CN207868207U - 光伏电池片及相应的网版 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种光伏电池片及相应的网版，涉及光伏电池技术领域，该用于测量金属‑半导体接触电阻率的光伏电池片，光伏电池片表面包括m个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，m≥2。利用该光伏电池片测试方阻和接触电阻率能够现有技术中利用TLM测试样品测试电池的方阻和接触电阻率不够准确的技术问题，达到提高测试准确度的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏电池技术领域，尤其是涉及一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片及相应的网版。
背景技术
太阳电池工艺中，在印刷浆料后会进行烧结工艺，烧结的主要目的一是去除浆料中的水分，使浆料固化，凝结成低电阻率的金属电极；二是使电极与半导体硅片形成良好的欧姆接触，降低电池的填充因子损失，提高电池的效率。通常评判电极与半导体硅片接触好坏的方式是测量它们的接触电阻率，接触电阻率越小，电池的性能越优良。
接触电阻率一般与浆料成分、烧结温度等有关，准确测量接触电阻率有利于帮助太阳能电池生产企业优化浆料成分与烧结温度，以降低接触电阻，提高电池片的填充因子，最终达到提高电池片效率的目的。
当前测试接触电阻率的主要方法是传输线法(TLM方法)，它是通过在硅片上印刷特殊电极的方法制作电池片，其电极结构如图1所示，包括一系列间距不同的平行且间隔设置的矩形电极。测试步骤一般为：i)依次测量相邻矩形电极之间的间距L，分别记为L12，L23，……，L(m-1)m，并测试相邻矩形电极之间的电阻R，分别记为R12，R23，……，L(m-1)m，以及测试电极长度W；ii)以L为横坐标，R为纵坐标做图，线性拟合得到拟合直线，进而得到拟合直线的斜率A和截距B；3)根据接触电阻率的计算公式得到ρc＝(A*W/2)2*W2/Rsheet。
但是根据电池片的实际性能测试来看，TLM方法得到的测试结果也不够准确。
有鉴于此，特提出本实用新型。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提供一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，以缓解现有技术中利用TLM测试样品测试电池的方阻和接触电阻率不够准确的技术问题。
本实用新型的第二目的在于提供一种网版，用于制备上述光伏电池片。
为了实现本实用新型的上述目的，特采用以下技术方案：
一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，所述光伏电池片表面包括m个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；
其中，m≥2。
进一步的，所述m个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第m个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。
进一步的，所述m个测试区域的面积相等。
进一步的，所述m个测试区域的边缘轮廓为正方形。
进一步的，第n个测试区域的外边框的边长为
其中，Lc为光伏电池片的边长。
进一步的，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。
进一步的，所述矩形电极的宽度为0.1-2mm。
进一步的，所述矩形电极的间距为0.2-100mm。
进一步的，所述矩形电极的间距之差为0.2-20mm。
一种网版，所述网版的印刷图形与上述光伏电池片的图形相匹配。
与已有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
采用TLM方法制备测试样品时，只是在硅片的中心位置印刷一组测试电极，由于在扩散工序中晶舟的位置关系，硅片中心接触掺杂源少，扩散方阻高；硅片边缘接触掺杂源多，扩散方阻低，因此整个硅片存在扩散不均的现象，导致不同的位置方阻不同，电池片不同位置的方阻和接触电阻率差异性较大，因此，利用目前的TLM测试样品得到的方阻和接触电阻率并不能代表整个电池片的方阻和接触电阻率的真实值。而本实用新型中的光伏电池片，通过设置m个由内向外设置的测试区域，使不同测试区域包含了不同的扩散浓度的区域，从而可以在多个不同扩散浓度的区域内进行测量，最后取平均值得到的方阻和接触电阻率更能真实表征整个光伏电池片的方阻和金属-半导体之间的接触电阻率，从而提高了数据的真实性，对于指导实际生产和选择原材料更具有参考价值。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为TLM测试方法所用的光伏电池片的结构示意图；
图2为本实用新型实施例1提供的光伏电池片的结构示意图；
图3为本实用新型实施例2提供的光伏电池片的结构示意图；
图4为本实用新型实施例3提供的光伏电池片的结构示意图；
图5为本实用新型实施例5提供的光伏电池片的结构示意图。
图标：1-光伏电池片；2-测试电极。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
本实用新型的一个方面提供了一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，所述光伏电池片表面包括m个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；其中，m≥2。
采用TLM方法制备测试样品时，只是在硅片的中心位置印刷一组测试电极，由于在扩散工序中晶舟的位置关系，硅片中心接触掺杂源少，扩散方阻高；硅片边缘接触掺杂源多，扩散方阻低，因此整个硅片存在扩散不均的现象，导致不同的位置方阻不同，电池片不同位置的方阻和接触电阻率差异性较大，因此，利用目前的TLM测试样品得到的方阻和接触电阻率并不能代表整个电池片的方阻和接触电阻率的真实值。而本实用新型中的光伏电池片，通过设置m个由内向外设置的测试区域，使不同测试区域包含了不同的扩散浓度的区域，从而可以在多个不同扩散浓度的区域内进行测量，最后取平均值得到的方阻和接触电阻率更能真实表征整个光伏电池片的方阻和金属-半导体之间的接触电阻率，从而提高了数据的真实性，对于指导实际生产和选择原材料更具有参考价值。
测试区域由内至外设置是指测试区域从光伏电池片的中心部位开始向边缘延伸的方向设置，即，第一个测试区域位于光伏电池片的中间部位，第二个测试区域至第m个测试区域依次逐步靠近光伏电池片的边缘，这样，不同的测试区域可以覆盖不同的掺杂区域，使测试结果更能表征实际水平。
在本实用新型中，为了使测试的结果更精准，测试区域的数量m优选为4-10。m典型但非限制性的取值例如为：2、3、4、5、6、7、8、9或10。
测试区域的形状可以不做限定，可以优选为方形以便于测试区域的设置。在分隔测试区域时，可以以并排矩形的方式进行分割，也可以以十字网格的方式进行分隔，可以以环形的方式进行分割。只要使分隔后不同的测试区域能够覆盖多个不同掺杂浓度的区域即可。
作为本实用新型优选的实施方式，所述m个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第m个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。由于扩散时，掺杂源的浓度是从光伏电池片的中心至边缘阶梯分布的，因此该测试区域的设置可以更好的覆盖其浓度分布范围。
作为本实用新型优选的实施方式，所述m个测试区域的面积相等。测试区域的面积相等可以近似每个测试区域的方阻基本相同，且等面积设置还便于测试区域的设置。
作为本实用新型优选的实施方式，所述m个测试区域的边缘轮廓为正方形。
作为本实用新型优选的实施方式，m个测试区域的中心与光伏电池片片的中心重合。
作为本实用新型优选的实施方式，第n个测试区域的外边框的边长为其中，Lc为光伏电池片的边长。
作为本实用新型优选的实施方式，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。对称设置可方便印刷和网版的加工制造。
作为本实用新型优选的实施方式，所述矩形电极的宽度为0.1-2mm，优选为0.5-2mm；可选地，所述矩形电极的长度小于所述测试区域的边界。通过优化矩形电极的宽度更方便矩形电极与测试装置的探针接触。
在上述优选的实施方式中，矩形电极的宽度典型但非限制性的例如为：0.1mm、0.2mm、0.5mm、0.7mm、1mm、0.13mm、0.15mm、0.18mm或2mm。
作为本实用新型优选的实施方式，所述矩形电极的间距为0.2-100mm，优选为2-50mm。可选地，所述矩形电极的间距之差为0.2-20mm，优选为2-20mm。矩形电极间的间距太小就对测试设备的精度要求要求要高，而间距过大又会增加样品的制备成本，因此，通过优化矩形电极间的间距可降低加工成本和降低测试设备的精度。通过优化矩形电极间的间距之差可以增加两两矩形电极间的电阻值的差异，可进一步消除计算误差。
在上述优选的实施方式中，矩形电极的间距典型但非限制性的例如为：0.2mm、0.5mm、1mm、2mm、4mm、6mm、8mm、10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm、80mm、90mm或100mm。
在上述优选的实施方式中，矩形电极的间距之差典型但非限制性的例如为：0.2mm、0.5mm、1mm、2mm、4mm、6mm、8mm、10mm、12mm、14mm、16mm、18mm或20mm。
作为本实用新型优选的实施方式，所述矩形电极的数量为4-20。矩形电极的条数越多，获得的拟合直线的数据越准确。矩形电极间的间距可以相等，也可以不等，也可以以TLM方法中的等差数列排列。
在上述优选的实施方式中，矩形电极数量典型但非限制性的例如可以为：3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。
本实用新型的第二个方面提供了一种网版，所述网版的印刷图形与上述光伏电池片的图形相匹配。
