CN208508601U - 一种电能表用电源检测与切换装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于开关电源保护技术领域，涉及一种电能表用电源检测与切换装置，主体结构包括MCU芯片单元、辅助电源电路单元、主电源电路单元、停抄电池电路单元、时钟电池电路单元、DC/DC电路单元、假负载电路单元、一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元、一号P沟道MOSFET电路单元和二号P沟道MOSFET电路单元，电源检测通过上电检测一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元和DC/DC电路单元是否上电；MCU芯片单元检测一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元和DC/DC电路单元的电平高低；当主电源电路单元掉电时，电源自动切换到停抄电池电路单元，MCU芯片单元进入低功耗模式，当停抄电池电路单元没电时，电源自动切换到时钟电池电路单元供电。

Description

一种电能表用电源检测与切换装置

技术领域：

本实用新型属于开关电源保护技术领域，涉及一种电能表用电源检测与切换装置，为宽输入高可靠性能的开关电源方案提供了思路，适用于台区输入电压过高的三相表及终端场合。

背景技术：

电源是向电子设备提供功率的装置，也称电源供应器，电源功率的大小，常见的电源是干电池(直流电)与家用的110V-220V交流电源，电流和电压是否稳定，将直接影响电子设备的工作性能和使用寿命，对电源进行检测和切换十分有必要。中国专利201210079002.5公开的一种充电源检测切换装置，具有一第一输入端口与一第二输入端口，分别适于耦接一第一电压源与一第二电压源，该充电源检测切换装置包括：检测切换单元，耦接该第一输入端口与该第二输入端口，依据该第一电压源、第二电压源与该第一输入端口、第二输入端口的耦接情形输出该第一电压源与该第二电压源所提供的电压，其中该第一电压源的输出优先顺序高于该第二电压源；以及控制单元，耦接该检测切换单元，在该充电源检测切换装置处于快充模式时输出一快充控制信号，以控制该检测切换单元同时导通该第一电压源与该第二电压源的充电路径，其中该检测切换单元包括：一切换单元，耦接该第一输入端口与该第二输入端口，输出该第一电压源或该第二电压源所提供的电压，其中该切换单元包括：二极管，其阳极适于耦接该第一输入端口，该二极管的阴极耦接该充电源检测切换装置的输出；P型晶体管，其栅极与源极分别耦接该二极管的阳极与阴极，该P型晶体管的漏极耦接该第二输入端口；以及第一电阻，耦接在该P型晶体管的栅极与接地之间，其中该检测切换单元包括：检测单元，耦接该充电源检测切换装置的输出，检测该充电源检测切换装置的输出，并依据该充电源检测切换装置的输出产生一规格信号，其中该规格信号指示该充电源检测切换装置所输出的电压的规格；以及开关单元，耦接在该第二输入端口与该充电源检测切换装置的输出之间，该开关单元的导通状态受控于该控制单元，其中当该充电源检测切换装置处于快充模式时，该控制单元输出该快充控制信号以导通该开关单元，其中该开关单元为一晶体管，其中该检测单元包括：稳压器，耦接该充电源检测切换装置的输出，依据该充电源检测切换装置输出的电压产生一第一参考电压、一第二参考电压以及一第三参考电压；第二电阻；第三电阻；第四电阻；第五电阻，该第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻串接在该充电源检测切换装置的输出与接地之间；第一比较器，其正输入端耦接该第一参考电压，该第一比较器的负输入端耦接该第二电阻、第三电阻的共