CN207703977U - 一种手持式半导体分立器件测试装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种手持式半导体分立器件测试装置，涉及电子测量领域，该手持式半导体分立器件测试装置包括电源、开关、换路键、电阻、发光二极管和检测端，本实用新型能够根据器件的性质，模拟器件工作的条件，以快捷、准确的测试半导体分立器件的质量，该装置适用于二极管、增强型MOS管、三极管、IGBT、晶闸管、可控硅等器件的检测工作。

Description

一种手持式半导体分立器件测试装置

技术领域

本实用新型涉及电子测量领域，尤其涉及一种手持式半导体分立器件测试装置。

背景技术

现有技术中，用户常常使用万用表的二极管档检测二极管、增强型MOS管、三极管、IGBT、晶闸管和可控硅等器件的质量，具体操作方式如下：

1、二极管测量PN结的二极管性质

2、三极管测量两个PN结的二极管性质。

3、MOS管和IGBT测量两反向续流二极管的性质。

4、晶闸管和可控硅测量G极到输出极的二极管的性质。

上述测试方式虽然简单，但是没有真正测量到器件真实工作过程，无法准确判断器件的好坏的。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种手持式半导体分立器件测试装置，够根据器件的性质，模拟器件工作的条件，以快捷、准确的测试半导体分立器件的质量，该装置适用于二极管、增强型MOS管、三极管、IGBT、晶闸管、可控硅等器件的检测工作。

本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

一种手持式半导体分立器件测试装置，包括电源、第一开关、第二开关、换路键、第一电路节点、第二电路节点、第一电阻、第二电阻、第一发光二极管、第二发光二极管、第一检测端和第二检测端，其中：

所述第二开关为双刀双置开关、且包括两个输入端和四个输出端；所述换路键包括四个输入端和四个输出端，换路键与第二开关配合工作用于改变换路键输出电源的极性；

所述电源的正极通过第一开关连接第二开关的第一输入端，电源的负极连接第二开关的第二输入端；

所述第二开关的第一输出端和第四输出端相互连通之后分别连接换路键的第一输入端和第二输入端，第二开关的第二输出端和第三输出端相互连通之后分别连接换路键的第三输入端和第四输入端；

所述换路键的第一输出端和第四输出端相互连通之后连接第一电路节点，换路键的第二输出端和第三输出端相互连通之后通过第一电阻连接第二电路节点；所述第二电阻连接在第一电路节点与第二电路节点之间；

所述第一发光二极管的阴极连接第一电路节点，第一发光二极管的阳极连接所述第一检测端， 所述第二发光二极管的阳极连接第一电路节点，第二发光二极管的阴极连接所述第一检测端；

所述第一检测端用于安插被测器件的阳极或阴极；所述第二检测端连接第二电路节点、且用于安插被测器件的阴极或阳极。

进一步的，还包括控制键、第三电阻和第三检测端，所述控制键的一端连接所述第一电路节点，控制键的另一端通过第三电阻连接第三检测端，所述第三检测端用于安插被测器件的控制极。

进一步的，所述换路键包括按键或按键控制继电器。

进一步的，所述被测器件包括二极管、三极管、MOS管、IGBT、晶闸管或可控硅。

进一步的，所述控制极包括三极管的基极、MOS管的门极、IGBT的门极、晶闸管的门极或可控硅的门极。

本实用新型的一种手持式半导体分立器件测试装置具有以下有益效果：

本实用新型能够根据器件的性质，模拟器件工作的条件，以快捷、准确的测试半导体分立器件的质量，该装置适用于二极管、增强型MOS管、三极管、IGBT、晶闸管、可控硅等器件的检测工作。解决了万用表测试无法准确判断器件的好坏的问题，该设备可以通过小功率打开器件的门极，控制主极工作，能够方便、快捷测试半导体分立器件的质量，并且可引线进行10M以内测试。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一种手持式半导体分立器件测试装置的电路示意图；

图2是本实用新型检测二极管过程中的正向加电工作原理图；

图3是本实用新型检测二极管过程中的反向加电工作原理图；

图4是本实用新型检测三极管过程中的正向加电工作原理图；

图5是本实用新型检测三极管过程中的反向加电工作原理图；

图6是本实用新型检测MOS管过程中的正向加电工作原理图；

图7是本实用新型检测MOS管过程中的反向加电工作原理图；

图8是本实用新型检测IGBT管过程中的正向加电工作原理图；

图9是本实用新型检测IGBT管过程中的反向加电工作原理图；

图10是本实用新型检测晶闸管过程中的正向加电工作原理图；

图11是本实用新型检测晶闸管过程中的反向加电工作原理图；

图12是本实用新型检测可控硅过程中的正向加电工作原理图；

图13是本实用新型检测可控硅过程中的反向加电工作原理图。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。 术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以下将结合附图对本实用新型进行详细说明。

