CN208547692U - 一种功率vdmos器件远程测试系统 - Google Patents

一种功率vdmos器件远程测试系统 Download PDF

Info

Publication number
CN208547692U
CN208547692U CN201821116551.4U CN201821116551U CN208547692U CN 208547692 U CN208547692 U CN 208547692U CN 201821116551 U CN201821116551 U CN 201821116551U CN 208547692 U CN208547692 U CN 208547692U
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
board
vdmos
cabinet
vdmos device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201821116551.4U
Other languages
English (en)
Inventor
徐辉
王春林
高见头
赵发展
罗家俊
张刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Zhongke Micro Investment Management Co ltd
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN201821116551.4U priority Critical patent/CN208547692U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN208547692U publication Critical patent/CN208547692U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本申请公开一种功率VDMOS器件远程测试系统,所述系统包括:位于辐照空间内的测试机箱、数字源表、VDMOS器件测试开发板,以及位于辐照空间外的第一控制装置;所述VDMOS器件测试开发板上安插有VDMOS器件;所述第一控制装置与所述测试机箱连接;所述测试机箱与所述VDMOS器件测试开发板连接,用于向所述VDMOS器件提供栅极测试电压,并采集所述VSMOS器件的栅极工作电压和所述VDMOS器件的栅极工作电流,反馈至所述测试机箱;所述数字源表分别与所述测试机箱、所述VDMOS器件测试开发板连接,用于在所述测试机箱控制下向所述VDMOS器件提供漏极测试电压,并采集所述VDMOS器件的漏极工作电压和所述VDMOS器件的漏极工作电流,反馈至所述测试机箱。上述方案能够保证测试数据的准确性。