同接点；第二比较器，其正输入端耦接该第二参考电压，该第二比较器的负输入端耦接该第三电阻、第四电阻的共同接点；以及第三比较器，其正输入端耦接该第三参考电压，该第三比较器的负输入端耦接该第四电阻、第五电阻的共同接点，该第一比较器、第二比较器和第三比较器的输出端输出该规格信号，还包括：第一电压保护电路，耦接在该第一输入端口与该检测切换单元之间，判别该第一电压源所提供的电压是否落在一第一预设电压范围内，以决定是否将该第一电压源所提供的电压输出至该检测切换单元；以及第二电压保护电路，耦接在该第二输入端口与该检测切换单元之间，判别该第二电压源所提供的电压是否落在一第二预设电压范围内，以决定是否将该第二电压源所提供的电压输出至该检测切换单元，适用于一充电源检测切换装置，该充电源检测切换装置具有一第一输入端口与一第二输入端口，分别适于耦接一第一电压源与一第二电压源，该充电源检测切换方法包括：检测该第一电压源、第二电压源与该第一输入端口、第二输入端口的耦接情形；依据该第一电压源、第二电压源与该第一输入端口、第二输入端口的耦接情形输出该第一电压源与该第二电压源所提供的电压，其中该第一电压源的输出优先顺序高于该第二电压源；判断该充电源检测切换装置是否处于快充模式；以及若该充电源检测切换装置处于快充模式时，同时导通该第一电压源与该第二电压源的充电路径，还包括：检测该充电源检测切换装置的输出；以及依据该充电源检测切换装置的输出产生一规格信号，其中该规格信号指示该充电源检测切换装置所输出的电压的规格，还包括：检测与该第一输入端口、第二输入端口耦接的该第一电压源、第二电压源的电压规格是否落在其对应的预设电压范围内，以决定是否将该第一电压源、第二电压源做为充电电源；中国专利200610092593.4公开的一种具有有源负载检测功能的切换模式电源包括：切换单元，用于以由时间常数确定的频率来切换输入到变压元件的初级线圈的交流功率，并且向所述变压元件的次级线圈提供所切换的交流功率；分流单元，用于当从所述次级线圈输出的整流的电流或电压大于或小于基准值时，对从所述次级线圈输出的电流分流，并且向虚设电阻器提供分流电流；检测单元，用于检测流到所述虚设电阻器的所述分流电流；以及控制单元，用于通过根据所述检测单元所检测的分流电流来改变所述切换单元的时间常数，并且降低提供到所述变压元件的所述初级线圈的功率量，来控制切换频率；中国专利200710039492.5公开的一种双电源切换装置，由两台断路器、电动及手动操作机构、位置检测主令开关、控制器组成，还包括使用线性光电耦合器的电压检测电路，其特征在于：所述的使用线性光电耦合器的电压检测电路，还包括一个校正用的线性光电耦合器，两者具有相同的工作电流，所述的使用线性光电耦合器的电压检测电路合校正用的线性光电耦合器是这样组成的；检测电压的线性光电耦合器的输入端具有一个按常规设计的与发光管串接限流电阻，而它的输出端也皆有一个串接的限流电阻，限流电阻的上端连接于控制器的直流电源，线性光电耦合器的输出端还连接到微处理器的A/D1口用来读出检测电压，校正用的线性光电耦合器与检测电压的线性光电耦合器同样有分别串接于输入输出端的限流电阻，所不同的是输入端的限流电阻的上端连接于微处理器的D/A口，输出端的连接方法与检测电压的线性光电耦合器相同，只是连接线性光电耦合器的输出端连接到微处理器的A/D2口用来读出比较电压；中国专利00135708.5公开的一种切换型电源系统的轻负载检测方法，该切换型电源系统系包含第一绕组、第二绕组、第三绕组、及一个信号转换电路，第一绕组与第二绕组操作时，第三绕组电压与第二绕组的输出电压成比例，而在切换型电源系统操作时，切换型电源系统的一个检测电路的操作包含下列步骤：检测信号转换电路的电压变化；以及在信号转换电路的电压小於设定电压时，判定切换型电源系统处於轻负载状态。

