CN208111472U - 一种低成本的led铝电极结构 - Google Patents
一种低成本的led铝电极结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208111472U CN208111472U CN201820103828.3U CN201820103828U CN208111472U CN 208111472 U CN208111472 U CN 208111472U CN 201820103828 U CN201820103828 U CN 201820103828U CN 208111472 U CN208111472 U CN 208111472U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- angstroms
- thickness
- layer
- layers
- chrome
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本实用新型属于材料加工技术领域，具体涉及一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为5埃～50埃；铝层的厚度为500埃～5000埃；铬层a的厚度为100埃～1000埃；铂层的厚度为200埃～2000埃；钛层的厚度为200埃～1500埃；铜铝层的厚度为10000埃～50000埃。本实用新型的有益效果：本实用新型的LED铝电极结构用铜铝合金替代黄金，在保证芯片品质的前提下极大的降低了LED芯片制作成本。
Description
技术领域
本实用新型属于材料加工技术领域，具体涉及一种低成本的LED铝电极结构。
背景技术
传统的LED芯片电极结构为5层金属，先后顺序为铬(Cr)/铝(Al)/铬(Cr)/铂(Pt)/金(Au)，其使用黄金作为最后一层焊线，需要较厚的黄金来提升芯片光效，降低焊线难度，并且所需的成本较高，市场推广受限。
针对上述问题，本实用新型开发出一种成本低、操作方便的低成本的LED铝电极结构。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的操作困难、成本高、难于推广等限制，本实用新型成功的研发出一种低成本的LED铝电极结构。
本实用新型的技术方案：
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为5埃～50埃；铝层的厚度为500埃～5000埃；铬层a的厚度为100埃～1000埃；铂层的厚度为200埃～2000埃；钛层的厚度为200埃～1500埃；铜铝层的厚度为10000埃～50000埃。
本实用新型的有益效果：本实用新型的LED铝电极结构用铜铝合金替代黄金，在保证芯片品质的前提下极大的降低了LED芯片制作成本。
附图说明
图1是本实用新型的LED铝电极结构示意图。
图中：1铜铝层；2钛层；3铂层；4铬层a；5铝层；6铬层b。
具体实施方式
以下结合附图和技术方案，进一步说明本实用新型的具体实施方式。
实施例1
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为15埃；铝层的厚度为1000；铬层a的厚度为500埃；铂层的厚度为800埃；钛层的厚度为500埃；铜铝层的厚度为10000埃。
实施例2
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为20埃；铝层的厚度为5000埃；铬层a的厚度为1000埃；铂层的厚度为2000埃；钛层的厚度为1500埃；铜铝层的厚度为50000埃。
实施例3
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为30埃；铝层的厚度为2000埃；铬层a的厚度为700埃；铂层的厚度为1000埃；钛层的厚度为800埃；铜铝层的厚度为30000埃。
实施例4
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为25埃；铝层的厚度为1500埃；铬层a的厚度为1000埃；铂层的厚度为2000埃；钛层的厚度为1000埃；铜铝层的厚度为50000埃。
实施例5
一种低成本的LED铝电极结构，共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为15埃；铝层的厚度为2000埃；铬层a的厚度为600埃；铂层的厚度为1500埃；钛层的厚度为1500埃；铜铝层的厚度为10000埃。
本实用新型不仅限于以上实施例。
Claims (1)
1.一种低成本的LED铝电极结构，其特征在于，所述的LED铝电极结构共包括6层结构，从下到上依次为铬层b、铝层、铬层a、铂层、钛层和铜铝层；其中，铬层b的厚度为5埃～50埃；铝层的厚度为500埃～5000埃；铬层a的厚度为100埃～1000埃；铂层的厚度为200埃～2000埃；钛层的厚度为200埃～1500埃；铜铝层的厚度为10000埃～50000埃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820103828.3U CN208111472U (zh) | 2018-01-22 | 2018-01-22 | 一种低成本的led铝电极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820103828.3U CN208111472U (zh) | 2018-01-22 | 2018-01-22 | 一种低成本的led铝电极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208111472U true CN208111472U (zh) | 2018-11-16 |
Family
ID=64127998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820103828.3U Active CN208111472U (zh) | 2018-01-22 | 2018-01-22 | 一种低成本的led铝电极结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208111472U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109713095A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-03 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种GaN发光二极管及其制备方法和LED芯片 |
| CN109728147A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | Led芯片结构及其形成方法和led芯片 |
| CN115064628A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-09-16 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 倒装发光二极管及发光装置 |
-
2018
- 2018-01-22 CN CN201820103828.3U patent/CN208111472U/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109713095A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-03 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种GaN发光二极管及其制备方法和LED芯片 |
| CN109728147A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | Led芯片结构及其形成方法和led芯片 |
| CN115064628A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-09-16 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 倒装发光二极管及发光装置 |
| CN115064628B (zh) * | 2022-08-17 | 2023-01-06 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 倒装发光二极管及发光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN208111472U (zh) | 一种低成本的led铝电极结构 | |
| CN100428500C (zh) | 基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法 | |
| Subbaiah et al. | Metal and metal oxide based advanced ceramics for electrochemical biosensors-A short review | |
| WO2010012955A3 (fr) | Elaboration de couche d'oxyde transparente et conductrice pour utilisation dans une structure photovoltaïque | |
| TW201013945A (en) | A stacked-layered thin film solar cell with a photoconductive layer having band gradient and a manufacturing method thereof | |
| CN207690823U (zh) | 一种低成本高光效芯片电极结构 | |
| CN205122599U (zh) | 一种背钝化太阳电池的金属化结构及其背钝化太阳电池 | |
| CN201971776U (zh) | 一种可包覆高折射率的金属氧化物的粗粒径珠光颜料 | |
| CN205751485U (zh) | 改良的古琴结构 | |
| CN206471352U (zh) | 一种新颖的led镀金bt板 | |
| CN201261678Y (zh) | 电梯门地坎 | |
| CN204760431U (zh) | 一种led晶线及led | |
| CN204143764U (zh) | 一种防伪贵金属片 | |
| CN209409661U (zh) | 一种氧化锆陶瓷签字笔 | |
| CN208126945U (zh) | 一种新型压敏电阻芯片 | |
| CN202159705U (zh) | 一种led芯片在金属基板上的镀镍钯封装结构 | |
| Amme | Historische Bestecke | |
| CN202111156U (zh) | 一种led晶片正极焊垫 | |
| CN205597654U (zh) | 一种可收缩的碗具 | |
| CN206733883U (zh) | 一种金属笔及其笔帽 | |
| CN205853719U (zh) | 一种新型工艺品 | |
| CN209861270U (zh) | 一种type-c高能一体线板 | |
| CN208243060U (zh) | 一种仿古币或古币饰品 | |
| WO2014009311A1 (de) | Lichtreflektierendes substrat für led-anwendungen | |
| CN208201128U (zh) | 一种耐用的银灰色陶瓷盖板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |