CN207559895U - 一种驱动装置和电机驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种驱动装置和电机驱动电路，驱动装置包括：半桥逆变电路，上桥臂由第一PMOS管构成，第一PMOS管的源极端与第一直流电源相连，下桥臂由第一NMOS管构成，半桥逆变电路的中点作为驱动装置的输出端；第一驱动模块，所述第一驱动模块分别与第一PMOS管的栅极端和第一直流电源相连，第一驱动模块根据上桥臂控制信号驱动第一PMOS管；第二驱动模块，第二驱动模块与第一NMOS管相连，第二驱动模块根据下桥臂控制信号驱动第一NMOS管。本实用新型能够通过分立的元器件驱动半桥逆变电路上桥臂的PMOS管，且第一驱动模块无需为半桥逆变电路上桥臂的第一PMOS管额外提供浮空电源，简化电路的同时，有效降低了成本。

Description

一种驱动装置和电机驱动电路

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种驱动装置和一种电机驱动电路。

背景技术

现有技术中，如图1所示，三相电机的驱动电路包括NMOS管Q1’和NMOS管Q2’，NMOS管Q3’和NMOS管Q4’，NMOS管Q5’和NMOS管Q6’构成的三相半桥逆变电路，MCU芯片和三相半桥逆变电路对应的驱动芯片。

现有技术中，三相电机的驱动电路存在以下缺点：为实现驱动上桥臂NMOS管(图1中NMOS管Q1’，NMOS管Q3’，NMOS管Q5’)，驱动芯片中需要在每个半桥中点(图1中A’点、B’点和C’点)设置浮空电源，以作为电位参考点，即三相电机的驱动电路需要三路相互独立的浮空电源，使得电路复杂，且成本高。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种驱动装置和一种电机驱动电路，以解决现有技术中三相电机的驱动电路，电路复杂和成本高的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种驱动装置，包括：半桥逆变电路，所述半桥逆变电路的上桥臂由第一PMOS管构成，所述第一PMOS管的源极端与第一直流电源相连，所述半桥逆变电路的下桥臂由第一NMOS管构成，所述半桥逆变电路的中点作为所述驱动装置的输出端；第一驱动模块，所述第一驱动模块分别与所述第一PMOS管的栅极端和所述第一直流电源相连，所述第一驱动模块根据上桥臂控制信号驱动所述第一PMOS管；第二驱动模块，所述第二驱动模块与所述第一NMOS管相连，所述第二驱动模块根据下桥臂控制信号驱动所述第一NMOS管。

可选地，所述第一驱动模块包括：第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一直流电源相连；第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端相连；第一三极管，所述第一三极管的基极接收所述上桥臂控制信号，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极接地；第一推挽电路，所述第一推挽电路的输入端分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第一推挽电路的电源端分别与所述第一直流电源、所述第一PMOS管的源极端和所述第一电阻的一端相连，所述第一推挽电路的地端接地，所述第一推挽电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极端相连。

可选地，所述第一驱动模块包括：第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第一直流电源相连；第四电阻，所述第四电阻的一端接地；第二三极管，所述第二三极管的基极接收所述上桥臂控制信号，所述第二三极管的集电极与所述第三电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的另一端相连；第二推挽电路，所述第二推挽电路的输入端分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第二推挽电路的电源端分别与所述第一直流电源、所述第一PMOS管的源极端和所述第三电阻的一端相连，所述第二推挽电路的地端接地，所述第二推挽电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极端相连。

可选地，所述第一推挽电路包括：第三三极管，所述第三三极管的基极分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第三三极管的集电极分别与所述第一直流电源、所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的源极端相连；第四三极管，所述第四三极管的基极分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第四三极管的发射极与所述第三三极管的发射极相连，所述第四三极管的集电极接地，所述第四三极管的发射极和所述第三三极管的发射极分别与所述第一PMOS管的栅极端相连。

可选地，所述第一推挽电路还包括：第五电阻，所述第五电阻的一端分别与所述第三三极管的发射极和所述第一PMOS管的栅极端相连，所述第五电阻的另一端与所述第四三极管的发射极相连。

可选地，所述第二推挽电路包括：第五三极管，所述第五三极管的基极分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第五三极管的集电极分别与所述第一直流电源、所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的源极端相连；第六三极管，所述第六三极管的基极分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第六三极管的发射极与所述第五三极管的发射极相连，所述第六三极管的集电极接地，所述第六三极管的发射极和所述第五三极管的发射极分别与所述第一PMOS管的栅极端相连。

可选地，所述第二推挽电路还包括：第六电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第五三极管的发射极和所述第一PMOS管的栅极端相连，所述第六电阻的另一端与所述第六三极管的发射极相连。

可选地，所述驱动装置还包括：第七电阻，所述第七电阻分别与所述第一PMOS管的源极端和栅极端相连。

可选地，所述第二驱动模块包括：第八电阻，所述第八电阻的一端与第二直流电源相连；第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极端接收所述下桥臂控制信号，所述第二NMOS管的漏极端与所述第八电阻的另一端相连，所述第二NMOS管的源极端接地；第三推挽电路，所述第三推挽电路的输入端分别与所述第八电阻的另一端和所述第二NMOS管的漏极端相连，所述第三推挽电路的电源端分别与所述第二直流电源和所述第八电阻的一端相连，所述第三推挽电路的地端接地，所述第三推挽电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极端相连。

为了解决上述问题，本实用新型实施例还公开了一种电机驱动电路，包括微控制器和所述的驱动装置，每个所述驱动装置中第一驱动模块和第二驱动模块分别与所述微控制器相连，每个所述驱动装置的输出端与电机的一定子相连。

本实用新型实施例包括以下优点：设置半桥逆变电路的上桥臂由与第一直流电源相连的第一PMOS管构成，半桥逆变电路的下桥臂由第一NMOS管构成，半桥逆变电路的中点作为驱动装置的输出端，并通过分别与第一PMOS管的栅极端和第一直流电源相连的第一驱动模块，根据上桥臂控制信号驱动第一PMOS管，和通过第二驱动模块根据下桥臂控制信号驱动第一NMOS管。本实用新型实施例中第一PMOS管的栅极端电压的电位参考电压为第一直流电源的电压，这样第一驱动模块无需为半桥逆变电路上桥臂的第一PMOS管额外提供浮空电源，简化电路的同时，有效降低了成本。

附图说明

图1是现有技术中三相电机的驱动电路的结构示意图；

图2是本实用新型的一种驱动装置实施例的结构框图；

图3是本实用新型的一种驱动装置实施例的结构示意图；

图4是本实用新型的另一种驱动装置实施例的结构示意图；

图5是本实用新型的一种驱动装置实施例中第二驱动模块的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

参照图2，其示出了本实用新型的一种驱动装置实施例的结构框图，具体可以包括：半桥逆变电路1，半桥逆变电路1的上桥臂由第一PMOS管P1构成，第一PMOS管P1的源极端与第一直流电源2相连，半桥逆变电路1的下桥臂由第一NMOS管N1构成，半桥逆变电路1的中点(即第一PMOS管P1和第一NMOS管N1的中点)作为驱动装置的输出端；第一驱动模块3，第一驱动模块3分别与第一PMOS管P1的栅极端和第一直流电源2相连，第一驱动模块3根据上桥臂控制信号AH驱动第一PMOS管P1；第二驱动模块4，第二驱动模块4与第一NMOS管N1的栅极端相连，第二驱动模块4根据下桥臂控制信号AL驱动第一NMOS管N1。图2中，第一PMOS管P1的漏极端与第一NMOS管N1的漏极端相连，第一NMOS管N1的源极端接地，第一PMOS管P1的漏极端与第一NMOS管N1的漏极端之间具有半桥逆变电路1的中点。

由于半桥逆变电路1的上桥臂由第一PMOS管P1构成，第一PMOS管P1的栅极端驱动电压的电位参考电压为第一PMOS管P1的源极电压，即固定的第一直流电源电压，因此，本实用新型实施例中，第一驱动模块3无需为半桥逆变电路1上桥臂的第一PMOS管P1额外提供源极浮空电源，简化第一驱动模块3的电路的同时，有效降低了电路的成本。

参照图3，在本实用新型的一个实施例中，第一驱动模块3可以包括：第一电阻R1，第一电阻R1的一端与第一直流电源2相连；第二电阻R2，第二电阻R2的一端与第一电阻R1的另一端相连；第一三极管Q1，第一三极管Q1的基极接收上桥臂控制信号AH，第一三极管Q1的集电极与第二电阻R2的另一端相连，第一三极管Q1的发射极接地；第一推挽电路31，第一推挽电路31的输入端分别与第二电阻R2的一端和第一电阻R1的另一端相连，第一推挽电路31的电源端分别与第一直流电源2、第一PMOS管P1的源极端和第一电阻R1的一端相连，第一推挽电路31的地端接地，第一推挽电路31的输出端与第一PMOS管P1的栅极端相连，第一推挽电路31用于对第二电阻R2的一端和第一电阻R1的另一端之间的电压信号进行放大，以驱动第一PMOS管P1。其中，第一三极管Q1可以为NPN型三极管。