因此，研发设计一种电能表用电源检测与切换装置，采用MOS管和TVS管组成防浪涌降压电路，以提高安全可靠性，具有良好的社会价值和经济效益，应用前景广阔。

发明内容：

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的缺点，设计一种电能表用电源检测与切换装置，实现解决变压器台区电压过高、现场电力负荷开关、雷击时产生的高浪涌电压和长时间高压输入导致开关电源损坏和爆裂的技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型涉及的电能表用电源检测与切换装置的主体结构包括MCU芯片单元、辅助电源电路单元、主电源电路单元、停抄电池电路单元、时钟电池电路单元、DC/DC电路单元、假负载电路单元、一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元、一号P沟道MOSFET电路单元和二号P沟道MOSFET电路单元；MCU芯片单元包括APWRCH端、VCC端、PWR-CH端、BT1TST端和RTCBATCHK端，辅助电源电路单元与一号电压检测电路单元串联后连接至MCU芯片单元的APWRCH端；主电源电路单元有两个分支，其中，一个分支与DC/DC电路单元串联后连接至MCU芯片单元的VCC端，另一个分支与二号电压检测电路单元串联后连接至MCU芯片单元的PWR-CH端；停抄电池电路单元有两个分支，一个分支与一号P沟道MOSFET电路单元串联后接入主电源电路单元，另一个分支直接与MCU芯片单元的BT1TST端连接；停抄电池电路单元与一号P沟道MOSFET电路单元连接，MCU芯片单元的BT1TST端还设置接有假负载电路单元，时钟电池电路单元有两个分支，其中，一个分支与二号P沟道MOSFET电路单元串联后接入主电源电路单元，另一个分支直接与MCU芯片单元的RTCBATCHK端连接；二号电压检测电路单元与二号P沟道MOSFET电路单元连接；各元件电信息连接构成电能表用电源检测与切换装置的主体电路结构。

本实用新型涉及的辅助电源电路单元包括电源输入AP_IN+；主电源电路单元包括电源输入V-24V；停抄电池电路单元包括电阻R48、电阻R54、电阻R66、电阻R50、电容C29、电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28和二极管D8，其中，电阻R50和电容C29组成滤波电路,电阻R48、电阻R54和电阻R66组成分压电路,电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，D8保护三极管Q7的发射极；时钟电池电路单元包括电池BAT1、电阻R56和电容C30；DC/DC电路单元包括电容C56、电容C57、电阻R91、芯片U10、电容C49、电阻R83、二极管D3、电感线圈L2、电阻R87、电阻R90、电容C26、电容C54和电容C55；假负载电路单元包括电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28、二极管D8，其中，电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，二极管D8是保护三极管Q7的发射极；一号电压检测电路单元包括电阻Rd1、电阻Rd2、电阻Rd3和电容Cd1，电阻Rd1和电阻Rd3组成分压电路，电阻Rd2与电容Cd1构成RC低通滤波电路；二号电压检测电路单元包括电阻R84、电阻R88、电阻R86、电容C38、电阻R79、电阻R80、电阻R81、三极管Q12、三极管Q13和电容C37，电阻R84和电阻R88组成分压电路，电阻R79、三极管Q12、电阻R80和三极管Q13组成两级放大电路，电阻R86与电容C38构成低通滤波电路；一号P沟道MOSFET电路单元包括二极管D15、三极管Q11、电阻R85、芯片U4、电容C27、电容C33、电池BAT2和D17；二号P沟道MOSFET电路单元包括电容C31、电容C32、三极管Q10、二极管D10和电阻R78。

本实用新型与现有技术相比，电源检测通过上电检测一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元和DC/DC电路单元是否上电；MCU芯片单元检测一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元和DC/DC电路单元的电平高低，检测到高电平，MCU芯片单元上电运行，检测到低电平时，MCU芯片单元进入低功耗，当主电源电路单元供电时，优先使用主电源电路单元；当主电源电路单元掉电时，电源自动切换到停抄电池电路单元，MCU芯片单元进入低功耗模式，当停抄电池电路单元没电时，电源自动切换到时钟电池电路单元供电，MCU芯片单元进入睡眠模式，停抄电池电路单元能够保证电阻RTC电路不断电；其整体结构简单，设计合理，检测与切换性能好，实用性和适用性强，使用环境友好。

