CN208596675U - 一种芯片结构及显示器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种芯片结构及显示器，涉及太阳能技术领域，为使芯片结构具有光能转换成电能并自身具有发光功能而设计。所述芯片结构包括：衬底、沿背离所述衬底方向层叠设置的发电膜层、绝缘层和发光膜层；所述发电膜层用于将吸收的光能转换成电能，所述发光膜层用于将电能转换成光能。本实用新型提供了一种芯片结构及显示器用于提高芯片结构及显示器的使用性能。

Description

一种芯片结构及显示器

技术领域

本实用新型涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种芯片结构及显示器。

背景技术

目前，建筑能耗、日常生活能耗已接近全社会总能耗的1/3，并且随着我国城市化进程的加快，各种能耗将继续保持增长趋势。加快光伏发电技术是降低能耗的主要措施之一，其中，将光伏发电技术已经被应用到各种建筑、生活用品中。

有鉴于此，提出一种芯片结构及显示器。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供了一种芯片结构及显示器，主要目的是将发电膜层与发光膜层相结合，在保证发光膜层发光的情况下，也能够利用发电膜层进行光电转换。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种芯片结构，包括：

衬底、沿背离所述衬底方向层叠设置的发电膜层、绝缘层和发光膜层；所述发电膜层用于将吸收的光能转换成电能，所述发光膜层用于将电能转换成光能。

本实用新型实施例提供的芯片结构将发电膜层和发光膜层相结合，不仅保证发电膜层接受光能，进行光电转换，发光膜层也能够发光照明或者实现视频、图案等的展示，进而得到既能发光又能发电的产品。

可选地，所述发光膜层和所述绝缘层均为透光的。

可选地，所述发电膜层包括：层叠设置的前电极膜层、光吸收层和背电极膜层，所述前电极膜层设于所述绝缘层的一侧，所述背电极膜层设于所述衬底的一侧。

可选地，所述衬底和所述背电极膜层均为透光的。

可选地，所述发光膜层包括电路层和位于所述电路层上的光源，所述电路层设于所述绝缘层上。

可选地，所述发电膜层靠近所述绝缘层的表面上具有第一导线放置区。

可选地，所述芯片结构还包括：接线盒，所述接线盒与所述发电膜层通过第一连接导线连接，且所述第一连接导线沿着所述第一导线放置区设置。

可选地，所述绝缘层靠近所述发光膜层的表面上具有第二导线放置区。

可选地，所述芯片结构还包括：控制器，所述控制器与所述发光膜层通过第二连接导线连接，且所述第二连接导线沿着所述第二导线放置区设置。

可选地，所述芯片结构还包括：绝缘件，所述绝缘件设置在所述第二连接导线与所述发电膜层之间。

可选地，所述芯片结构还包括：封板和封装层，所述封板通过所述封装层与所述发光膜层连接；其中，所述封板和所述封装层均为透明的。

本实用新型另一方面还提供了一种显示器，包括上述所述的芯片结构。

本实用新型实施例提供的显示器，由于具有上述所述芯片，发电膜层将光能转化为电能，转换的电能既可为发电膜层使用，也可供其他用电系统使用，使该产品更加环保，提高了显示器的使用性能。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种芯片结构的结构示意图；

图2为图1的俯视图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种芯片结构的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的另一种芯片结构的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型实施例芯片结构及显示器进行详细描述。

在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内段的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型实施例提供了一种芯片结构，下述对所述芯片结构进行详细描述：

参照图1至图3，所述芯片结构包括：衬底11、沿背离所述衬底方向层叠设置的发电膜层、绝缘层15和发光膜层，所述发电膜层用于将吸收的光能转换成电能，所述发光膜层用于将电能转换成光能。

所述发电膜层用于接受光能并将光能转换成电能，所述发光膜层用于发光照明，还可用于实现文字、图案、视频等的展示，进而使所述芯片结构具有发光发电的功能，其中，发电膜层所转换的电能既可用于发光膜层使用，也可不用于发光膜层使用，供其他用电系统使用。

