CN208279714U - 一种可调控局域温场的石墨承载盘 - Google Patents
一种可调控局域温场的石墨承载盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208279714U CN208279714U CN201820707033.3U CN201820707033U CN208279714U CN 208279714 U CN208279714 U CN 208279714U CN 201820707033 U CN201820707033 U CN 201820707033U CN 208279714 U CN208279714 U CN 208279714U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- load
- graphite
- carrying ring
- graphite carrier
- carrying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型涉及石墨承载盘技术领域，具体涉及一种可调控局域温场的石墨承载盘，包括石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，相邻的承载环之间设置有散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同，与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽，避免石墨承载盘温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及石墨承载盘技术领域，具体涉及一种可调控局域温场的石墨承载盘。
背景技术
发光二极管，也称为LED，为一种固态半导体元件，其至少包含一P-N结，此P-N结形成于P型半导体与N型半导体之间。当于P-N上施予一定程度的偏压时，P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子会结合而发光，此光产生的区域称为发光区。
LED在制备过程中需要在外延片上外延生长多层外延层，以蓝宝石外延片为例，需将多片蓝宝石外延片放入外延炉中的石墨承载盘上，然后进行下一步加工。
现有的石墨承载盘大部分呈蜂窝状相邻设置，每个收容部均呈圆形设置，其对于需要放置不同规格的蓝宝石外延片在石墨承载盘的情况，很容易造成蓝宝石外延片混淆，对加工造成困难。
另外，现有的石墨承载盘在盛放外延片进行加热时，很容易导致外延片不同位置的温度不同，具体位于石墨承载盘最边缘的温度偏高，导致外延良率和芯片良率偏低。因此，采用传统的石墨承载盘无法精确调控局域温场。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术中的不足，而提供一种结构简单、性能良好的可调控局域温场的石墨承载盘。
本实用新型的目的通过以下技术方案实现：一种可调控局域温场的石墨承载盘，石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘轴向排布的散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同。
其中，第一收容部呈圆形设置。
其中，第二收容部呈矩形设置。
其中，第三收容部呈三角形状设置。
其中，第一承载环与第二承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。
其中，第二承载环与第三承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。
其中，石墨承载盘由石墨烯制备而成。
其中，石墨承载盘的外表面涂覆有碳化硅涂层。
本实用新型的有益效果：本申请的可调控局域温场的石墨承载盘，与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽，有效地避免石墨承载盘温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。
附图说明
利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。
图1为本实用新型的一种可调控局域温场的石墨承载盘的结构示意图。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
本实用新型的一种可调控局域温场的石墨承载盘1的具体实施方式，如图1所示，石墨承载盘1上设有用于收容外延片的多个第一收容部2、多个第二收容部3和多个第三收容部3；多个第一收容部2围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部3围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部3围绕石墨承载盘1中心间隔排布并形成第三承载环，第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘1上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘1轴向排布的散热槽4，具体的，第一承载环与第二承载环之间设置有四个散热槽4，四个散热槽4以圆形状的方式排布，其中，第二承载环与第三承载环之间设置有四个散热槽4，四个散热槽4以圆形状的方式排布。第一收容部2、第二收容部3和第三收容部3三者的形状均不相同，其中，第一收容部2呈圆形设置，第二收容部3呈矩形设置，其中，第三收容部3呈三角形状设置。与现有技术相比，不同形状的收容部可以用于收容不同规格的外延片，解决外延片容易混淆的问题，另外，相邻的承载环之间设置有散热槽4，有效地避免石墨承载盘1温度过高以及各个收容部受热温度不均匀的问题。
为了增强石墨承载盘1的硬度，石墨承载盘1由石墨烯制备而成。
为了增强石墨承载盘1的硬度，石墨承载盘1的外表面涂覆有碳化硅涂层5。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.一种可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：石墨承载盘上设有用于收容外延片的多个第一收容部、多个第二收容部和多个第三收容部；多个第一收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第一承载环，多个第二收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第二承载环，多个第三收容部围绕石墨承载盘中心间隔排布并形成第三承载环，所述第一承载环、第二承载环和第三承载环依次由里至外排布在石墨承载盘上，第一承载环与第二承载环之间以及第二承载环和第三承载环之间均设置有多个沿石墨承载盘轴向排布的散热槽；第一收容部、第二收容部和第三收容部三者的形状均不相同。
2.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第一收容部呈圆形设置。
3.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第二收容部呈矩形设置。
4.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第三收容部呈三角形状设置。
5.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第一承载环与第二承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。
6.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：第二承载环与第三承载环之间设置有四个散热槽，四个散热槽以圆形状的方式排布。
7.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：石墨承载盘由石墨烯制备而成。
8.如权利要求1所述可调控局域温场的石墨承载盘，其特征在于：石墨承载盘的外表面涂覆有碳化硅涂层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820707033.3U CN208279714U (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 一种可调控局域温场的石墨承载盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820707033.3U CN208279714U (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 一种可调控局域温场的石墨承载盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208279714U true CN208279714U (zh) | 2018-12-25 |
Family
ID=64729192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820707033.3U Active CN208279714U (zh) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | 一种可调控局域温场的石墨承载盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208279714U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110079790A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-02 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 石墨基座 |
-
2018
- 2018-05-10 CN CN201820707033.3U patent/CN208279714U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110079790A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-02 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 石墨基座 |
| CN110079790B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-12-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 石墨基座 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104051316B (zh) | 可调控局域温场的石墨承载盘 | |
| US9725824B2 (en) | Graphite wafer carrier for LED epitaxial wafer processes | |
| CN104409402B (zh) | 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 | |
| CN207227547U (zh) | 用于mocvd设备中的石墨盘 | |
| CN208279714U (zh) | 一种可调控局域温场的石墨承载盘 | |
| CN109161873B (zh) | 一种石墨基座 | |
| CN107326342A (zh) | 用于mocvd设备中的石墨盘 | |
| CN104047051A (zh) | 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 | |
| US20120012865A1 (en) | Led array package with a high thermally conductive plate | |
| CN103258926B (zh) | 一种led垂直芯片结构及制作方法 | |
| CN105514244A (zh) | 一种发光二极管结构 | |
| CN108987549A (zh) | 一种白光芯片制备方法 | |
| CN203947179U (zh) | 外延生长用晶片载盘 | |
| CN205046194U (zh) | 一种外延生长用石墨盘 | |
| CN107058978A (zh) | 一种石墨盘基座 | |
| CN204550790U (zh) | 外延生长用石墨承载盘 | |
| CN206244913U (zh) | 一种生长碳化硅单晶用的石墨纸 | |
| CN103824796B (zh) | 用于led外延制程的石墨承载盘及其配套衬底 | |
| CN110536976A (zh) | 运输环 | |
| US20110256647A1 (en) | Methods of manufacturing elongated lenses for use in light emitting apparatuses | |
| CN104465925B (zh) | 一种led芯片外延层的制作方法及led芯片结构 | |
| CN107761165A (zh) | 一种基于伯努利效应的底座及外延设备 | |
| CN206758460U (zh) | 一种提高波长均匀性的SiC涂层石墨基座 | |
| CN110079790B (zh) | 石墨基座 | |
| CN108987556A (zh) | 一种白光芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |