CN208313880U - 一种翘曲的单悬梁式气体传感器及传感器阵列 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种翘曲的单悬梁式气体传感器，包括依次层叠设置的硅衬底、支撑膜、加热电阻、隔离膜和检测电极，具有基体结构和翘曲的悬臂结构，在悬臂结构的端部上设有气敏材料。本实用新型还提供了一种由翘曲的单悬梁式气体传感器组成的传感器阵列。本实用新型的优点在于，该传感器功耗低、尺寸小、集成度高，生产工艺简单，易于定位，有效提高了生产效率。

Description

一种翘曲的单悬梁式气体传感器及传感器阵列

技术领域

本发明属于微电子机械系统和气体检测技术领域，具体涉及一种翘曲的单悬梁式气体传感器及传感器阵列。

背景技术

基于微电子机械系统(MEMS)技术的气体传感器，由于其小尺寸、低功耗、高灵敏度和快速响应等特点，逐步显现出巨大的应用潜力，将有望取代基于传统技术的气体传感器，在物联网、移动端和人工智能等领域广泛应用。而在MEMS 气体传感器中，又因采用金属氧化物半导体(MOS)材料的传感器具有广泛的检测范围，在未来的大规模应用中具有更为广阔的市场空间。

目前MEMS MOS气体传感器中，主要以基于悬膜式微型加热器的研究居多，该结构的传感器具有较低的功耗，一般可低至20毫瓦，如专利号为 201520759054.6的实用新型专利提供了一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，其具有自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过四根悬梁与硅衬底框架连接。又如专利号为CN201520759055.0的实用新型专利提供了一种具有两支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器，该传感器也包括自下而上依次设置的硅衬底框架、加热膜层、加热电极层和敏感膜层，其中加热膜层包括加热膜区，该加热膜区通过两根悬梁与硅衬底框架连接。这些多悬梁式气体传感器功耗虽然较低，但随着移动端和物联网应用的高速发展，其已不能满足需要。同时多悬梁式气体传感器在制备时，存在工艺复杂、定位困难、效率低下的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于：如何进一步降低悬梁式气体传感器的功耗。

本发明采用以下技术方案解决上述技术问题：

一种翘曲的单悬梁式气体传感器，具有基体结构和翘曲的悬梁结构，其包括自下而上依次层叠设置的如下部分：

硅衬底；

支撑膜，为氮化硅膜，包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接，且第一悬臂向上翘曲；

加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接，且第二悬臂向上翘曲；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；

隔离膜，为氮化硅膜，包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接，且第三悬臂向上翘曲；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；

检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接，且第四悬臂向上翘曲；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；

所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；

所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。

优选地，本发明所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的水平投影均呈矩形。

优选地，本发明所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的水平投影均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的宽度逐渐增大。

优选地，本发明所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，所述第四基部位于透过孔背离第三悬臂的一侧，且第四悬臂位于两个透过孔之间；或所述第四基部位于透过孔靠近第三悬臂的一侧。

优选地，本发明所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，所述支撑膜、加热电阻、隔离膜及检测电极的厚度均为

本发明还提供了一种传感器阵列，由多个上述的翘曲的单悬梁式气体传感器构成。

本发明技术有益效果：

本发明技术方案采用翘曲的单悬梁式结构，将有效区设置在悬梁的端部，通过减小有效区面积和降低悬梁数量使得传感器的功耗降至1毫瓦；

翘曲的单悬梁式的传感器尺寸更小、集成度更高，集成度较现有多悬梁式结构提高一个数量级；

本发明提出的翘曲的单悬梁式气体传感器的制备方法工艺简单、易于定位，有效提高了生产效率，同时也更易于制备具有气质材料的复合结构的气敏材料。

附图说明

图1为本发明实施例所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器的结构示意图；

图2为图1的爆炸示意图；

图3本发明实施例所述的另一种单悬梁气体传感器的爆炸示意图；

图4为本发明实施例所述的一种传感器阵列的结构示意图。

具体实施方式

为便于本领域技术人员理解本发明技术方案，现结合说明书附图对本发明技术方案做进一步的说明。

参阅图1及图2，本实施例提供了一种翘曲的单悬梁式气体传感器，包括硅衬底1、支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4、检测电极5和气敏材料6。

该传感器具有基体结构和翘曲的悬梁结构，一般情况下，基体结构呈矩形，悬梁结构设置在基体结构一长边的中部，因而，该传感器的水平投影呈“T”型。其具体结构如下：

所述硅衬底1的上、下端面呈矩形；

所述支撑膜2用以对整个悬梁结构起支撑作用，其为一氮化硅层。包括第一基部21和第一悬臂22。所述第一基部21呈矩形，所述第一悬臂22与第一基部 21的一长边的中部连接，且第一悬臂22向上翘曲；

所述加热电阻3由金属材料构成，一般为金属铂，其用以为传感器工作提供所需的工作温度。该加热电阻3包括第二基部31和第二悬臂32，所述第二基部 31呈矩形，所述第二悬臂32位于第二基部31一长边的中部，且第二悬臂32向上翘曲；第二基部31相对于第二悬臂32的一侧开设有第一窗口33，所述第二悬臂32上设有沿第二悬臂32长度方向延伸的第二窗口34，所述第二窗口34与第一窗口33连通；第二基部位31于第二窗口34两侧的位置上分别设有第一引线(图中未示出)；

所述隔离膜4为氮化硅膜，其设置目的是对加热电阻3和检测电极5进行电隔离。隔离膜4包括第三基部41和第三悬臂42，所述第三悬臂41设置在第三基部41一长边的中部，且第三悬臂42向上翘曲；所述第三基部41上对应于第一引线的位置设有透过孔43，所述第一引线穿过相应透过孔43后暴露在外；所述隔离膜4的厚度大于加热电阻3的厚度；

所述检测电极5一般为贵金属材料电极，如金属铂或金。该检测电极5包括第四基部51和第四悬臂52，所述第四悬臂52设置在第四基部51一长边的中部，且第四悬臂52向上翘曲；第四基部51相对于第四悬臂52的一侧设有第三窗口 53，第四悬臂52上设有沿第四悬臂52长度方向延伸，并将第四悬臂52分割的第四窗口54，所述第四窗口54与第三窗口53连通，并将检测电极5分割为两部分；检测电极5不覆盖所述透过孔43；所述检测电极5位于第三窗口53两侧的位置上设有第二引线(图中未示出)；

所述硅衬底1、第一基部21、第二基部31、第三基部41和第四基部51对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42和第四悬臂52对应设置形成所述悬梁结构；

所述气敏材料6由纳米尺度下的金属氧化物半导体材料构成，如二氧化锡、氧化锌或其他氧化物等。设置在所述第四悬臂52远离基体结构的一端上，使得气敏材料与检测电极5电性连接。当气敏材料6吸附特定气体分子后，其电阻会发生变化，从而达到检测气体的目的。

该气体传感器的核心部分为翘曲的悬梁结构，用于加载气敏材料的有效区域也仅在悬梁结构远离基体机构的端部。一方面，通过减小有效区的面积降低因热对流和热辐射引起的热量散失，另一方面悬梁结构细而长，并且，悬梁向上翘曲，避免了与硅衬底1的接触，可以大幅降低热传导过程中的热量损失，因而该传感器具有极低的功耗。

需要说明的是，本实施例中以基体结构呈矩形、悬梁结构设置在矩形基体结构长边中部处为例进行介绍，但这并不是严格的规定，在实际生产过程中，其基体结构具体形状及悬梁结构的设置位置根据需要进行设置。

如图2所示，在该传感器的一种结构中，所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42和第四悬臂52的水平投影均呈矩形。

如图3所示，在该传感器的另一种结构中，所述第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42和第四悬臂52的水平投影均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，第一悬臂22、第二悬臂32、第三悬臂42和第四悬臂52的宽度逐渐增大。通过加宽悬梁结构与基体结构的连接宽度，在保留翘曲的单悬梁式结构所具有的低功耗特点的同时，还提高了整个传感器的机械强度。

所述第一悬臂22上设有沿第一悬臂22长度方向延伸的第一孔23。所述第三悬臂42上设有沿第三悬臂42长度方向延伸的第二孔44，所述第二孔44与第一孔23对应设置。通过设置狭长的第一孔23和第二孔44来进一步降低热传导过程中的热量损失。

更具体地，所述第四基部位51于透过孔43背离第三悬臂42的一侧，且第四悬臂52位于两个透过孔43之间。或者，所述第四基部51位于透过孔43靠近第三悬臂42的一侧。

此外，所述支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4及检测电极5的厚度均为

本实施例中第一窗口33可以为对称结构，通过设置第一窗口33和第二窗口 34使得加热电阻3形成为一对称结构；第三窗口53为对称结构，通过第三窗口 53和第四窗口54将检测电极5分割成为对称的两部分。需要说明的是，实际生产时，根据需要，第一窗口33和第三窗口53也可以是不对称的结构，此时加热电阻3及检测电极5也为非对称结构。

在气味识别应用中，往往需要将众多的传感器集成在一起工作，本实施例提供的翘曲的单悬梁式传感器因其结构的独特性，极易实现多个传感器的集成而构成传感器阵列。如图4所示，本实施例还提供了一种传感器阵列，其由上述的翘曲的单悬梁式传感器平铺而成，其中各个传感器的悬梁结构均位于基体结构的同一侧。当然，也可以根据需要，将各个传感器的悬梁结构分布于基体结构的两侧或采用其他排布方式。

本实施例所述的单悬梁气体传感器的制备方法较传统多悬梁式传感器的制备方法，具有定位容易、工艺简单的特点。下面通过具体制备实施例来进行详细说明。

实施例一

(1)取一N型单抛(100)面单抛硅片作为衬底，通过热氧化的方法，制作一层厚度为的氧化硅层作为牺牲层；

(2)采用低压化学气相沉积法在牺牲层上生长一层厚度为的氮化硅层作为支撑层2；

(3)制作加热电阻3：采用玻璃工艺制作铂电阻的加热电阻丝，厚度为

(4)制作隔离膜4：采用等离子增强化学气相沉积法制备氮化硅层，层厚为然后利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀隔离膜，形成透过孔露出加热电阻；