具体地，第一电阻R1和第二电阻R2用于对第一直流电源2电压进行分压。当上桥臂控制信号AH为高电平时，第一三极管Q1导通，第一电阻R1和第二电阻R2的分压经第一推挽电路31放大后，施加在第一PMOS管P1的栅极端；当上桥臂控制信号AH为低电平时，第一三极管Q1截止，第一PMOS管P1的栅极端电压约等于0。

参照图4，在本实用新型的另一个实施例中，第一驱动模块3可以包括：第三电阻R3，第三电阻R3的一端与第一直流电源2相连；第四电阻R4，第四电阻R4的一端接地；第二三极管Q2，第二三极管Q2的基极接收上桥臂控制信号AH，第二三极管Q2的集电极与第三电阻R3的另一端相连，第二三极管Q2的发射极与第四电阻R4的另一端相连；第二推挽电路32，第二推挽电路32的输入端分别与第三电阻R3的另一端和第二三极管Q2的集电极相连，第二推挽电路32的电源端分别与第一直流电源2、第一PMOS管P1的源极端和第三电阻R3的一端相连，第二推挽电路32的地端接地，第二推挽电路32的输出端与第一PMOS管P1的栅极端相连，第二推挽电路32用于对第三电阻R3的另一端和第二三极管Q2的集电极之间的电压信号进行放大。其中，第二三极管Q2可以为NPN型三极管。

具体地，第三电阻R3用于将第二三极管Q2的集电极电流信号转化为电压信号。R4电阻配合Q2实现近似恒流驱动，当上桥臂控制信号AH为高电平(例如3.3V电压)时，第二三极管Q2导通，第二三极管Q2的集电极耐受第一直流电源2的电压，第二三极管Q2的集电极电流近似等于(VAH-VD)/R4，实现近似恒流驱动第一PMOS管P1。其中，VAH为上桥臂控制信号AH的电压值，VD为第二三极管Q2的基极-发射极压降(典型值为0.7V)，R4为第四电阻R4的电阻值。

可选地，参照图3，第一推挽电路31可以包括：第三三极管Q3，第三三极管Q3的基极分别与第二电阻R2的一端和第一电阻R1的另一端相连，第三三极管Q3的集电极分别与第一直流电源2、第一电阻R1的一端和第一PMOS管P1的源极端相连；第四三极管Q4，第四三极管Q4的基极分别与第二电阻R2的一端和第一电阻R1的另一端相连，第四三极管Q4的发射极与第三三极管Q3的发射极相连，第四三极管Q4的集电极接地，第四三极管Q4的发射极和第三三极管Q3的发射极分别与第一PMOS管P1的栅极端相连。其中，第三三极管Q3可以为NPN型三极管，第四三极管Q4可以为PNP型三极管，第三三极管Q3和第四三极管Q4的参数相同。

可选地，第一推挽电路31还可以包括：第五电阻，第五电阻的一端分别与第三三极管Q3的发射极和第一PMOS管P1的栅极端相连，第五电阻的另一端与第四三极管Q4的发射极相连，第五电阻用于限制流经第三三极管Q3的发射极和第四三极管Q4的发射极的电流。

可选地，参照图4，第二推挽电路32可以包括：第五三极管Q5，第五三极管Q5的基极分别与第三电阻R3的另一端和第二三极管Q2的集电极相连，第五三极管Q5的集电极分别与第一直流电源2、第三电阻R3的一端和第一PMOS管P1的源极端相连；第六三极管Q6，第六三极管Q6的基极分别与第三电阻R3的另一端和第二三极管Q2的集电极相连，第六三极管Q6的发射极与第五三极管Q5的发射极相连，第六三极管Q6的集电极接地，第六三极管Q6的发射极和第五三极管Q5的发射极分别与第一PMOS管P1的栅极端相连。其中，第五三极管Q5可以为NPN型三极管，第六三极管Q6可以为PNP型三极管，第五三极管Q5和第六三极管Q6的参数相同。

