CN208241070U - 太赫兹波振荡器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种太赫兹波振荡器，包括泵浦源、聚焦耦合系统、谐振腔、工作介质、倍频装置、第一分光装置、光参量振荡器、第二分光装置和差频装置。泵浦源产生的泵浦光输入聚焦耦合系统聚焦后输入谐振腔。输入谐振腔的激光泵浦其中的工作介质后经谐振腔振荡放大后输入倍频装置。第一分光装置使倍频装置射出的激光一部分被反射，另一部分透射出去。第一分光装置的反射光输入光参量振荡器后输出可调谐双频激光到第二分光装置。第二分光装置使可调谐双频激光一部分被反射输出，另一部分透射出去。第二分光装置反射的激光与第一分光装置透射的激光输入差频装置，产生太赫兹波。本实用新型结构简单，便于量产，具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本实用新型涉及太赫兹领域，特别是涉及一种太赫兹波振荡器。
背景技术
可调谐振荡器是太赫兹领域重要的、关键的、必不可少的元器件，而性能可靠、大能量、高效率、小型化、可在室温下稳定工作的可调谐太赫兹波振荡器一直是太赫兹领域的研究难点。目前在可调谐太赫兹波振荡器研究方面尚存在输出功率低、转换效率低、能量低、体积庞大等问题，很大程度上限制了相关太赫兹技术的发展。传统的太赫兹波振荡器很难实现高功率、大能量的可调谐太赫兹波输出。
实用新型内容
基于此，有必要针对现如今很难制备出高功率、大能量的太赫兹波振荡器的问题，提供一种太赫兹波振荡器。
一种太赫兹波振荡器，包括：
泵浦源，用于发出泵浦光；
聚焦耦合系统，所述泵浦源产生的泵浦光输入所述聚焦耦合系统；
谐振腔，所述聚焦耦合系统输出的激光输入所述谐振腔；
工作介质，设置于所述谐振腔内，输入所述谐振腔的激光泵浦所述工作介质，产生的激光经所述谐振腔振荡放大后输出；
倍频装置，所述谐振腔输出的激光输入所述倍频装置；
第一分光装置，用于使所述倍频装置射出的激光中的一部分被反射，另一部分透过所述第一分光装置射出，所述聚焦耦合系统、所述谐振腔、所述工作介质、所述倍频装置及所述第一分光装置沿着同一光轴依次排列；
光参量振荡器，所述第一分光装置的反射光输入所述光参量振荡器，经光参量振荡后输出可调谐双频激光；
第二分光装置，用于使所述光参量振荡器出射的激光中的一部分被反射输出，另一部分透过所述第二分光装置射出；
差频装置，所述第二分光装置反射的激光与所述第一分光装置透射的激光输入所述差频装置，产生太赫兹波。
在其中一个实施例中，所述泵浦源为半导体激光器。
在其中一个实施例中，所述太赫兹波振荡器还包括：
光纤，连接于所述泵浦源与所述聚焦耦合系统之间，用于将泵浦光从所述泵浦源输入所述聚焦耦合系统。
在其中一个实施例中，所述聚焦耦合系统包括至少一个透镜，所述至少一个透镜与输入所述聚焦耦合系统的激光垂直，用于对输入所述聚焦耦合系统的激光聚焦。
在其中一个实施例中，所述工作介质为增益介质与可饱和吸收体的复合晶体。
在其中一个实施例中，所述工作介质面向所述聚焦耦合系统的一侧镀有增透膜和反射膜作为所述谐振腔的前腔镜，所述工作介质远离所述聚焦耦合系统的一侧镀有高反膜和部分反射膜作为所述谐振腔的后腔镜。
在其中一个实施例中，所述倍频装置为抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。
在其中一个实施例中，所述第一分光装置用于使所述倍频装置出射的经倍频后产生的激光反射输出，并使所述倍频装置出射的未经倍频转换的激光透过所述第一分光装置输出。
在其中一个实施例中，所述光参量振荡器为周期极化的抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。
在上述任一项实施例中，所述太赫兹波振荡器还包括：
反光装置，所述第二分光装置反射出的激光通过所述反光装置反射输入所述差频装置。
本实用新型提供的太赫兹波振荡器，泵浦源产生的泵浦光经聚焦耦合系统后对工作介质进行泵浦，再经过谐振腔振荡放大后输入倍频装置进行激光倍频，可以获得具有高输出功率及高光-光转换效率的激光。倍频装置射出的激光中的一部分激光透过第一分光装置射出，另一部分被所述第一分光装置反射到所述光参量振荡器进行光参量振荡，从而产生双频激光的可调谐输出。第二分光装置使可调谐双频激光一部分被反射输出，另一部分透射出去。第二分光装置反射的激光与第一分光装置透射的激光输入差频装置，产生可调谐太赫兹波。本实用新型的太赫兹波振荡器结构简单，操作简便，在室温下即可运行，在生物、医学、材料、安检、通信等领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1为本实用新型一实施例提供的太赫兹波振荡器的结构示意图；
图2为本实用新型一实施例提供的倍频装置射出的激光的平均输出功率随吸收泵浦功率的变化曲线；
图3为本实用新型一实施例提供的倍频装置射出的激光的光谱特性；
图4为本实用新型一实施例提供的倍频装置射出的激光的光斑特性。
附图标号说明：
10 太赫兹波振荡器
100 泵浦源
110 光纤
200 聚焦耦合系统
210 透镜
300 谐振腔
310 前腔镜
320 后腔镜
400 工作介质
410 增益介质
420 可饱和吸收体
500 倍频装置
600 第一分光装置
700 光参量振荡器
800 第二分光装置
810 反光装置
812 第一反射镜
814 第二反射镜
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
请参见图1，本实用新型提供一种太赫兹波振荡器10，包括泵浦源100、聚焦耦合系统200、谐振腔300、工作介质400、倍频装置500、第一分光装置600、光参量振荡器700、第二分光装置800和差频装置900。所述泵浦源100用于发出泵浦光。所述泵浦源100产生的泵浦光输入所述聚焦耦合系统200。所述聚焦耦合系统200输出的激光输入所述谐振腔300。所述工作介质400设置于所述谐振腔300内。输入所述谐振腔300的激光泵浦所述工作介质400后经所述谐振腔300振荡放大后输出。所述谐振腔300输出的激光输入所述倍频装置500。所述第一分光装置600用于使所述倍频装置500射出的激光中的一部分被反射，另一部分透过所述第一分光装置600射出。
所述聚焦耦合系统200、所述谐振腔300、所述工作介质400、所述倍频装置500及所述第一分光装置600沿着同一光轴依次排列。
所述第一分光装置600的反射光输入所述光参量振荡器700，经光参量振荡后输出可调谐双频激光。所述第二分光装置800使所述光参量振荡器700出射的激光中的一部分被反射输出，另一部分透过所述第二分光装置800射出。所述第二分光装置800反射的激光与所述第一分光装置600透射的激光输入所述差频装置900，产生太赫兹波。
所述泵浦源100能够产生泵浦光。所述泵浦源100可以为传统的固体激光器，也可以为高功率二极管激光模块或激光阵列。所述泵浦源100的输出波长可以根据需求自行调节。所述泵浦光被输入到所述聚焦耦合系统200中进行准直聚焦，聚焦后形成适合所述谐振腔300的泵浦光斑。聚焦后的激光射入所述谐振腔300。所述谐振腔300内设置有所述工作介质400。激光对所述工作介质400进行端面泵浦，产生的激光经所述谐振腔300振荡后输出基频光λ0。所述基频光λ0射入所述倍频装置500进行激光倍频可以产生频率增大一倍的倍频光λ0/2。通过调节所述倍频装置500的参数可以获得理想的倍频效率。
倍频光λ0/2和未经倍频的基频光λ0混合在一起射出至所述第一分光装置600。所述第一分光装置600将所述倍频光λ0/2反射到所述光参量振荡器700，并且使所述未经倍频转换的基频光λ0透射输出。进入所述光参量振荡器700的倍频光λ0/2进行光参量振荡后输出两个频率不同的出射激光，其中频率较高的出射激光为信号光λ2，频率较低的出射激光为闲频光λ1。通过调节所述光参量振荡器700的参数可以实现λ1和λ2的可调谐输出。从而形成所述太赫兹波振荡器10的辐射源。
所述信号光λ2和所述闲频光λ1输入所述第二分光装置800。所述信号光λ2被所述第二分光装置800反射输出。所述闲频光λ1经所述第二分光装置800后透射输出。所述信号光λ2与所述第一分光装置600透射输出的基频光λ0输入所述差频装置900。利用所述差频装置900的差频特性产生太赫兹波并输出。在另一个实施例中，所述差频装置900的入射激光可以为所述信号光λ2、所述闲频光λ1和所述第一分光装置600透射输出的基频光λ0中任意两种。
在本实施例中，所述泵浦源100产生的泵浦光经所述聚焦耦合系统200后对所述工作介质400进行泵浦，再经过所述谐振腔300振荡放大后输入所述倍频装置500进行激光倍频，可以获得具有高输出功率及高光-光转换效率的激光。所述倍频装置500射出的激光中的未经倍频的基频光λ0透过所述第一分光装置600射出。倍频后产生的倍频光λ0/2被所述第一分光装置600反射到所述光参量振荡器700进行光参量振荡，从而产生频率较高的信号光λ2和频率较低的闲频光λ1的可调谐输出，构成高功率、大能量的双频可调谐激光器。同时信号光λ2与基频光λ0也可以构成可调谐双频激光器。从而形成所述太赫兹波振荡器10的辐射源。
所述光参量振荡器700射出的激光经所述第二分光装置800被分为闲频光λ1和信号光λ2两束激光。所述信号光λ2和所述第一分光装置600透射的基频光λ0同时输入所述差频装置900，从而产生可调谐的太赫兹波。本实用新型结构简单，易操作，在室温下即可运行。还可以作为太赫兹系统的可调谐太赫兹波振荡源，在生物、医学、材料、安检、通信等领域具有广泛的应用前景。
在一个实施例中，所述泵浦源100可以为半导体激光器。具体地，所述泵浦源100为808nm准连续半导体激光器，可产生波长为808nm的泵浦光。在本实施例中，所述泵浦源100采用808nm准连续半导体激光器，输出光的功率高，并且结构紧凑，稳定，寿命长。
在一个实施例中，所述太赫兹波振荡器10还包括光纤110。所述光纤110连接于所述泵浦源100与所述聚焦耦合系统200之间，用于将泵浦光从所述泵浦源100输入所述聚焦耦合系统200。在一个实施例中，所述光纤110的芯径为400μm，数值孔径NA为0.22。所述泵浦光经所述光纤110耦合输出至所述聚焦耦合系统200。在另一个实施例中，所述泵浦光可以直接射入所述聚焦耦合系统200。
在本实施例中，采用所述光纤110进行耦合输出，可压缩发散角。泵浦光在光纤110内进行全反射，传输效率高。
在一个实施例中，所述聚焦耦合系统200包括至少一个透镜210。所述至少一个透镜210与输入所述聚焦耦合系统200的激光垂直。所述透镜210的形状可以根据需要选择。比如，所述透镜210可以为柱面或球面。在一个实施例中，所述聚焦耦合系统200为两个平行间隔设置的凸透镜，焦距都为8mm。所述泵浦光斑直径大小可以在180μm-220μm之间进行调节。在一个实施例中，聚焦后的光斑直径为200μm。所述聚焦耦合系统200使用的所述透镜210种类及数目不作限定，只要能够实现准直聚焦的功能，使泵浦光光斑整形后尺寸与所述谐振腔300基模振荡光斑尺寸接近，即模式匹配即可。例如，所述聚焦耦合系统200还可以选用自聚焦透镜。为增强耦合效率，所述透镜210的表面还可以镀上泵浦光的增透膜。
在本实施例中，所述聚焦耦合系统200采用至少一个透镜210进行准直聚焦，可以形成与所述谐振腔300模式匹配的光斑。结构灵活。
在一个实施例中，所述工作介质400可以为增益介质410与可饱和吸收体420的复合晶体。所述增益介质410与所述可饱和吸收体420通过键合技术复合为所述工作介质400。所述工作介质400为微片结构，即所述增益介质410与所述可饱和吸收体420均为晶体微片。微片结构有利于实现小型化和集成化。在一个实施例中，所述工作介质400可以为Nd:YAG/Cr4+:YAG复合晶体。所述增益介质410为Nd:YAG晶体。
在一个实施例中，所述增益介质410的长度可以在1mm-2.0mm之间进行调节。在一个实施例中，所述增益介质410的长度可以设置为1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm中任一数值。在一个实施例中，Nd:YAG晶体中Nd3+的掺杂浓度可以为1at.％。所述可饱和吸收体420为被动调Q开关，用于压缩脉冲宽度和提高峰值功率。在一个实施例中，所述可饱和吸收体420为Cr4+:YAG晶体。在一个实施例中，所述可饱和吸收体420的初始透过率可以设置为50％-95％。在一个实施例中，所述可饱和吸收体420的初始透过率可以设置为60％、70％、80％、90％中任一数值。在另一个实施例中，所述可饱和吸收体420还可以采用LiF色心晶体。
在一个实施例中，所述泵浦光功率从泵浦阈值连续增加至50W。在一个实施例中，所述泵浦光重复频率为10Hz-5kHz。在一个实施例中，所述泵浦光重复频率为20Hz-1kHz。在另一个实施例中，所述泵浦光重复频率可以选用30Hz、40Hz、50Hz、100Hz、500Hz中任一数值。在一个实施例中，所述泵浦光脉宽为100μs-500μs。在一个实施例中，所述泵浦光脉宽为150μs-450μs。在一个实施例中，所述泵浦光脉宽可以调节为200μs、250μs、300μs、350μs、400μs中任一数值。
在本实施例中，经过所述聚焦耦合系统200聚焦后的激光对所述增益介质410进行端面泵浦。Nd:YAG对808nm泵浦光有很高的吸收系数，与808nm的准连续半导体激光器匹配，可获得高的输出功率和泵浦效率，实现了光谱匹配。Cr4+:YAG结构简单，使用方便，无电磁干扰，可获得峰值功率大、脉宽小的巨脉冲。采用微片结构的所述工作介质400，有利于实现所述太赫兹波振荡器10的小型化和集成化。
在一个实施例中，所述工作介质400面向所述聚焦耦合系统200的一侧镀有增透膜和反射膜作为所述谐振腔300的前腔镜310。所述工作介质400远离所述聚焦耦合系统200的一侧镀有高反膜和部分反射膜作为所述谐振腔300的后腔镜320。所述前腔镜310和所述后腔镜320构成所述谐振腔300。通过调节所述工作介质400的端面的形状可以构成平行平面谐振腔或平凹腔。在一个实施例中，所述谐振腔300为平行平面谐振腔。在一个实施例中，所述增透膜为808nm的增透膜。所述反射膜为1064nm的反射膜。所述高反膜为808nm的高反膜，反射率Roc＝90％@1064nm。所述部分反射膜为1064nm的部分反射膜。
在一个实施例中，808nm的泵浦光射入所述谐振腔300后，所述泵浦光对所述工作介质400进行端面泵浦产生1064nm的激光并经过所述可饱和吸收体420调Q后产生脉冲激光。所述脉冲激光经过所述谐振腔300振荡放大后从所述部分反射膜射出。
在本实施例中，在由所述增益介质410与可饱和吸收体420的复合晶体两端的端面镀膜构建所述谐振腔300。这样的结构的优点是：一、缩短激光器谐振腔的腔长，减小了系统的体积，有利于固体激光器的小型化；二、减少激光在介质端面之间的反射损失，降低了谐振腔的腔内损耗；三、压窄激光脉宽，提高峰值功率。通过对泵浦光功率、泵浦光斑大小、泵浦光重复频率、泵浦光脉宽和所述工作介质400参数的调节，可以实现高平均输出功率、大能量的单频激光输出。
在一个实施例中，所述倍频装置500可以为抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。所述抗灰迹磷酸氧钛钾(GTR-KTP)晶体的长度可以根据需要进行调节。在一个实施例中，所述GTR-KTP晶体的长度为3mm-7mm。在一个实施例中，所述GTR-KTP晶体的长度可以选用4mm、5mm、6mm中的任一数值。在另一个实施例中，所述倍频装置500还可以选用其他非线性光学介质。比如BBO晶体、三硼酸锂(LiB3O5)。
在本实施例中，所述倍频装置500将所述谐振腔300内射出的激光的频率增加一倍后射出。扩大了激光的波段，可获得更短波长的激光。
请参见图2、图3和图4。图2为本实用新型一实施例中倍频后输出的绿光激光的平均输出功率随吸收泵浦功率的变化曲线。其中，斜率效率ηs为21％。由图2中曲线可得，当吸收泵浦功率为7W时，可获得1.2W的最高平均输出功率，光-光转换效率为17％。为后续获得高转换效率、高平均输出功率的双频激光器做准备。图3为倍频后得到的绿光激光的光谱特性。由图3可知中心波长为532nm。图4为倍频后得到的绿光激光的光斑特性。由图4可知输出激光为接近衍射极限的基模光斑。
在一个实施例中，所述第一分光装置600用于使所述倍频装置500出射的激光的经倍频后产生的激光反射输出，并使所述倍频装置500出射的未经倍频转换的激光透过所述第一分光装置600输出。在一个实施例中，所述第一分光装置600为分束镜。在一个实施例中，所述分束镜与所述倍频装置500出射的激光成45°夹角设置，从而使倍频光从与出射激光垂直的方向射出。所述分束镜的种类不限，只要能将所述倍频装置500出射的激光中的倍频光与基频光分向不同的方向输出即可。在本实施例中，使用所述第一分光装置600可将所述倍频装置500出射的激光中的倍频光和基频光分开。
在一个实施例中，入射基频光为1064nm激光，通过调节所述GTR-KTP晶体的长度和入射基频光功率大小等参数，并经过分束镜进行分束，可以实现532nm的绿光激光输出，基频光从分束镜另一侧输出。
在一个实施例中，所述光参量振荡器700为周期极化的抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。所述周期极化的抗灰迹磷酸氧钛钾(GTR-KTP)晶体是通过人为地在非线性晶体GTR-KTP中制备出周期性极化光栅，对晶体的非线性系数进行周期调制，来补偿由于色散造成的相位失配，制备出周期极化的GTR-KTP晶体。所述GTR-KTP晶体的长度可以根据需要进行调节。在一个实施例中，所述GTR-KTP晶体的长度为3mm-7mm。在一个实施例中，所述GTR-KTP晶体的长度可以选择4mm、5mm、6mm中任一数值。所述光参量振荡器700并不局限于采用上述晶体，只要能实现光参量振荡的功能即可。比如，在另一个实施例中，所述光参量振荡器700还可以采用周期极化铌酸锂晶体(PPLN)或周期性极化钽酸锂晶体(PPLT)。
在本实施例中，所述光参量振荡器700采用周期极化的抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。所述倍频装置500出射的倍频光入射到周期极化的GTR-KTP晶体上，利用该非线性晶体的光参量振荡特性，最终实现双频激光(闲频光和信号光，分别对应λ1和λ2)同时振荡。通过调节入射激光功率大小、GTR-KTP晶体的长度、外界温度、极化光栅周期等因素，可实现激光振荡波长(λ1和λ2)的可调谐输出。
在一个实施例中，所述太赫兹波振荡器10还包括第二分光装置800。所述第二分光装置800用于使所述光参量振荡器700出射的激光中的一部分被反射，另一部分透过所述第二分光装置800射出。在一个实施例中，所述第二分光装置800为分束镜。所述被反射输出的激光为信号光λ2，透射输出的激光为闲频光λ1。所述分束镜在所述光参量振荡器700的出射激光的延伸方向倾斜设置。在一个实施例中，所述分束镜与所述光参量振荡器700的出射激光的延伸方向成45°夹角设置，使所述光参量振荡器700的出射激光中的信号光λ2垂直于所述出射激光的延伸方向射出，并使闲频光λ1透射出去。在本实施例中，所述第二分光装置800可以将所述光参量振荡器700的出射激光中的闲频光λ1和信号光λ2分别向不同的方向输出。
在一个实施例中，所述差频装置900可以为非线性光学晶体。比如，所述差频装置900可以选用ZnGeP2、GaSe、CdSe、GaAs、GaP和DAST其中任意一种晶体。在一个实施例中，所述差频装置900可以为苯乙烯基吡啶(DAST)晶体。在一个实施例中，所述信号光λ2和所述第一分光装置600透射输出的基频光λ0垂直于所述DAST晶体的端面入射。在满足非线性相位匹配的前提下，所述信号光λ2和所述基频光λ0可以小角度进行微调以达到最佳的实际效果。还可以通过调节所述信号光λ2和所述第一分光装置600透射输出的基频光λ0的功率大小以及DAST晶体的厚度、掺杂浓度这些参数，实现太赫兹波振荡。在本实施例中，所述差频装置900用于对入射的激光通过差频产生太赫兹波。由于所述信号光λ2是可调谐振荡输出，所以所述差频装置900产生的太赫兹波也可以实现可调谐振荡，从而得到所述太赫兹波振荡器10。
在一个实施例中，所述太赫兹波振荡器10还包括反光装置810。所述第二分光装置800反射出的激光通过所述反光装置810反射输入所述差频装置900。在一个实施例中，所述反光装置810可以为至少一个反射镜。在一个实施例中，采用第一反射镜812和第二反射镜814对所述第二分光装置800反射出的激光进行两次反射后输入所述差频装置900。所述第一反射镜812和所述第二反射镜814为全反射镜。在一个实施例中，所述第一反射镜812与所述第二分光装置800反射的信号光λ2成45°夹角设置，所述第二反射镜814与所述第一反射镜812的反射光成45°。使信号光λ2垂直于所述DAST晶体射入。在本实施例中，采用反光装置810对输入所述差频装置900的激光进行角度调节，以达到理想的入射角度，并进一步获得更好效果的所述太赫兹波振荡器10。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种太赫兹波振荡器，其特征在于，包括：
泵浦源(100)，用于发出泵浦光；
聚焦耦合系统(200)，所述泵浦源(100)产生的泵浦光输入所述聚焦耦合系统(200)；
谐振腔(300)，所述聚焦耦合系统(200)输出的激光输入所述谐振腔(300)；
工作介质(400)，设置于所述谐振腔(300)内，输入所述谐振腔(300)的激光泵浦所述工作介质(400)，产生的激光经所述谐振腔(300)振荡放大后输出；
