一种交流电源浪涌保护装置及电子设备
技术领域
本实用新型涉及半导体器件领域,尤其涉及一种交流电源浪涌保护装置及电子设备。
背景技术
雷击是极其普遍的自然现象,据统计,全世界有四万多个雷暴中心,每天有800万次雷击,这意味着地球上每秒有100次左右的雷击发生。雷击对外部供电线路有很大影响,例如:若雷电击中户外电网线路,会有大量电流流入外部线路或接地电阻,因而产生了干扰电压;间接雷击(如云层间或云层内的雷击)在外部线路上感应出的脉冲电压和电流;雷电击中线路邻近物体,在其周围建立强大电磁场,在外部线路上感应出电压;雷电击中附近地面,地电流通过公共接地系统时所引进的干扰。
除自然界的雷击外,变电所等场合的开关动作也会引进浪涌干扰,如:主电源系统切换时的干扰;同一电网,在靠近受电设备附近的一些小开关跳动时形成的干扰;切换伴有谐振线路的晶闸管设备;各种系统性的故障,如设备接地网络或者接地系统间的短路和飞弧故障。
由此可知,在受电设备的供电端口处设置浪涌保护装置至关重要。浪涌保护装置的作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内,或将强大的雷电流泄流入地,保护被保护的设备或系统不受冲击而损坏。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种交流电源浪涌保护装置及电子设备,以实现在浪涌发生时可以保护受电设备,在浪涌消失后,浪涌保护装置可以断开,以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种交流电源浪涌保护装置,包括:
第一保护支路,第一保护支路串接有至少一个双向半导体放电管,第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接,第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接,
第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,至少一个双向半导体放电管导通,第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压,控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复。
进一步地,第一保护支路包括第一双向半导体放电管和第二双向半导体放电管,
其中,第一双向半导体放电管的第一端与第一交流线路连接,第一双向半导体放电管的第二端与第二双向半导体放电管的第一端电连接,第二双向半导体放电管的第二端与第二交流线路电连接。
进一步地,第一双向半导体放电管的第二端接地线。
进一步地,还包括第三双向半导体放电管,第三双向半导体放电管的第一端与第一双向半导体放电管的第二端电连接,第三双向半导体放电管的第二端接地线。
进一步地,还包括第二保护支路,第二保护支路串接有至少一个第四双向半导体放电管,第二保护支路的第一端与第二交流线路电连接,第二保护支路的第二端接地线。
进一步地,第一保护支路还包括第一双向瞬态抑制二极管,其中,第一双向瞬态抑制二极管与至少一个双向半导体放电管串联。
进一步地,第一交流线路和第二交流线路分别与受电设备的两个电源端口电连接。
进一步地,第一交流线路为火线,第二交流线路为零线。
进一步地,第一交流线路和第二交流线路为三相交流供电线路中的任意两相线路。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种插排,包括本实用新型任意实施例提供的交流电源浪涌保护装置。
本实用新型实施例的技术方案通过在交流电源口设置串接有至少一个双向半导体放电管的第一保护支路,其中,第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接,第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接,第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,至少一个双向半导体放电管导通,第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压,控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复,以实现在浪涌发生时可以保护受电设备,在浪涌消失后,浪涌保护装置可以断开,以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种双向半导体放电管的伏安特性曲线示意图;
图3为本实用新型实施例提供的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图;
图4为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图6为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图7为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图8为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图9为本实用新型实施例提供的又一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图;
图10为现有技术中的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图;
图11为现有技术中的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图;
图12为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
本实用新型实施例提供一种交流电源浪涌保护装置。图1为本实用新型实施例提供的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,图1示例性画出包括一个双向半导体放电管的情况,如图1所示,该交流电源浪涌保护装置,包括:第一保护支路110,第一保护支路110串接有至少一个双向半导体放电管111,第一保护支路110的第一端与第一交流线路电连接,第一保护支路110的第二端与第二交流线路电连接,第一保护支路110用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,至少一个双向半导体放电管111同时导通,第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压,控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复。
其中,该交流电源浪涌保护装置可集成在各种交流受电设备和/或市电接口电路中,如插排。第一交流线路和第二交流线路可以为市电传输线路。可选的,如图1所示,第一交流线路为火线L,第二交流线路为零线N。第一交流线路和第二交流线路可用于向受电设备提供工频交流电。可选的,如图1所示,第一交流线路L和第二交流线路N分别与受电设备120的两个电源端口电连接。
其中,双向半导体放电管111为多层PN结构成的可控硅结构,因此具有响应速度快,通态压降低,通流能量大,无老化失效,无极性双向保护,可重复使用,能承受较大的冲击电流,产品一致性及稳定性远优于气体放电管及压敏电阻,使用安全、可靠,其性能优于其它瞬间过压保护元器件。图2为本实用新型实施例提供的一种双向半导体放电管的伏安特性曲线示意图,其中,横轴表示双向半导体放电管两端的电压V,纵轴表示流过双向半导体放电管的电流I,如图2所示,双向半导体放电管的伏安特性曲线位于第一象限和第三象限,且关于原点对称。根据第一象限的伏安特性曲线可知,即双向半导体放电管两端的外加电压为正向电压,当双向半导体放电管两端的外加正向电压低于断态电压VDRM时,漏电流很小,处于断开状态。当双向半导体放电管两端的外加正向电压大于转折电压VS时,双向半导体放电管很快进入导通状态,双向半导体放电管两端的压降很小。当双向半导体放电管两端的外加正向电压去掉后,或外加正向电压减小至0,电流很快就降到低于维持电流IH,双向半导体放电管自然恢复,回到断开状态。根据第三象限的伏安特性曲线可知,即双向半导体放电管两端的外加电压为负向电压,当双向半导体放电管两端的外加负向电压的绝对值低于断态电压VDRM时,漏电流很小,处于断开状态。当双向半导体放电管两端的外加负向电压的绝对值高于转折电压VS时,双向半导体放电管很快进入导通状态,双向半导体放电管两端的压降很小。当双向半导体放电管两端的外加负向电压去掉后,或外加负向电压的绝对值减小至0,电流的绝对值很快就降到低于维持电流IH,双向半导体放电管自然恢复,回到断开状态。
需要说明的是,根据受电设备120的正常工作电压和耐受电压,确定双向半导体放电管111的转折电压,进而选取所需的双向半导体放电管111的型号。其中,受电设备120的工作电压小于双向半导体放电管111的转折电压,双向半导体放电管111的转折电压小于受电设备120的耐受电压。若受电设备120的两个电源口之间的电压大于耐受电压,受电设备120将无法承受该电压,导致受电设备120工作异常,甚至损坏。若第一保护支路110串接的双向半导体放电管111的数量为1,则预设电压为该双向半导体放电管111的转折电压,若第一保护支路110串接的双向半导体放电管111的数量为多个,且特性参数相同,则预设电压为该多个双向半导体放电管111的转折电压的和。该多个双向半导体放电管111的特性参数可以相同,也可以不同,本实用新型实施例对此不作限定。该特性参数包括:通态压降、断态电压、转折电压、断态电压下流过的最大泄漏电流、维持电流、最大转换电流、最大持续通态电流等。通常发生浪涌时,浪涌电压的持续时间为微秒级别。受电设备120的正常工作电压的频率为毫秒级别。正常传输电压可以是工频交流电,可以是相电压或线电压。
该交流电源浪涌保护装置的工作原理:图3为本实用新型实施例提供的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图,纵轴表示受电设备的两个电源端口之间的电压V1,横轴表示时间t,示例性的,以正向浪涌干扰发生在正弦电压的正半轴为例,该浪涌干扰使得火线L上的电压远大于零线N上的电压,以发生浪涌时所在的工频周期为例,进行说明。结合图1、图2和图3所示,其中,在0到T1时刻,火线L和零线N之间的为工频交流电(即受电设备的正常工作电压,也即正常传输电压),该工作电压小于双向半导体放电管111的转折电压VS,双向半导体放电管111处于关断状态,双向半导体放电管111相当于一无穷大的电阻(远大于受电设备的电阻),火线L和零线N向受电设备120正常供电;在T1时刻到T2时刻发生正向浪涌,即火线L上的电压远大于零线N上的电压,该浪涌电压远大于双向半导体放电管111的转折电压VS,甚至大于受电设备120的耐受电压,该浪涌电压施加在双向半导体放电管111的两端,使得双向半导体放电管111导通,导通电阻很小,导通压降VT很小,可降低受电设备120的两个电源端口之间的电压(此时双向半导体放电管111两端的电压即为当前受电设备120的供电电压),避免受电设备120承受较高的浪涌电压而损坏,浪涌电流在第一交流线路、双向半导体放电管111和第二交流线路所在回路流通,在T2时刻以后,浪涌消失,火线L和零线N上的电压恢复正常,在T2时刻到接近半个工频周期的时间段内,双向半导体放电管111仍保持导通,导通压降VT很小,大部分压降降落在火线L和零线N的输电线路上,但是随着正弦电压的减小,流过双向半导体放电管111的电流将减小,直至在呈正弦变化的正常传输电压接近过零点时,流过双向半导体放电管111的电流将低于维持电流IH,双向半导体放电管111自然恢复,回到断开状态,双向半导体放电管111相当于一无穷大的电阻,进而恢复向受电设备120正常供电。为了避免浪涌发生时,因保护受电设备,造成的短时间低电压,可为受电设备设置储能设备。
本实施例的技术方案通过在交流电源口设置串接有至少一个双向半导体放电管的第一保护支路,其中,第一保护支路的第一端与第一交流线路电连接,第一保护支路的第二端与第二交流线路电连接,第一保护支路用于在第一交流线路和第二交流线路之间的电压的绝对值大于预设电压时,至少一个双向半导体放电管导通,第一交流线路和第二交流线路之间的正常传输电压,控制导通的至少一个双向半导体放电管关断恢复,以实现在浪涌发生时可以保护受电设备,在浪涌消失后,浪涌保护装置可以断开,以使交流输电线路向后边的受电设备或系统正常供电。
本实用新型实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置。图4为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,如图4所示,在上述实施例的基础上,第一保护支路110包括第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113,其中,第一双向半导体放电管112的第一端与第一交流线路连接,第一双向半导体放电管1112的第二端与第二双向半导体放电管113的第一端电连接,第二双向半导体放电管113的第二端与第二交流线路电连接。
其中,PN结面积相同的双向半导体放电管,双向半导体放电管的转折电压小的,通流量大,即可流过双向半导体放电管的最大持续电流较大。在将多个双向半导体放电管串联时,可以选取转折电压相对较小,通流量较大的多个双向半导体放电管,从而可以进一步增大交流电源浪涌保护装置的泄放电流能力。可选的,如图4所示,第一交流线路和第二交流线路为三相交流供电线路中的任意两相线路。预设电压为第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的转折电压(正值)的和。正常传输电压为工频交流的线电压。以第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的特性参数相同为例,进行说明。