CN2085116U

CN2085116U - 自环混频器装置

Info

Publication number: CN2085116U
Application number: CN91203961U
Authority: CN
Inventors: 张玉海; 梁进波; 展河春
Original assignee: SHIJIAZHUANG INST NO 54 MINISTRY OF MACHINE BUILDING AND ELECTRONIC INDUSTRY
Current assignee: SHIJIAZHUANG INST NO 54 MINISTRY OF MACHINE BUILDING AND ELECTRONIC INDUSTRY
Priority date: 1991-03-15
Filing date: 1991-03-15
Publication date: 1991-09-18

Abstract

本实用新型公开了一种自环混频器装置，它由隔离器、衰减器、混频器、低通滤波器组成，实现散射通信设备的本端站射频部分的自环性能检测。本实用新型检测方便，操作简单，装调方便，并设计成无源装置、结构简单，体积小，因此成本低廉，性能稳定可靠，不仅用于散射通信，而且还能推广应用于微波通信、移动通信等领域的射频部分的自环性能检测。

Description

本实用新型涉及微波通信、对流层散射通信或移动通信领域中通信设备射频部分自环检测的自环混频器装置。

在以往的散射通信中，若要对本端站散射通信设备射频部分进行性能检测是很麻烦的事，需要多做一套频率综合器设备来进行性能检测，或采用许多微波仪器来实现综合测试，这样有时会受到许多条件的限制，比如目前采用方舱结构的通信设备其方舱内空间小，无法放置很多仪器，因此要对其性能检测需花费很长时间，而且成本高，操作不便，或增加设备及研制工作量。

本实用新型的目的在于避免上述现有技术的不足之处，而提供一种检测方便，操作简单、性能稳定可靠、成本低廉的自环混频器装置，而且本实用新型结构简单、体积小、装调方便、在不需多做任何设备，不需任何仪器情况下能准确、迅速地检测通信设备是否正常工作。

本实用新型的目的是以下述方式完成的：它由隔离器1、2、衰减器3、4、混频器5、6和低通滤波器7组成，其中混频器5或混频器6各由功率耦合器19、二极管D1、D2构成，混频器5、6入端20经电阻R1与功率耦合器19入端12连接，另入端21经电阻R2与功率耦合器19入端13连接，功率耦合器19出端14与二极管D1正极连接，另出端15与二极管D2负极连接，二极管D1负极、D2正极与电阻R3并接后接出端16、电阻R3另一端接地端。低通滤波器7由电感L1、L2、电容C1、C2、C3构成，低通滤波器7的入端17与电感L1、电容C1一端并接，电感L1另一端与电感L2、电容C2一端连接，电感L2另一端与电容C3并接后接出端18，电容C1、C2、C3另一端接地端。

发送本振频率入端9经隔离器1与混频器5入端20连接，接收本振频率入端10经隔离器2与混频器5入端21连接，混频器5出端16与低通滤波器7入端17连接，低通滤波器7出端18与混频器6入端20连接，中功放信号入端8经衰减器3与混频器6入端21连接，混频器6出端16经衰减器4与出端11连接。

并且本实用新型混频器5、6的功率耦合器19其线路形状图形结构光刻在陶瓷基片或聚四氟乙烯介质板、复合介质基片上，制成微带功率耦合器。低通滤波器7的电感L1、L2线圈匝数各为1至10匝，电容C1、C2、C3是分别用1至5毫米宽的铜材园环套装在直径为1至5毫米的聚四氟乙烯棒上制成半集中参数电容，在同一根聚四氟乙烯棒上的电容C1与C2之间，电容C2与C3之间分别绕制电感L1、L2。

本实用新型相比现有技术有如下优点：

1、设计线路简单，性能稳定可靠，在不需多做任何设备、不需任何微波仪器情况下能准确、迅速地检测通信设备工作正常与否。

2、检测方便、操作简便，只要直接与被测信号源连接不需调整就能完成测试工作，因此节省时间，节省人工，工作效率高。

3、结构简单，体积小，装调方便，并设计成无源装置，因此成本低廉，经济效益显著，便于推广应用。

4、本实用新型不仅可用于对流散射通信射频部分的自环检测，还可扩展用于微波通信，移动通信等领域的射频部分的自环检测，是通信领域中理想的自环检测装置。

以下结合附图对本实用新型作进一步详细描述。

图1是本实用新型的原理方框图。

图2是本实用新型混频5、6的一种实施例电原理结构示意图。

图3是本实用新型低通滤波器7的一种实施例电原理图。

参照图1、图2、图3，本实用新型由隔离器1、2、衰减器3、4、混频器5、6和低通滤波器7组成，其中混频器5或混频器6各由功率耦合器19、二极管D1、D2构成，混频器5、6入端20经电阻R1与功率耦合器19入端12连接，另入端21经电阻R2与功率耦合器19入端13连接，功率耦合器19出端14与二极管D1正极连接，另出端15与二极管D2负极连接，二极管D1负极、D2正极与电阻R3并接后接出端16，电阻R3另一端接地端。实施例频器5、6制作成微带平衡混频器，功率耦合器19其线路形状图形结构光刻在陶瓷基片或聚四氟乙烯介质板、复合介质基片上，制成微带功率耦合器，图2中功率耦合器19是其一种实施例线路形状结构示意图，实施例功率耦合器19光刻在一块厚1毫米、宽25毫米、长30毫米的陶瓷基片上，二极管D1、D2直接焊接在陶瓷基片上与功率耦合器19连接，电阻R1、R2、R3在陶瓷基片上设计成等效电阻与输入端20、21、输出端16连接，实施例二极管D1、D2采用市售的2H12型微带混频管器件，整个混频器5、6各装在一个宽26毫米、长31毫米、高10毫米的屏敝盒内，用电缆插座作输入端20、21、输出端16，制成一个独立的混频器部件，实施例电缆插座采用市售的SMA－JFD11型高频电缆插座。