倍频装置(500)，所述谐振腔(300)输出的激光输入所述倍频装置(500)；
第一分光装置(600)，用于使所述倍频装置(500)射出的激光中的一部分被反射，另一部分透过所述第一分光装置(600)射出，所述聚焦耦合系统(200)、所述谐振腔(300)、所述工作介质(400)、所述倍频装置(500)及所述第一分光装置(600)沿着同一光轴依次排列；
光参量振荡器(700)，所述第一分光装置(600)的反射光输入所述光参量振荡器(700)，经光参量振荡后输出可调谐双频激光；
第二分光装置(800)，用于使所述光参量振荡器(700)出射的激光中的一部分被反射输出，另一部分透过所述第二分光装置(800)射出；
差频装置(900)，所述第二分光装置(800)反射的激光与所述第一分光装置(600)透射的激光输入所述差频装置(900)，产生太赫兹波。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述泵浦源(100)为半导体激光器。
3.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，还包括：
光纤(110)，连接于所述泵浦源(100)与所述聚焦耦合系统(200)之间，用于将泵浦光从所述泵浦源(100)输入所述聚焦耦合系统(200)。
4.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述聚焦耦合系统(200)包括至少一个透镜(210)，所述至少一个透镜(210)与输入所述聚焦耦合系统(200)的激光垂直，用于对输入所述聚焦耦合系统(200)的激光聚焦。
5.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述工作介质(400)为增益介质(410)与可饱和吸收体(420)的复合晶体。
6.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述工作介质(400)面向所述聚焦耦合系统(200)的一侧镀有增透膜和反射膜作为所述谐振腔(300)的前腔镜(310)，所述工作介质(400)远离所述聚焦耦合系统(200)的一侧镀有高反膜和部分反射膜作为所述谐振腔(300)的后腔镜(320)。
7.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述倍频装置(500)为抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。
8.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述第一分光装置(600)用于使所述倍频装置(500)出射的经倍频后产生的激光反射输出，并使所述倍频装置(500)出射的未经倍频转换的激光透过所述第一分光装置(600)输出。
9.根据权利要求1所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，所述光参量振荡器(700)为周期极化的抗灰迹磷酸氧钛钾晶体。
10.根据权利要求1-9任一项所述的太赫兹波振荡器，其特征在于，还包括：
反光装置(810)，所述第二分光装置(800)反射出的激光通过所述反光装置(810)反射输入所述差频装置(900)。
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|---|---|---|---|---|
| CN110350385A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-10-18 | 青岛青源峰达太赫兹科技有限公司 | 一种基于光学倍频的光纤耦合太赫兹光电导天线发射器 |
| CN110444997A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-12 | 青岛青源峰达太赫兹科技有限公司 | 一种基于光学倍频的光纤耦合太赫兹光电导天线探测器 |
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2017
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