CN207925889U - 激光模组及激光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种激光模组及激光装置，型涉及激光设备的技术领域，所述激光模组，包括：外壳、支架、激光光源和准直镜，所述准直镜固定在所述外壳的一端；所述支架用于固定激光光源，所述外壳的另一端设置有沿所述外壳长度方向向内延伸的内凹插槽，所述支架固定在所述内凹插槽内；所述内凹插槽用于向所述支架提供调整区域，以使所述支架固定前所述激光光源到所述准直镜之间的距离可调。通过上述的结构可以调整激光光源到准直镜之间的距离，从而改变光路中的参数，从而到出射光最佳的目的，在调整的过程中，只是激光光源发生了调整，避免了触碰准直镜，所以可以有效的避免准直镜被污染。

Description

激光模组及激光装置

技术领域

本实用新型涉及激光设备的技术领域，尤其是涉及一种激光模组及激光装置。

背景技术

近年来，激光模组的应用需求日益增长，体积小、重量轻、可靠性高的指示型激光器需求越来越大。尤其超小体积的激光模组，可广泛应用于小型枪瞄瞄具、小型装饰灯或手持(头戴)测绘量具等多种对超小尺寸激光模组有强烈需求的激光应用产品上，因而市场前景及其广阔。

激光模组中的准直镜固定在支架上，然后再将支架固定在激光模组的外壳上，通过调整支架可以调整输出激光，但是通过支架调节光路容易造成准直镜被操作者的手指污染。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供的一种激光模组及激光装置，以缓解了现有的激光模组在进行出射光性能调节时准直镜容易被污染的技术问题。

第一方面，本实用新型实施例提供的一种激光模组，包括：外壳、支架、激光光源和准直镜，所述准直镜固定在所述外壳的一端；

所述支架用于固定激光光源，所述外壳的另一端设置有沿所述外壳长度方向向内延伸的内凹插槽，所述支架固定在所述内凹插槽内；所述内凹插槽用于向所述支架提供调整区域，以使所述支架固定前所述激光光源到所述准直镜之间的距离可调。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述支架与所述内凹插槽间隙配合。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述内凹插槽上设置有内螺纹，所述支架上对应设置有外螺纹，以使所述支架固定前调整所述激光光源到所述准直镜之间的距离。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述支架与所述外壳胶合。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述激光光源为红光半导体，所述激光模组包括自倍频晶体，所述自倍频晶体为钕掺杂硼酸钙氧钇Nd:YCOB或钕掺杂硼酸钙氧钆Nd:GdCOB，所述自倍频晶体按通光方向切割，切割方向为产生532nm激光的自倍频方向；所述自倍频晶体的厚度为0.5-1.5mm。

结合第一方面的第四种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述自倍频晶体入射面镀800-850nm波段增透膜、1000-1150nm波段全反膜及500-570nm波段全反膜；

激光自倍频晶体出射面镀800-850nm波段全反膜、1000-1150nm波段全反膜和500-570nm波段高透膜。

结合第一方面的第五种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，所述激光光源为半导体光子晶体激光器，且所述半导体光子晶体激光器的快慢轴的发散角均为7.5-12°。

结合第一方面的第六种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述准直镜、扩束镜和自倍频晶体均与所述外壳胶合。

结合第一方面的第七种可能的实施方式，本发明实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，所述外壳为管状结构，所述外壳的长度为10mm，直径为3.7mm。

第二方面，本实用新型实施例提供的一种激光装置，包括控制开关、电源和上述的激光模组。

本发明实施例带来了以下有益效果：

本实用新型实施例提供的激光模组，包括：外壳、支架、激光光源和准直镜，准直镜固定在外壳的一端。支架用于固定激光光源，在外壳的另一端设置有沿所述外壳长度方向向内延伸的内凹插槽，内凹插槽用于向所述支架提供调整区域，也就是在将支架安装在外壳前，沿内凹插槽深度方向前后移动支架，可以使激光光源到所述准直镜之间的距离改变，可以找到激光性能最佳的位置，然后将支架固定在该位置上。通过上述的结构可以调整激光光源到准直镜之间的距离，从而改变光路中的参数，从而到出射光最佳的目的，在调整的过程中，只是激光光源发生了调整，避免了触碰准直镜，所以可以有效的避免准直镜被污染。

