由聚氯乙烯或特氟纶材料制成的外皮包裹。

可选的，所述同轴电缆23包裹于金属薄膜中，例如：锡纸膜，铝膜，铜膜等等，为了防止其他功率吸收部件的干扰。

可选的，同轴电缆23可以为特性阻抗为50欧的基带同轴电缆，当负载阻抗为50欧姆时，该同轴电缆23处于行波状态，反射系数为0。

所述绕线盘24，用于通过绕线柱241缠绕所述同轴电缆23。

绕线盘24包含有绕线柱241，同轴电缆23缠绕在绕线柱241上，避免同轴电缆受到外力撞击导致亚种弯曲，同时减小同轴电缆23占用的空间。

可选的，绕线盘24包括绕线盘底座242，所述绕线盘底座242通过至少一个紧固器件243与所述壳体1固定连接，用于固定所述功率吸收部件中的所述绕线盘24，所述紧固器件243可以是螺丝。

可选的，绕线盘24上设置固定器244，用于固定所述同轴电缆23，防止同轴电缆23在工作过程中脱落。

可选的，绕线盘24上形成有至少一个散热通孔245，以便于同轴电缆23在传输过程中的散热，同时减轻绕线盘24的重量，也减轻所述低互调负载设备的重量。

所述壳体1，用于封装所述至少两个功率吸收部件2中的所述吸收介质22、所述同轴电缆23和所述绕线盘24。

所述壳体中的，散热片是一种给电器中的易发热电子元件散热的装置，多由铝合金，黄铜或青铜做成板状，片状，多片状等，一般散热片在使用中要在电子元件与散热片接触面涂上一层导热硅脂，使元器件发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去。目前常用的散热片材质是铜和铝合金，二者各有其优缺点。铜的导热性好，但价格较贵，加工难度较高，重量过大(很多纯铜散热器都超过了CPU对重量的限制)，热容量较小，而且容易氧化。而纯铝太软，不能直接使用，都是使用的铝合金才能提供足够的硬度，铝合金的优点是价格低廉，重量轻，但导热性比铜就要差很多。有些散热器就各取所长，在铝合金散热器底座上嵌入一片铜板。

可选的，所述壳体1上设置有多个散热片11，其目的在于，降低壳体中的温度，避免影响各电子元件的使用；所述散热片可以是铝合金散热片，并将所述铝合金散热片用铜板连接，其目的在于，利用了铜良好的导热性，结合铝合金的价格低廉以及重量轻的有点，在保证一定导热性的前提下，降低了成本和整体重量。

可选的，如图1B所示，所述壳体1的至少一个侧板在至少一个方向上延伸出所述壳体，且在延伸区域设置有至少一个固定孔12；其中，所述固定孔12用于将所述低互调负载设备连接其他设备。

本实用例提供了一种低互调负载设备，利用吸收介质、连接器、同轴电缆来吸收互调测量中产生的功率，并将多组功率吸收装置集成于一个设备上。解决了传统测量中，多个单端口器件无法同时进行互调测量，以及多端口器件进行互调测量时，未测端口都必须连接相匹配负载的问题。

实施例二

本实施例在上述实施例的基础上公开了一种低互调负载设备，所述低互调负载设备中包括了4个或者8个所述功率吸收部件，如图2A所示，以包括8个功率吸收部件2为例。

所述低互调负载设备包括：壳体1和8个功率吸收部件2；

所述功率吸收部件2包括：连接器21、吸收介质22、同轴电缆23、和绕线盘24；

所述壳体1，用于封装所述至少两个功率吸收部件中的所述吸收介质22、所述同轴电缆23和所述绕线盘24。

所述连接器21，贯穿所述壳体1，用于接收外部的入射功率；

可选的，本实施例中，连接器21选择4.3-10型射频同轴连接器(简称4.3-10RF)。

所述吸收介质22，用于吸收外部的入射功率；

射频电阻由于其体积小,功率容量大,高频特性好以及性能稳定等优点，适用于高频电路中作为隔离电阻、终端负载电阻和功率分配器，而且无论是体积、功率、阻值、工作频率、驻波比、工作温度等都能根据不同的工作使用场合和规格要求提供不同的产品，因此，可选的，在本实施例中，所述吸收介质22可以选用射频电阻。

所述同轴电缆23，连接吸收介质和连接器，用于传输外部的入射功率；

同轴电缆23连接吸收介质和连接器，将外部的入射功率由连接器传输到吸收介质，同轴电缆23本身也可以吸收部分入射功率。同轴电缆23有两个同心导体，而导体和屏蔽层又共用同一轴心。