附图说明：

图1为本实用新型的主体结构连接示意框图。

图2为本实用新型的电学原理结构示意图。

图3为本实用新型涉及的MCU芯片内部供电和切换原理示意图。

具体实施方式：

下面通过实施例并结合附图对本实用新型做进一步描述。

实施例：

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的主体结构包括MCU(微控制单元)芯片单元1、辅助电源电路单元2、主电源电路单元3、停抄电池电路单元4、时钟电池电路单元5、DC/DC电路单元6、假负载电路单元7、一号电压检测电路单元8、二号电压检测电路单元9、一号P沟道MOSFET电路单元10和二号P沟道MOSFET电路单元11；MCU芯片单元1包括APWRCH端、VCC端、PWR-CH端、BT1TST端和RTCBATCHK端，辅助电源电路单元2与一号电压检测电路单元8串联后连接至MCU芯片单元1的APWRCH端；主电源电路单元3有两个分支，其中，一个分支与DC/DC电路单元6串联后连接至MCU芯片单元1的VCC端，另一个分支与二号电压检测电路单元9串联后连接至MCU芯片单元1的PWR-CH端；停抄电池电路单元4有两个分支，一个分支与一号P沟道MOSFET电路单元10串联后接入主电源电路单元3，另一个分支直接与MCU芯片单元1的BT1TST端连接；停抄电池电路单元4与一号P沟道MOSFET电路单元10连接，MCU芯片单元1的BT1TST端还设置接有假负载电路单元7，时钟电池电路单元5有两个分支，其中，一个分支与二号P沟道MOSFET电路单元11串联后接入主电源电路单元3，另一个分支直接与MCU芯片单元1的RTCBATCHK端连接；二号电压检测电路单元9与二号P沟道MOSFET电路单元11连接；各元件电信息连接构成如图1所示的电能表用电源检测与切换装置的主体电路结构。

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的电路结构如图2所示：辅助电源电路单元2包括电源输入AP_IN+；主电源电路单元3包括电源输入V-24V；停抄电池电路单元4包括电阻R48、电阻R54、电阻R66、电阻R50、电容C29、电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28和二极管D8，其中，电阻R50和电容C29组成滤波电路,电阻R48、电阻R54和电阻R66组成分压电路,电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，D8保护三极管Q7的发射极；时钟电池电路单元5包括电池BAT1、电阻R56和电容C30；DC/DC电路单元6包括电容C56、电容C57、电阻R91、芯片U10、电容C49、电阻R83、二极管D3、电感线圈L2、电阻R87、电阻R90、电容C26、电容C54和电容C55；假负载电路单元7包括电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28、二极管D8，其中，电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，二极管D8是保护三极管Q7的发射极；一号电压检测电路单元8包括电阻Rd1、电阻Rd2、电阻Rd3和电容Cd1，电阻Rd1和电阻Rd3组成分压电路，电阻Rd2与电容Cd1构成RC低通滤波电路；二号电压检测电路单元9包括电阻R84、电阻R88、电阻R86、电容C38、电阻R79、电阻R80、电阻R81、三极管Q12、三极管Q13和电容C37，电阻R84和电阻R88组成分压电路，电阻R79、三极管Q12、电阻R80和三极管Q13组成两级放大电路，电阻R86与电容C38构成低通滤波电路；一号P沟道MOSFET电路单元10包括二极管D15、三极管Q11、电阻R85、芯片U4、电容C27、电容C33、电池BAT2和D17；二号P沟道MOSFET电路单元11包括电容C31、电容C32、三极管Q10、二极管D10和电阻R78。

本实施例涉及的MCU芯片单元1的内部供电和切换方式如图3所示：MCU芯片单元1的内部分有VCC与VRTC 2个电源域，MCU芯片单元1的外部有2个独立的供电引脚，其中，VCC供电容CPU部分，VRTC供RTC部分，包括32.768KHz晶体、TBS温度采样模块和温补分频电路；MCU芯片单元1供电电源VCC工作范围为2.0-5.5V，VCC由三路电源供电，分别为交流电整流降压、停抄电池和时钟电池，三路电源的切换由外部电路完成，保证在正常情况下VCC不断电；由于MCU芯片单元1的RTC时钟单独由VRTC电源供电，为了保证停电时钟不乱，减小时钟电池功耗，把VCC与VRTC直接连接在一起，交流电整流降压优先供电，其次停抄电池，最后由时钟电池供电；VRTC供RTC部分的电压高于1V时，计时；VRTC供RTC部分的电压低于或等于1V时，时间数据丢失；VRTC供RTC部分的电压高于2V时，在开启温度采样功能的条件下，温补功能正常；VRTC供RTC部分的电压在1-2V时，温度采样不准，温补功能失效，其误差为30s/d，极限情况下的误差为360s/d，作用是保证电能表时钟不乱。