需要说明的是：当光线朝发光膜层方向照射时，为了使发电膜层能够吸收到光能，至少需要发光膜层和绝缘层15为透光的，这样光线才能穿过发光膜层和绝缘层15进入发电膜层并将其转化为电能。

示例的，所述发光膜层和所述绝缘层15可以为透明的或者具有透光结构，例如，透光结构为透光孔。

示例的，所述绝缘层15可以选用SiO₂膜层。

为了绝缘所述发光膜层和所述发光膜层，防止所述发光膜层和所述发电膜层之间发生短路现象，参照图1至图3，在发光膜层和发电膜层之间设有绝缘层15。

具体实施时，所述发电膜层包括：层叠设置的前电极膜层14、光吸收层13和背电极膜层12；其中，所述前电极膜层14设于所述绝缘层15的一侧，所述背电极膜层中12设于所述衬底11的一侧，参照图1，在所述发光膜层和所述绝缘层15均为透光的情况下，所述前电极膜层14为透光的；当光线朝衬底11方向照射时，为了使发电膜层能够吸收到光能，所述衬底11和所述背电极膜层12均为透光的，若前电极膜层14和背电极膜层12均为透光的情况下，背电极膜层12也可以设于所述绝缘层15的一侧，前电极膜层中14设于所述衬底11的一侧。

示例的，所述衬底可以为透明衬底或者衬底上具有透光结构，例如，透光结构为透光孔，所述透明衬底为透明玻璃。

示例的，所述光吸收层13可以为铜铟镓硒材料，也可以是硅基薄膜发电材料，光吸收层13就是将吸收的光能转换成电能，并通过前电极膜层14和背电极膜层12引出至用电系统，通常，所述前电极膜层14和背电极膜层12为ITO(氧化铟)膜层、ITIO(掺钛氧化铟)膜层、IWO(氧化钨)膜层、BZO(掺硼氧化锌)膜层、AZO(氧化锡锑)膜层或FTO(掺氟二氧化硅)膜层中的其中一种。

具体实施时，所述发光膜层包括：电路层16和位于所述电路层上的光源17；其中，参照图1，所述电路层16设于所述绝缘层15上，当需要所述发光膜层透光时，所述电路层为透光电路层，同时为了避免光源17产生阴影，影响发电膜层的光电转换效率，将所述光源设计成透光光源。

示例的，所述电路层16可以选用透明导电膜，例如，TO(氧化铟)膜层、ITIO(掺钛氧化铟)膜层、IWO(氧化钨)膜层、BZO(掺硼氧化锌)膜层、AZO(氧化锡锑)膜层或FTO(掺氟二氧化硅)膜层中的其中一种，也可以选用通过丝网印刷镀一层银胶层。

示例的，所述光源17具有多个，多个所述光源呈矩阵排列在所述电路层16上，优选的，为了节能环保，所述光源17选用LED芯片，且LED芯片通过导电胶固定在电路层16上，多个LED芯片布设在电路层16上，不仅作为光源进行照明使用，还可能够实现文字、图案、视频等的展示，这样就丰富了芯片结构的功能，提高了使用性能。

参照图1，由于电路层16位于前电极膜层14的一侧，为了防止电路层16和前电极膜层14接触发生短路现象，将绝缘层15设于电路层16和前电极膜层14之间，将电路层16和前电极膜层14进行绝缘。

为了防止衬底11的边缘被电极化，使发电膜层与衬底11的边缘具有较大的爬电距离，如图1至图3所示，所述衬底靠近所述发电膜层的表面上的边缘具有封胶区，具体实施时，所述发电膜层的边缘与所述衬底的边缘之间的距离不小于10mm，这样设计目的是：1：为了使发电膜层与衬底11边缘具有较大的爬电距离；2：防止外部的水汽进入发电膜层，影响发电膜层的性能，进而影响整个芯片结构的使用寿命。

