CN208488962U - 一种像素电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种像素电路及显示装置，所述像素电路包括像素单元，所述像素单元包括：工作电流生成模块，具有栅极电压端，所述工作电流生成模块适于根据所述栅极电压端的电压生成工作电流；发光控制模块，与所述工作电流生成模块串联，所述发光控制模块适于根据发光控制信号控制是否将所述工作电流提供至发光器件；驱动控制电路，所述驱动控制电路包括：数据电流模块，适于提供数据电流，并将所述数据电流接入所述栅极电压端；电流调变模块，适于根据所述工作电流的电流值控制是否向所述栅极电压端接入补偿电流。本实用新型技术方案可以在电流型像素电路中快速建立用于生成发光器件的工作电流的电压。

Description

一种像素电路及显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种像素电路及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是将电能直接转换成光能的全固体器件，因其具有薄而轻、高对比度、快速响应、宽视角、宽工作温度范围等优点而引起业内的极大关注，被认为是新一代显示器件。要真正实现其大规模产业化，必须提高器件的发光效率和稳定性，设计有效的像素电路。
现有的像素电路通常分为电压型像素电路和电流型像素电路，对于电流型像素电路来说，其能够有效补偿驱动晶体管的阈值电压漂移和沟道迁移率，但是电流型像素电路存在驱动晶体管的栅极电压建立时间过慢的问题，导致在一行像素的微秒级的扫描时间内，驱动晶体管的栅极电压不能快速跟随数据电流信号，这会影响像素电路中发光器件的工作电流的建立。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是如何在电流型像素电路中快速建立用于生成发光器件的工作电流的电压。
为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种像素电路，包括：像素单元，所述像素单元包括：工作电流生成模块，具有栅极电压端，所述工作电流生成模块适于根据所述栅极电压端的电压生成工作电流；发光控制模块，与所述工作电流生成模块串联，所述发光控制模块适于根据发光控制信号控制是否将所述工作电流提供至发光器件；驱动控制电路，所述驱动控制电路包括：数据电流模块，适于提供数据电流，并将所述数据电流接入所述栅极电压端；电流调变模块，适于根据所述工作电流的电流值控制是否向所述栅极电压端接入补偿电流。
可选的，所述工作电流生成模块包括：驱动模块，所述驱动模块的控制端经由第一选通模块连接所述栅极电压端，适于根据所述控制端的电压生成工作电流，所述第一选通模块在第一选通控制信号的控制下导通或关断；第二选通模块，所述驱动模块的输出端经由所述第二选通模块连接所述栅极电压端，所述第二选通模块在第二选通控制信号的控制下导通或关断；电压保持模块，所述电压保持模块用于在所述第一选通模块关断时保持所述驱动模块的控制端的电压。
可选的，所述驱动模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的源极与供电电源连接，所述第一晶体管的栅极为所述驱动模块的控制端，所述第一晶体管的漏极为所述驱动模块的输出端。
可选的，所述第一选通模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接收所述第一选通控制信号，所述第二晶体管的源极与所述驱动模块的控制端连接，所述第二晶体管的漏极与所述栅极电压端连接。
可选的，所述第二选通模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接收所述第二选通控制信号，所述第三晶体管的漏极与所述栅极电压端连接，所述第三晶体管的源极与所述驱动模块的输出端连接。
可选的，所述电压保持模块包括电容，所述电容的第一极板与所述驱动模块的控制端连接，所述电容的第二极板连接参考电压端。
可选的，所述发光控制模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极接收所述发光控制信号，所述第四晶体管的漏极与所述工作电流生成模块的输出端连接，所述第四晶体管的源极与所述发光器件连接。
可选的，所述数据电流模块连接数据电压端，所述数据电流模块适于根据所述数据电压端的数据电压生成所述数据电流，或者，所述数据电流模块从外部接收所述数据电流并将其接入所述栅极电压端。
可选的，所述数据电流模块包括：运算放大器，所述运算放大器的第一输入端连接所述数据电压端；第五晶体管，所述第五晶体管的漏极连接所述运算放大器的第二输入端，所述第五晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第五晶体管的源极与供电电源连接，所述第五晶体管的漏极输出所述数据电流；第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第五晶体管的漏极，所述第一电阻的第二端接地。