如图1所示，一种手持式半导体分立器件测试装置，包括电源BT、第一开关K1、第二开关K2、换路键S、第一电路节点1、第二电路节点2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、第一检测端A和第二检测端K，其中：

所述第二开关K2为双刀双置开关、且包括两个输入端和四个输出端；所述换路键S包括四个输入端和四个输出端，换路键S与第二开关K2配合工作用于改变换路键S输出电源BT的极性；所述电源BT的正极通过第一开关K1连接第二开关K2的第一输入端，电源BT的负极连接第二开关K2的第二输入端；所述第二开关K2的第一输出端和第四输出端相互连通之后分别连接换路键S的第一输入端和第二输入端，第二开关K2的第二输出端和第三输出端相互连通之后分别连接换路键S的第三输入端和第四输入端；所述换路键S的第一输出端和第四输出端相互连通之后连接第一电路节点1，换路键S的第二输出端和第三输出端相互连通之后通过第一电阻R1连接第二电路节点2；所述第二电阻R2连接在第一电路节点1与第二电路节点2之间；所述第一发光二极管D1的阴极连接第一电路节点1，第一发光二极管D1的阳极连接所述第一检测端A， 所述第二发光二极管D2的阳极连接第一电路节点1，第二发光二极管D2的阴极连接所述第一检测端A；所述第一检测端A用于安插被测器件的阳极或阴极；所述第二检测端K连接第二电路节点2、且用于安插被测器件的阴极或阳极。

具体的，还包括控制键C、第三电阻R3和第三检测端G，所述控制键C的一端连接所述第一电路节点1，控制键C的另一端通过第三电阻R3连接第三检测端G，所述第三检测端G用于安插被测器件的控制极。

具体的，所述换路键S包括按键或按键控制继电器。

实际测试过程中，被测器件包括二极管、三极管、MOS管、IGBT、晶闸管或可控硅。手持式半导体分立器件测试装置具有第一检测端A、第二检测端K和第三检测端G：当检测2引脚半导体分离器时，第一检测端A和第二检测端K针对的是2引脚半导体分立器件的阳极和阴极；当检测3引脚半导体分离器时，第三检测端G针对的是三极管的基极、MOS管的门极、IGBT的门极、晶闸管的门极或可控硅的门极。

需要说明的是，手持式半导体分立器件测试装置的工作原理是利用第一开关K1、第二开关K2、换路键S和控制键C的状态切换，模拟被测器件的实际工作环境，同时观测第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的状态来获取被测器件的质量。

具体的，是在被測器件的阴阳极加上一定电压，并在其通路上接发光二极管，然后用电流或电压打开栅极门，使发光二极管点亮。或者在器件阴阳极反向电压，发光二极管不亮。通过发光二极管的亮灭来判断器件的好坏。具体的判断如下表：如是以下现象则器件正常。

	无动作	控制键C按下	换路键S按下	控制键C按下再松开	第二开关K2设置
						二极管	D1亮D2灭	无意义	D1灭D2灭	无意义	拉上
三极管NPN	D1灭D2灭	D1亮D2灭	D1灭D2灭	无意义	拉上
						三极管PNP	D1灭D2灭	D1灭D2亮	D1灭D2灭	无意义	拉下
NMOS	D1灭D2灭	D1亮D2灭	D1灭D2亮	无意义	拉上
						PMOS	D1灭D2灭	D1灭D2亮	D1亮D2灭	无意义	拉下
IGBT	D1灭D2灭	D1亮D2灭	D1灭D2亮	无意义	拉上
						晶闸管	D1灭D2灭	无意义	D1灭D2灭	D1亮D2灭	拉上
可控硅I象限	D1灭D2灭	无意义	D1灭D2灭	D1亮D2灭	拉上
						可控硅IV象限	D1灭D2灭	无意义	D1灭D2灭	D1灭D2亮	拉下

图2、3是本装置测试二极管时的测试图，图1是在被測二极管正向加电压，这时发光二极管将亮，证明被測二极管正向导通正常。 图2是在被測二极管反向加电压，这时发光二极管不亮，证明被測二极管反向截止。