Description

一种功率VDMOS器件远程测试系统
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种功率VDMOS器件远程测试系统。
背景技术
功率VDMOS器件(Vertical Double-diffusion Metal Oxide Semiconductor)是一种垂直导电的双扩散功率器件,在航空航天、军事、核工业等领域有广泛的应用。由于VDMOS器件应用于航空航天、军事、核工业等特殊领域,所以器件的稳定性与可靠性是非常重要的。比如,常用于卫星二次电源的功率VDMOS器件,其在空间带电粒子和射线的照射下,其性能会受辐照累积量的影响,甚至功能失效,进而可能导致整个卫星的故障。因此,在出厂前对VDMOS器件进行抗辐照实验是非常重要的环节,而模拟空间环境的电粒子辐照环境对人体是有损伤的,只能进行远程操作。
相关技术中,在对VDMOS器件进行测试时,VDMOS器件所需的测试电平需要在辐照室外通过长度较长的电缆线传给辐照室内的被测VDMOS器件,而被测VDMOS器件的测试结果又经过电缆线传给辐照外的控制器,由于信号在电缆线上的传递存在大幅度衰减,导致测试结果存在异常。
实用新型内容
本申请书实施例提供一种功率VDMOS器件远程测试系统,该系统包括:
测试机箱、数字源表、VDMOS器件测试开发板以及第一控制装置;
所述测试机箱、所述数字源表以及所述VDMOS器件测试开发板均位于辐照空间内,所述第一控制装置位于所述辐照空间外;
所述VDMOS器件测试开发板上安插有VDMOS器件;
所述第一控制装置与所述测试机箱连接,用于远程控制所述测试机箱;
所述测试机箱与所述VDMOS器件测试开发板连接,用于向所述VDMOS器件提供栅极测试电压,并采集所述VSMOS器件的栅极工作电压和所述VDMOS器件的栅极工作电流,反馈至所述测试机箱;
所述数字源表分别与所述测试机箱、所述VDMOS器件测试开发板连接,用于在所述测试机箱控制下向所述VDMOS器件提供漏极测试电压,并采集所述VDMOS器件的漏极工作电压和所述VDMOS器件的漏极工作电流,反馈至所述测试机箱。
可选地,所述测试机箱包括第二控制装置、第一测试板卡以及第二测试板卡;
所述第一控制装置与所述第二控制装置连接,用于远程控制所述第二控制装置;
所述第一测试板卡分别与所述第二控制装置、所述VDMOS器件测试开发板连接,用于提供所述栅极测试电压,并采集所述栅极工作电压反馈至所述第二控制装置;
所述第二测试板卡分别与所述第二控制装置、所述第一测试板卡以及所述VDMOS器件测试开发板连接,用于采集所述栅极工作电流,反馈至所述第二控制装置。
可选地,所述第一测试板卡和所述第二测试板卡的数量均为两块。
可选地,所述数字源表的数量为两台。
可选地,所述第一测试板卡为电源板卡,所述第二测试板卡为万用表板卡。
可选地,所述第二控制装置为嵌入式计算机。
可选地,所述VDMOS器件测试开发板上设置有器件夹具,用于安插所述VDMOS器件。
可选地,所述第一控制装置以及所述测试机箱通过网线连接。
可选地,所述第一控制装置为个人计算机或一体机。
本申请实施例有益效果如下:
本申请提供一种功率VDMOS器件远程测试系统,所述系统包括:
测试机箱、数字源表、VDMOS器件测试开发板以及第一控制装置;所述测试机箱、所述数字源表以及所述VDMOS器件测试开发板均位于辐照空间内,所述第一控制装置位于所述辐照空间外;所述VDMOS器件测试开发板上安插有VDMOS器件;所述第一控制装置与所述测试机箱连接,用于远程控制所述测试机箱;所述测试机箱与所述VDMOS器件测试开发板连接,用于向所述VDMOS器件提供栅极测试电压,并采集所述VSMOS器件的栅极工作电压和所述VDMOS器件的栅极工作电流;所述数字源表与所述测试机箱和所述VDMOS器件测试开发板连接,用于在所述测试机箱控制下向所述VDMOS器件提供漏极测试电压,并采集所述VDMOS器件的漏极工作电压和所述VDMOS器件的漏极工作电流反馈至所述测试机箱。上述方案中,测试机箱、数字源表以及VDMOS器件测试开发板均位于辐照空间内,测试数据无需通过电缆线进行传输,因此保证了测试数据的准确性。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本申请实施例提供的一种功率VDMOS器件远程测试系统的示意图;
图2为本申请实施例提供的一种测试机箱的示意图;
图3为本申请另一实施例提供的测试机箱的示意图。
具体实施方式
为了更好的理解上述技术方案,下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明,应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明,而不是对本说明书技术方案的限定,在不冲突的情况下,本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
如图1所示,为本申请实施例提供的一种功率VDMOS器件远程测试系统的示意图,该系统包括:测试机箱11、数字源表12、VDMOS器件测试开发板13以及第一控制装置14;测试机箱11、数字源表12以及VDMOS器件测试开发板13均位于辐照空间内,第一控制装置14位于所述辐照空间外。VDMOS器件测试开发板13上安插有VDMOS器件,VDMOS器件为待测试器件。
本申请实施例中,可以通过辐照实验室来提供辐照空间,即,将测试机箱11、数字源表12以及VDMOS器件测试开发板13均放置在辐照实验室内,将第一控制装置14放置在辐照实验室外。第一控制装置14与测试机箱11连接,用于远程控制测试机箱11,远程控制可以通过现有的远程控制桌面或其他方式来实现。
第一控制装置14为个人计算机或一体机或其他电子设备,本申请不做限定,第一控制装置14与测试机箱11可以通过无线或有线的方式进行通信连接,在一个实施例中,第一控制装置14以及测试机箱11通过网线连接。