方阻和/或接触电阻率的测量方法，利用上述光伏电池片中的测试电极分别测量每个对应测试区域内的方阻和/或接触电阻率，测量后取平均值得到光伏电池片的方阻和/或接触电阻率。
作为优选的实施方式，测试前将每组测试电极对应的区域用激光切片的方法沿矩形电极的长度方向的边缘切开，然后再进行方阻和/或接触电阻率的测量。
作为优选的实施方式，每个测试区域内的方阻和/或接触电阻率的测量方法包括以下步骤：
步骤a)：测量测试电极中的矩形电极的长度W并分别测量相邻矩形电极间的实际间距L，分别记为L12，L23，L34，L45，……，L(N-1)N；
步骤b)：使用四端电极法分别测试相邻矩形电极间的电阻RT，分别记为RT12，RT23，RT34……RT(N-1)N；
步骤c)：以矩形电极的实际间距L为横坐标，以电阻RT为纵坐标做散点图，线性拟合得到RT与L的拟合直线Y＝Ax+B；
根据公式：以及公式可得：
接触电阻
电池方阻：Rsheet＝A·W，
电极下的电流等效迁移长度
由此可得，每个测试电极处的电池片的接触电阻率ρcx＝Rc 2*W2/Rsheet；其中，X为每个测试区域中的测试电极的组数，x＝1，2，……，X；则，每个测试区域的接触电阻率其中，m＝1，2，……，M；
则，整片电池片的接触电阻率
作为优选的实施方式，所述相邻矩形电极间的实际间距L的测量方法包括：先用金相显微镜测量矩形电极的实际印刷宽度，然后计算矩形电极印刷时的外延宽度＝矩形电极的实际印刷宽度-矩形电极的设计宽度，最后计算得到矩形电极间的实际间距L＝设计间距-外延宽度。
作为优选的实施方式，测试相邻矩形电极间的电阻RT的过程中所用测试设备包括一恒直流电源和一电压表；
优选地，测试相邻矩形电极间的电阻RT的步骤包括：使所述恒直流电源的输出端口的两个探针分别接触第n-1条矩形电极和第n条矩形电极上，输出电流为In-1；使所述电压表的输入端口的两根探针分别接触第n-1条矩形电极和第n条矩形电极上，测量得到电压Vn-1，由此得到第n-1条矩形电极和第n条矩形电极之间的电阻RT(n-1)n＝Vn-1/In-1。
需要说明的是，在上述优选实施方式中的实际间距和设计间距是指两相邻矩形电极直接的最近边缘之间的距离。
在当前的TLM方法测试过程中，用于测试的样品的矩形电极长度远小于硅片的长度，因此，测试时有部分电流并非在两矩形电极间的区域进行传输，而是在矩形两电极间以外的硅片处进行传输，从而造成计算得到的接触电阻率远大于实际值。而在本实用新型的上述优选实施方式中，激光切割后得到的测试电极对应的电池片中，矩形电极的长度延伸至电池片的边缘，这样在测量时，电流会被严格限定在两矩形电极间进行传输，使电流的实际传输路径更符合理论推导过程中所涉及的电流传输路径，从而减少了测量结果与实际值的偏差。
对于等面积的测试区域，还可以采用以下方法计算接触电阻率：
1)利用上述优选实施方式中的测量方法测量每个测试区域的平均接触电阻率，分别记为ρc1、ρc2、ρc3、ρc4、……ρcM；
2)整片电池片的接触电阻率M/ρc＝1/ρc1+1/ρc2+1/ρc3+1/ρc4+……1/ρcM。
下面将结合实施例对本实用新型做进一步详细的说明。
实施例1
如图2所示，本实施例是一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，该光伏电池片1表面包括3个由内至外设置的长方形测试区域，分别记为A1、A2和A3，每个测试区域内设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极2。其中，测试区域依次平行排列。
实施例2
如图3所示，本实施例是一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，该光伏电池片1表面包括5个由内至外设置的正方形测试区域，分别记为A1、A2、A3、A4和A5，每个测试区域内设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极2。其中，测试区域以十字交叉的方式排列。
实施例3
如图4所示，本实施例是一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，该光伏电池片1表面包括2个由内至外设置的正方形测试区域，分别记为A1和A2，其中，2个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域A1为口字形组成的测试区域，第二个测试区域A2为回字形组成的环形的测试区域，且第一测试区域A1的面积和第二个测试区域A2的面积相等。第二个测试区域A2的外边框的边长光伏电池片片的边长。参照图4，第一个测试区域A1内设置一组测试电极2，该测试电极2的对称轴与光伏电池片1的一个对称轴重合；第二个测试区域A2内设置两组测试电极2，该两组测试电极2沿上述对称轴对称设置。上述三组测试电极中的矩形电极的排布相同，矩形电极的长度W为1cm，矩形电极的宽度为1mm，矩形电极的根数共8根，矩形电极间的宽度L12，L23，L34，L45，L56，L67和L78分别为0.4mm，0.8mm，1.2mm，1.6mm，2.0mm，2.4mm和2.8mm。
实施例4
本实施例是一种方阻和接触电阻率的测量方法，利用实施例3提供的光伏电池片进行测试，具体的包括以下步骤：
步骤a)：制备实施例3中所提供的太阳能电池片：硅片经制绒、扩散、刻蚀和镀膜后，选用待测的铝浆料进行印刷，在硅片表面得到与实施例3中的太阳能电池片相同的印刷图形，印刷过程中印刷方向沿矩形电极的长度方向进行印刷，以减少金属浆料在硅片上产生的外延，之后经烧结得到实施例3中的太阳能电池片；
步骤b)切割电池片：使用激光将步骤a)得到的太阳能电池片沿矩形电极的短边边缘(即与矩形电极的长度方向相垂直的方向)进行切割，得到3组测试电极，分别利用TLM测试方法测量每组测试电极对应的测试区域的方阻和接触电阻率，最后计算取平均值得到整个光伏电池片的方阻和接触电阻率；
其中，每组测试电极的测试方阻和接触电阻率的过程如下：用一恒直流电源和一电压表测试相邻矩形电极间的电阻R：将恒直流电源输出端口的两个探针扎在待测的两根电极(第n-1条矩形电极和第n条矩形电极)上，输出电流恒定为1A，将电压表的两个测试探针扎在待测的上述两根电极上，测试电势差；因为输出电流为1A，所以此时电压表的读数即为第n-1条矩形电极和第n条矩形电极间的电阻R，单位：Ω，分别记为R12，R23，R34，R45，R56，R67和R78；
步骤c)：以矩形电极的实际间距L为横坐标，以电阻R为纵坐标做散点图，线性拟合得到R与L的拟合直线Y＝Ax+B；
根据公式：以及公式
接触电阻
电池方阻：Rsheet＝A·W，
电极下的电流等效迁移长度
由此可得，每个测试电极处的电池片的接触电阻率ρcx＝Rc 2*W2/Rsheet，其中，X为每个测试区域中的测试电极的组数，x＝1，2，……，X；
经计算，本实施例中的A1测试区域的接触电阻率为：ρcA1＝7.4mΩ·cm2；A2测试区域的测试得到的两个接触电阻率值分别为：ρcA21＝2.1mΩ·cm2，ρcA22＝1.8mΩ·cm2，则A2测试区域的接触电阻率值ρcA2＝1/2(ρcA21+ρcA22)＝1.95mΩ·cm2；
最后计算得到整片电池片的接触电阻率ρc＝1/2(ρcA1+ρcA2)＝4.7mΩ·cm2。
实施例5
如图5所示，本实施例是一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，该光伏电池片1表面包括4个由内至外设置的正方形测试区域，每个测试区域内设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极，分别记为A1、A2、A3和A4。其中，4个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域A1为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第四个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域，且四个测试区域的面积相等。第一个测试区域A1的外边框的边长第二个测试区域A2的外边框的边长第二个测试区域A3的外边框的边长第四个测试区域A4的外边框的边长光伏电池片片的边长。
继续参照图5，第一个测试区域A1内设置一组测试电极2，该测试电极2的对称轴与光伏电池片1的一个对称轴重合；第二个测试区域A2至第四个测试区域A4内分别设置两组测试电极2，其中每个测试区域内的两组测试电极2沿上述对称轴对称设置。上述七组测试电极2中的矩形电极的排布相同，矩形电极的长度W为1cm，矩形电极的宽度为1mm，矩形电极的根数共8根，矩形电极间的宽度L12，L23，L34，L45，L56，L67和L78分别为0.4mm，0.8mm，1.2mm，1.6mm，2.0mm，2.4mm和2.8mm。
实施例6
本实施例是一种方阻和接触电阻率的测量方法，利用实施例5提供的光伏电池片进行测试，具体的包括以下步骤：
步骤a)：制备实施例5中所提供的太阳能电池片：硅片经制绒、扩散、刻蚀和镀膜后，选用待测的铝浆料进行印刷，在硅片表面得到与实施例5中的太阳能电池片相同的印刷图形，印刷过程中印刷方向沿矩形电极的长度方向进行印刷，以减少金属浆料在硅片上产生的外延，之后经烧结得到实施例5中的太阳能电池片；
步骤b)切割电池片：使用激光将步骤a)得到的太阳能电池片沿矩形电极的短边边缘(即与矩形电极的长度方向相垂直的方向)进行切割，得到7组测试电极，分别利用TLM测试方法测量每组测试电极对应的测试区域的方阻和接触电阻率，最后计算取平均值得到整个光伏电池片的方阻和接触电阻率；
其中，每组测试电极的测试方阻和接触电阻率的过程如下：用一恒直流电源和一电压表测试相邻矩形电极间的电阻R：将恒直流电源输出端口的两个探针扎在待测的两根电极(第n-1条矩形电极和第n条矩形电极)上，输出电流恒定为1A，将电压表的两个测试探针扎在待测的上述两根电极上，测试电势差；因为输出电流为1A，所以此时电压表的读数即为第n-1条矩形电极和第n条矩形电极间的电阻R，单位：Ω，分别记为R12，R23，R34，R45，R56，R67和R78；
步骤c)：以矩形电极的实际间距L为横坐标，以电阻R为纵坐标做散点图，线性拟合得到R与L的拟合直线Y＝Ax+B；根据公式：以及公式可得：