可选地，第二推挽电路32还可以包括：第六电阻，第六电阻的一端分别与第五三极管Q5的发射极和第一PMOS管P1的栅极端相连，第六电阻的另一端与第六三极管Q6的发射极相连，第六电阻用于限制流经第五三极管Q5的发射极和第六三极管Q6的发射极的电流。

可选地，驱动装置还可以包括：第七电阻，第七电阻分别与第一PMOS管P1的源极端和栅极端相连，第七电阻用于限制第一PMOS管P1的栅极端电压。

本实用新型中第一驱动模块3采用分立元器件实现，可以解决现有技术中驱动芯片不支持驱动上桥臂由第一PMOS管P1构成、下桥臂由第一NMOS管N1构成的半桥逆变电路1的问题。

优选地，当第一直流电源2的电压较上桥臂控制信号提供端的电压更稳定时，可以选择图3中第一驱动模块3第一PMOS管P1；当上桥臂控制信号提供端的电压较第一直流电源2的电压较更稳定时，可以选择图4中第一驱动模块3第一PMOS管P1。

具体地，图3中第一驱动模块3驱动第一PMOS管P1的原理如下：

当上桥臂控制信号提供端的电压V_AH为低电平时，第一三极管Q1截止，A点的电压V_A接近第一直流电源2的电压V_DC(即V_A≈V_DC)，经过第三三极管Q3和第四三极管Q4组成的第一推挽电路31，G点(即第一PMOS管P1的栅极端)的电压V_G和A点的电压V_A基本相等，即V_G≈V_A≈V_DC，此时，第一PMOS管P1不导通；

当上桥臂控制信号提供端的电压V_AH为高电平时，第一三极管Q1导通，并工作在饱和区，第一三极管Q1的V_ce(集电极-发射极电压)压降很小，由以下公式(1)可计算得出A点的电压V_A。经过第一推挽电路31后V_G≈V_A，由以下公式(2)可得第一PMOS管P1的V_GS(栅极端-源极端电压)。由图3可知，根据所用第一PMOS管P1的导通条件设计V_GS的大小，即可使其导通。例如，可以通过选取合适的第一电阻R1、第二电阻R2等来设计V_GS的大小。

具体地，图4中第一驱动模块3驱动第一PMOS管P1的原理如下：

当上桥臂控制信号提供端的电压V_AH为低电平时，第二三极管Q2截止，B点的电压V_B接近第一直流电源2的电压V_DC(即V_B≈V_DC)，经过第五三极管Q5、第六三极管Q6组成的第二推挽电路32，G点(即第一PMOS管P1的栅极端)的电压V_G和B点的电压V_B基本相等，即V_G≈V_B≈V_DC，此时，第一PMOS管P1不导通；

当上桥臂控制信号提供端的电压V_AH为高电平时，第二三极管Q2导通，并工作在线性区，由以下公式式(3)可计算得出B点的电压V_B，其中β为第二三极管Q2的放大倍数。经过第二推挽电路32后V_G≈V_B，由以下公式(4)可得第一PMOS管P1的V_GS。由图4可知，根据所用第一PMOS管P1的导通条件设计V_GS的大小，即可使其导通。例如，可以通过选取合适的第三电阻R3，第四电阻R4等来设计V_GS的大小。

可选地，参照图5，第二驱动模块4可以包括：第八电阻R8，第八电阻R8的一端与第二直流电源5相连；第二NMOS管N2，第二NMOS管N2的栅极端接收下桥臂控制信号AL，第二NMOS管N2的漏极端与第八电阻R8的另一端相连，第二NMOS管N2的源极端接地；第三推挽电路41，第三推挽电路41的输入端分别与第八电阻R8的另一端和第二NMOS管N2的漏极端相连，第三推挽电路41的电源端分别与第二直流电源5和第八电阻R8的一端相连，第三推挽电路41的地端接地，第三推挽电路41的输出端与第一NMOS管N1的栅极端相连。在本实用新型的一个实施例中，第二直流电源5可以提供5V直流电压。

可选地，参照图5，第三推挽电路41可以包括：第二PMOS管P2，第二PMOS管P2的栅极端分别与第八电阻R8的另一端和第二NMOS管N2的漏极端相连，第二PMOS管P2的源极端分别与第二直流电源5和第八电阻R8的一端相连，第八电阻R8用于将第二NMOS管N2的漏极端电流信号转化为电压信号；第三NMOS管N3，第三NMOS管N3的栅极端分别与第八电阻R8的另一端和第二NMOS管N2的漏极端相连，第三NMOS管N3的漏极端与第二PMOS管P2的漏极端相连，第三NMOS管N3的源极端接地，第三NMOS管N3的漏极端和第二PMOS管P2的漏极端分别与第一NMOS管N1的栅极端相连。其中，第二PMOS管P2和第三NMOS管N3的参数相同。