在浪涌干扰没有到来之前,火线L1和火线L2之间的电压(即受电设备的正常工作电压,也即正常传输电压)的绝对值小于预设电压,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113处于关断状态,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113相当于两个阻值很大的电阻串联(远大于受电设备120的电阻),火线L1和火线L2向受电设备120正常供电;在浪涌干扰发生期间,例如可以是火线L1上的电压远大于火线L2上的电压,也可以是火线L2上的电压远大于火线L1上的电压,该浪涌电压远大于第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的转折电压的和,甚至大于受电设备的耐受电压,该浪涌电压施加在第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的两端,使得第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113同时导通,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的导通电阻均很小,导通压降很小,可降低受电设备的供电电压,避免受电设备承受较高的浪涌电压而损坏,在浪涌消失以后,火线L1和火线L2上的电压恢复正常,在浪涌消失时刻到正常传输电压(呈正弦变化)过零点时间段内,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113仍保持导通,导通压降很小,大部分压降在火线L1和火线L2的输电线路上,但是随着正常传输电压的绝对值的减小,流过第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的电流的绝对值将减小,直至在正常传输电压接近过零点时,流过第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的电流的绝对值将低于维持电流IH,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113自然恢复,回到断开状态,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113相当于两个阻值很大的电阻串联(远大于受电设备120的电阻),进而恢复向受电设备120正常供电。
本实用新型实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置。图5为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,如图5所示,在上述实施例的基础上,第一双向半导体放电管112的第二端接地线PE。
现有技术中,民用供电线路要求相线(即火线)之间的电压(即线电压)为380V,相线和地线或中性线(即零线)之间的电压(即相电压)均为220V,中性线和地线之间的电压近似相等。浪涌干扰串入的位置不定,可串入火线,可串入零线,还可同时串入火线和零线,可能导致火线和零线之间的电压较高,超出受电设备的耐受电压(即差模干扰),可能导致火线和火线之间的电压较高,超出受电设备的耐受电压(即差模干扰),还可能导致火线的对地电压较高,和/或,零线的对地电压也较高,远超出正常电压范围,但火线和零线之间的电压没有超出正常传输电压的范围,火线和火线之间的电压没有超出正常传输电压的范围(即共模干扰)。在火线和零线之间设置串接的至少一个双向半导体放电管,能解决浪涌干扰引发的火线和零线之间的电压超出受电设备的耐受电压的问题,或是,在火线和火线之间设置串接的至少一个双向半导体放电管,能解决火线和火线之间的电压超出受电设备的耐受电压的问题,却不能解决火线的对地电压较高,和/或,零线的对地电压也较高,远超出正常电压范围,但火线和零线之间的电压没有超出正常传输电压的范围,火线和火线之间的电压没有超出正常传输电压的范围的问题。
针对这一技术问题,在上述实施例的基础上,通过第一双向半导体放电管112的第二端接地线PE,如图5所示,在浪涌干扰没有到来之前,火线L的对地电压的绝对值小于第一双向半导体放电管112的转折电压,零线N的对地电压的绝对值小于第二双向半导体放电管113的转折电压,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113处于关断状态,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113相当于两个阻值很大的电阻(远大于受电设备120的电阻),火线L和零线N向受电设备120正常供电;在浪涌干扰发生期间,火线L的对地(即地线)电压超出正常范围,其绝对值大于第一双向半导体放电管112的转折电压,该电压施加在第一双向半导体放电管112的两端,使得第一双向半导体放电管112导通,和/或,零线的对地(即地线)电压超出正常范围,其绝对值大于第二双向半导体放电管113的转折电压,该电压施加在第二双向半导体放电管113的两端,使得第二双向半导体放电管113导通,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113的导通电阻均很小,导通压降很小,使火线L的对地(即地线)电压的绝对值减小,零线N的对地(即地线)电压的绝对值减小,可降低受电设备的两个电源端口之间的电压,避免接有地线的受电设备承受较高的浪涌电压而损坏,在浪涌消失以后,火线L和零线N上的电压恢复正常,在浪涌消失时刻到正常传输电压(呈正弦变化)过零点时间段内,第一双向半导体放电管112仍保持导通,导通压降很小,大部分压降降落在火线L的输电线路上,此时,零线N的对地电压近似为0,导致流过第二双向半导体放电管113的电流的绝对值低于维持电流,导致第二双向半导体放电管113自然恢复,回到断开状态,而随着正常传输电压的绝对值的减小,流过第一双向半导体放电管112的电流的绝对值将减小,直至在正常传输电压接近过零点时,流过第一双向半导体放电管112的电流的绝对值将低于维持电流IH,第一双向半导体放电管112自然恢复,回到断开状态,第一双向半导体放电管112和第二双向半导体放电管113相当于两个阻值很大的电阻(远大于受电设备120的电阻),进而恢复向受电设备120正常供电。
本实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置,在上述实施例的基础上,将第一双向半导体放电管112的第二端接地线,可以解决火线的对地电压较高,和/或,零线的对地电压也较高(即共模干扰),远超出正常电压范围,但火线和零线之间的电压没有超出正常传输电压的范围,火线和火线之间的电压没有超出正常传输电压的范围的问题,并将部分浪涌电流泄放至大地,相比于将浪涌电流在第一交流线路和第二交流线路所在回路流通的情况,可以降低对电网的影响。
本实用新型实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置。图6为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,如图6所示,在上述实施例的基础上,该交流电源浪涌保护装置还包括第三双向半导体放电管114,第三双向半导体放电管114的第一端与第一双向半导体放电管112的第二端电连接,第三双向半导体放电管113的第二端接地线PE。
其中,在浪涌干扰发生期间,火线L的对地(即地线PE)电压超出正常范围,其绝对值大于第一双向半导体放电管112和第三双向半导体放电管114的转折电压的和,该电压施加在第一双向半导体放电管112和第三双向半导体放电管114的两端,使得第一双向半导体放电管112和第三双向半导体放电管114同时导通,故可以选取转折电压相对较小而通流量相对较大的第一双向半导体放电管112和第三双向半导体放电管114,从而可以在保证预设电压相同的情况下,进一步增大交流电源浪涌保护装置的泄放电流能力。
本实用新型实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置。图7为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,如图7所示,在上述实施例的基础上,该交流电源浪涌保护装置还包括第二保护支路130,第二保护支路130串接有至少一个第四双向半导体放电管131,第二保护支路130的第一端与第二交流线路电连接,第二保护支路的第二端接地线PE。可以解决火线的对地电压较高,和/或,零线的对地电压也较高,远超出正常电压范围,但火线和零线之间的电压没有超出正常传输电压的范围,火线和火线之间的电压没有超出正常传输电压的范围的问题,并将部分浪涌电流泄放至大地,相比于将浪涌电流在第一交流线路和第二交流线路所在回路流通的情况,可以降低对电网的影响,且在尽量减小器件的使用的前提下,增大浪涌电流从第一交流线路向地线泄放的电流量。
本实用新型实施例提供又一种交流电源浪涌保护装置。图8为本实用新型实施例提供的又一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,如图8所示,在上述实施例的基础上,第一保护支路110还包括第一双向瞬态抑制二极管115,其中,第一双向瞬态抑制二极管115与至少一个双向半导体放电管111串联。
其中,第一双向瞬态抑制二极管115两端的电压的绝对值小于钳位电压时,第一双向瞬态抑制二极管115关断,呈高阻抗,流过第一双向瞬态抑制二极管115的漏电流很小,当第一双向瞬态抑制二极管115两端的电压的绝对值大于钳位电压时,第一双向瞬态抑制二极管115将迅速起作用,流过第一双向瞬态抑制二极管115的电流迅速增大,两端电压钳位在钳位电压附近。
需要说明的是,预设电压与至少一个双向半导体放电管111的断态阻抗、转折电压,以及第一双向瞬态抑制二极管115的断态阻抗、钳位电压有关。预设电压大于至少一个双向半导体放电管111的转折电压,也大于第一双向瞬态抑制二极管115的钳位电压。图8示例性的画出一个双向半导体放电管,以此为例进行说明。图9为本实用新型实施例提供的又一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图,纵轴表示受电设备的两个电源端口之间的电压V1,横轴表示时间t,在T1时刻到T2时刻时间段内,发生浪涌。曲线b为第一保护支路110还包括第一双向瞬态抑制二极管115时,受电设备的两个电源端口之间的电压的波形。结合图8和图9可知,在浪涌干扰没有到来之前,火线L和零线N之间的电压(即受电设备120的正常工作电压,也即正常传输电压)的绝对值小于预设电压V4,双向半导体放电管111和第一双向瞬态抑制二极管115处于关断状态,双向半导体放电管111和第一双向瞬态抑制二极管115相当于两个阻值很大的电阻串联(远大于受电设备120的电阻),火线L和零线N向受电设备120正常供电;在浪涌干扰发生期间,例如可以是火线L上的电压远大于零线N上的电压,也可以是零线N上的电压远大于火线L上的电压,该浪涌电压远大于预设电压V4,甚至大于受电设备的耐受电压,该浪涌电压施加在双向半导体放电管111和第一双向瞬态抑制二极管115的两端,使得双向半导体放电管111导通,双向半导体放电管111的导通电阻均很小,导通压降很小,第一双向瞬态抑制二极管115将两端电压钳位在钳位电压V2附近,可降低受电设备的两个电源端口之间的电压,避免受电设备承受较高的浪涌电压而损坏,在浪涌消失以后,火线L和零线N上的电压恢复正常,当正常传输电压(呈正弦变化)的绝对值减小到钳位电压V2,第一双向瞬态抑制二极管115将关断,流过双向半导体放电管111的电流低于维持电流IH,双向半导体放电管111自然恢复,回到断开状态,双向半导体放电管111和第一双向瞬态抑制二极管115相当于两个阻值很大的电阻(远大于受电设备120的电阻),进而恢复向受电设备120正常供电。
图10为现有技术中的一种交流电源浪涌保护装置的结构示意图,现有技术中的交流电源浪涌保护装置仅包括一双向瞬态抑制二极管或压敏电阻,示例性的,如图10所示,浪涌保护装置仅包括一压敏电阻116,图11为现有技术中的一种受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图,曲线c对应图10中交流电源浪涌保护装置仅包括一压敏电阻116时,受电设备的两个电源端口之间的电压的波形,其中,在T1时刻到T2时刻发生正向浪涌;曲线c还可以对应交流电源浪涌保护装置仅包括一双向瞬态抑制二极管时,受电设备的电源端口在T1时刻到T2时刻受过电压干扰的电压波形示意图。
其中,V2为第一双向瞬态抑制二极管115的第一钳位电压,其中,该第一钳位电压与受电设备120的正常工作电压接近;V3为现有技术中的压敏电阻116的第二钳位电压,该至少一个双向半导体放电管111和第一双向瞬态抑制二极管115串联后对应的预设电压V4与压敏电阻116的第二钳位电压V3接近相等,其中,该第二钳位电压V3大于受电设备120的正常工作电压,小于受电设备120的耐受电压。从图9和图11可以看出,在浪涌发生期间,相对于现有技术的第二钳位电压V3远高于受电设备120的正常工作电压,本实用新型实施例的第一钳位电压V2与受电设备120的正常工作电压接近,仅将纳秒级的尖峰脉冲电压对应的能量传输至受电设备,而图11的电路会将微秒级的相同高度的尖峰脉冲电压对应的能量传输至受电设备,故本实用新型实施例可以更好的满足供电要求,减小传输至受电设备的浪涌能量,更有利于保护后级的受电设备。
本实用新型实施例提供了一种电子设备。图12为本实用新型实施例提供的一种电子设备的结构示意图,如图12所示,该电子设备100包括本实用新型任意实施例提供的交流电源浪涌保护装置。
其中,电子设备100可以是电视机、笔记本电脑、空调、通信电源、摄像机、网络交换机等。本实用新型实施例提供的电子设备包括上述实施例中的交流电源浪涌保护装置,因此本实用新型实施例提供的电子设备也具备上述实施例中所描述的有益效果,此处不再赘述。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。