可选的，所述数据电流模块还包括：电流复制模块，所述电流复制模块适于对所述数据电流进行镜像，并接入所述栅极电压端。
可选的，所述电流复制模块包括：第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第六晶体管的源极连接供电电源；第七晶体管，所述第七晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第七晶体管的漏极连接所述第七晶体管的栅极，所述第七晶体管的源极接地；第八晶体管，所述第八晶体管的栅极连接所述第七晶体管的栅极，所述第八晶体管的源极接地，所述第八晶体管的漏极连接所述栅极电压端。
可选的，所述电流调变模块包括：第一电流镜像模块，适于镜像所述工作电流生成模块的工作电流，得到镜像电流；补偿电流生成模块，适于生成所述补偿电流；比较模块，适于比较所述数据电流与镜像电流，并根据比较结果确定是否将所述补偿电流接入所述栅极电压端。
可选的，所述第一电流镜像模块包括：第九晶体管，所述第九晶体管的栅极连接所述栅极电压端，所述第九晶体管的源极连接所述供电电源；第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述第九晶体管的漏极，所述第二电阻的第二端接地。
可选的，所述补偿电流生成模块包括第二电流镜像模块，适于对所述数据电流进行镜像，以得到所述补偿电流。
可选的，所述比较模块包括：比较器，所述比较器的第一输入端接收第一电压，所述比较器的第二输入端接收第二电压，所述比较器的输出端输出开关控制信号，所述第一电压由所述镜像电流转化得到，所述第二电压由所述数据电流转化得到；选通开关，所述选通开关的输入端接收所述补偿电流，所述选通开关的输出端连接所述栅极电压端，所述选通开关的控制端接收所述开关控制信号。
可选的，所述像素电路还包括：第十晶体管，所述第十晶体管的栅极接收复位控制信号，所述第十晶体管的源极接收复位电压，所述第十晶体管的漏极连接所述发光器件的阳极。
可选的，所述补偿电流与数据电流的电流方向相同或相反。
为解决上述技术问题，本实用新型实施例还公开了一种显示装置，其包括前述的像素电路。
与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下有益效果：
本实用新型技术方案的像素电路包括像素单元，所述像素单元包括：工作电流生成模块，具有栅极电压端，所述工作电流生成模块适于根据所述栅极电压端的电压生成工作电流；发光控制模块，与所述工作电流生成模块串联，所述发光控制模块适于根据发光控制信号控制是否将所述工作电流提供至发光器件；所述像素电路还包括驱动控制电路，所述驱动控制电路包括：数据电流模块，适于提供数据电流，并将所述数据电流接入所述栅极电压端；电流调变模块，适于根据所述工作电流的电流值控制是否向所述栅极电压端接入补偿电流。由此，在工作电流的电流值较小时，可以通过数据电流和补偿电流的共同作用，快速建立栅极电压端的电压。
进一步，本实用新型技术方案的像素电路中的比较模块包括：比较器，所述比较器的第一输入端接收第一电压，所述比较器的第二输入端接收第二电压，所述比较器的输出端输出选通控制信号，所述第一电压由所述镜像电流转化得到，所述第二电压由所述数据电流转化得到；选通开关，所述选通开关的输入端接收所述补偿电流，所述选通开关的输出端连接所述栅极电压端，所述选通开关的控制端接收所述选通控制信号。由此，将电流信号转化为电压信号进行比较，简化了比较电路的结构，有效节约了器件成本。
进一步，本实用新型技术方案的像素电路还包括第十晶体管，所述第十晶体管的栅极接收复位控制信号，所述第十晶体管的源极接收复位电压，所述第十晶体管的漏极连接所述发光器件的阳极。由此，可以在上一帧信号显示结束后对像素电路的发光器件进行复位，有效降低了上一帧信号对下一帧信号的影响。
进一步，本实用新型技术方案的像素电路还包括数据电流模块，所述数据电流模块包括：运算放大器，所述运算放大器的第一输入端连接所述数据电压端；第五晶体管，所述第五晶体管的漏极连接所述运算放大器的第二输入端，所述第五晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第五晶体管的源极与供电电源连接，所述第五晶体管的漏极输出所述数据电流；第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第五晶体管的漏极，所述第一电阻的第二端接地。由此，通过运算放大器接收数据电压，并通过运算放大器的负反馈环减少数据电压抖动的影响，从而可以使得输出的数据电流更加稳定。
附图说明
图1是现有技术中一种像素电路的结构示意图；
图2是现有技术中一种像素电路的工作时序图；
图3是本实用新型实施例一种像素电路的结构示意图；
图4是本实用新型实施例一种像素电路的工作时序图；
图5是本实用新型实施例另一种像素电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对现有技术以及本实用新型的具体实施例做详细的说明。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。
图1是现有技术中的一种像素电路的结构示意图。图2是现有技术中的一种像素电路的工作时序图。
请参考图1、图2，现有技术中的像素电路包括第一晶体管P1、第二晶体管P2、第三晶体管P3、第四晶体管P4、电容Cst以及发光器件OLED，其中，第一晶体管P1的源极连接供电电源ELVDD，第一晶体管P1的漏极连接第四晶体管P4的漏极，第四晶体管P4的源极连接发光器件OLED的阳极，发光器件OLED的阴极接地ELVSS，电容Cst的第一极板与第一晶体管P1的栅极连接，电容Cst的第二极板与参考电压端REF连接。
在复位阶段，发光器件OLED的阳极接收复位电压(未图示)，完成对发光器件OLED的复位，以消除上一帧信号对下一帧信号的影响。
在写数据阶段，设置选通控制信号WS为低电平，发光控制信号EMIT为高电平。栅极电压端g’接收数据电流I_DATA，第一晶体管P1的栅极通过第二晶体管P2连接栅极电压端g’。此时，由于第二晶体管P2、第三晶体管P3导通，第四晶体管P4关断，第一晶体管P1的栅极电压Vg与栅极电压端g’的电压Vg’相等，第一晶体管P1的漏极电压与第一晶体管P1的栅极电压Vg相等，则第一晶体管P1的连接方式等同于二极管的连接方式。如果时间充足，则数据电流I_DATA将会把栅极电压端g’的电压Vg’下拉到与所述数据电流I_DATA对应的电压，也就是说，第一晶体管P1的栅极电压Vg也被下拉到与所述数据电流I_DATA对应的电压。
随后，设置选通控制信号WS为高电平，第二晶体管P2关断，所述第一晶体管P1的栅极电压Vg由电容Cst保持。
在发光阶段，设置选通控制信号WS为高电平，发光控制信号EMIT为低电平，则所述第二晶体管P2、第三晶体管P3关断，第四晶体管P4导通，由电容Cst保持的所述第一晶体管P1的栅极电压Vg所对应的工作电流流向发光器件OLED，发光器件OLED发光。
在写数据阶段中，由于一行像素通常只有微秒级的扫描时间，也就是说，在每次写入数据时，第二晶体管P2、第三晶体管P3的开通时间也只有数微秒，在这数微秒的工作时间内，数据电流I_DATA可能无法完全将栅极电压端g’的电压Vg’下拉到与所述数据电流I_DATA对应的电压，也无法将第一晶体管P1的栅极电压Vg下拉到与所述数据电流I_DATA对应的电压，这就导致在后续的发光阶段中，发光器件OLED的亮度并不是数据电流I_DATA所对应的亮度。
本实用新型技术方案在像素电路中设置驱动控制电路，所述驱动控制电路可以包括：数据电流模块，适于提供数据电流，并将所述数据电流接入所述栅极电压端；电流调变模块，适于根据所述工作电流的电流值控制是否向所述栅极电压端接入补偿电流。由此，可以通过数据电流和补偿电流的共同作用，快速建立栅极电压端的电压。
图3是本实用新型实施例一种像素电路的结构示意图。
参考图3，所述像素电路可以包括：像素单元和驱动控制电路。其中，所述像素单元可以包括：工作电流生成模块1，具有栅极电压端g’，所述工作电流生成模块1适于根据所述栅极电压端g’的电压生成工作电流I_OLED；发光控制模块2，与所述工作电流生成模块1串联，所述发光控制模块2适于根据发光控制信号EMIT控制是否将所述工作电流I_OLED提供至发光器件OLED。所述驱动控制电路可以包括：数据电流模块4，适于提供数据电流I_DATA，并将所述数据电流I_DATA接入所述栅极电压端g’；电流调变模块5，适于根据所述工作电流I_OLED的电流值控制是否向所述栅极电压端g’接入补偿电流。
本实施例中，所述栅极电压端g’可以是像素单元与整个像素电路中其他部件进行信号交互的连接端口。
进一步地，所述补偿电流与数据电流I_DATA的电流方向可以相同或相反。
具体地，当数据电流I_DATA较小时，所述补偿电流可以与数据电流I_DATA的方向相同，在检测到工作电流I_OLED较小时，补偿电流可以与数据电流I_DATA一并被提供，在检测到工作电流I_OLED增大到足够大时，仅数据电流I_DATA被提供而补偿电流被关断；当数据电流I_DATA较大时，所述补偿电流可以与数据电流I_DATA的方向相反，在检测到工作电流I_OLED较小时，仅数据电流I_DATA被提供而补偿电流被关断，在检测到工作电流I_OLED较大时，补偿电流可以与数据电流I_DATA一并被提供。由此，使得在工作电流I_OLED增大到足够大之前，栅极电压端g’接收的电流较大；工作电流I_OLED足够大之后，栅极电压端g’接收的电流变小。
