CN208367099U - 一种光电集成电场传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电场测量技术领域，尤其是一种光电集成电场传感器，包括光电集成传感器主体，所述光电集成传感器主体外部设有安装机构，在所述光电集成传感器主体包括铌酸锂晶体，所述铌酸锂晶体的表面铺设有氧化层，所述氧化层与铌酸锂晶体相互接触的一侧构造有两条相互平行的光波导，所述氧化层远离铌酸锂晶体的一侧与其中一根光波导对应位置上水平安装有两个电极，且两个所述电极相互远离的一侧对称连接有偶极子天线，所述偶极子天线呈椭圆形设置。本实用新型，通过椭圆形偶极子天线可以有效避免尖端的出现，从而有效的防止了偶极子天线尖端因场强过大而产生的电晕放电现象，保证光电集成电场传感器主体在高场强情况下的正常工作。
Description
技术领域
本实用新型涉及电场测量技术领域，尤其涉及一种光电集成电场传感器。
背景技术
电场强度是电力行业表示电磁现象的一个基本物理量。对电场强度、分布情况的测量对于高电压工程领域各种现象和问题，如电晕放电、局部放电、间隙闪络和高功率电磁脉冲检测的解释都有重要的指导作用。光电集成电场传感器相比于其他类型的传感器具有无源、小尺寸、宽频带、动态范围大等优势，基本可以满足电力工程领域不同场合的电场测量需求。传统的光电集成电场测量系统多采用偶极子作为传感器的电极结构，但偶极子电场传感器在较高的电场作用下，因为其存在尖端构造，容易发生电晕放电，极间容易发生击穿，从而破坏整个电场测量系统的运行，因此偶极子电场传感器仅仅适用于幅值较低的电场测量，在高幅值的电场环境下无法正常工作，且电场传感器长时间的裸漏在外部空气中，外部的空气中的灰尘容易进入其内部，从而影响电场传感器的正常工作。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在仅仅适用于幅值较低的电场测量、同时电场传感器长时间的裸漏在外部空气中，空气中的灰尘容易进入其内部，的缺点，而提出的一种光电集成电场传感器。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
设计一种光电集成电场传感器，包括光电集成传感器主体，所述光电集成传感器主体外部设有安装机构，所述安装机构包括外壳，所述外壳的一端插装有尾盖，且所述外壳呈筒状设置，所述外壳的内部靠近尾盖的一端固定连接有第一支撑座，所述第一支撑座与外壳另一端水平连接有固定杆，所述固定杆上套设有第二支撑座，所述第二支撑座的底部连接有滑座，所述滑座对应位置的外壳内壁上水平开设有滑槽，所述滑座滑动安装在滑槽内部，且所述第一支撑座与第二支撑座之间的固定杆上套设有第二弹簧，在所述第二支撑座远离第一支撑座的一端连接有挡板，所述第一支撑座远离第二支撑座的一端竖直连接有限位筒，所述限位筒内部滑动插装有限位杆，所述限位杆底端限位筒内部安装有第一弹簧，所述光电集成传感器主体夹持在限位杆与挡板之间且底部分别与第一支撑座和第二支撑座接触，所述光电集成传感器主体顶端与外壳内壁之间连接有橡胶垫，所述光电集成传感器主体包括铌酸锂晶体，所述铌酸锂晶体的表面铺设有氧化层，所述氧化层与铌酸锂晶体相互接触的一侧构造有两条相互平行的光波导，所述氧化层远离铌酸锂晶体的一侧与其中一根光波导对应位置上水平安装有两个电极，两个所述电极分别位于光波导的两侧，且两个所述电极相互远离的一侧对称连接有偶极子天线，所述偶极子天线呈椭圆形设置。
优选的，所述偶极子天线由金属材料制成。
优选的，所述偶极子天线与光波导之间的夹角为90°。
优选的，两条所述光波导外侧的偶极子天线宽度与铌酸锂晶体的侧边平齐。
本实用新型提出的一种光电集成电场传感器，有益效果在于：通过椭圆形偶极子天线可以有效避免尖端的出现，从而有效的防止了偶极子天线尖端因场强过大而产生的电晕放电现象，保证光电集成电场传感器主体在高场强情况下的正常工作；通过安装机构，从而可以有效的对光电集成传感器主体进行防护，避免灰尘进入其内部。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种光电集成电场传感器的结构示意图；
图2为本实用新型提出的一种光电集成电场传感器的电集成传感器主体结构示意图。
图中：铌酸锂晶体1、光波导2、偶极子天线3、电极4、氧化层5、光电集成传感器主体6、外壳7、橡胶垫8、第一支撑座9、尾盖10、限位杆11、限位筒12、第一弹簧13、第二弹簧14、滑槽15、滑座16、第二支撑座17、固定杆 18、挡板19。