CN208368508U - 阵列基板、显示面板和显示设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种阵列基板、显示面板和显示设备。其中，阵列基板包括基板本体，基板本体上设有显示区以及围绕显示区的虚拟像素区；虚拟像素区的像素坑密度大于显示区的像素坑密度。通过提高虚拟像素区像素坑的密度来增大虚拟像素区的溶剂量，减小覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区的面积，实现面板显示区面积的增大，有利于窄边框显示面板设计与实现。

Description

阵列基板、显示面板和显示设备

技术领域

本实用新型涉及面板技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板和显示设备。

背景技术

印刷工艺制备的显示面板，墨水需要通过VCD(Vacuum Dry Unit，真空干燥单元)工艺进行干燥，但VCD工艺并不能保证整个大板的干燥均匀性，往往存在边缘效应。传统技术一般会在显示区周围均匀设置一圈虚拟像素区，可作为干燥缓冲区，提高显示区的成膜均匀性。

然而，随着高端显示面板的需求增长，尤其是窄边框显示面板的需求增长，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统的虚拟像素区的设计不利于窄边框显示面板的需求。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的虚拟像素区的设计不利于窄边框显示面板的问题，提供一种阵列基板、显示面板和显示设备。

为了实现上述目的，一方面，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，其特征在于，包括基板本体；

基板本体上设有显示区以及围绕显示区的虚拟像素区；

虚拟像素区以第一分布密度设有各第一像素坑；显示区以第二分布密度设有各第二像素坑；

第一分布密度大于第二分布密度。

在其中一个实施例中，各第一像素坑阵列分布于虚拟像素区上；各第二像素坑阵列分布于显示区上。

在其中一个实施例中，多个第一像素坑沿第一方向、以第一间距间隔设置，配合形成第一像素行；多个第一像素行沿第二方向、以第二间距间隔设置，配合形成第一像素阵列；

多个第二像素坑沿第三方向、以第三间距间隔设置，配合形成第二像素行；多个第二像素行且沿第四方向、以第四间距间隔设置，配合形成第二像素阵列。

在其中一个实施例中，第一方向垂直于第二方向；所第三方向垂直于第四方向。

在其中一个实施例中，第一间距小于第三间距；第二间距小于第四间距。

在其中一个实施例中，第三间距和第四间距均大于10微米。

在其中一个实施例中，第一间距和第二间距均小于10微米。

在其中一个实施例中，第一像素坑的形状为圆角矩形；第二像素坑的形状为圆角矩形。

另一方面，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括如上述的阵列基板。

在其中一个实施例中，提供了一种显示设备，包括显示面板；

显示面板包括如上述的阵列基板。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

阵列基板包括基板本体，基板本体上设有显示区以及围绕显示区的虚拟像素区；虚拟像素区的像素坑密度大于显示区的像素坑密度。通过提高虚拟像素区像素坑的密度来增大虚拟像素区的溶剂量，减小覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区的面积，实现面板显示区面积的增大，有利于窄边框显示面板设计与实现。

附图说明

通过附图中所示的本实用新型的优选实施例的更具体说明，本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。

图1为传统显示区与虚拟像素区的结构示意图；

图2为一个实施例中阵列基板的第一示意性结构图；

图3为一个实施例中阵列基板的虚拟像素区的结构示意图；

图4为一个实施例中阵列基板的显示区的结构示意图；

图5为一个实施例中阵列基板的第二示意性结构图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，是目前显示器件研究的两个主要方向。采用溶液加工制作OLED以及QLED显示器，具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。

传统的打印制程中，如图1所示，图1为传统显示区与虚拟像素区的结构示意图，通过虚拟像素区110覆盖真空干燥产生的边缘效应区，从而保证显示区120内pixel(像素)的薄膜均匀性。边缘效应区主要是由于VCD工艺中，整个面板的边缘区的墨水溶剂挥发环境不同于中间区造成的。由于边缘区的饱和蒸气压偏低，造成该区域的墨水溶剂挥发相对中间区要快，会形成一定的咖啡环现象，从而导致边缘一定范围内的薄膜不均匀，这就是所谓的边缘效应区。虚拟像素区110不含发光单元，虚拟像素区110的墨水的不均匀不会影响整体的发光效果。虚拟像素区110和显示区120中的像素坑分布完全一致，进行相同的打印条件打印，通过虚拟像素区110覆盖边缘效应区，可保证显示区120的均匀性。

