CN208421582U - 花卉种植滴灌电路装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种花卉种植滴灌电路装置，其包括电容C1（1）、电阻R1（2）、湿敏电阻RH1（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、比较器U2（6）、电阻R4（7）、与门U1（8）、电阻R5（9）、光电隔离器U3（10）、电阻R（11）、电解电容C2（12）、负温度系数热敏电阻RT1（13）、可调电阻RV1（14）、NPN三极管Q1（15）、继电器RL1（16）、N沟道MOSFET Q2（17）、电阻R7（18）。本实用新型使用湿敏电阻RH1（3）为核心搭建桥式电路，保证了花卉缺水时会在温度较低的晚上或傍晚自动进行浇水，这样既保证了花卉不会因为缺水而死亡，也保证了不会浇水过度泡烂了根，同时也保证了不会在气温很高的中午浇水导致花卉娇嫩的根部受到损害，做到了自动科学地浇水。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种花卉种植滴灌电路装置。
背景技术
目前，花卉养殖是一种费时、费力的技术性种植活动，其中浇水环节很关键，人工浇水费时费力，还是时常有这样那样的人为错误导致花卉减产甚至死亡，使用花卉自动滴灌系统往往投资大，让中小种植户望而却步，市场急需一种简单可靠成本低的解决方案。
实用新型内容
本实用新型为了解决上述问题，提供了一种花卉种植滴灌电路装置。该电路以湿敏电阻为核心搭建桥式电路，只有当湿度较低且温度也较低（可以调节可变电阻调节浇水温度）时才自动进行浇水，保证了花卉缺水时会在温度较低的晚上或傍晚自动进行浇水，这样既保证了花卉不会因为缺水而死亡，也保证了不会浇水过度泡烂了根，同时也保证了不会在气温很高的中午浇水导致花卉娇嫩的根部受到损害，真正做到了自动科学地浇水，能提高花卉种植成活率10%以上，同时因为使用的都是普通电子元器件成本极低适宜普及性推广使用。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：其包括电容C1（1）、电阻R1（2）、湿敏电阻RH1（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、比较器U2（6）、电阻R4（7）、与门U1（8）、电阻R5（9）、光电隔离器U3（10）、电阻R6（11）、电解电容C2（12）、负温度系数热敏电阻RT1（13）、可调电阻RV1（14）、NPN三极管Q1（15）、继电器RL1（16）、N沟道MOSFET Q2（17）、电阻R7（18）。所述比较器U2（6）引脚4接+5伏电源，比较器U2（6）引脚11接地，比较器U2（6）引脚3接电阻R1（2）下端和电阻R2（4）上端，比较器U2（6）引脚2接电阻R3（5）上端和湿敏电阻RH1（3）下端，比较器U2（6）引脚1接与门U1（8）引脚1；所述+5伏电源接电阻R1（2）上端和湿敏电阻RH1（3）上端；所述与门U1（8）引脚2电阻R4（7）右端和NPN三极管Q1（15）集电极，与门U1（8）引脚3接电阻R5（9）左端；所述光电隔离器U3（10）引脚1接电阻R5（9）右端，光电隔离器U3（10）引脚2接地，光电隔离器U3（10）引脚3接电阻R6（11）左端，光电隔离器U3（10）引脚4接电阻R7（18）上端和N沟道MOSFET Q2（17）控制栅极；所述N沟道MOSFET Q2（17）源极接继电器RL1（16）初级输入端，N沟道MOSFET Q2（17）漏极接+12V直流电源和电阻R6（11）右端；所述继电器RL1（16）初级输出端接地和电阻R7（18）下端，继电器RL1（16）输出端上端接+24V直流电源，继电器RL1（16）输出端下端接抽水泵正极输入端；所述NPN三极管Q1（15）基极接可调电阻RV1（14）上端和负温度系数热敏电阻RT1（13）下端，NPN三极管Q1（15）发射极接地；所述+5V直流电源接电解电容C2（12）正极、电阻R4（7）左端和负温度系数热敏电阻RT1（13）上端；所述电解电容C2（12）负极和可调电阻RV1（14）下端接地。