本实用新型实施例提供的一种激光装置，包括控制开关、电源和上述的激光模组。通过上述激光模组的结构可以调整激光光源到准直镜之间的距离，从而改变光路中的参数，从而到出射光最佳的目的，在调整的过程中，只是激光光源发生了调整，避免了触碰准直镜，所以可以有效的避免准直镜被污染。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的激光模组的示意图；

图2为本实用新型实施例提供的激光模组的原理图。

图标：100-外壳；200-支架；300-激光光源；400-自倍频晶体；500-扩束镜；600-准直镜。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1所示，本实用新型实施例提供的激光模组，包括：外壳100、支架200、激光光源300和准直镜600，准直镜600固定在外壳100的一端。支架200用于固定激光光源300，在外壳100的另一端设置有沿外壳100长度方向向内延伸的内凹插槽，内凹插槽用于向支架200提供调整区域，也就是在将支架200安装在外壳100前，沿内凹插槽深度方向前后移动支架200，可以使激光光源300到准直镜600之间的距离改变，可以找到激光性能最佳的位置，然后将支架200固定在该位置上。通过上述的结构可以调整激光光源300到准直镜600之间的距离，从而改变光路中的参数，从而到出射光最佳的目的，在调整的过程中，只是激光光源300发生了调整，避免了触碰准直镜600，所以可以有效的避免准直镜600被污染。

同时，准直镜600直接装配在外壳100上，去除因透镜支架200造成的尺寸问题，极大的节省了空间。

在一个可以实施的方案中，支架200与内凹插槽可以采用间隙配合。也就是支架200的外径略小于内凹插槽的内径，当支架200插入到内凹插槽时，二者存在一定的摩擦力，防止支架200在内凹凹槽内自由滑动。而当支架200移动到合适的位置时，可以采用胶粘的防止将支架200与外壳100固定连接。

在另一个可以实施的方案中，内凹插槽上可以设置有内螺纹，支架200上对应设置有外螺纹，支架200的旋入和旋出，可以调整激光光源300的位置。而且调整到合适位置时，松手后，支架200也不会自由移动。

红光激光模组没有绿光激光模组显眼；对动物来说，动物眼睛对绿光不敏感、对红光敏感，故而红光激光在激光标线、测绘、瞄具、狩猎等方面的应用有天然的劣势。

如图2所示，为了解决上述问题，在一个可以实施的方案中，通过直接耦合的方式，采用红外半导体泵浦绿光激光自倍频晶体400，实现532nm绿光激光输出，并在φ3.7mm×10.0mm的尺寸范围内，最终实现半导体泵浦的超小尺寸532nm绿光激光器。

不仅可以采用半导体光子晶体激光器，页可以是半导体电子晶体激光器作为光源；两种半导体都可以直接耦合的方式泵浦绿光激光自倍频晶体400，发出波长为532nm的绿光激光。

具体的，激光光源300可为红光半导体，激光模组包括自倍频晶体400，自倍频晶体400为钕掺杂硼酸钙氧钇Nd:YCOB或钕掺杂硼酸钙氧钆Nd:GdCOB，该晶体可以保证工作温度范围为-30～50℃，自倍频晶体400按通光方向切割，切割方向为产生532nm激光的自倍频方向。自倍频晶体400按通光方向切割，切割方向即为通光方向，所述自倍频晶体400为圆柱形。自倍频晶体400的最大吸收方向与激光光源300的偏振方向一致；所述自倍频晶体400的厚度为0.5-1.5mm。

