CN208093706U - 一种宽带波导环行器 - Google Patents

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Inventor
唐正龙
程锦
王小雨
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Nanjing Guangshun Electronic Technology Research Institute Co., Ltd.
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Nanjing Guangshun Electronic Technology Institute
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Abstract

本实用新型公开了一种宽带波导环行器,包括波导下腔体和波导上腔体,波导下腔体和波导上腔体采用良导体铝合金材料分别加工成型,再使用螺钉或其他方式将上下腔体紧固在一起精加工,其由良导体金属材料加工而成的下腔体和上腔体配合构成波导腔,三个引出端为环行器的三个端口,通过法兰面与系统中其他设备连接,三端波导传输线在环行器内交汇连接处构成Y形结构,称为Y形中心结,结的中心采用新式结构,扩展产品带宽,腔内放置两片旋磁铁氧体片与一片介质片,两片旋磁铁氧体片外侧各放置一片永磁体,为铁氧体提供偏置磁场,可广泛应用于军用电子对抗或抗干扰通讯系统中。

Description

一种宽带波导环行器
技术领域
本实用新型涉及微波通信技术领域,具体为一种宽带波导环行器。
背景技术
在现代军用电子对抗或抗干扰微波通信系统,常常会用到宽频带环行器,扩展频带宽度的常用方法是采用脊波导,而脊波导相对于同尺寸的矩形波导承受的功率低,并且在高频率系统中,脊波导的腔体加工比普通矩形波导困难。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种宽带波导环行器,可适用于3GHz-110GHz波导环行器产品,其带宽可达相应标准矩形波导的满频带,环行器零件材料少、结构简单易装配,同时在腔外增加U形铁磁性夹板,帮助上、下腔固定的同时,减小漏磁带来的磁性材料对系统中其他设备的影响,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种宽带波导环行器,包括波导下腔体和波导上腔体,所述波导下腔体内加工有三角支撑块,三角支撑块上放置有两片铁氧体片以及夹在两片铁氧体片之间的聚四氟乙烯介质片;所述波导下腔体和波导上腔体紧密配合,并通过螺钉固定为一体,在波导下腔体和波导上腔体的端面上还加工有圆柱形孔,孔内放置有永磁体片和盖板,盖板压合在永磁体片上;所述波导下腔体和波导上腔体的腔外槽内还装夹有铁磁性材料制成的U形夹板。
优选的,所述波导下腔体和波导上腔体采用良导体铝合金材料加工成型,且波导下腔体和波导上腔体紧配合形成的波导法兰面波导口边沿设置精加工凸台。
优选的,所述三角支撑块的三个角分别指向三端口波导中心线,形成脊波导结构。
优选的,所述铁氧体片和聚四氟乙烯介质片之间按照铁氧体片-聚四氟乙烯介质片-铁氧体片的顺序依次采用高温烘干胶粘贴在三角支撑块的表面,且第二片铁氧体片与波导上腔体之间采用同样方式粘贴固定。
优选的,所述永磁体片、盖板的轴心与铁氧体片、聚四氟乙烯介质片的垂心轴线重合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1、本宽带波导环行器,可适用于3GHz~110GHz波导环行器产品,其带宽可达相应标准矩形波导的满频带,环行器零件材料少、结构简单易装配,同时在腔外增加U形夹板,帮助上、下腔固定的同时,减小漏磁从而降低磁性材料对系统中其他设备的影响。
2、本宽带波导环行器,未使用已基本成型的Y波导腔,而采用分体式波导腔,分体式波导腔的波导下腔体和波导上腔体采用良导体铝合金材料分别加工成型,然后使用螺钉将上下强紧固,腔内加工三角支撑块,三个角分别指向三端口波导中心线,形成类似脊波导的结构,有效扩展产品频带宽度;聚四氟乙烯介质片不仅对两片铁氧体片起到支撑作用,铁氧体片在永磁体片的磁场作用下磁化时,在保证铁氧体片磁化磁场强度的同时,增加了两片铁氧体片之间的电距离。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构爆炸图;
图2为本实用新型的整体结构截面图;
图3为本实用新型的整体结构示意图。