(5)制作检测电极5：采用剥离工艺制备金电极，厚度为

(6)释放薄膜：先利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀彻底刻蚀暴露支撑膜，露出硅衬底形成薄膜释放窗口，然后利用湿法腐蚀工艺刻蚀牺牲层，释放后，由于氮化硅层张应力的作用，悬梁结构的自由端向上翘曲；

(7)气敏材料6的加载：所述悬梁结构的端部沾取二氧化锡胶体，在600℃下烧结2小时完成气敏材料6的加载，即获得翘曲的单悬梁式气体传感器，再在对应位置第一引线、第二引线即可。

需要说明的是，本实施例中的硅衬底1还可以选择双抛硅片，且其晶向也无严格要求；所述支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4及检测电极5的厚度根据需要在在的范围内调整。

实施例二

(1)以SOI硅片作为衬底，其顶层硅即作为牺牲层，该顶层硅的厚度为2um；

(2)采用低压化学气相沉积法在牺牲层上生长一层厚度为的氮化硅层作为支撑膜；

(3)制作加热电阻3：采用剥离工艺制作加热电阻，其厚度为

(4)制作隔离膜4：利用等离子增强气相沉积制作氮化硅层，其层厚为 然后利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀隔离膜4，形成透过孔43露出加热电阻；

(5)制作检测电极5：利用剥离工艺制作铂电极，厚度为

(6)先利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀彻底刻蚀暴露支撑膜，露出SOI衬底的顶层硅形成薄膜释放窗口，然后利用湿法腐蚀工艺刻蚀牺牲层，释放后，由于氮化硅层张应力的作用，悬梁结构的自由端向上翘曲；

(7)气敏材料6的加载：所述悬梁结构的端部沾取三氧化物气敏材料胶体，在600℃下烧结2小时完成气敏材料6的加载，即获得翘曲的单悬梁式气体传感器，再在对应位置设置第一引线、第二引线即可。

本实施例中所述支撑膜2、加热电阻3、隔离膜4及检测电极5的厚度根据需要在在的范围内调整。

将该传感器制备成传感器阵列的方法与上述单悬梁气体传感器制备过程基本相同，其只需要在步骤(6)中，通过设置刻蚀条件，使得释放薄膜之后形成多个基体结构依次连接，每一基体结构上具有一翘曲的悬梁结构的传感器阵列；然后在每一悬梁结构的端部根据需要分别沾取相同或不同配方的二氧化锡气敏材料，形成翘曲的单悬梁气体传感器阵列。

本发明技术方案在上面结合附图对发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种翘曲的单悬梁式气体传感器，其特征在于，具有基体结构和翘曲的悬梁结构，其包括自下而上依次层叠设置的如下部分：

硅衬底；

支撑膜，为氮化硅膜，包括第一基部和第一悬臂，所述第一悬臂与第一基部的一侧连接，且第一悬臂向上翘曲；

加热电阻，包括第二基部和第二悬臂，所述第二悬臂与第二基部的一侧连接，且第二悬臂向上翘曲；第二基部相对于第二悬臂的一侧开设有第一窗口，所述第二悬臂上设有沿第二悬臂长度方向延伸的第二窗口，所述第二窗口与第一窗口连通；第二基部位于第二窗口两侧的位置上分别设有第一引线；

隔离膜，为氮化硅膜，包括第三基部和第三悬臂，所述第三悬臂与第三基部的一侧连接，且第三悬臂向上翘曲；所述第三基部上对应于第一引线的位置设有透过孔，所述第一引线穿过相应透过孔暴露在外；所述隔离膜的厚度大于加热电阻的厚度；

检测电极，包括第四基部和第四悬臂，所述第四悬臂与第四基部的一侧连接，且第四悬臂向上翘曲；第四基部背离第四悬臂的一侧设有第三窗口，第四悬臂上设有沿第四悬臂长度方向延伸，并将第四悬臂分割的第四窗口，所述第四窗口与第三窗口连通，并将检测电极分割为两部分；检测电极不覆盖所述透过孔；所述检测电极位于第三窗口两侧的位置上设有第二引线；

所述硅衬底、第一基部、第二基部、第三基部和第四基部对应设置形成所述基体结构；所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂对应设置形成所述悬梁结构；

所述第四悬臂远离基体结构的一端上设有气敏材料。

2.根据权利要求1所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，其特征在于，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的水平投影均呈矩形。

3.根据权利要求1所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，其特征在于，所述第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的水平投影均呈等腰梯形，且沿远离基体结构的方向，第一悬臂、第二悬臂、第三悬臂和第四悬臂的宽度逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，其特征在于，所述第四基部位于透过孔背离第三悬臂的一侧，且第四悬臂位于两个透过孔之间；或所述第四基部位于透过孔靠近第三悬臂的一侧。

5.根据权利要求1所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器，其特征在于，所述支撑膜、加热电阻、隔离膜及检测电极的厚度均为

6.一种传感器阵列，其特征在于，由多个如权利要求1-5任一项所述的一种翘曲的单悬梁式气体传感器构成。