可选的，所述同轴电缆23包裹于金属薄膜中，例如：锡纸膜，铝膜，铜膜等等，为了防止其他功率吸收部件的干扰。

可选的，同轴电缆23可以为特性阻抗为50欧的基带同轴电缆，当负载阻抗为50欧姆时，该同轴电缆23处于行波状态，反射系数为0。

所述绕线盘24，用于通过绕线柱241缠绕所述同轴电缆23。

绕线盘24包含有4个绕线柱241，同轴电缆23缠绕在绕线柱241上，避免同轴电缆受到外力撞击导致亚种弯曲，同时减小同轴电缆23占用的空间。

可选的，绕线盘24包括绕线盘底座242，所述绕线盘底座242通过6个紧固器件243与所述壳体1固定连接，用于固定所述功率吸收部件中的所述绕线盘24，所述紧固器件243可以是螺丝。

可选的，绕线盘24上设置固定器244，用于固定所述同轴电缆23，防止同轴电缆23在工作过程中脱落。

可选的，绕线盘24上形成有至少一个散热通孔245，以便于同轴电缆23在传输过程中的散热，同时减轻绕线盘24的重量，也减轻所述低互调负载设备的重量。

所述壳体1，用于封装所述至少两个功率吸收部件2中的所述吸收介质22、所述同轴电缆23和所述绕线盘24。

可选的，所述壳体1上设置有多个散热片11，其目的在于，降低壳体中的温度，避免影响各电子元件的使用；所述散热片可以是铝合金散热片，并将所述铝合金散热片用铜板连接，其目的在于，利用了铜良好的导热性，结合铝合金的价格低廉以及重量轻的有点，在保证一定导热性的前提下，降低了成本和整体重量。

由于低互调负载设备经常要安放在各种电气柜中，或者，与其它设备一起组装，因此，低互调负载设备需要在不同的位置设置不同的固定孔，用来与其电气柜或者其他设备安装。

如图2B所示，所述壳体1，在连接器21贯穿的一侧板延伸出所述壳体1，且在延伸区域设置了4个固定孔12；其中，所述固定孔12用于将所述低互调负载装备连接其他设备。所述壳体长度为430mm，延伸出的两侧各26mm，壳体宽度为200mm，高为89mm，所述设备的重量为10.8kg。

所述低互调负载设备的工作频率为DC-4000MHz，单口的功率容量为50W，驻波比小于或等于1.15，单口阻抗为50欧，三阶互调可以达到160dBc,在-35摄氏度至55摄氏度的环境下均可工作。

本实用例提供了一种低互调负载设备，利用吸收介质、连接器、同轴电缆来吸收互调测量中产生的功率，并将4组或8组功率吸收装置集成于一个设备上。解决了传统测量中，多个单端口器件无法同时进行互调测量，以及多端口器件进行互调测量时，未测端口都必须连接相匹配负载的问题。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种低互调负载设备，其特征在于，包括：壳体和至少两个功率吸收部件；

所述功率吸收部件包括：连接器、吸收介质、同轴电缆和绕线盘；

所述连接器，贯穿所述壳体，用于接收外部的入射功率；

所述吸收介质，用于吸收外部的入射功率；

所述同轴电缆，连接吸收介质和连接器，用于传输入射功率；

所述绕线盘，用于通过绕线柱缠绕所述同轴电缆；

所述壳体，用于封装所述至少两个功率吸收部件中的所述同轴电缆、所述吸收介质和所述绕线盘。

2.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于：

在所述绕线盘上形成有至少一个散热通孔。

3.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，所述功率吸收部件还包括：绕线盘底座；

所述绕线盘底座通过至少一个紧固器件与所述壳体固定连接，用于固定所述功率吸收部件中的所述绕线盘。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低互调负载设备，其特征在于，所述功率吸收部件还包括：固定器；

所述固定器，设置于所述绕线盘上，用于固定所述绕线盘上缠绕的所述同轴电缆。

5.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于：所述壳体的至少一个侧板在至少一个方向上延伸出所述壳体，且在延伸区域设置有至少一个固定孔；

其中，所述固定孔用于将所述低互调负载设备连接其他设备。

6.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，所述同轴电缆包裹于金属薄膜中。

7.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，所述吸收介质，包括：射频电阻。

8.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，所述连接器为4.3-10型射频同轴连接器。

9.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，在所述壳体上设置有多个散热片。

10.根据权利要求1所述的低互调负载设备，其特征在于，所述低互调负载设备中包括的所述功率吸收部件的数量为4个或者8个。