CN208478535U - 一种新型 tm介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构 - Google Patents
一种新型 tm介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开一种新型TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，包括有基座、金属谐振器、TM介质谐振器以及耦合调谐螺杆；该金属谐振器和TM介质谐振器间隔设置于基座上，基座上设置有主耦合窗口和副耦合窗口，该主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同并且均位于金属谐振器和TM介质谐振器之间；该耦合调谐螺杆设置于基座上并位于主耦合窗口的侧旁。通过设置主耦合窗口和副耦合窗口，并配合主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同，无需采用耦合连接片，实现相同的功能，利于降低材料成本，不存在装配难度问题，并且调试难度极大降低。
Description
技术领域
本实用新型涉及耦合领域技术，尤其是指一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构。
背景技术
现有技术中，TM介质与金属混合滤波器其交叉耦合普遍采用耦合连接片的方式，由于需要使用到耦合连接片，使得材料成本提高，并且耦合连接片加工和装配工艺难度大，同时调试时间长，导致人力成本提高。因此，有必要对目前的TM介质与金属混合滤波器进行改进。
发明内容
有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，其能有效解决现有之TM介质与金属混合滤波器装配调试困难并且成本高的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，包括有基座、金属谐振器、TM介质谐振器以及耦合调谐螺杆；该金属谐振器和TM介质谐振器间隔设置于基座上，基座上设置有主耦合窗口和副耦合窗口，该主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同并且均位于金属谐振器和TM介质谐振器之间；该耦合调谐螺杆设置于基座上并位于主耦合窗口的侧旁。
优选的，所述金属谐振器为两个，该TM介质谐振器为一个，两金属谐振器和一TM介质谐振器呈三角排布，该TM介质谐振器与每一金属谐振器之间均设置有前述主耦合窗口和副耦合窗口，且TM介质谐振器与每一金属谐振器之间以及两金属谐振器之间均设置有前述耦合调谐螺杆。
优选的，所述基座的中部开设有三角形通槽，其中一耦合调谐螺杆位于三角形通槽的侧旁，另一耦合调谐螺杆位于基座的侧缘，再一耦合调谐螺杆位于两金属谐振器之间。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
通过设置主耦合窗口和副耦合窗口，并配合主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同，无需采用耦合连接片，实现相同的功能，利于降低材料成本，不存在装配难度问题，并且调试难度极大降低。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型之较佳实施例的结构示意图。
附图标识说明。
10、基座 11、主耦合窗口
12、副耦合窗口 13、三角形通槽
20、金属谐振器 30、TM介质谐振器
40、耦合调谐螺杆。
具体实施方式
请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有基座10、金属谐振器20、TM介质谐振器30以及耦合调谐螺杆40。
该金属谐振器20和TM介质谐振器30间隔设置于基座10上，基座10上设置有主耦合窗口11和副耦合窗口12，该主耦合窗口11和副耦合窗口12的方向不同并且均位于金属谐振器20和TM介质谐振器30之间。
该耦合调谐螺杆40设置于基座10上并位于主耦合窗口11的侧旁。
在本实施例中，所述金属谐振器20为两个，该TM介质谐振器30为一个，两金属谐振器20和一TM介质谐振器30呈三角排布，该TM介质谐振器30与每一金属谐振器20之间均设置有前述主耦合窗口11和副耦合窗口12，且TM介质谐振器30与每一金属谐振器20之间以及两金属谐振器20之间均设置有前述耦合调谐螺杆40。以及，所述基座10的中部开设有三角形通槽13，其中一耦合调谐螺杆40位于三角形通槽13的侧旁，另一耦合调谐螺杆40位于基座10的侧缘，再一耦合调谐螺杆40位于两金属谐振器20之间。
详述本实施例的工作原理如下：
通过设置主耦合窗口11和副耦合窗口12，主耦合窗口11和副耦合窗口12的方向和结构不同，使得金属谐振器20和TM介质谐振器30之间产生电磁耦合效应，替代传统之采用耦合连接片切割磁场产生电磁耦合效应的方式，通过耦合调谐螺杆40的长度，可满足不同大小的电磁耦合值。
本实用新型的设计重点是：通过设置主耦合窗口和副耦合窗口，并配合主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同，无需采用耦合连接片，实现相同的功能，利于降低材料成本，不存在装配难度问题，并且调试难度极大降低。
以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，其特征在于：包括有基座、金属谐振器、TM介质谐振器以及耦合调谐螺杆；该金属谐振器和TM介质谐振器间隔设置于基座上，基座上设置有主耦合窗口和副耦合窗口，该主耦合窗口和副耦合窗口的方向不同并且均位于金属谐振器和TM介质谐振器之间；该耦合调谐螺杆设置于基座上并位于主耦合窗口的侧旁。
2.如权利要求1所述的一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，其特征在于：所述金属谐振器为两个，该TM介质谐振器为一个，两金属谐振器和一TM介质谐振器呈三角排布，该TM介质谐振器与每一金属谐振器之间均设置有前述主耦合窗口和副耦合窗口，且TM介质谐振器与每一金属谐振器之间以及两金属谐振器之间均设置有前述耦合调谐螺杆。
3.如权利要求2所述的一种新型 TM介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构，其特征在于：所述基座的中部开设有三角形通槽，其中一耦合调谐螺杆位于三角形通槽的侧旁，另一耦合调谐螺杆位于基座的侧缘，再一耦合调谐螺杆位于两金属谐振器之间。
Priority Applications (1)
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| CN201821285819.7U CN208478535U (zh) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 一种新型 tm介质与金属混合滤波器的交叉耦合结构 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110233318A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-13 | 重庆思睿创瓷电科技有限公司 | 一种改善滤波器谐波性能的耦合结构及滤波器 |
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2018
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