CN207883461U - 差共模集成电感及其散磁屏蔽结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。该散磁屏蔽结构，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。本实用新型利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部，从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来，以阻挡散磁外漏，并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去，解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电感技术领域，特别涉及一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。
背景技术
在开关电源应用领域中，共模电感应用较广泛，主要是起补偿杂散容性电流，滤除电力系统中的有害次谐波，同时也具备抑制合闸涌流、限制短路电流、防雷、阻波、提高功率因数等作用。
共模电感器是由两组匝数相同、绕向相反的绕组构成，通常两绕组绕制在单一封闭的磁环上。传统共模电感工作低效(通常用两级或多级)，损耗值高、应用频率窄、体积大，不能促进国内开关电源往可塑性高性能方向发展。
为拓宽应用频段，减小体积，方便自动化加工，近年来，又诞生了若干种差共模集成电感，如下图1所示。图1中，(a)为EI形磁芯，(b)为EU形磁芯，(c)为EE形磁芯，(d)为日字形磁芯。
图1中的电感在传统电感基础上，增加了用于提高差模分量的磁路通道，其中，磁芯具有中柱，该类集成电感的应用频段显著提升，完成相同电气指标，体积可以设计得更小。但是，同样存在弊端，这是由于用于增加差模分量的磁芯中柱，必须开气隙，否则通过该中柱的磁通极易饱和，会失去增加该中柱的意义。
但是，磁通经过中柱气隙时，会有大量的磁通泄露到空中，造成电磁辐射污染；同时该类复合电感有部分磁芯是组合型的，在磁芯拼接缝处也会有磁通泄露，同样存在电磁辐射污染问题，如图2中的虚线所示，代表磁通泄露情况。
实用新型内容
本实用新型提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，以解决现有技术中气隙处会有大量的磁通泄露到空中，造成电磁辐射污染的问题。
为解决上述问题，作为本实用新型的一个方面，提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。
优选地，所述磁芯包括E形磁芯部及与所述E形磁芯部配合的I形磁芯部，所述散磁屏蔽部包括对应于所述磁芯的中柱气隙位置处的侧板，所述侧板与I形磁芯部连接，且所述侧板向所述E形磁芯部的一侧延伸。
优选地，所述I形磁芯部上平行地设置有两个所述侧板，所述中柱气隙位于所述两个侧板之间。
优选地，所述磁芯包括E形磁芯部及与所述E形磁芯部配合的I形磁芯部，所述散磁屏蔽部包括套管，所述套管与I形磁芯部连接，且所述磁芯的中柱气隙容纳在所述套管中。
优选地，所述散磁屏蔽部还包括设置在所述I形磁芯部的朝向所述E形磁芯部一侧表面上的凹槽，所述E形磁芯部的侧柱的自由端位于所述凹槽中。
优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部A和E形磁芯部B，所述E形磁芯部A的中柱的端部形成有用作所述散磁屏蔽部的套管，所述E形磁芯部B的中柱的自由端容纳在所述套管中。
优选地，所述磁芯为“日”字形磁芯，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述“日”字形磁芯的中柱气隙所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。
优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部和U形磁芯部，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述磁芯的中柱气隙所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。
优选地，所述散磁屏蔽部与所述磁芯是相互分立的部分、或所述散磁屏蔽部与所述磁芯是一体成型的。
本实用新型还提供了一种差共模集成电感，包括上述的散磁屏蔽结构。
本实用新型利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部，从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来，以阻挡散磁外漏，并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去，解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。
附图说明
图1示意性地示出了现有技术中的四种磁芯的结构示意图；
图2示意性地示出了EI形磁芯的磁通泄露示意图；
图3示意性地示出了本实用新型中的EI形磁芯的第一实施例的分解图；
图4示意性地示出了本实用新型中的EI形磁芯的第一实施例的组装图；
图5示意性地示出了本实用新型中的EI形磁芯的第二实施例的分解图；
图6示意性地示出了本实用新型中的EI形磁芯的第二实施例的组装图；
图7示意性地示出了本实用新型中的EE形磁芯的分解图；
图8示意性地示出了本实用新型中的EE形磁芯的组装图；
图9示意性地示出了本实用新型中的日字形磁芯的主视图；
图10示意性地示出了图9的侧视图；
图11示意性地示出了本实用新型中的日字形磁芯的立体图；
图12示意性地示出了现有技术中的差共模集成电感的示意图；
图13示意性地示出了本实用新型中的差共模集成电感的示意图。
图中附图标记：1、E形磁芯部；2、I形磁芯部；3、中柱气隙；4、侧板；5、套管；6、凹槽；7、E形磁芯部A；8、E形磁芯部B；9、U形磁芯部。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
本实用新型的一个方面，提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。散磁屏蔽结构的材质可与磁芯相同，也可以是其他导磁材质，如粉芯，非晶等等。
可见，本实用新型利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部，从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来，以阻挡散磁外漏，并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去，解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。