测试机箱11与VDMOS器件测试开发板13连接,用于向VDMOS器件提供栅极测试电压,并采集VSMOS器件的栅极工作电压和VDMOS器件的栅极工作电流,反馈至测试机箱11。
本申请实施例中,测试机箱11的类型可以根据实际需要来进行选择,例如,测试机箱为NI PM-1115测试机箱。测试机箱11内可以设置有存储器,用于保存VDMOS器件的信息文档、保存VDMOS测试数据等,测试机箱11还可以设置有显示单元,能够显示人机交互界面,在人机交互界面上可以显示VDMOS器件的信息文档、VDMOS器件测试数据等信息。
数字源表12分别与测试机箱11、VDMOS器件测试开发板13连接,用于在测试机箱11控制下向VDMOS器件提供漏极测试电压,并采集VDMOS器件的漏极工作电压和VDMOS器件的漏极工作电流,反馈至测试机箱11。
本申请实施例中,数字源表12的类型可以根据实际需要进行选择,例如,数字源表12为2410源表。数字源表12可以设置在在测试机箱11内,也可以单独设置。在一个实施例中,数字源表12与VDMOS器件的漏压源连接,用于向VDMOS器件提供漏极测试电压。
由于在对VDMOS器件的测试过程中,测试机箱11以及数字源表12可以提供VDMOS器件的测试电压,且测试机箱11以及数字源表12均设置在辐照实验室内,因此避免了信号的远距离传输,使得测试数据更加准确。
如图2所示,为本申请实施例提供的一种测试机箱的示意图,测试机箱11包括第二控制装置21、第一测试板卡22以及第二测试板卡23;所述第一控制装置14与所述第二控制装置21连接,用于远程控制所述第二控制装置21;所述第一测试板卡22与所述第二控制装置21和所述VDMOS器件测试开发板13连接,用于提供所述栅极测试电压,并采集所述栅极工作电压反馈至所述第二控制装置21;所述第二测试板卡23与所述第二控制装置21、所述第一测试板卡22以及所述VDMOS器件测试开发板13连接,用于采集所述栅极工作电流反馈至所述第二控制装置21。
本申请实施例中,第二控制装置21可以根据实际需要进行选择,例如,第二控制装置21为内嵌计算机,第一控制装置14与内嵌计算机能够实现远程桌面连接,通过第一控制装置14来控制内嵌计算机。
应理解的是,第一测试板卡22以及第二测试板卡23可以根据实际需要进行选择,例如,第一测试板卡21、第二测试板卡22为PXI-4110电源板卡、PXI-4071万用表板卡等。在一个实施例中,第一测试板卡22与VDMOS器件的栅压源的正极相连,第二测试板卡23与VDMOS器件的栅压源的负极相连。
第二控制装置21可以根据待测试的VDMOS器件信息,生成与第一测试板卡22以及第二测试板卡23对应的配置信号,第一测试板卡22以及第二测试板卡23根据该配置信号向VDMOS器件测试开发板13发送测试电压,该测试电压用于向VDMOS器件测试开发板13安插的VDMOS器件提供栅极测试电压。同时,第一测试板卡22用于测取VDMOS器件的栅极工作电压,第二测试板卡23用于测取VDMOS器件的栅极工作电流,并将测取结果返回给第二控制装置21。
第二控制装置21与数字源表12连接,第二控制装置21可以根据待测试的VDMOS器件信息,生成与数字源表12对应的配置信号,数字源表12根据该配置信号向VDMOS器件测试开发板13发送测试电压,该测试电压用于向VDMOS器件测试开发板13安插的VDMOS器件提供漏极测试电压。数字源表12还用于测取VDMOS器件的漏极工作电压以及漏极工作电流,并将测取结果返回给第二控制装置21。
由上所述,测试机箱11内集成了第二控制装置21、第一测试板卡22、第二测试板卡23,实现了测试系统的小型化和轻型化。
可选地,所述第一测试板卡为电源板卡,所述第二测试板卡为万用表板卡。请参考图3,为本申请另一实施例提供的测试机箱的示意图,在该实施例中,测试机箱11为NI PMA测试机箱,内部设置有一内嵌计算机,第一测试板卡为PXI-4110电源板卡,第二测试板卡为PXI-4071万用表板卡。
如图3所示,PXI-4110电源板卡与内嵌计算机能够互相通信,PXI-4110电源板卡与PXI-4071万用表板卡相连,且与VDMOS器件的栅压源的负极相连。PXI-4071万用表板卡与内嵌计算机能够互相通信,且PXI-4071万用表板卡与VDMOS器件的栅压源的正极相连。通过上述连接关系,PXI-4110电源板卡以及PXI-4071万用表板卡能够为VDMOS器件提供栅极测试电压。另外,PXI-4110电源板卡能够测取VDMOS器件栅极的实际工作电压,PXI-4071万用表板卡能够测取VDMOS器件栅极的实际工作电流,并将测取到的实际工作电压以及实际工作电流返回给内嵌计算机。
可选地,第一测试板卡22和第二测试板卡23的数量均为两块,分别向VDMOS器件测试开发板上13的两个VDMOS器件提供栅极测试电压。
由于辐照实验的费用较高,为了充分利用辐照源粒子束斑的横截面积,以及提高测试效率,缩短测试时间,本申请实施例中的方案能够同时对多个VDMOS器件进行测试。在一个实施例中,通过设置两块第一测试板卡以及两块第二测试板卡来实现对两个VDMOS器件的测试。如图3所示,将第一测试板卡以及第二测试板卡分为两组,每组均包括一块PXI-4110电源板卡以及一块PXI-4071万用表板卡,分别向两个VDMOS器件提供栅极测试电压,以及分别测取两个VDMOS器件的工作电压以及工作电流。
可选地,所述数字源表的数量为两台。本申请实施例中,当需要对多个VDMOS器件进行测试时,可以设置多个数字源表。在一个实施例中,数字源表12为2410源表,在对两个VDMOS器件进行测试时,需要设置两个2410源表,如图3所示,这两个2410源表分别与两个VDMOS器件的漏压源相连。
可选地,VDMOS器件测试开发板13上设置有器件夹具,用于安插所述VDMOS器件。在一个实施例中,VDMOS器件测试开发板13上安插有两排器件夹具,总共可以安插20个VDMOS器件。VDMOS器件测试开发板13在接收到测试机箱11以及数字源表12输出的测试电压后,能够将对应的栅极测试电压以及漏极测试电压分配到待测的VDMOS器件上。
为了更好的理解本申请提供的功率VDMOS器件远程测试系统,以测试机箱为图3所示的测试机箱为例,来对VDMOS器件的测试流程进行说明。
在该实施例中,辐照室外的第一控制装置14通过35米网线与辐照实验室内的测试机箱11连接,在搭建好功率VDMOS器件远程测试系统之后,第一控制装置14可以对测试机箱11中的内嵌计算机进行远程操作。测试过程包括以下步骤:通过第一控制装置远程连接内嵌计算机,控制内嵌计算机设置两块PXI-4110电源板卡、两块PXI-4071万用表板卡、数字源表的各项参数,如输出电平、限流值、串口通信速率等;确定两个待测试VDMOS器件,读取器件信息;开启两块PXI-4110电源板卡的电源和两台2410源表的电源,同时PXI-4071万用表板卡的电源也一并开启,依次开启栅极电源以及漏极电源;获取两个VDMOS器件的测试数据,返回到NI PMA内嵌计算机,并将测试数据保存到指定的文档中;如果检测到结束按钮被按下,或者测量的参数超过警戒值,系统会停止运行,正常的关闭程序的顺序是先断开器件电源,再断开漏极电源、再断开栅极电源、最后关闭程序总开关。需要说明的是,控制所述内嵌计算机设置两块PXI-4110电源板卡、两块PXI-4071万用表板卡、数字源表的各项参数,以及控制两块PXI-4110电源板卡、两块PXI-4071万用表板卡、数字源表施加测试电压、采集工作电压和工作电流的具体实现流程,并非本实用新型的改进点,本领域技术人员知晓如何控制所述内嵌计算机设置两块PXI-4110电源板卡、两块PXI-4071万用表板卡、数字源表的各项参数,以及如何控制两块PXI-4110电源板卡、两块PXI-4071万用表板卡、数字源表施加测试电压、采集工作电压和工作电流,在此不再详述。
尽管已描述了本实用新型的优选实施例,但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述系统包括:
测试机箱、数字源表、VDMOS器件测试开发板以及第一控制装置;
所述测试机箱、所述数字源表以及所述VDMOS器件测试开发板均位于辐照空间内,所述第一控制装置位于所述辐照空间外;
所述VDMOS器件测试开发板上安插有VDMOS器件;
所述第一控制装置与所述测试机箱连接,用于远程控制所述测试机箱;
所述测试机箱与所述VDMOS器件测试开发板连接,用于向所述VDMOS器件提供栅极测试电压,并采集所述VSMOS器件的栅极工作电压和所述VDMOS器件的栅极工作电流,反馈至所述测试机箱;
所述数字源表分别与所述测试机箱、所述VDMOS器件测试开发板连接,用于在所述测试机箱控制下向所述VDMOS器件提供漏极测试电压,并采集所述VDMOS器件的漏极工作电压和所述VDMOS器件的漏极工作电流,反馈至所述测试机箱。
2.根据权利要求1所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述测试机箱包括第二控制装置、第一测试板卡以及第二测试板卡;
所述第一控制装置与所述第二控制装置连接,用于远程控制所述第二控制装置;
所述第一测试板卡分别与所述第二控制装置、所述VDMOS器件测试开发板连接,用于提供所述栅极测试电压,并采集所述栅极工作电压反馈至所述第二控制装置;
所述第二测试板卡分别与所述第二控制装置、所述第一测试板卡以及所述VDMOS器件测试开发板连接,用于采集所述栅极工作电流,反馈至所述第二控制装置。
3.根据权利要求2所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述第一测试板卡和所述第二测试板卡的数量均为两块。
4.根据权利要求3所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述数字源表的数量为两台。
5.根据权利要求2所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述第一测试板卡为电源板卡,所述第二测试板卡为万用表板卡。
6.根据权利要求2所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述第二控制装置为嵌入式计算机。
7.根据权利要求1所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述VDMOS器件测试开发板上设置有器件夹具,用于安插所述VDMOS器件。
8.根据权利要求1所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述第一控制装置以及所述测试机箱通过网线连接。
9.根据权利要求1所述的功率VDMOS器件远程测试系统,其特征在于,所述第一控制装置为个人计算机或一体机。
CN201821116551.4U 2018-07-13 2018-07-13 一种功率vdmos器件远程测试系统 Active CN208547692U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821116551.4U CN208547692U (zh) 2018-07-13 2018-07-13 一种功率vdmos器件远程测试系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201821116551.4U CN208547692U (zh) 2018-07-13 2018-07-13 一种功率vdmos器件远程测试系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN208547692U true CN208547692U (zh) 2019-02-26

