CN207677240U - 一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 - Google Patents
一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207677240U CN207677240U CN201721925284.0U CN201721925284U CN207677240U CN 207677240 U CN207677240 U CN 207677240U CN 201721925284 U CN201721925284 U CN 201721925284U CN 207677240 U CN207677240 U CN 207677240U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- reflex reflector
- reflector lens
- splitting piece
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及激光领域，具体涉及一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构。包括：脉冲式激光器、分光片、反光组件和补偿片；所述脉冲式激光器发射激光光束并入射至分光片，部分激光光束经过分光片向外射出，部分激光光束经过分光片并分光至反光组件，通过反光组件的反射再经过补偿片并入射回分光片，且再次经过分光片向外射出以及分光至反光组件。本实用新型通过设计一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，利用延时效应和光学原理降低脉冲峰值要的同时延长脉冲宽度，可根据工艺需求调节反光组件的两镜片的距离来控制脉冲峰值和脉冲宽度的范围。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光领域，具体涉及一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构。
背景技术
激光的脉冲宽度，通常是指激光功率维持在一定值时所持续的时间。不同的激光器，其脉冲宽度可以在很大范围内变化，常见的有准连续激光器,脉宽在几十上百个微秒左右，调Q脉冲激光器,脉宽在ns量级,锁模脉宽在ps,fs甚至更短,显然脉宽越短,它包含的频谱分量就越丰富。
目前，根据设备需求和技术方面的原因，对激光脉冲宽度的要求各不相同。如对激光焊接而言，所需激光脉冲宽度不宜太长，否则会影响产品良率。而对于激光退火技术，所需激光脉冲宽度需较长且脉冲峰值不太高。根据需求不同，市面上现有一些设备用于控制激光脉冲宽度，或缩短或延长。
在缩短激光脉冲宽度领域，已有激光调Q技术；在延长激光脉冲宽度领域，现有一些装置和技术，如一种“利用固体倍频激光器倍频激光同时输出的泵浦激光，聚焦后在空气和铜靶上产生等离子体，控制倍频激光的脉宽，可使激光连续可调且保持稳定”。
对于准分子激光设备的纳秒激光而言，需要一种通用性更广且更加简单易操作的脉冲宽度延长装置。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，解决现有缺少通用性更广且更加简单易操作的脉冲宽度延长装置的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，包括：脉冲式激光器、分光片、反光组件和补偿片；所述脉冲式激光器发射激光光束并入射至分光片，部分激光光束经过分光片向外射出，部分激光光束经过分光片并分光至反光组件，通过反光组件的反射再经过补偿片并入射回分光片，且再次经过分光片向外射出以及分光至反光组件。
其中，较佳方案是：所述脉冲式激光器为准分子激光器，并发射出纳秒级激光光束。
其中，较佳方案是：所述反光组件包括设置在两侧的第一反光镜片和第二反光镜片，所述分光片的分光方向朝向第一反光镜片设置；其中，所述激光光束通过分光片分光至第一反光镜片的第一反光位置，并依次反射经过第二反光镜片的第二反光位置、第一反光镜片的第二反光位置、第二反光镜片的第一反光位置、补偿片，入射至分光片。
其中，较佳方案是：所述第一反光镜片和第二反光镜片平行设置，两者的间距与射出光路结构的激光光束的脉冲宽度相匹配。
其中，较佳方案是：所述分光片的设置在第一反光镜片和第二反光镜片之间，且与水平面呈135°。
其中，较佳方案是：所述补偿片设置在第二反光镜片与分光片之间，且与水平面呈45°。
其中，较佳方案是：所述补偿片与分光片的位置相对于垂直方向呈1＇20＂的夹角。
其中，较佳方案是：所述分光片位于第一反光镜片的第一反光位置的正上方，所述补偿片位于第二反光镜片的第一反光位置的正上方，所述第一反光镜片的第二反光位置和第二反光镜片的第二反光位置处于同一垂直线上，所述激光光束通过分光片垂直分光至第一反光镜片的第一反光位置，并依次反射经过第二反光镜片的第二反光位置、第一反光镜片的第二反光位置、第二反光镜片的第一反光位置、补偿片，入射至分光片。
本实用新型的有益效果在于，与现有技术相比，本实用新型通过设计一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，利用延时效应和光学原理降低脉冲峰值要的同时延长脉冲宽度，可根据工艺需求调节反光组件的两镜片的距离来控制脉冲峰值和脉冲宽度的范围；以及，在分光片上方一定距离处设置补偿片，增加反射率；以及，延长准分子激光器的纳秒级激光脉冲宽度，便于后期使用中进行工艺调节。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是本实用新型的光路结构的示意图；
图2A是本实用新型从脉冲式激光器发射的初始激光光束脉冲波形图；
图2B是本实用新型延长后激光光束101脉冲波形图。
具体实施方式
现结合附图，对本实用新型的较佳实施例作详细说明。
如图1所示，本实用新型提供一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构的优选实施例。