进一步地，所述比较器U2（6）引脚4接+5伏电源，比较器U2（6）引脚11接地，比较器U2（6）引脚3接电阻R1（2）下端和电阻R2（4）上端，比较器U2（6）引脚2接电阻R3（5）上端和湿敏电阻RH1（3）下端，比较器U2（6）引脚1接与门U1（8）引脚1；所述+5伏电源接电阻R1（2）上端和湿敏电阻RH1（3）上端；所述与门U1（8）引脚2电阻R4（7）右端和NPN三极管Q1（15）集电极，与门U1（8）引脚3接电阻R5（9）左端；所述光电隔离器U3（10）引脚1接电阻R5（9）右端，光电隔离器U3（10）引脚2接地，光电隔离器U3（10）引脚3接电阻R6（11）左端，光电隔离器U3（10）引脚4接电阻R7（18）上端和N沟道MOSFET Q2（17）控制栅极；所述N沟道MOSFET Q2（17）源极接继电器RL1（16）初级输入端，N沟道MOSFET Q2（17）漏极接+12V直流电源和电阻R6（11）右端；所述继电器RL1（16）初级输出端接地和电阻R7（18）下端，继电器RL1（16）输出端上端接+24V直流电源，继电器RL1（16）输出端下端接抽水泵正极输入端；所述NPN三极管Q1（15）基极接可调电阻RV1（14）上端和负温度系数热敏电阻RT1（13）下端，NPN三极管Q1（15）发射极接地；所述+5V直流电源接电解电容C2（12）正极、电阻R4（7）左端和负温度系数热敏电阻RT1（13）上端；所述电解电容C2（12）负极和可调电阻RV1（14）下端接地。
引脚8接地，U2A（12）引脚1接R5（7）下端与8051单片机GPIO口。
所述湿敏电阻RH1（3）的型号为CHT。
所述比较器U2（6）的型号为LM324。
所述光电隔离器U3（10）的型号为MOC2023。
所述负温度系数热敏电阻RT1（13）的型号为TFPT0805L8200。
所述N沟道MOSFET Q2（17）的型号为IRF5808TR。
所述NPN三极管Q1（15）的型号为2N711。
本实用新型具有以下有益效果：本实用新型通过定湿定温浇水真正做到了自动科学地浇水，能提高花卉种植成活率10%以上，同时因为使用的都是普通电子元器件成本极低适宜普及性推广使用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，花卉种植滴灌电路装置包括电容C1（1）、电阻R1（2）、湿敏电阻RH1（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、比较器U2（6）、电阻R4（7）、与门U1（8）、电阻R5（9）、光电隔离器U3（10）、电阻R6（11）、电解电容C2（12）、负温度系数热敏电阻RT1（13）、可调电阻RV1（14）、NPN三极管Q1（15）、继电器RL1（16）、N沟道MOSFET Q2（17）、电阻R7（18）。所述比较器U2（6）引脚4接+5伏电源，比较器U2（6）引脚11接地，比较器U2（6）引脚3接电阻R1（2）下端和电阻R2（4）上端，比较器U2（6）引脚2接电阻R3（5）上端和湿敏电阻RH1（3）下端，比较器U2（6）引脚1接与门U1（8）引脚1；所述+5伏电源接电阻R1（2）上端和湿敏电阻RH1（3）上端；所述与门U1（8）引脚2电阻R4（7）右端和NPN三极管Q1（15）集电极，与门U1（8）引脚3接电阻R5（9）左端；所述光电隔离器U3（10）引脚1接电阻R5（9）右端，光电隔离器U3（10）引脚2接地，光电隔离器U3（10）引脚3接电阻R6（11）左端，光电隔离器U3（10）引脚4接电阻R7（18）上端和N沟道MOSFET Q2（17）控制栅极；所述N沟道MOSFET Q2（17）源极接继电器RL1（16）初级输入端，N沟道MOSFET Q2（17）漏极接+12V直流电源和电阻R6（11）右端；所述继电器RL1（16）初级输出端接地和电阻R7（18）下端，继电器RL1（16）输出端上端接+24V直流电源，继电器RL1（16）输出端下端接抽水泵正极输入端；所述NPN三极管Q1（15）基极接可调电阻RV1（14）上端和负温度系数热敏电阻RT1（13）下端，NPN三极管Q1（15）发射极接地；所述+5V直流电源接电解电容C2（12）正极、电阻R4（7）左端和负温度系数热敏电阻RT1（13）上端；所述电解电容C2（12）负极和可调电阻RV1（14）下端接地。所述湿敏电阻RH1（3）的型号为CHT。