CN208015635U - 一种抗晃电控制器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种抗晃电控制器，其包括高频开关电源模块、过流过压保护电路、整流滤波采样电路、单片机、抗晃电回路、低压保持可控电路、电容充电控制回路、保持回路，交流电通过高频开关电源模块分别与单片机、电容充电控制回路和保持回路连接，所述单片机与抗晃电回路、低压保持可控电路连接，所述电容充电控制回路通过低压保持可控电路与保持回路连接，所述抗晃电回路、保持回路分别与接触器线圈连接；所述抗晃电回路包括大功率MOS管电路和继电器控制电路的双效联合切换电路，并采用光耦隔离抗干扰。采用本实用新型的技术方案，正常工业生产时，可以维持交流接触器晃电不释放，使得切换回路更加稳定可靠。

Description

一种抗晃电控制器

技术领域

本实用新型涉及一种抗晃电控制器。

背景技术

抗晃电是电动机管理控制器的一项基本功能，通常电动机管理控制器在其220V的高压电源电路上并联电解电容作为抗晃电储能电容，然而普通的电解电容，电压高、容量小、体积大。为了提高电能储存量，要选择大容量的电解电容，由于大容量的电解电容的体积较大，并且单只电解电容的容量有限，往往需要多只电解电容并联，这样一来电动机管理控制器体积就会很大。而且与接触器联合使用时可靠性不高。

实用新型内容

针对以上技术问题，本实用新型公开了一种抗晃电控制器，具有更好的可靠性。

对此，本实用新型的技术方案为：

一种抗晃电控制器，其包括高频开关电源模块、过流过压保护电路、整流滤波采样电路、单片机、抗晃电回路、低压保持可控电路、电容充电控制回路、保持回路，所述高频开关电源模块的输入端与交流电连接，所述高频开关电源模块的输出端分别与单片机、电容充电控制回路和保持回路连接，所述过流过压保护电路的输入端与交流电连接，所述过流过压保护电路的输出端分别与抗晃电回路、整流滤波采样电路连接，所述整流滤波采样电路与单片机连接，所述单片机与抗晃电回路、低压保持可控电路连接，所述电容充电控制回路与低压保持可控电路连接，所述低压保持可控电路与保持回路连接，所述抗晃电回路、保持回路分别与接触器线圈连接；所述抗晃电回路包括大功率MOS管电路和继电器控制电路的双效联合切换电路，并采用光耦隔离抗干扰。

作为本实用新型的进一步改进，所述继电器控制电路包括继电器RL2、二极管D2、二极管D5、二极管D6、电容E6和电容E7，所述继电器RL2包括第一触点、第二触点、第三触点和第四触点，所述第一触点与单片机的控制信号连接，第四触电与OPC信号连接，所述第三触点与二极管D5的正极连接；所述电容E7和电容E6并联后，正极端与二极管D6的正极连接，所述二极管D5的负极、二极管D6的负极相连；所述二极管D2的两端与继电器连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述大功率MOS管电路包括功率管Q4、光耦U1、场效应管Q1和TVS管，所述功率管Q4的基极与光耦U1连接，所述光耦U1与场效应管Q1的连接，所述光耦U1与场效应管Q1之间连接有TVS管。

作为本实用新型的进一步改进，所述抗晃电回路包括继电器RL1，所述继电器RL1其中的两个触点分别与二极管D5的负极、功率管Q4的集电极连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述继电器RL2的型号为DSP2A-DC24V。

作为本实用新型的进一步改进，所述继电器RL1的型号为DSP1-DC24V-F。

作为本实用新型的进一步改进，所述整流滤波采样电路包括整流器和光耦，所述整流器的V+端与电阻串联后与光耦的1端连接，所述整流器的AC端与继电器RL1连接，所述整流器的V-端与光耦的3端连接，所述电阻与整流器的V-端并联有电容；所述光耦的4端与单片机的SIG信号端连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述电容充电控制回路包括光耦U1，所述光耦U1的4端与单片机的BET信号端连接；所述光耦U1的1端、3端分别与电容C1的两端连接，所述光耦U1的1端还与电阻R2和电阻R6连接，所述电阻R6通过电阻R34与光耦U1的3端连接，所述电阻R2与电阻R33串联，所述电阻R33与电容E1的正极连接，所述电容E1依次与电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7串联，所述电容E7的负极与光耦U1的3端连接；所述电容E1、电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7的两端分别并联有电阻R1、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11。

作为本实用新型的进一步改进，所述光耦U1的4端与电阻R4连接接地，所述电阻R4与电容C2连接后与单片机的BET信号端连接。

进一步的，所述单片机为MCU。

优选的，所述单片机的型号为STC89C52RC。

单片机为控制器的核心部分，主要负责整个控制的工作流程和开关电路。所述整流滤波采样电路实时检测电网电压，交流接触器的启动情况，通过整流光电耦合隔离采样，接触器启动后，一旦电网电压波动，硬件触发及时响应单片机系统处理。交流启动，直流保持，为了给保持回路输出所需的吸合电流，设计了电容充电控制回路。从控制器上电时，储能法拉电容一直在线不断地充电，直到充满为止。当晃电发生时，保持回路闭合后，储能电容瞬间输出保持电流，可靠地保证了接触不释放。所述抗晃电回路做到正常工业生产时，维持交流接触器晃电不释放，设计了大功率MOS管和继电器双效联合切换电路，光耦隔离抗干扰，使得切换回路稳定可靠。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

采用本实用新型的技术方案，通过大功率MOS管和继电器双效联合切换电路，光耦隔离抗干扰，正常工业生产时，维持交流接触器晃电不释放，使得切换回路更加稳定可靠。

附图说明

图1是本实用新型一种实施例的电路框图。

图2是本实用新型一种实施例的抗晃电回路的电路图。

图3是本实用新型一种实施例的整流滤波采样电路的电路图。

图4是本实用新型一种实施例的电容充电控制回路的电路图。

图5是本实用新型一种实施例的电路图的单片机外围回路的电路图。

图6是本实用新型一种抗晃电控制器的电路图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型的较优的实施例作进一步的详细说明。

如图1～图6所示，一种抗晃电控制器，其包括高频开关电源模块、过流过压保护电路、整流滤波采样电路、单片机、抗晃电回路、低压保持可控电路、电容充电控制回路、保持回路，所述高频开关电源模块的输入端与交流电连接，所述高频开关电源模块的输出端分别与单片机、电容充电控制回路和保持回路连接，所述过流过压保护电路的输入端与交流电连接，所述过流过压保护电路的输出端分别与抗晃电回路、整流滤波采样电路连接，所述整流滤波采样电路与单片机连接，所述单片机与抗晃电回路、低压保持可控电路连接，所述电容充电控制回路与低压保持可控电路连接，所述低压保持可控电路与保持回路连接，所述抗晃电回路、保持回路分别与接触器线圈连接；所述抗晃电回路包括大功率MOS管电路和继电器控制电路的双效联合切换电路，并采用光耦隔离抗干扰。

如图2所示，所述继电器控制电路包括继电器RL2、二极管D2、二极管D5、二极管D6、电容E6和电容E7，所述继电器RL2包括第一触点、第二触点、第三触点和第四触点，所述第一触点与单片机的控制信号连接，第四触电与OPC信号连接，所述第三触点与二极管D5的正极连接；所述电容E7和电容E6并联后，正极端与二极管D6的正极连接，所述二极管D5的负极、二极管D6的负极相连；所述二极管D2的两端与继电器连接。所述大功率MOS管电路包括功率管Q4、光耦U1、场效应管Q1和TVS管，所述功率管Q4的基极与光耦U1连接，所述光耦U1与场效应管Q1的连接，所述光耦U1与场效应管Q1之间连接有TVS管。所述抗晃电回路包括继电器RL1，所述继电器RL1其中的两个触点分别与二极管D5的负极、功率管Q4的集电极连接。所述继电器RL2的型号为DSP2A-DC24V；所述继电器RL1的型号为DSP1-DC24V-F。

如图3和图5所示，所述整流滤波采样电路包括整流器和光耦，所述整流器的V+端与电阻串联后与光耦的1端连接，所述整流器的AC端与继电器RL1连接，所述整流器的V-端与光耦的3端连接，所述电阻与整流器的V-端并联有电容；所述光耦的4端与单片机的SIG信号端连接。

如图4和图5所示，所述电容充电控制回路包括光耦U1，所述光耦U1的4端与单片机的BET信号端连接；所述光耦U1的1端、3端分别与电容C1的两端连接，所述光耦U1的1端还与电阻R2和电阻R6连接，所述电阻R6通过电阻R34与光耦U1的3端连接，所述电阻R2与电阻R33串联，所述电阻R33与电容E1的正极连接，所述电容E1依次与电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7串联，所述电容E7的负极与光耦U1的3端连接；所述电容E1、电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7的两端分别并联有电阻R1、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11。所述光耦U1的4端与电阻R4连接接地，所述电阻R4与电容C2连接后与单片机的BET信号端连接。所述单片机的型号为STC89C52RC。

采用本实施例的技术方案，在正常工业生产时，维持交流接触器晃电不释放，光耦隔离抗干扰，使得切换回路更加稳定可靠。

以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。

Claims (9)

1.一种抗晃电控制器，其特征在于：其包括高频开关电源模块、过流过压保护电路、整流滤波采样电路、单片机、抗晃电回路、低压保持可控电路、电容充电控制回路、保持回路，所述高频开关电源模块的输入端与交流电连接，所述高频开关电源模块的输出端分别与单片机、电容充电控制回路和保持回路连接，所述过流过压保护电路的输入端与交流电连接，所述过流过压保护电路的输出端分别与抗晃电回路、整流滤波采样电路连接，所述整流滤波采样电路与单片机连接，所述单片机与抗晃电回路、低压保持可控电路连接，所述电容充电控制回路与低压保持可控电路连接，所述低压保持可控电路与保持回路连接，所述抗晃电回路、保持回路分别与接触器线圈连接；所述抗晃电回路包括大功率MOS管电路和继电器控制电路的双效联合切换电路，并采用光耦隔离抗干扰。

2.根据权利要求1所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述继电器控制电路包括继电器RL2、二极管D2、二极管D5、二极管D6、电容E6和电容E7，所述继电器RL2包括第一触点、第二触点、第三触点和第四触点，所述第一触点与单片机的控制信号连接，第四触电与OPC信号连接，所述第三触点与二极管D5的正极连接；所述电容E7和电容E6并联后，正极端与二极管D6的正极连接，所述二极管D5的负极、二极管D6的负极相连；所述二极管D2的两端与继电器连接。

3.根据权利要求2所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述大功率MOS管电路包括功率管Q4、光耦U1、场效应管Q1和TVS管，所述功率管Q4的基极与光耦U1连接，所述光耦U1与场效应管Q1的连接，所述光耦U1与场效应管Q1之间连接有TVS管。

4.根据权利要求3所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述抗晃电回路包括继电器RL1，所述继电器RL1其中的两个触点分别与二极管D5的负极、功率管Q4的集电极连接。

5.根据权利要求4所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述继电器RL2的型号为DSP2A-DC24V；所述继电器RL1的型号为DSP1-DC24V-F。

6.根据权利要求5所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述整流滤波采样电路包括整流器和光耦，所述整流器的V+端与电阻串联后与光耦的1端连接，所述整流器的AC端与继电器RL1连接，所述整流器的V-端与光耦的3端连接，所述电阻与整流器的V-端并联有电容；所述光耦的4端与单片机的SIG信号端连接。

7.根据权利要求6所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述电容充电控制回路包括光耦U1，所述光耦U1的4端与单片机的BET信号端连接；所述光耦U1的1端、3端分别与电容C1的两端连接，所述光耦U1的1端还与电阻R2和电阻R6连接，所述电阻R6通过电阻R34与光耦U1的3端连接，所述电阻R2与电阻R33串联，所述电阻R33与电容E1的正极连接，所述电容E1依次与电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7串联，所述电容E7的负极与光耦U1的3端连接；所述电容E1、电容E3、电容E4、电容E8、电容E5、电容E6和电容E7的两端分别并联有电阻R1、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11。

8.根据权利要求7所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述光耦U1的4端与电阻R4连接接地，所述电阻R4与电容C2连接后与单片机的BET信号端连接。

9.根据权利要求8所述的抗晃电控制器，其特征在于：所述单片机的型号为STC89C52RC。