一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，包括：脉冲式激光器10、分光片20、反光组件和补偿片40；所述脉冲式激光器10发射激光光束101并入射至分光片20，部分激光光束101经过分光片20向外射出，部分激光光束101经过分光片20并分光至反光组件，通过反光组件的反射再经过补偿片40并入射回分光片20，且再次经过分光片20向外射出以及分光至反光组件。
具体地，分光片20、反光组件和补偿片40构成延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构的延长部分，所述脉冲式激光器10设置在延长部分的外侧，并向延长部分发射激光光束101，经过延长部分延长后向外发射延长后激光光束101。并参考图2，A为从脉冲式激光器10发射的初始激光光束101脉冲波形图，图B为延长后激光光束101脉冲波形图。相对于初始激光光束101，延长后激光光束101具有较宽的脉冲宽度和较低的脉冲峰值。
可延长脉冲式激光器10射出的纳秒激光脉冲宽度，便于使用，且其中设置有补偿片40，提高激光的反射率，且便于使用中进行工艺调节。
在本实施例中，所述脉冲式激光器10为准分子激光器，并发射出纳秒级激光光束101。其中，准分子激光器，以准分子为工作物质的一类气体激光器件。常用相对论电子束(能量大于200千电子伏特)或横向快速脉冲放电来实现激励。当受激态准分子的不稳定分子键断裂而离解成基态原子时，受激态的能量以激光辐射的形式放出。
在本实施例中，所述反光组件包括设置在两侧的第一反光镜片31和第二反光镜片32，所述分光片20的分光方向朝向第一反光镜片31设置；其中，所述激光光束101通过分光片20分光至第一反光镜片31的第一反光位置(靠左侧)，并依次反射经过第二反光镜片32的第二反光位置(靠右侧)、第一反光镜片31的第二反光位置(靠右侧)、第二反光镜片32的第一反光位置(靠左侧)、补偿片40，入射至分光片20。
进一步地，所述第一反光镜片31和第二反光镜片32平行设置，两者的间距与射出光路结构的激光光束101的脉冲宽度相匹配。
在本实施例中，所述分光片20的设置在第一反光镜片31和第二反光镜片32之间，且与水平面呈135°。以及，所述补偿片40设置在第二反光镜片32与分光片20之间，且与水平面呈45°。
进一步地，所述补偿片40与分光片20的位置相对于垂直方向呈1＇20＂的夹角。
其中，补偿片40可对分散的激光进行整合，进一步提高反射率。
在本实施例中，所述分光片20位于第一反光镜片31的第一反光位置的正上方，所述补偿片40位于第二反光镜片32的第一反光位置的正上方，所述第一反光镜片31的第二反光位置和第二反光镜片32的第二反光位置处于同一垂直线上，所述激光光束101通过分光片20垂直分光至第一反光镜片31的第一反光位置，并依次反射经过第二反光镜片32的第二反光位置、第一反光镜片31的第二反光位置、第二反光镜片32的第一反光位置、补偿片40，入射至分光片20。
在本实用新型中，本方案具有以下优势，1、利用延时效应和光学原理降低脉冲峰值要的同时延长脉冲宽度，可根据工艺需求调节镜片的距离来控制脉冲峰值和脉冲宽度的范围；2、在分光片20上方一定距离处设置compensAtor(补偿片40)，增加反射率；3、延长准分子激光器的纳秒级激光脉冲宽度，便于后期使用中进行工艺调节。
以上所述者，仅为本实用新型最佳实施例而已，并非用于限制本实用新型的范围，凡依本实用新型申请专利范围所作的等效变化或修饰，皆为本实用新型所涵盖。
Claims (8)
1.一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构，其特征在于，包括：脉冲式激光器、分光片、反光组件和补偿片；所述脉冲式激光器发射激光光束并入射至分光片，部分激光光束经过分光片向外射出，部分激光光束经过分光片并分光至反光组件，通过反光组件的反射再经过补偿片并入射回分光片，且再次经过分光片向外射出以及分光至反光组件。
2.根据权利要求1所述的光路结构，其特征在于：所述脉冲式激光器可发射出纳秒级激光光束。
3.根据权利要求1所述的光路结构，其特征在于：所述反光组件包括设置在两侧的第一反光镜片和第二反光镜片，所述分光片的分光方向朝向第一反光镜片设置；其中，所述激光光束通过分光片分光至第一反光镜片的第一反光位置，并依次反射经过第二反光镜片的第二反光位置、第一反光镜片的第二反光位置、第二反光镜片的第一反光位置、补偿片，入射至分光片。
4.根据权利要求3所述的光路结构，其特征在于：所述第一反光镜片和第二反光镜片平行设置，两者的间距与射出光路结构的激光光束的脉冲宽度相匹配。
5.根据权利要求3或4所述的光路结构，其特征在于：所述分光片的设置在第一反光镜片和第二反光镜片之间，且与水平面呈135°。
6.根据权利要求5所述的光路结构，其特征在于：所述补偿片设置在第二反光镜片与分光片之间，且与水平面呈45°。
7.根据权利要求6所述的光路结构，其特征在于：所述补偿片与分光片的位置相对于垂直方向呈1＇20＂的夹角。
8.根据权利要求7所述的光路结构，其特征在于：所述分光片位于第一反光镜片的第一反光位置的正上方，所述补偿片位于第二反光镜片的第一反光位置的正上方，所述第一反光镜片的第二反光位置和第二反光镜片的第二反光位置处于同一垂直线上，所述激光光束通过分光片垂直分光至第一反光镜片的第一反光位置，并依次反射经过第二反光镜片的第二反光位置、第一反光镜片的第二反光位置、第二反光镜片的第一反光位置、补偿片，入射至分光片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721925284.0U CN207677240U (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721925284.0U CN207677240U (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207677240U true CN207677240U (zh) | 2018-07-31 |
Family
ID=62972120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721925284.0U Active CN207677240U (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207677240U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109510059A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-22 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种输出长脉冲的调q激光器 |
| CN113131315A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 电子科技大学 | 一种光脉冲展宽方法 |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201721925284.0U patent/CN207677240U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109510059A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-03-22 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种输出长脉冲的调q激光器 |
| CN109510059B (zh) * | 2018-11-26 | 2019-11-15 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种输出长脉冲的调q激光器 |
| CN113131315A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 电子科技大学 | 一种光脉冲展宽方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106537511B (zh) | 极紫外光源 | |
| CN207677240U (zh) | 一种延长脉冲式激光脉冲宽度的光路结构 | |
| TW200835099A (en) | System and method for multi-pulse laser processing | |
| CN100483869C (zh) | 一种提高输出稳定性的脉冲激光器 | |
| WO2015080907A2 (en) | Laser systems and related methods | |
| CN105514791B (zh) | 方波泵浦多次调q产生可调串脉冲的激光装置及方法 | |
| CN103217870B (zh) | 激光束引导的液滴靶控制系统 | |
| TW201725815A (zh) | 用於短脈衝雷射的任意觸發的增益控制 | |
| US20130195128A1 (en) | Multiple Wavelength Laser System | |
| CN110165539A (zh) | 多台阶泵浦实现子脉冲组间隔可调输出方法及激光器 | |
| Ganeev et al. | Variable pattern of high-order harmonic spectra from a laser-produced plasma by using the chirped pulses of narrow-bandwidth radiation | |
| CN113675705A (zh) | 基于电爆炸和激光耦合加载高速飞片的方法及装置 | |
| CN103594915A (zh) | 脉冲序列自由调控激光器装置及利用该装置实现脉冲序列自由调控的方法 | |
| US20230261428A1 (en) | Tailored laser pulse trains for burst-mode illumination | |
| CN105091663A (zh) | 一种可见光辅助校准式激光发射机及其校准方法 | |
| CN108847566B (zh) | 时域波形可控的激光产生系统及方法 | |
| KR102146831B1 (ko) | 레이저 시스템 | |
| CN103474871A (zh) | 脉冲激光时域整形装置 | |
| CN205335617U (zh) | 方波泵浦多次调q产生可调串脉冲的激光装置 | |
| CN109270764A (zh) | 基于反馈迭代波前整形技术飞秒激光成丝调控装置与方法 | |
| CN108107642A (zh) | 一种固体和频钠导星光谱连续激光输出装置及输出方法 | |
| US8724672B2 (en) | Laser | |
| TWM469131U (zh) | 光纖式脈衝雷射系統 | |
| Geddes et al. | Laser technology for Thomson MeV photon sources based on laser-plasma accelerators | |
| Lorenz et al. | In-vacuum post-compression of optical probe pulse for relativistic plasma diagnostics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220729 Address after: 518000 101, building 6, Wanyan Industrial Zone, Qiaotou community, Fuhai street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Han's Semiconductor Equipment Technology Co.,Ltd. Address before: 518000 No. 9988 Shennan Road, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Patentee before: HAN'S LASER TECHNOLOGY INDUSTRY GROUP Co.,Ltd. |