低通滤波器7由电感L1、L2、电容C1、C2、C3构成，低通滤波器7的入端17与电感L1、电容C1一端并接，电感L1另一端与电感L2、电容C2一端连接，电感L2另一端与电容C3并接后接出端18，电容C1、C2、C3另一端接地端。低通滤波器7的电感L1、L2线圈匝数各为1至10匝，实施例用0.33毫米直径的漆包线绕制8匝制作而成。电容C1、C2、C3是分别用1至5毫米宽的铜材园环套装在直径为1至5毫米的聚四氟乙烯棒上制成半集中参数电容，实施例铜材园环的宽为3毫米，厚一般为0.5毫米，套装在直径为3毫米的聚四氟乙烯棒上，三个铜材园环之间间隔为10毫米，即为半集中参数电容C1、C2、C3、在同一根聚四氟乙烯棒上的电容C1与C2之间、电容C2与C3之间分别绕制电感L1、L2，构成低通滤波器7，整个低通滤波器7装配在直径为8毫米的金属屏敝园筒内，用电缆插头作其输入输出端17、18，同样制成一个独立的低通滤波器部件，实施例电缆插头采用市售的SMA－KFD5型高频电缆插头。

本实用新型隔离器1、2的作用是防止无用信号对发射本振信号和接收本振信号进行倒灌，影响接收机的噪声性能。实施例隔离器1、2采用市售西南应用磁学研究所生产的4、3至5GHZ同轴隔离器制作而成。低通滤波器7的作用是滤除无用的频率以防进入混频器6。衰减器3的作用是对来自中功放的信号进行衰减，以便适应于混频器6的工作电平。衰减器4的作用是对输出信号进行衰减，以免本实用新型输出信号太强使被测接收机饱和或烧毁，实施例衰减器3、4采用市售上海无线电26厂生产的工作频率为0至12.4GHZ TTS－3型同轴固定衰减器制作而成。

本实用新型制作成无源装置，其工作原理如下：把散射通信设备中来自发送本振的信号经发送本振频率入端9通过隔离器1进入混频器5，来自接收机本振的信号经接收本振频率入端10通过隔离器2进入混频器5，这两个信号在混频器5进行混频产生一个差频信号，这个差频信号经低通滤波器7滤波后进入混频器6，散射通信设备中来自中功放的信号经中功放信号入端8通过衰减器3也进入混频器6，这两个信号在混频器6中进行混频后同样产生一个差频信号，这个差频信号经衰减器4由出端11输入本散射通信设备端站被检测的接收机输入端，再送入本通信设备中的误码测量单元，这时测量单元的误码显示应为零，说明散射通信设备工作正常，如果测量单元的误码显示不为零有误码，则说明散射通信设备有故障。

本实用新型的安装结构如下：把隔离器1、2、衰减器3、4、混频器5、6、低通滤波器7所有部件用紧固件安装在长、宽、高为250毫米、134毫米、35毫米的机壳内，机壳可由铝板制成，各部件之间直接用SMA－JFD11型、SMA－KFD5型高频电缆插头插座连接。在机壳的高度侧面板上安装发送本振频率入端9、接收本振频率入端10、中功放信号入端8、出端11的电缆连接插座。实施例面板上的电缆插座采用市售L16型插座，各电缆插座机壳内部与各部件之间用电缆连接，各电缆插座外部用电缆线与被测通信设备对应的发送本振信号出端、接收本振信号出端、中功放信号出端和通信设备端站被测接收机输入端连接，即可进行自环检测。机壳高度另一侧面工上加一个挂勾，测试时把本实用新型挂在被测通信设备机箱上，不但体积小，而且使用方便。

Claims

1、一种由隔离器1、2、衰减器3、4组成的自环混频器装置，其特征在于还由混频器5、6和低通滤波器7组成，其中混频器5或混频器6各由功率耦合器19、二级管D1、D2构成，混频器5、6入端20经电阻R1与功率耦合器19入端12连接，另入端21经电阻R2与功率耦合器19入端13连接，功率耦合器19出端14与二级管D1正极连接，另出端15与二极管D2负极连接，二极管D1负极、D2正极与电阻R3并接后接出端16，电阻R3另一端接地端；低通滤波器7由电感L1、L2、电容C1、C2、C3构成，低通滤波器7的入端17与电感L1、电容C1一端并接，电感L1另一端与电感L2、电容C2一端连接，电感L2另一端与电容C3并接后接出端18，电容C1、C2、C3另一端接地端；

2、根据权利要求1所述的自环混频器装置，其特征在于混频器5、6的功率耦合器19其线路形状图形结构光刻在陶瓷基片或聚四氟乙烯介质板、复合介质基片上，制成微带功率耦合器。

3、根据权利要求1或2所述的自环混频器装置，其特征在于低通滤波器7的电感L1、L2线圈匝数各为1至10匝，电容C1、C2、C3是分别用1至5毫米宽的铜材园环套装在直径为1至5毫米的聚四氟乙烯棒上制成半集中参数电容，在同一根聚四氟乙烯棒上的电容C1与C2之间，电容C2与C3之间分别绕制电感L1、L2。