所述比较器U2（6）的型号为LM324。所述光电隔离器U3（10）的型号为MOC2023。所述负温度系数热敏电阻RT1（13）的型号为TFPT0805L8200。所述N沟道MOSFET Q2（17）的型号为IRF5808TR。所述NPN三极管Q1（15）的型号为2N711。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：包括电容C1（1）、电阻R1（2）、湿敏电阻RH1（3）、电阻R2（4）、电阻R3（5）、比较器U2（6）、电阻R4（7）、与门U1（8）、电阻R5（9）、光电隔离器U3（10）、电阻R6（11）、电解电容C2（12）、负温度系数热敏电阻RT1（13）、可调电阻RV1（14）、NPN三极管Q1（15）、继电器RL1（16）、N沟道MOSFET Q2（17）、电阻R7（18）；所述电容C1（1）正极接+5伏电源，电容C1（1）负极接地；所述比较器U2（6）引脚4接+5伏电源，比较器U2（6）引脚11接地，比较器U2（6）引脚3接电阻R1（2）下端和电阻R2（4）上端，比较器U2（6）引脚2接电阻R3（5）上端和湿敏电阻RH1（3）下端，比较器U2（6）引脚1接与门U1（8）引脚1；所述+5伏电源接电阻R1（2）上端和湿敏电阻RH1（3）上端；所述与门U1（8）引脚2电阻R4（7）右端和NPN三极管Q1（15）集电极，与门U1（8）引脚3接电阻R5（9）左端；所述光电隔离器U3（10）引脚1接电阻R5（9）右端，光电隔离器U3（10）引脚2接地，光电隔离器U3（10）引脚3接电阻R6（11）左端，光电隔离器U3（10）引脚4接电阻R7（18）上端和N沟道MOSFET Q2（17）控制栅极；所述N沟道MOSFET Q2（17）源极接继电器RL1（16）初级输入端，N沟道MOSFET Q2（17）漏极接+12V直流电源和电阻R6（11）右端；所述继电器RL1（16）初级输出端接地和电阻R7（18）下端，继电器RL1（16）输出端上端接+24V直流电源，继电器RL1（16）输出端下端接抽水泵正极输入端；所述NPN三极管Q1（15）基极接可调电阻RV1（14）上端和负温度系数热敏电阻RT1（13）下端，NPN三极管Q1（15）发射极接地；所述+5V直流电源接电解电容C2（12）正极、电阻R4（7）左端和负温度系数热敏电阻RT1（13）上端；所述电解电容C2（12）负极和可调电阻RV1（14）下端接地。
2.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述湿敏电阻RH1（3）的型号为CHT。
3.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述比较器U2（6）的型号为LM324。
4.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述光电隔离器U3（10）的型号为MOC2023。
5.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述负温度系数热敏电阻RT1（13）的型号为TFPT0805L8200。
6.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述N沟道MOSFET Q2（17）的型号为IRF5808TR。
7.根据权利要求1所述的花卉种植滴灌电路装置，其特征在于：所述NPN三极管Q1（15）的型号为2N1711。
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| CN108572598A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-09-25 | 昆明理工大学津桥学院 | 花卉种植滴灌电路装置 |
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| CN108572598B (zh) * | 2018-06-06 | 2023-12-19 | 昆明理工大学津桥学院 | 花卉种植滴灌电路装置 |
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