进一步地，所述数据电流模块4可以将所述数据电流I_DATA直接接入所述栅极电压端g’，也可以对所述数据电流I_DATA进行镜像，再将镜像之后的电流接入所述栅极电压端g’。
具体地，所述发光控制信号EMIT可以是电平信号，例如：发光控制信号EMIT为低电平时，可以控制发光控制模块2开始工作；发光控制信号EMIT为高电平时，可以控制发光控制模块2不工作。
具体地，所述发光器件OLED可以是发光二极管。所述发光二极管的阳极可以与发光控制模块连接，所述发光二极管的阴极可以接地ELVSS。
更具体地，所述发光二极管可以是有机电致发光二极管。
需要说明的是，本实用新型实施例的像素电路可以用于为各种发光器件供电，本实用新型实施例对发光器件OLED的类型不做限制。
进一步地，所述工作电流生成模块1可以包括：驱动模块103，所述驱动模块103的控制端经由第一选通模块101连接所述栅极电压端g’，适于根据所述控制端的电压生成工作电流I_OLED，所述第一选通模块101在第一选通控制信号WS1的控制下导通或关断；第二选通模块104，所述驱动模块103的输出端经由所述第二选通模块104连接所述栅极电压端g’，所述第二选通模块104在第二选通控制信号WS2的控制下导通或关断；电压保持模块102，所述电压保持模块102用于在所述第一选通模块101关断时保持所述驱动模块103的控制端的电压。
进一步地，所述驱动模块103可以包括第一晶体管P1，所述第一晶体管P1的源极与供电电源ELVDD连接，所述第一晶体管P1的栅极为所述驱动模块103的控制端，所述第一晶体管P1的漏极为所述驱动模块103的输出端。
进一步地，所述第一选通模块101可以包括第二晶体管P2，所述第二晶体管P2的栅极接收所述第一选通控制信号WS1，所述第二晶体管P2的源极与所述驱动模块103的控制端连接，所述第二晶体管P2的漏极与所述栅极电压端g’连接。所述第二选通模块104可以包括第三晶体管P3，所述第三晶体管P3的栅极接收所述第二选通控制信号WS2，所述第三晶体管P3的漏极与所述栅极电压端g’连接，所述第三晶体管P3的源极与所述驱动模块103的输出端连接。
具体地，所述第一选通控制信号WS1和第二选通控制信号WS2可以是电平信号，例如：第一选通控制信号WS1和/或第二选通控制信号WS2为低电平时，可以控制第二晶体管P2和/或第三晶体管P3导通；第一选通控制信号WS1和/或第二选通控制信号WS2为高电平时，可以控制第二晶体管P2和/或第三晶体管P3关断。
进一步地，所述电压保持模块102可以包括电容Cst，所述电容Cst的第一极板与所述驱动模块103的控制端连接，所述电容Cst的第二极板连接参考电压端REF。在所述驱动模块103的控制端电压建立完成之后，所述电容Cst可以保持所述驱动模块103的控制端电压。
进一步地，所述参考电压端REF接收的参考电压VREF可以是直流(DC)电压也可以是交流(AC)电压。
更进一步地，所述参考电压VREF可以是固定电压值的电压，也可以是电压值可调的电压，以适应不同型号和体积的发光器件OLED的发光需求，本领域技术人员可以根据具体需求和应用场合而适应性的设置参考电压VREF的电压值，本实用新型实施例对此不做限制。
进一步地，所述发光控制模块2可以包括第四晶体管P4，所述第四晶体管P4的栅极接收所述发光控制信号EMIT，所述第四晶体管P4的漏极与所述工作电流生成模块1的输出端连接，所述第四晶体管P4的源极与所述发光器件OLED连接。
具体地，所述工作电流生成模块1的输出端就是输出工作电流I_OLED的端口。所述工作电流I_OLED从工作电流生成模块1的输出端流出后，可以经过第四晶体管P4流入发光器件OLED。
具体地，所述发光控制信号EMIT可以是电平信号，例如：发光控制信号EMIT为低电平时，可以控制第四晶体管P4导通；发光控制信号EMIT为高电平时，可以控制第四晶体管P4关断。
在一个非限制性的例子中，所述数据电流模块4可以从外部接收所述数据电流I_DATA并将其接入所述栅极电压端g’。所述数据电流模块4可以对外部直接提供的数据电流I_DATA进行滤波，以减少数据电流I_DATA中的电流纹波。
在另一个非限制性的例子中，所述数据电流模块4可以连接数据电压端V’，所述数据电流模块4适于根据所述数据电压端V’的数据电压V_DATA生成所述数据电流I_DATA。之后，都将以数据电流模块4根据所述数据电压端V’的数据电压V_DATA生成所述数据电流I_DATA为例进行详细说明。
具体地，所述数据电压端V’的数据电压V_DATA可以是固定电压值的电压，也可以是电压值可调的电压，以适应不同型号和体积的发光器件OLED的发光需求。本领域技术人员可以根据具体需求和应用场合而适应性的设置数据电压V_DATA的电压值，本实用新型实施例对此不做限制。