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-2，一种光电集成电场传感器，包括光电集成传感器主体6，光电集成传感器主体6外部设有安装机构，安装机构包括外壳7，外壳7的一端插装有尾盖10，且外壳7呈筒状设置，外壳7的内部靠近尾盖10的一端固定连接有第一支撑座9，第一支撑座9与外壳7另一端水平连接有固定杆18，固定杆18 上套设有第二支撑座17，第二支撑座17的底部连接有滑座16，滑座16对应位置的外壳7内壁上水平开设有滑槽15，滑座16滑动安装在滑槽15内部，且第一支撑座9与第二支撑座17之间的固定杆18上套设有第二弹簧14，在第二支撑座17远离第一支撑座9的一端连接有挡板19，第一支撑座9远离第二支撑座 17的一端竖直连接有限位筒12，限位筒12内部滑动插装有限位杆11，限位杆 11底端限位筒12内部安装有第一弹簧13，光电集成传感器主体6夹持在限位杆11与挡板19之间且底部分别与第一支撑座9和第二支撑座17接触，光电集成传感器主体6顶端与外壳7内壁之间连接有橡胶垫8；通过向下按动限位杆 11，从而第一弹簧13呈压缩状态，将光电集成传感器主体6水平放置在第一支撑座9和第二支撑座17上，且将其向外壳7内部推动，通过挡板19，从而带动滑座16在滑槽15内部滑动，在滑座16滑动的过程中第二支撑座17同时在固定杆18上移动，且第二弹簧14呈拉伸状态，当光电集成传感器主体6的尾端通过限位杆11，即可松开限位杆11，从而第一弹簧13复位，且推动限位杆11 回到原始位置，将光电集成传感器主体6夹持在限位杆11与挡板19之间即可，通过橡胶垫8，从而可以对光电集成传感器主体6进行限位，避免光电集成传感器主体6在外壳7内部晃动。
光电集成传感器主体6包括铌酸锂晶体1，铌酸锂晶体1的表面铺设有氧化层5，氧化层5与铌酸锂晶体1相互接触的一侧构造有两条相互平行的光波导2，氧化层5远离铌酸锂晶体1的一侧与其中一根光波导2对应位置上水平安装有两个电极4，两个电极4分别位于光波导2的两侧，且两个电极4相互远离的一侧对称连接有偶极子天线3，偶极子天线3呈椭圆形设置，偶极子天线3与光波导2之间的夹角为90°，两条光波导2外侧的偶极子天线3宽度与铌酸锂晶体1 的侧边平齐，偶极子天线3由金属材料制成；通过椭圆形偶极子天线3可以有效避免尖端的出现，从而有效的防止了偶极子天线3尖端因场强过大而产生的电晕放电现象，保证光电集成电场传感器主体6在高场强情况下的正常工作。
本实用新型：通过椭圆形偶极子天线3可以有效避免尖端的出现，从而有效的防止了偶极子天线3尖端因场强过大而产生的电晕放电现象，保证光电集成电场传感器主体6在高场强情况下的正常工作；通过安装机构，从而可以有效的对光电集成传感器主体6进行防护，避免灰尘进入其内部。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种光电集成电场传感器，包括光电集成传感器主体(6)，其特征在于，所述光电集成传感器主体(6)外部设有安装机构，所述安装机构包括外壳(7)，所述外壳(7)的一端插装有尾盖(10)，且所述外壳(7)呈筒状设置，所述外壳(7)的内部靠近尾盖(10)的一端固定连接有第一支撑座(9)，所述第一支撑座(9)与外壳(7)另一端水平连接有固定杆(18)，所述固定杆(18)上套设有第二支撑座(17)，所述第二支撑座(17)的底部连接有滑座(16)，所述滑座(16)对应位置的外壳(7)内壁上水平开设有滑槽(15)，所述滑座(16)滑动安装在滑槽(15)内部，且所述第一支撑座(9)与第二支撑座(17)之间的固定杆(18)上套设有第二弹簧(14)，在所述第二支撑座(17)远离第一支撑座(9)的一端连接有挡板(19)，所述第一支撑座(9)远离第二支撑座(17)的一端竖直连接有限位筒(12)，所述限位筒(12)内部滑动插装有限位杆(11)，所述限位杆(11)底端限位筒(12)内部安装有第一弹簧(13)，所述光电集成传感器主体(6)夹持在限位杆(11)与挡板(19)之间且底部分别与第一支撑座(9)和第二支撑座(17)接触，所述光电集成传感器主体(6)顶端与外壳(7)内壁之间连接有橡胶垫(8)，所述光电集成传感器主体(6)包括铌酸锂晶体(1)，所述铌酸锂晶体(1)的表面铺设有氧化层(5)，所述氧化层(5)与铌酸锂晶体(1)相互接触的一侧构造有两条相互平行的光波导(2)，所述氧化层(5)远离铌酸锂晶体(1)的一侧与其中一根光波导(2)对应位置上水平安装有两个电极(4)，两个所述电极(4)分别位于光波导(2)的两侧，且两个所述电极(4)相互远离的一侧对称连接有偶极子天线(3)，所述偶极子天线(3)呈椭圆形设置。
2.根据权利要求1所述的一种光电集成电场传感器，其特征在于，所述偶极子天线(3)由金属材料制成。
3.根据权利要求1所述的一种光电集成电场传感器，其特征在于，所述偶极子天线(3)与光波导(2)之间的夹角为90°。
4.根据权利要求1所述的一种光电集成电场传感器，其特征在于，两条所述光波导(2)外侧的偶极子天线(3)宽度与铌酸锂晶体(1)的侧边平齐。
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| CN201820925259.0U CN208367099U (zh) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | 一种光电集成电场传感器 |
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