图4、5是本装置测试三极管时的测试图，图4是在被測三极管正向加电压，这时发光二极管不亮，证明三极管还没有导通，这时按动按键，将电流加在三极管的基极，发光二极管将点亮，证明被測三极管正向导通正常。图5是在被測三极管反向加电压，这时发光二极管不亮，证明被測三极管反向截止。

图6、7是本装置测试MOS管时的测试图，图6是在MOS管正向加电压，这时发光二极管不亮，证明MOS管还没有导通，这时按动按键，将电压加在MOS管的G极，发光二极管将点亮，证明MOS管正向导通正常。 图7是在MOS管反向加电压，这时发光二极管将点亮，证明MOS管反向续流二极管正常。

图8、9是本装置测试IGBT时的测试图，图8是在IGBT正向加电压，这时发光二极管不亮，证明IGBT还没有导通，这时按动按键，将电压加在IGBT的g极，发光二极管将点亮，证明IGBT正向导通正常。图9是在IGBT反向加电压，这时发光二极管将点亮，证明IGBT反向续流二极管正常。

图10、11是本装置测试晶闸管时的测试图，图10是在晶闸管正向加电压，这时发光二极管不亮，证明晶闸管还没有导通；这时按动按键，将电流加在晶闸管的g极，发光二极管将点亮；再松开按键，发光二极管依旧亮，证明晶闸管正向导通正常。图11是在晶闸管反向加电压，这时发光二极管不亮，证明晶闸管反向截止。

图12、13是本装置测试可控硅时的测试图，图12是在可控硅正向加电压，这时发光二极管不亮，证明可控硅还没有导通；这时按动按键，将电流加在可控硅的g极，发光二极管将点亮；再松开按键，发光二极管依旧亮，证明可控硅正向导通正常。图13是在可控硅反向加电压，这时发光二极管不亮，证明可控硅在没有触发时反向截止。

本实用新型能够根据器件的性质，模拟器件工作的条件，以快捷、准确的测试半导体分立器件的质量，该装置适用于二极管、增强型MOS管、三极管、IGBT、晶闸管、可控硅等器件的检测工作。解决了万用表测试无法准确判断器件的好坏的问题，该设备可以通过小功率打开器件的门极，控制主极工作，能够方便、快捷测试半导体分立器件的质量，并且可引线进行10M以内测试。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种手持式半导体分立器件测试装置，包括电源、第一开关、第二开关、换路键、第一电路节点、第二电路节点、第一电阻、第二电阻、第一发光二极管、第二发光二极管、第一检测端和第二检测端，其中：

所述第二开关为双刀双置开关、且包括两个输入端和四个输出端；所述换路键包括四个输入端和四个输出端，换路键与第二开关配合工作用于改变换路键输出电源的极性；

所述电源的正极通过第一开关连接第二开关的第一输入端，电源的负极连接第二开关的第二输入端；

所述第二开关的第一输出端和第四输出端相互连通之后分别连接换路键的第一输入端和第二输入端，第二开关的第二输出端和第三输出端相互连通之后分别连接换路键的第三输入端和第四输入端；

所述换路键的第一输出端和第四输出端相互连通之后连接第一电路节点，换路键的第二输出端和第三输出端相互连通之后通过第一电阻连接第二电路节点；所述第二电阻连接在第一电路节点与第二电路节点之间；

所述第一发光二极管的阴极连接第一电路节点，第一发光二极管的阳极连接所述第一检测端， 所述第二发光二极管的阳极连接第一电路节点，第二发光二极管的阴极连接所述第一检测端；

所述第一检测端用于安插被测器件的阳极或阴极；所述第二检测端连接第二电路节点、且用于安插被测器件的阴极或阳极。

2.如权利要求1所述的手持式半导体分立器件测试装置，其特征在于，还包括控制键、第三电阻和第三检测端，所述控制键的一端连接所述第一电路节点，控制键的另一端通过第三电阻连接第三检测端，所述第三检测端用于安插被测器件的控制极。

3.如权利要求2所述的手持式半导体分立器件测试装置，其特征在于，所述换路键包括按键或按键控制继电器。

4.如权利要求3所述的手持式半导体分立器件测试装置，其特征在于，所述被测器件包括二极管、三极管、MOS管、IGBT、晶闸管或可控硅。

5.如权利要求4所述的手持式半导体分立器件测试装置，其特征在于，所述控制极包括三极管的基极、MOS管的门极、IGBT的门极、晶闸管的门极或可控硅的门极。