更进一步地，数据电流模块4可以包括：运算放大器402，所述运算放大器402的第一输入端连接所述数据电压端V’；第五晶体管P5，所述第五晶体管P5的漏极连接所述运算放大器402的第二输入端，所述第五晶体管P5的栅极连接所述运算放大器402的输出端，所述第五晶体管P5的源极与供电电源ELVDD连接，所述第五晶体管P5的漏极输出所述数据电流I_DATA；第一电阻R1，所述第一电阻R1的第一端连接所述第五晶体管P5的漏极，所述第一电阻R1的第二端接地ELVSS。
具体地，所述运算放大器402的第一输入端可以为负输入端，所述运算放大器402的第二输入端可以为正输入端；所述第一电阻R1可以为固定电阻或可变电阻，其阻值大小可以根据具体应用场合来进行设置。
进一步地，所述数据电流模块4还可以包括：电流复制模块401，所述电流复制模块401适于对所述数据电流I_DATA进行镜像，并接入所述栅极电压端g’。
本实施例中，对数据电流I_DATA的镜像可以是对数据电流值的单倍镜像，也可以是对数据电流值的其他合理倍数的镜像。通过单倍镜像得到的电流值可以与数据电流值相等，通过其他合理倍数的镜像得到的电流值可以是与数据电流值成任意比例。
进一步地，所述电流复制模块401可以包括：第六晶体管P6，所述第六晶体管P6的栅极连接所述运算放大器402的输出端，所述第六晶体管P6的源极连接供电电源ELVDD；第七晶体管N1，所述第七晶体管N1的漏极连接所述第六晶体管P6的漏极，所述第七晶体管N1的漏极连接所述第七晶体管N1的栅极，所述第七晶体管N1的源极接地ELVSS；第八晶体管N2，所述第八晶体管N2的栅极连接所述第七晶体管N1的栅极，所述第八晶体管N2的源极接地ELVSS，所述第八晶体管N2的漏极连接所述栅极电压端g’。
进一步地，所述电流调变模块5可以包括：第一电流镜像模块501，适于镜像所述工作电流生成模块1的工作电流I_OLED，得到镜像电流I_OLED’；补偿电流生成模块503，适于生成所述补偿电流；比较模块502，适于比较所述数据电流I_DATA与镜像电流I_OLED’，并根据比较结果确定是否将所述补偿电流接入所述栅极电压端g’。
具体地，所述第一电流镜像模块501可以包括：第九晶体管P9，所述第九晶体管P9的栅极连接所述栅极电压端g’，所述第九晶体管P9的源极连接供电电源ELVDD；第二电阻R2，所述第二电阻R2的第一端连接所述第九晶体管P9的漏极，所述第二电阻R2的第二端接地ELVSS。
本实施例中，所述第二电阻R2可以为固定电阻或可变电阻，其阻值大小可以根据具体应用场合来进行设置。
具体地，所述补偿电流生成模块503可以包括第二电流镜像模块，适于对所述数据电流I_DATA进行镜像，以得到所述补偿电流。
本实施例中，所述第二电流镜像模块可以包括并联的多个晶体管N_par，所述并联的多个晶体管N_par可以实现对数据电流值的多倍镜像。
具体地，所述比较模块502可以包括：比较器，所述比较器的第一输入端接收第一电压，所述比较器的第二输入端接收第二电压，所述比较器的输出端输出开关控制信号V_S，所述第一电压由所述镜像电流I_OLED’转化得到，所述第二电压由所述数据电流I_DATA转化得到；选通开关S，所述选通开关S的输入端接收所述补偿电流，所述选通开关S的输出端连接所述栅极电压端g’，所述选通开关S的控制端接收所述开关控制信号V_S。
具体地，所述比较器可以是滞回比较器。
进一步地，所述像素电路还可以包括：复位模块3，所述复位模块3可以包括第十晶体管P10，所述第十晶体管P10的栅极接收复位控制信号CT，所述第十晶体管P10的源极接收复位电压Vf，所述第十晶体管P10的漏极连接所述发光器件OLED的阳极。
具体地，所述复位控制信号CT可以是电平信号，例如：复位控制信号CT为低电平时，可以控制第十晶体管P10导通；复位控制信号CT为高电平时，可以控制第十晶体管P10关断。
进一步地，所述复位电压Vf可以小于发光器件OLED的开启电压，从而保证发光器件OLED在复位阶段不会被误开启。
在一个非限制性的实施方式中，所述像素电路的工作阶段可以包括三个主要阶段，下面结合图3和图4对所述像素电路工作过程进行详细说明。其中，图4是本实用新型实施例的一种像素电路的工作时序图。
在复位阶段，设置第一选通控制信号WS1为低电平，第二选通控制信号WS2为低电平，发光控制信号EMIT为低电平，复位控制信号CT为低电平。
在复位阶段，第二晶体管P2、第三晶体管P3、第四晶体管P4、第十晶体管P10导通。由于第二晶体管P2、第三晶体管P3导通，则第一晶体管P1的栅极、第一晶体管P1漏极都连接在栅极电压端g’，此时，第一晶体管P1相当于电路中的二极管。由于第十晶体管P10导通，发光器件OLED的阳极接收复位电压Vf，也就是说，发光器件OLED的阳极电压V0等于复位电压Vf。可以设置复位电压Vf小于发光器件OLED的开启电压，则发光器件OLED在复位阶段不发光。
复位操作可以消除上一帧像素的显示状态对下一帧像素的显示状态造成的影响。
在写数据阶段，设置第一选通控制信号WS1为低电平，第二选通控制信号WS2为低电平，发光控制信号EMIT为高电平，复位控制信号CT为高电平。