图中:1波导下腔体、2波导上腔体、3铁氧体片、4聚四氟乙烯介质片、5永磁体片、6盖板、7U形夹板、8三角支撑块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,一种宽带波导环行器,包括波导下腔体1和波导上腔体2,波导下腔体1和波导上腔体2采用良导体铝合金材料加工成型,且波导下腔体1和波导上腔体2紧配合形成的波导法兰面波导口边沿设置精加工凸台;波导下腔体1内加工有三角支撑块8,三角支撑块8的三个角分别指向三端口波导中心线,形成脊波导结构,三角支撑块8上放置有两片铁氧体片3以及夹在两片铁氧体片3之间的聚四氟乙烯介质片4,铁氧体片3和聚四氟乙烯介质片4之间按照铁氧体片3-聚四氟乙烯介质片4-铁氧体片3的顺序依次采用高温烘干胶粘贴在三角支撑块8的表面,且第二片铁氧体片3与波导上腔体2之间采用同样方式粘贴固定;波导下腔体1和波导上腔体2紧密配合,并通过螺钉固定为一体,在波导下腔体1和波导上腔体2的端面上还加工有圆柱形孔,孔内放置有永磁体片5和盖板6,盖板6压合在永磁体片5上,永磁体片5、盖板6的轴心与铁氧体片3、聚四氟乙烯介质片4的垂心轴线重合;波导下腔体1和波导上腔体2的腔外槽内还装夹有铁磁性材料制成的U形夹板7,在包夹住波导下腔体1和波导上腔体2的同时,也能减小漏磁。
设计原理:本宽带波导环行器,可适用于3GHz~110GHz波导环行器产品,其带宽可达相应标准矩形波导的满频带,环行器零件材料少、结构简单易装配,同时在腔外增加U形夹板7,帮助上、下腔固定的同时,减小漏磁从而降低磁性材料对系统中其他设备的影响;而且,目前现有的环行器普遍为共用的Y形节式结构,本实用新型未使用已基本成型的波导腔,而采用分体式波导腔,分体式波导腔的波导下腔体1和波导上腔体2采用良导体铝合金材料分别加工成型,然后使用螺钉将上下强紧固,腔内加工三角支撑块8,三个角分别指向三端口波导中心线,形成类似脊波导的结构,有效扩展产品频带宽度;聚四氟乙烯介质片4不仅对两片铁氧体片3起到支撑作用,铁氧体片3在永磁体片5的磁场作用下磁化时,在保证铁氧体片3磁化磁场强度的同时,增加了两片铁氧体片3之间的电距离。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种宽带波导环行器,包括波导下腔体(1)和波导上腔体(2),其特征在于:所述波导下腔体(1)内加工有三角支撑块(8),三角支撑块(8)上放置有两片铁氧体片(3)以及夹在两片铁氧体片(3)之间的聚四氟乙烯介质片(4);所述波导下腔体(1)和波导上腔体(2)紧密配合,并通过螺钉固定为一体,在波导下腔体(1)和波导上腔体(2)的端面上还加工有圆柱形孔,孔内放置有永磁体片(5)和盖板(6),盖板(6)压合在永磁体片(5)上;所述波导下腔体(1)和波导上腔体(2)的腔外槽内还装夹有铁磁性材料制成的U形夹板(7)。
2.根据权利要求1所述的一种宽带波导环行器,其特征在于:所述波导下腔体(1)和波导上腔体(2)采用良导体铝合金材料加工成型,且波导下腔体(1)和波导上腔体(2)紧配合形成的波导法兰面波导口边沿设置精加工凸台。
3.根据权利要求1所述的一种宽带波导环行器,其特征在于:所述三角支撑块(8)的三个角分别指向三端口波导中心线,形成脊波导结构。
4.根据权利要求1所述的一种宽带波导环行器,其特征在于:所述铁氧体片(3)和聚四氟乙烯介质片(4)之间按照铁氧体片(3)-聚四氟乙烯介质片(4)-铁氧体片(3)的顺序依次采用高温烘干胶粘贴在三角支撑块(8)的表面,且第二片铁氧体片(3)与波导上腔体(2)之间采用同样方式粘贴固定。
5.根据权利要求1所述的一种宽带波导环行器,其特征在于:所述永磁体片(5)、盖板(6)的轴心与铁氧体片(3)、聚四氟乙烯介质片(4)的垂心轴线重合。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109378565A (zh) * 2018-11-27 2019-02-22 安徽阖煦微波技术有限公司 一种e波段宽带波导器件
CN109860968A (zh) * 2018-12-28 2019-06-07 中国航天时代电子有限公司 一种宇航用高可靠新型微波环行器

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GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
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Address after: 211132 seven weft three road, Tangshan Industrial Park, Jiangning District, Nanjing, Jiangsu

Patentee after: Nanjing Guangshun Electronic Technology Research Institute Co., Ltd.

Address before: 211132 seven weft three road, Tangshan Industrial Park, Jiangning District, Nanjing, Jiangsu

Patentee before: NANJING GUANGSHUN ELECTRONIC TECHNOLOGY Research Institute