随着窄边框显示面板的需求增长，面板印刷需缩小虚拟像素区的面积，即，减小VCD干燥工艺区的边缘效应区。为此，本实用新型实施例提供一种阵列基本，通过在虚拟像素区与显示区的pixel间距进行不同的设计，具体的，虚拟像素区的像素坑间距比显示区的像素坑间距更小。因为虚拟像素区不需要考虑bridging，像素坑之间的间距可以无限小。基于以上结构，虚拟像素区的像素单元间距小于显示区的像素间距，虚拟像素区的像素单元密度大于显示区的像素单元密度，从而在相同的面积内可以容纳更多的pixel，进而增大虚拟像素区的溶剂量，印刷制程中面板覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区面积减小。

在一个实施例中，一种阵列基板，如图2所示，图2为一个实施例中阵列基板的第一示意性结构图，包括基板本体200；

基板本体200上设有显示区210以及围绕显示区210的虚拟像素区220；

虚拟像素区220以第一分布密度设有各第一像素坑222；显示区210以第二分布密度设有各第二像素坑212。

第一分布密度大于第二分布密度。

具体而言，阵列基本本体200上划分有显示区210，以及围绕显示区210边缘设置的虚拟像素区220；其中，虚拟像素区220设有各第一像素坑222，各第一像素坑222以第一分布密度分布于虚拟像素区220上；显示区210设有各第二像素坑212，各第二像素坑212以第二分布密度分布于显示区210上。

需要说明的是，第一像素坑和第二像素坑可为形状、尺寸和性质相同的像素坑单元。

第一分布密度可为单位面积的虚拟像素区中，包括的第一像素坑的数量；第二分布密度可为同样单位面积的显示区中，包括的第二像素坑的数量；上述的第一像素坑的数量大于第二像素坑的数量。

像素坑可为规则分布或不规则分布，只需满足在虚拟像素区上的分布密度大于在显示区上的分布密度即可。

本实用新型实施例增大虚拟像素区上像素坑的分布密度，相应的pixel数目就会增大，对应的墨水溶剂量就会增大。当覆盖真空干燥所需的墨水溶剂量或者pixel数目固定时，增加虚拟像素区像素坑的分布密度，可相应地减小覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区的面积，实现显示区面积的增大，有利于窄边框显示面板设计。

在一个实施例中，如图3、4所示，图3为一个实施例中阵列基板的虚拟像素区的结构示意图，图4为一个实施例中阵列基板的显示区的结构示意图，各第一像素坑阵列分布于虚拟像素区上；各第二像素坑阵列分布于显示区上。

具体而言，虚拟像素区上的各第一像素坑呈阵列排布；显示区上的各第二像素坑呈阵列排布。

需要说明的是，阵列有多种排布结构，包括，图3、4所示的结构、蜂窝结构以及其他规则排列的结构等，可根据实际需要，设计像素坑的阵列排布结构。

在一个实施例中，如图3、4所示，多个第一像素坑沿第一方向D1、以第一间距x1间隔设置，配合形成第一像素行L1；多个第一像素行L1沿第二方向D2、以第二间距y1间隔设置，配合形成第一像素阵列A1；

多个第二像素坑沿第三方向D3、以第三间距x间隔设置，配合形成第二像素行L2；多个第二像素行L2且沿第四方向D4、以第四间距y间隔设置，配合形成第二像素阵列A2。

具体而言，至少两个的第一像素坑沿第一方向D1排布、以第一间距x1间隔设置，配合形成第一像素行L1；至少两个的第一像素行L1沿第二方向D2排布、以第二间距y1间隔设置，配合形成第一像素阵列A1。至少两个的第二一像素坑沿第三方向D3排布、以第三间距x间隔设置，配合形成第二像素行L2；至少两个的第二像素行L2沿第四方向D4排布、以第四间距y间隔设置，配合形成第二像素阵列A2。

应该注意的是，各第一像素行L1可包括数量不同的第一像素坑；各第二像素行L2可包括数量不同的第二像素坑。

需要说明的是，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3以及第四方向D4可根据实际需要进行设置；第一间距x1、第二间距y1、第三间距x以及第四间距y也可根据实际需要进行设置。

按照相应的方向以及间距，虚拟像素区可形成第一像素阵列A1，显示区可形成第二像素阵列A2；其中，第一像素阵列A1中第一像素坑的分布密度大于第二像素阵列A2中第二像素坑的分布密度。

可选的，第一方向D1与第三方向D3为相同的方向；第二方向D2与第四方向D4为相同的方向；或，第一方向D1、第二方向D2、第三方向D3以及第四方向D4为不同的方向。

在一个实施例中，如图3、4所示，第一方向D1垂直于第二方向D2；所第三方向D3垂直于第四方向D4。

具体而言，各第一像素坑可沿其长轴方向、以第一间距x1间隔设置，且沿其短轴方向，以第二间距y1间隔设置。

各第二像素坑可沿其长轴方向、以第三间距x间隔设置，且沿其短轴方向，以第四间距y间隔设置。

在一个实施例中，第一间距x1小于第三间距x；第二间距y1小于第四间距y。

具体而言，第一像素阵列A1中的相邻的第一像素坑的间距小于第二像素阵列A2中的相邻的第二像素坑的间距。

本实用新型实施例中，虚拟像素区的像素坑间距缩小，相应的pixel数目就会增大，对应的墨水溶剂量就会增大。当覆盖真空干燥所需的墨水溶剂量或者pixel数目固定时，增加虚拟像素区像素坑的分布密度，可相应地减小覆盖边缘效应区。

优选的，在一个实施例中，第三间距x和第四间距y均大于10微米。

具体而言，显示区中，相邻的第二像素坑的间距大于10微米。

在一个实施例中，第三间距x和第四间距y的取值范围均为10至50微米之间。

需要说明的是，显示区中像素坑的间距不能小于10微米，否则在印刷制程中容易发生相连，像素坑内墨水发生会出现融合现象。并且，根据实际产品需求，间距越大，开口率会越小，为满足高分辨率要求，第三间距x和第四间距y的取值范围为10至50微米之间。例如，第三间距x为15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米或45微米；第四间距y为15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米或45微米。

进一步的，在一个实施例中，第一间距x1和第二间距y1均小于10微米。

具体而言，虚拟像素区中、相邻的第一像素坑的间距小于10微米。

在一个实施例中，第一间距x1和第二间距y1均小于5微米。

在一个实施例中，如图3、4所示，虚拟像素区的像素坑之间、长短轴方向的间距是第一间距x1和第二间距y1，显示区的像素坑之间、长短轴方向的间距分别是第三间距x和第四间距y；其中，x1＜x；y1＜y。由于需要考虑打印过程中防止发生bridging现象，所以显示区中像素坑的间距x、y不能太小，通过x、y＞10μm(微米)；而虚拟像素区的pixel不需要考虑溢出或者bridging现象，所以x1、y1可以无限小，即，0μm≤x1＜x；0μm≤y1＜y。

在一个实施例中，如图5所示，图5为一个实施例中阵列基板的第二示意性结构图，第一像素坑的形状为圆角矩形；第二像素坑的形状为圆角矩形。

具体而言，第一像素坑和第二像素坑均为圆角矩形的像素坑。

进一步的，像素坑还可为六边形、三角形等其他形状，以及不同形状的组合，在此不做限制。

本实用新型实施例中，通过增大阵列基板上虚拟像素区的像素坑的分布密度，增大虚拟像素区的溶剂量，进而减小覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区面积，从而增大显示区的面积，便于窄边框显示面板设计。

在一个实施例中，提供了一种显示面板包括如上述的阵列基板。

具体而言，显示面板包括了阵列基板；该阵列基板上，虚拟像素区的像素坑的分布密度大于显示区的像素坑的分布密度，可增大虚拟像素区的溶剂量，减小覆盖边缘效应区所需的虚拟像素区的面积，实现显示区面积的增大，有利于窄边框显示面板设计。

在一个实施例中，提供了一种显示设备，包括显示面板；

显示面板包括如上述的阵列基板。

具体而言，该阵列基板上，虚拟像素区的像素坑的分布密度大于显示区的像素坑的分布密度。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板本体；

所述基板本体上设有显示区以及围绕所述显示区的虚拟像素区；

所述虚拟像素区以第一分布密度设有各第一像素坑；所述显示区以第二分布密度设有各第二像素坑；

所述第一分布密度大于所述第二分布密度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述第一像素坑阵列分布于所述虚拟像素区上；各所述第二像素坑阵列分布于所述显示区上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

多个所述第一像素坑沿第一方向、以第一间距间隔设置，配合形成第一像素行；多个所述第一像素行沿第二方向、以第二间距间隔设置，配合形成第一像素阵列；

多个所述第二像素坑沿第三方向、以第三间距间隔设置，配合形成第二像素行；多个所述第二像素行且沿第四方向、以第四间距间隔设置，配合形成第二像素阵列。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向；所第三方向垂直于所述第四方向。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一间距小于所述第三间距；所述第二间距小于所述第四间距。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三间距和所述第四间距均大于10微米。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距均小于10微米。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素坑的形状为圆角矩形；所述第二像素坑的形状为圆角矩形。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任意一项所述的阵列基板。

10.一种显示设备，其特征在于，包括显示面板；

所述显示面板包括如权利要求1至8任意一项所述的阵列基板。