在写数据阶段，第二晶体管P2、第三晶体管P3导通，第四晶体管P4关断，第十晶体管P10关断。由于第一晶体管P1和第九晶体管P9的栅极都与栅极电压端g’连接，第一晶体管P1和第九晶体管P9的源极都与供电电源ELVDD连接，则第九晶体管P9可以镜像第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED，得到镜像电流I_OLED’，所述镜像电流I_OLED’流过第二电阻R2。
数据电压端V’的数据电压V_DATA经由运算放大器402、第五晶体管P5转变为数据电流I_DATA，所述数据电流I_DATA流过第一电阻R1。
在本实施例中，可以设置第一电阻R1的阻值等于第二电阻R2的阻值。
由于比较器的正输入端连接第一电阻R1的第一端，则比较器的正输端接收第一电压，第一电压的电压值为I_DATA×R1。由于比较器的负输入端连接第二电阻R2的第一端，则比较器的负输入端接收第二电压，第二电压的电压值为I_OLED’×R2。像素电路刚转入写数据阶段时，数据电流I_DATA大于镜像电流I_OLED’。在第一电阻R1的阻值与第二电阻R2的阻值相等的情况下，第一电压大于第二电压，比较器输出高电平，此高电平作为选通开关S的开关控制信号V_S，控制选通开关S闭合，将补偿电流接入所述栅极电压端g’。其中，所述补偿电流是经过第二电流镜像模块对所述数据电流I_DATA进行镜像得到的。在一个非限制性的实施方式中，第二电流镜像模块可以包括k个并联的晶体管N_par，则补偿电流的电流值就是I_DATA×k。
此时，由于所述电流复制模块401将数据电流I_DATA以单倍镜像之后也接入所述栅极电压端g’，则栅极电压端g’接收的下拉电流为补偿电流与数据电流的叠加，即I_DATA×(k+1)，叠加之后的电流可以快速对栅极电压端g’放电。
随着栅极电压端g’不断放电，第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED增大，则镜像电流I_OLED’跟随工作电流I_OLED的增大而增大，所述第二电压也相应增大。当第二电压等于第一电压时，比较器的输出端发生电平跳转，输出低电平，此低电平作为选通开关S的开关控制信号V_S，控制选通开关S断开，阻止补偿电流继续接入所述栅极电压端g’。此时，第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED对应于数据电流模块4产生的数据电流I_DATA。也就是说，数据电流I_DATA对发光器件OLED亮度的控制转变为第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED对发光器件OLED亮度的控制。
在发光阶段，设置第一选通控制信号WS1为高电平，第二选通控制信号WS2为高电平，发光控制信号EMIT为低电平，复位控制信号CT为高电平。
在发光阶段，第二晶体管P2、第三晶体管P3、第十晶体管P10关断，第四晶体管P4导通。由于第二晶体管P2关断，第一晶体管P1的栅极电压Vg被电容Cst保持。由于第四晶体管P4导通，则第一晶体管P1的栅极电压Vg所对应的工作电流I_OLED便会通过第四晶体管P4流向发光器件OLED，驱动发光器件OLED发光，由于此时的工作电流I_OLED对应于所述数据电流I_DATA，因此，发光器件的发光亮度其实是由数据电流I_DATA决定的。
图5是本实用新型实施例的另一种像素电路的结构示意图。
请参见图5，在另一个非限制性的实施方式中，所述像素电路可以包括像素单元以及驱动控制电路。其中，所述像素单元的结构与工作原理可参见图3、图4中关于像素电路的描述，像素电路的复位阶段以及发光阶段同样可以参见图3、图4中的相关描述，在此不再赘述。下面仅对写数据阶段中，对栅极电压端g’的电压Vg’进行放电的过程进行详细说明。
图5中用于提供补偿电流的补偿电流生成模块503可以包括第二电流镜像模块。所述第二镜像模块可以包括k个并联晶体管P_par，所述k个并联晶体管P_par的栅极与运算放大器402的输出端连接，所述k个并联晶体管P_par的源极与供电电源ELVDD连接，所述k个并联晶体管P_par的漏极连接选通开关S的输入端，所述选通开关S的输出端连接所述栅极电压端g’，所述选通开关S的控制端接收开关控制信号V_S。此时，补偿电流为上拉电流，其电流值为I_DATA×k。
在写数据阶段，设置第一选通控制信号WS1为低电平，第二选通控制信号WS2为低电平，发光控制信号EMIT为高电平，复位控制信号CT为高电平。
在写数据阶段，第二晶体管P2、第三晶体管P3导通，第四晶体管P4关断，第十晶体管P10关断。由于第一晶体管P1和第九晶体管P9的栅极都与栅极电压端g’连接，第一晶体管P1和第九晶体管P9的源极都与供电电源ELVSS连接，则第九晶体管P9可以镜像第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED，得到镜像电流I_OLED’，所述镜像电流I_OLED’流过第二电阻R2。
数据电压端V’的数据电压V_DATA经由运算放大器402、第五晶体管P5转变为数据电流I_DATA，数据电流I_DATA流过第一电阻R1。
在本实施例中，可以设置第一电阻R1的阻值等于第二电阻R2的阻值。
由于比较器的负输入端连接第一电阻R1的第一端，则比较器的负输入端接收第一电压，第一电压的电压值为I_DATA×R1。由于比较器的正输入端连接第二电阻R2的第一端，则比较器的正输入端接收第二电压，第二电压的电压值为I_OLED’×R2。像素电路刚转入写数据阶段时，数据电流I_DATA大于镜像电流I_OLED’。在第一电阻R1的阻值与第二电阻R2的阻值相等的情况下，第一电压大于第二电压，比较器输出低电平，此低电平作为选通开关S的开关控制信号V_S，控制选通开关S断开，阻止补偿电流接入所述栅极电压端g’。此时，栅极电压端g’只接收由所述电流复制模块401将数据电流I_DATA进行多倍镜像之后的电流。例如，若多倍镜像的倍数为(k+1)，则栅极电压端g’接收的下拉电流为I_DATA×(k+1)，可以快速对栅极电压端g’放电。
随着栅极电压端g’不断放电，第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED增大，则镜像电流I_OLED’跟随工作电流I_OLED的增大而增大，所述第二电压也相应增大。当第二电压等于第一电压时，比较器的输出端发生电平跳转，输出高电平，此高电平作为选通开关S的开关控制信号V_S，控制选通开关S闭合，补偿电流I_DATA×k作为上拉电流，可以部分抵消下拉电流I_DATA×(k+1)。
此时，第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED对应于所述数据电流模块4产生的数据电流I_DATA。也就是说，数据电流I_DATA对发光器件OLED亮度的控制转变为第一晶体管P1产生的工作电流I_OLED对发光器件OLED亮度的控制。
进一步地，本实用新型实施例还公开了一种显示装置，其包括前述的像素电路。进一步而言，该像素电路可以是图3、图5示出的任一种像素电路，或者在图3、图5的相关描述中提及的任一种像素电路。
具体地，所述显示装置可以是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场致发射显示器(FED)、电致发光显示器(ECD)、电致变色显示器(ECD)、激光显示器(LPD)等。
所述显示装置利用前述的像素电路进行显示以及亮度补偿的详细过程说明可以参见上述图3-5所示实施例中的像素电路的相关描述，在此不再赘述。
需要说明的是，本申请文件中的“高电平”和“低电平”的电压值并不做具体限定，只要高电平的电压值高于低电平的电压值即可。例如，高电平的电压值能够被识别为逻辑1，而低电平的电压值能够被识别为逻辑0。
虽然本实用新型披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：
像素单元，所述像素单元包括：
工作电流生成模块，具有栅极电压端，所述工作电流生成模块适于根据所述栅极电压端的电压生成工作电流；
发光控制模块，与所述工作电流生成模块串联，所述发光控制模块适于根据发光控制信号控制是否将所述工作电流提供至发光器件；
驱动控制电路，所述驱动控制电路包括：
数据电流模块，适于提供数据电流，并将所述数据电流接入所述栅极电压端；
电流调变模块，适于根据所述工作电流的电流值控制是否向所述栅极电压端接入补偿电流。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述工作电流生成模块包括：
驱动模块，所述驱动模块的控制端经由第一选通模块连接所述栅极电压端，适于根据所述控制端的电压生成工作电流，所述第一选通模块在第一选通控制信号的控制下导通或关断；
第二选通模块，所述驱动模块的输出端经由所述第二选通模块连接所述栅极电压端，所述第二选通模块在第二选通控制信号的控制下导通或关断；
电压保持模块，所述电压保持模块用于在所述第一选通模块关断时保持所述驱动模块的控制端的电压。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的源极与供电电源连接，所述第一晶体管的栅极为所述驱动模块的控制端，所述第一晶体管的漏极为所述驱动模块的输出端。
4.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第一选通模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接收所述第一选通控制信号，所述第二晶体管的源极与所述驱动模块的控制端连接，所述第二晶体管的漏极与所述栅极电压端连接。
5.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第二选通模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接收所述第二选通控制信号，所述第三晶体管的漏极与所述栅极电压端连接，所述第三晶体管的源极与所述驱动模块的输出端连接。
6.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述电压保持模块包括电容，所述电容的第一极板与所述驱动模块的控制端连接，所述电容的第二极板连接参考电压端。
7.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光控制模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极接收所述发光控制信号，所述第四晶体管的漏极与所述工作电流生成模块的输出端连接，所述第四晶体管的源极与所述发光器件连接。
8.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述数据电流模块连接数据电压端，所述数据电流模块适于根据所述数据电压端的数据电压生成所述数据电流，或者，所述数据电流模块从外部接收所述数据电流并将其接入所述栅极电压端。
9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述数据电流模块包括：
运算放大器，所述运算放大器的第一输入端连接所述数据电压端；
第五晶体管，所述第五晶体管的漏极连接所述运算放大器的第二输入端，所述第五晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第五晶体管的源极与供电电源连接，所述第五晶体管的漏极输出所述数据电流；
第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第五晶体管的漏极，所述第一电阻的第二端接地。
10.根据权利要求9所述的像素电路，其特征在于，所述数据电流模块还包括：
电流复制模块，所述电流复制模块适于对所述数据电流进行镜像，并接入所述栅极电压端。
11.根据权利要求10所述的像素电路，其特征在于，所述电流复制模块包括：
第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第六晶体管的源极连接供电电源；
第七晶体管，所述第七晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第七晶体管的漏极连接所述第七晶体管的栅极，所述第七晶体管的源极接地；
第八晶体管，所述第八晶体管的栅极连接所述第七晶体管的栅极，所述第八晶体管的源极接地，所述第八晶体管的漏极连接所述栅极电压端。
12.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述电流调变模块包括：
第一电流镜像模块，适于镜像所述工作电流生成模块的工作电流，得到镜像电流；
补偿电流生成模块，适于生成所述补偿电流；
比较模块，适于比较所述数据电流与镜像电流，并根据比较结果确定是否将所述补偿电流接入所述栅极电压端。
13.根据权利要求12所述的像素电路，其特征在于，所述第一电流镜像模块包括：
第九晶体管，所述第九晶体管的栅极连接所述栅极电压端，所述第九晶体管的源极连接供电电源；
第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述第九晶体管的漏极，所述第二电阻的第二端接地。
14.根据权利要求12所述的像素电路，其特征在于，所述补偿电流生成模块包括第二电流镜像模块，适于对所述数据电流进行镜像，以得到所述补偿电流。
15.根据权利要求12所述的像素电路，其特征在于，所述比较模块包括：
比较器，所述比较器的第一输入端接收第一电压，所述比较器的第二输入端接收第二电压，所述比较器的输出端输出开关控制信号，所述第一电压由所述镜像电流转化得到，所述第二电压由所述数据电流转化得到；
选通开关，所述选通开关的输入端接收所述补偿电流，所述选通开关的输出端连接所述栅极电压端，所述选通开关的控制端接收所述开关控制信号。
16.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：第十晶体管，所述第十晶体管的栅极接收复位控制信号，所述第十晶体管的源极接收复位电压，所述第十晶体管的漏极连接所述发光器件的阳极。
17.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述补偿电流与数据电流的电流方向相同或相反。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-17任一项所述的像素电路。
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