接触电阻
电池方阻：Rsheet＝A·W，
电极下的电流等效迁移长度
由此可得，每个测试电极处的电池片的接触电阻率ρcx＝Rc 2*W2/Rsheet，其中，X为每个测试区域中的测试电极的组数，x＝1，2，……，X；
经计算，本实施例中的A1测试区域的接触电阻率为：ρcA1＝5.4mΩ·cm2；A2测试区域的测试得到的两个接触电阻率值分别为：ρcA21＝3.6mΩ·cm2，ρcA22＝4.0mΩ·cm2，则A2测试区域的接触电阻率值ρcA2＝1/2(ρcA21+ρcA22)＝3.8mΩ·cm2；A3测试区域的测试得到的两个接触电阻率值分别为：ρcA31＝2.1mΩ·cm2，ρcA32＝2.6mΩ·cm2，则A3测试区域的接触电阻率值ρcA3＝1/2(ρcA31+ρcA32)＝2.35mΩ·cm2；A4测试区域的测试得到的两个接触电阻率值分别为：ρcA41＝1.9mΩ·cm2，ρcA42＝2.1mΩ·cm2，则A4测试区域的接触电阻率值ρcA4＝1/2(ρcA41+ρcA42)＝2.0mΩ·cm2；
则，整片电池片的接触电阻率4/ρc＝1/ρcA1+1/ρcA2+1/ρcA3+1/ρcA4，计算得到ρc＝2.9mΩ·cm2。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述光伏电池片表面包括m个由内至外设置的测试区域，每个测试区域内至少设置一组由矩形电极以平行间隔方式排布的测试电极；
其中，m≥2。
2.根据权利要求1所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述m个测试区域由内至外依次相邻设置，第一个测试区域为口字形组成的测试区域，第二个测试区域至第m个测试区域均为回字形组成的环形的测试区域。
3.根据权利要求2所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述m个测试区域的面积相等。
4.根据权利要求3所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述m个测试区域的边缘轮廓为正方形。
5.根据权利要求4所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，第n个测试区域的外边框的边长为其中，Lc为光伏电池片的边长。
6.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，不同测试区域内的测试电极至少以所述光伏电池片的一条对称轴对称设置。
7.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述矩形电极的宽度为0.1-2mm。
8.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述矩形电极的间距为0.2-100mm。
9.根据权利要求1-5任一项所述的用于测量金属-半导体接触电阻率的光伏电池片，其特征在于，所述矩形电极的间距之差为0.2-20mm。
10.一种网版，其特征在于，所述网版的印刷图形与权利要求1-7任一项所述的光伏电池片的图形相匹配。
Priority Applications (1)
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Cited By (1)
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| CN109727885A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-07 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 电池片铝背场空洞率测试方法 |
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2017
- 2017-12-12 CN CN201721725455.5U patent/CN207868207U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (2)
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| CN109727885A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-07 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 电池片铝背场空洞率测试方法 |
| CN109727885B (zh) * | 2018-12-13 | 2020-07-10 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 电池片铝背场空洞率测试方法 |
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