Family

ID=65424676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821116551.4U Active CN208547692U (zh) 2018-07-13 2018-07-13 一种功率vdmos器件远程测试系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN208547692U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116660606A (zh) * 2023-04-11 2023-08-29 南京友晟电力安装工程有限公司 一种电力线直流电流遥测装置及其测试方法
CN118091356A (zh) * 2024-04-18 2024-05-28 南京大学 一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116660606A (zh) * 2023-04-11 2023-08-29 南京友晟电力安装工程有限公司 一种电力线直流电流遥测装置及其测试方法
CN116660606B (zh) * 2023-04-11 2023-12-22 国网上海电力设计有限公司 一种电力线直流电流遥测装置及其测试方法
CN118091356A (zh) * 2024-04-18 2024-05-28 南京大学 一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9423445B1 (en) Method of locating a fault in a power distribution system comprising at least one solar panel distributed resource
CN208547692U (zh) 一种功率vdmos器件远程测试系统
CN105510806B (zh) 导通测试装置和通用测试机的测试系统
CN105934681A (zh) 芯片测试方法及装置
CN207301294U (zh) 一种负荷点电源通用测试装置
CN1184485C (zh) 浮动平板电压监视器
CN103837782B (zh) 数据线的检测设备
CN207020240U (zh) 一种基准电压通用测试装置
CN115598566B (zh) 电表接线的检验方法和装置、处理器及电子设备
CN202631688U (zh) 功率器件高温反偏试验系统
CN105974355A (zh) 一种电能计量装置综合运维检测仪及其使用方法
CN112394229A (zh) 绝缘电阻测试装置及绝缘电阻测试方法
CN103364621A (zh) 电源侦测电路及具有该电源侦测电路的电子装置
CN109613418A (zh) 晶闸管换流阀高电位板卡测试装置及测试方法
CN205484607U (zh) 电子产品老化自动测试平台
CN109270376A (zh) 一种微控制器管脚参数自动测试平台及测试方法
CN204882853U (zh) 电能表耐压试验装置
CN101865988A (zh) 用于高压电能计量装置误差校验的试验电源及其实现方法
CN108107313A (zh) 空载状况下判断电能表接线正确性的方法
CN103105553B (zh) 总剂量辐照与热载流子注入综合效应测试的装置
CN105391117A (zh) 假电池装置和假电池系统
CN102759674B (zh) 一种用于测试光耦的通用适配器
CN207488408U (zh) 一种安规电容大电流测试系统
CN106597108B (zh) Sir绝缘电阻测试系统
CN214538308U (zh) 试验现场温度数采通道的检查装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220829

Address after: Room 108, floor 1, building 4, No. 2 dacuodeng Hutong, Dongcheng District, Beijing 100010

Patentee after: Beijing Zhongke micro Investment Management Co.,Ltd.

Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3

Patentee before: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences

TR01 Transfer of patent right