为了形成532nm的绿光，自倍频晶体400入射面镀800-850nm波段增透膜、1000-1150nm波段全反膜及500-570nm波段全反膜；激光自倍频晶体400出射面镀800-850nm波段全反膜、1000-1150nm波段全反膜和500-570nm波段高透膜。

上述镀膜方式并不唯一，同一块晶体，可以通过镀不同的膜，对晶体内的倍频光进行选频，从而变为黄光激光晶体等等。

激光光源300为半导体光子晶体激光器，且半导体光子晶体激光器的快慢轴的发散角均为7.5-12°。相较于传统半导体激光器，半导体光子晶体激光器具有快慢轴一致、发散角小、无需耦合、能量密度高的优点；绿光激光自倍频晶体400具有启动快、功率稳定性好、使用温宽范围广、温宽稳定性好等优点。

准直镜600、扩束镜500和自倍频晶体400均与外壳100可以采用胶合的方式固定连接。

外壳100为管状结构，当自倍频晶体400的厚度为0.5-1.5mm，可以明显降低激光模组的长度，外壳100的长度为10mm，直径为3.7mm。从而可以使该模组的直径为3.7mm，长度为10.0mm，发散角为2.0mrad，工作温度范围为-30～50℃，全温宽启动时间＜0.5s，全温宽点功率范围在0.5～3.0mW内；其工作电压为2.7～5.0V，防反接，平均工作电流≤150mA。上述特性在同一个激光模组内实现，使得该模组具有尺寸小、发散角小、使用温宽范围大、启动速度快、功率稳性好、功耗低、电路性能可靠等优点，极具广阔的市场开发前景。

本实用新型实施例提供的一种激光装置，包括控制开关、电源和上述的激光模组。通过上述激光模组的结构可以调整激光光源300到准直镜600之间的距离，从而改变光路中的参数，从而到出射光最佳的目的，在调整的过程中，只是激光光源300发生了调整，避免了触碰准直镜600，所以可以有效的避免准直镜600被污染。

最后应说明的是：以上实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种激光模组，其特征在于，包括：外壳、支架、激光光源和准直镜，所述准直镜固定在所述外壳的一端；

所述支架用于固定激光光源，所述外壳的另一端设置有沿所述外壳长度方向向内延伸的内凹插槽，所述支架固定在所述内凹插槽内；所述内凹插槽用于向所述支架提供调整区域，以使所述支架固定前所述激光光源到所述准直镜之间的距离可调。

2.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述支架与所述内凹插槽间隙配合。

3.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述内凹插槽上设置有内螺纹，所述支架上对应设置有外螺纹，以使所述支架固定前调整所述激光光源到所述准直镜之间的距离。

4.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述支架与所述外壳胶合。

5.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述激光光源为红光半导体，所述激光模组包括自倍频晶体，所述自倍频晶体为钕掺杂硼酸钙氧钇Nd:YCOB或钕掺杂硼酸钙氧钆Nd:GdCOB，所述自倍频晶体按通光方向切割，切割方向为产生532nm激光的自倍频方向；所述自倍频晶体的厚度为0.5-1.5mm。

6.根据权利要求5所述的激光模组，其特征在于，所述自倍频晶体入射面镀800-850nm波段增透膜、1000-1150nm波段全反膜及500-570nm波段全反膜；

激光自倍频晶体出射面镀800-850nm波段全反膜、1000-1150nm波段全反膜和500-570nm波段高透膜。

7.根据权利要求6所述的激光模组，其特征在于，所述激光光源为半导体光子晶体激光器，且所述半导体光子晶体激光器的快慢轴的发散角均为7.5-12°。

8.根据权利要求7所述的激光模组，其特征在于，所述准直镜、扩束镜和自倍频晶体均与所述外壳胶合。

9.根据权利要求1所述的激光模组，其特征在于，所述外壳为管状结构，所述外壳的长度为10mm，直径为3.7mm。

10.一种激光装置，其特征在于，包括控制开关、电源和权利要求1-9任意一项所述的激光模组。