具体的，所述前电极膜层14、背电极膜层12和电路层16分别会引出连接导线，并与相对应的结构连接，例如，所述前电极膜层14和背电极膜层12分别通过第一连接导线与所述接线盒连接，所述接线盒安装在整个芯片结构的侧边，所述电路层16通过第二连接导线与控制器连接，所述控制器用于控制光源17的导通或者切断，为了使整个芯片结构的结构紧凑，连接导线走线整齐，示例的，在所述发电膜层靠近所述绝缘层的表面上具有第一导线放置区，如图1至图3所示，在所述前电极膜层14靠近所述绝缘层15的表面上设置第一导线放置区，具体实施时，可以采用绝缘层15的边缘与前电极膜层14的边缘具有距离，以形成第一导线放置区，所述距离不小于5mm，具体大小也可根据实际需求确定，前电极膜层14和背电极膜层12引出的第一连接导线放置在该第一导线放置区上，再与接线盒连接，这样第一连接导线不会外露，不仅避免导线凌乱布设的现象，也对第一连接导线进行保护；示例的，所述绝缘层靠近所述发光膜层的表面上具有第二导线放置区，如图1至图3所示，在绝缘层15靠近所述电路层16的表面上具有第二导线放置区，具体实施时，也可以采用电路层16的边缘与绝缘层15的边缘具有距离，以形成第二导线放置区，电路层16引出的第二连接导线放置在第二导线放置区上，所述第二导线放置区和所述第一导线放置区所达到的技术效果相同。

由于电路层16位于所述前电极膜层14和背电极膜层12上方，电路层16引出的第二连接导线容易与下方的前电极膜层14和背电极膜层12接触，为了防止接触造成短路现象，在第二连接导线与所述前电极膜层14和/或背电极膜层12接触的位置设置绝缘件，绝缘件能够有效将第二连接导线与前电极膜层14和/或背电极膜层12隔离，参照图3，具体的，所述绝缘件为绝缘条19。

为了使整个芯片结构所引出的第一连接导线和第二连接导线布设合理，参照图3，将第一连接导线18和第二连接导线10分别从芯片结构的相对的两端引出。

参照图4，所述芯片结构还包括：封板3和封装层2，所述封板3通过所述封装层2与所述发光膜层连接，具体的，为了使光源17所述发出的光线透过，所述封板3和所述封装层2均为透明的，例如，所述封板3为透明玻璃，所述封装层2采用透明的封装胶膜，具体封装时，将发光膜层、发电膜层、封装胶膜和封板在一定的温度和压力下进行层压，进而使发光膜层、发电膜层、封装胶膜和封板封装呈一体结构。

本实用新型实施例还提供了一种显示器，所述显示器包括上述所述的芯片结构，通过所述芯片结构所具有的发光发电功能，使芯片结构所转换的电能不仅供自身的发光膜层使用，还可用于显示器中的其他用电装置使用，降低了能耗。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：衬底，沿背离所述衬底方向层叠设置的发电膜层、绝缘层和发光膜层；所述发电膜层用于将吸收的光能转换成电能，所述发光膜层用于将电能转换成光能。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述发光膜层和所述绝缘层均为透光的。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述发电膜层包括：层叠设置的前电极膜层、光吸收层和背电极膜层，所述前电极膜层设于所述绝缘层的一侧，所述背电极膜层设于所述衬底的一侧。

4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述衬底和所述背电极膜层均为透光的。

5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的芯片结构，其特征在于，所述发光膜层包括：电路层和位于所述电路层上的光源，所述电路层设于所述绝缘层上。

6.根据权利要求1-4任一权利要求所述的芯片结构，其特征在于，所述发电膜层靠近所述绝缘层的表面上具有第一导线放置区。

7.根据权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：接线盒，所述接线盒与所述发电膜层通过第一连接导线连接，且所述第一连接导线沿着所述第一导线放置区设置。

8.根据权利要求1-4任一权利要求所述的芯片结构，其特征在于，所述绝缘层靠近所述发光膜层的表面上具有第二导线放置区。

9.根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：

控制器，所述控制器与所述发光膜层通过第二连接导线连接，且所述第二连接导线沿着所述第二导线放置区设置。

10.根据权利要求9所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：绝缘件，所述绝缘件设置在所述第二连接导线与所述发电膜层之间。

11.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：封板和封装层，所述封板通过所述封装层与所述发光膜层连接；其中，所述封板和所述封装层均为透明的。

12.一种显示器，其特征在于，包括如权利要求1～11中任一所述的芯片结构。