在一个实施例中，优选地，所述磁芯包括E形磁芯部1及与所述E形磁芯部1配合的I形磁芯部2，所述散磁屏蔽部包括对应于所述磁芯的中柱气隙3位置处的侧板4，所述侧板4与I形磁芯部2连接，且所述侧板4向所述E形磁芯部1的一侧延伸。优选地，所述I形磁芯部2上平行地设置有两个所述侧板4，所述中柱气隙3位于所述两个侧板4之间。其中，侧板4的长宽尺寸大于气隙的长宽尺寸。
在另一个实施例中，优选地，所述磁芯包括E形磁芯部1及与所述E形磁芯部1配合的I形磁芯部2，所述散磁屏蔽部包括套管5，所述套管5与I形磁芯部2连接，且所述磁芯的中柱气隙3容纳在所述套管5中。套管5可以为方管，其内腔的长宽高尺寸大于气隙尺寸。
更优选地，所述散磁屏蔽部还包括设置在所述I形磁芯部2的朝向所述E形磁芯部1一侧表面上的凹槽6，所述E形磁芯部1的侧柱的自由端位于所述凹槽6中。
优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部A7和E形磁芯部B8，所述E形磁芯部A7的中柱的端部形成有用作所述散磁屏蔽部的套管5，所述E形磁芯部B8的中柱的自由端容纳在所述套管5中。套管5可以为方管，其内腔的长宽高尺寸大于气隙尺寸。
优选地，所述磁芯为“日”字形磁芯，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述“日”字形磁芯的中柱气隙3所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。所述U形的凹槽的长宽高尺寸大于气隙尺寸。
优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部1和U形磁芯部9，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述磁芯的中柱气隙3所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。
优选地，所述散磁屏蔽部与所述磁芯是相互分立的部分、或所述散磁屏蔽部与所述磁芯是一体成型的。
本实用新型还提供了一种差共模集成电感，包括上述的散磁屏蔽结构。
本实用新型整体方案利用磁性材料，将气隙位置局部或者整体包裹起来，阻挡散磁外漏，并使得散磁通过屏蔽磁体重新回到主磁路上去；散射到空中的磁通，会被周边的屏蔽层吸收，屏蔽层与磁芯主体连接，散磁的能量会重新回到磁芯主体中，在解决电磁辐射的同时，还能进一步优化性能。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。
2.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述磁芯包括E形磁芯部(1)及与所述E形磁芯部(1)配合的I形磁芯部(2)，所述散磁屏蔽部包括对应于所述磁芯的中柱气隙(3)位置处的侧板(4)，所述侧板(4)与I形磁芯部(2)连接，且所述侧板(4)向所述E形磁芯部(1)的一侧延伸。
3.根据权利要求2所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述I形磁芯部(2)上平行地设置有两个所述侧板(4)，所述中柱气隙(3)位于所述两个侧板(4)之间。
4.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述磁芯包括E形磁芯部(1)及与所述E形磁芯部(1)配合的I形磁芯部(2)，所述散磁屏蔽部包括套管(5)，所述套管(5)与I形磁芯部(2)连接，且所述磁芯的中柱气隙(3)容纳在所述套管(5)中。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述散磁屏蔽部还包括设置在所述I形磁芯部(2)的朝向所述E形磁芯部(1)一侧表面上的凹槽(6)，所述E形磁芯部(1)的侧柱()的自由端位于所述凹槽(6)中。
6.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部A(7)和E形磁芯部B(8)，所述E形磁芯部A(7)的中柱的端部形成有用作所述散磁屏蔽部的套管(5)，所述E形磁芯部B(8)的中柱的自由端容纳在所述套管(5)中。
7.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所
述磁芯为“日”字形磁芯，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述“日”字形磁芯的中柱气隙(3)所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。
8.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部(1)和U形磁芯部(9)，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述磁芯的中柱气隙(3)所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。
9.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构，其特征在于，所述散磁屏蔽部与所述磁芯是相互分立的部分、或所述散磁屏蔽部与所述磁芯是一体成型的。
10.一种差共模集成电感，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的散磁屏蔽结构。
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| CN201820034978.3U CN207883461U (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 差共模集成电感及其散磁屏蔽结构 |
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| CN201820034978.3U CN207883461U (zh) | 2018-01-09 | 2018-01-09 | 差共模集成电感及其散磁屏蔽结构 |
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Cited By (1)
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| CN108257768A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-07-06 | 深圳市雅玛西电子有限公司 | 差共模集成电感及其散磁屏蔽结构 |
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2018
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