本实施例涉及的停抄电池电路单元4的电压在最坏的情形时为：

由于MCU芯片单元1的ADC满量程为800mV，停抄电池电路单元4的电压满足要求；停抄电池电路单元4的截止频率f＝1/(2πRC)＝15.94KHz，满足要求；模块表与非模块表的掉电检测电压分别为：

基极-发射极饱和电压	典型值	最大值	单位
				IC＝10mADC，Ib＝1.0mADC	0.65	0.85	VdC(直流电压)

，5.6/56.6＝0.65/x，得到x＝6.57V，经检测，从高到低达到100V，电表检测到掉电状态；重新从低调高时，在126V达到上电状态；6.8/57.8＝0.65/y，得到y＝5.53V，经检测，从高到低可达到113V，电表检测到掉电状态；重新从低调高时，在127V达到上电状态；保证单相表在60％Un供电条件下，表计能正常工作、计量；当MCU芯片单元1提供的停抄电池是否有电的状态信号：PwRBatChk为高电平时，说明停抄电池电路单元4的电压高于4.8V，当MCU芯片单元1提供的停抄电池是否有电的状态信号：PwRBatChk为低电平时，视为停抄电池电路单元4无电。

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的工作原理和过程为：LVDIN0在低电平情况下，MCU芯片单元1处理接口配置并进入低功耗模式，当市电220V供电时，采用4V供电，通过二极管M7得到VCC和V-YJ，三极管Q10和三极管Q11均不工作；当市电220V不供电时，切换为停抄电池电路单元4供电，型号为S-1206的芯片U4选用3.6V，MCU芯片单元1进入低功耗状态，三极管Q10不工作，三极管Q11工作；当停抄电池没电时，切换为时钟电池电路单元5供电，MCU芯片单元1进入能保证表内实时时钟准确的睡眠状态，三极管Q10工作，三极管Q11不工作；利用电阻R84和电阻R88的分压信号控制三极管Q12的通断实现对MP_IN+电压上电和掉电的监测；当分压后电压高于三极管Q12的VBE电压时，三极管Q12导通，当分压后电压低于或等于三极管Q12的VBE电压时，三极管Q12截止，电阻R86与电容C38构成低通滤波电路，减少MP_IN+电源的干扰；三极管Q13能够提高输出信号的边沿变化率，并对监测信号反向，通过电阻R84和电阻R88阻值的分配，MP_IN+高于6.5V时，PO电阻R呈高电平，MP_IN+低于或等于6.5V时，PO电阻R呈低电平；电阻R85为阻值为2.4兆欧姆的下拉电阻，能够减少电路的漏电流。

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的供电次序为：第一优先级别供电电源为辅助电源电路单元2，由辅助电源电路单元2自主实现，实现的方法是辅助电源电路单元2的输出电压比线性电源整流获得的电压高，电源功率主要从辅助电源电路单元2输出；另外辅助电源电路单元2供电时，提供给MCU芯片单元1的辅助电源电路单元2供电的逻辑信：APwRChk为高电平，否则为低电平；第二优先级别供电电源为主电源电路单元3，辅助电源电路单元2停电情况下，电源将自动切换到主电源电路单元3供电，由主电源电路单元3自主实现，辅助电源电路单元2或者主电源电路单元3供电时，会提供给MCU芯片单元1一个非电池供电的信号：LVDIN0，辅助电源电路单元2或者主电源电路单元3供电情况下，LVDIN0为高电平，辅助电源电路单元2或者主电源电路单元3均停电的情况下，LVDIN0为低电平，当LVDIN0为高电平时，MCU芯片单元1工作在全速模式下，正常接受并处理一切事件；第三优先级别供电电源为外接可更换6V一次性电池的停抄电池电路单元4，在辅助电源电路单元2或者主电源电路单元3均停止供电情况下，电源将自动切换到停抄电池电路单元4供电，MCU芯片单元1进入低功耗模式，此时，LVDIN0为低电平。

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的电源检测通过上电检测一号电压检测电路单元8、二号电压检测电路单元9和DC/DC电路单元6是否上电，MCU芯片单元1检测一号电压检测电路单元8、二号电压检测电路单元9和DC/DC电路单元6的电平高低，检测到高电平，MCU芯片单元1上电运行，检测到低电平，MCU芯片单元1进入低功耗。

本实施例涉及的电能表用电源检测与切换装置的电源切换模式为：当主电源电路单元3供电时，优先使用主电源电路单元3，当主电源电路单元3掉电时，电源自动切换到停抄电池电路单元4，MCU芯片单元1进入低功耗模式；当停抄电池电路单元4没电时，电源自动切换到时钟电池电路单元5供电，MCU芯片单元1进入睡眠模式，停抄电池电路单元4能够保证RTC电路不断电。

Claims (2)

1.一种电能表用电源检测与切换装置，其特征在于主体结构包括MCU芯片单元、辅助电源电路单元、主电源电路单元、停抄电池电路单元、时钟电池电路单元、DC/DC电路单元、假负载电路单元、一号电压检测电路单元、二号电压检测电路单元、一号P沟道MOSFET电路单元和二号P沟道MOSFET电路单元；MCU芯片单元包括APWRCH端、VCC端、PWR-CH端、BT1TST端和RTCBATCHK端，辅助电源电路单元与一号电压检测电路单元串联后连接至MCU芯片单元的APWRCH端；主电源电路单元有两个分支，其中，一个分支与DC/DC电路单元串联后连接至MCU芯片单元的VCC端，另一个分支与二号电压检测电路单元串联后连接至MCU芯片单元的PWR-CH端；停抄电池电路单元有两个分支，一个分支与一号P沟道MOSFET电路单元串联后接入主电源电路单元，另一个分支直接与MCU芯片单元的BT1TST端连接；停抄电池电路单元与一号P沟道MOSFET电路单元连接，MCU芯片单元的BT1TST端还设置接有假负载电路单元，时钟电池电路单元有两个分支，其中，一个分支与二号P沟道MOSFET电路单元串联后接入主电源电路单元，另一个分支直接与MCU芯片单元的RTCBAT CHK端连接；二号电压检测电路单元与二号P沟道MOSFET电路单元连接；各元件电信息连接构成电能表用电源检测与切换装置的主体电路结构。

2.根据权利要求1所述的电能表用电源检测与切换装置，其特征在于辅助电源电路单元包括电源输入AP_IN+；主电源电路单元包括电源输入V-24V；停抄电池电路单元包括电阻R48、电阻R54、电阻R66、电阻R50、电容C29、电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28和二极管D8，其中，电阻R50和电容C29组成滤波电路,电阻R48、电阻R54和电阻R66组成分压电路,电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，D8保护三极管Q7的发射极；时钟电池电路单元包括电池BAT1、电阻R56和电容C30；DC/DC电路单元包括电容C56、电容C57、电阻R91、芯片U10、电容C49、电阻R83、二极管D3、电感线圈L2、电阻R87、电阻R90、电容C26、电容C54和电容C55；假负载电路单元包括电阻R47、三极管Q7、电阻R52、电阻R55、电容C28、二极管D8，其中，电阻R52和电阻R55是三极管Q7的偏置电阻，6V电池通过电阻R47给三极管Q7的集电极供电，二极管D8是保护三极管Q7的发射极；一号电压检测电路单元包括电阻Rd1、电阻Rd2、电阻Rd3和电容Cd1，电阻Rd1和电阻Rd3组成分压电路，电阻Rd2与电容Cd1构成RC低通滤波电路；二号电压检测电路单元包括电阻R84、电阻R88、电阻R86、电容C38、电阻R79、电阻R80、电阻R81、三极管Q12、三极管Q13和电容C37，电阻R84和电阻R88组成分压电路，电阻R79、三极管Q12、电阻R80和三极管Q13组成两级放大电路，电阻R86与电容C38构成低通滤波电路；一号P沟道MOSFET电路单元包括二极管D15、三极管Q11、电阻R85、芯片U4、电容C27、电容C33、电池BAT2和D17；二号P沟道MOSFET电路单元包括电容C31、电容C32、三极管Q10、二极管D10和电阻R78。