具体地，第二NMOS管N2用于对下桥臂控制信号AL进行电流放大，以驱动第二PMOS管P2和第三NMOS管N3，同时，第二NMOS管N2还可以用于对第二直流电源5的电压进行电压转换，以解决第二直流电源5的电压和下桥臂控制信号AL的电平不匹配的问题。具体地，当下桥臂控制信号AL为高电平时，第二NMOS管N2导通，第二NMOS管N2的漏极端为近似零电压，第二NMOS管N2为第二PMOS管P2和第三NMOS管N3的栅极端电荷充放电提供回路；当下桥臂控制信号AL为低电平时，第二NMOS管N2截止，第二NMOS管N2的漏极端电压为第二直流电源5的电压，该电压高于下桥臂控制信号AL的高电平电压。

可选地，第三推挽电路41还可以包括：第九电阻R9，第九电阻R9的一端与第二PMOS管P2的漏极端，第九电阻R9的另一端分别与第三NMOS管N3的漏极端和第一NMOS管N1的栅极端相连，第九电阻R9用于限制第三推挽电路41的输出电流和输出电压。

可选地，第二驱动模块4还可以为驱动芯片。

可选地，参照图3，第一驱动模块3还可以包括：第十电阻R10，第十电阻R10的一端接收上桥臂控制信号AH，第十电阻R10的另一端与第一三极管Q1的基极相连，第十电阻R10用于限制第一三极管Q1的基极电流。

可选地，参照图4，第一驱动模块3还可以包括：第十一电阻R11，第十一电阻R11的一端接收上桥臂控制信号AH，第十一电阻R11的另一端与第二三极管Q2的基极相连，第十一电阻R11用于限制第二三极管Q2的基极电流。

本实用新型实施例的驱动装置包括以下优点：设置半桥逆变电路的上桥臂由第一PMOS管构成，半桥逆变电路的下桥臂由第一NMOS管构成，半桥逆变电路的中点作为驱动装置的输出端，并通过第一驱动模块根据上桥臂控制信号驱动第一PMOS管和通过第二驱动模块根据下桥臂控制信号驱动第一NMOS管。这样，由于半桥逆变电路的上桥臂由第一PMOS管构成，第一PMOS管的栅极端电压的电位参考电压为第一直流电源的电压，因此，第一驱动模块无需为半桥逆变电路上桥臂的第一PMOS管额外提供浮空电源，简化第一驱动模块的电路的同时，有效降低了电路成本；另外，第一驱动模块、第二驱动模块由分离元器件构成，可以进一步降低电路成本。

本实用新型实施例还公开了一种电机驱动电路，包括微控制器和至少一个上述的驱动装置，每个驱动装置中第一驱动模块3和第二驱动模块4分别与微控制器相连，每个驱动装置的输出端与电机的一定子相连。

具体地，当电机为单相电机时，电机驱动电路可以包括一个上述的驱动装置或两个上述的驱动装置，其中，当电机驱动电路包括两个上述的驱动装置时，该两个上述的驱动装置构成一全桥式逆变电路。当电机为三单相电机时，电机驱动电路可以包括三个上述的驱动装置或六个上述的驱动装置。其中，当电机驱动电路包括六个上述的驱动装置(第一驱动装置、第二驱动装置、第三驱动装置、第四驱动装置、第五驱动装置和第六驱动装置)时，第一驱动装置和第二驱动装置中的半桥逆变电路1可以构成一全桥式逆变电路，第三驱动装置和第四驱动装置中的半桥逆变电路1可以构成一全桥式逆变电路，第五驱动装置和第六驱动装置中的半桥逆变电路1可以构成一全桥式逆变电路。

本实用新型实施例的电机驱动电路包括以下优点：采用至少一个上述的驱动装置驱动电机的定子，由于驱动装置中半桥逆变电路的上桥臂由第一PMOS管构成，第一PMOS管的栅极端电压的电位参考电压为第一直流电源的电压，因此，驱动装置中第一驱动模块无需为半桥逆变电路上桥臂的第一PMOS管额外提供浮空电源，简化第一驱动模块的电路的同时，有效降低了电路成本；另外，驱动装置中第一驱动模块、第二驱动模块由分离元器件构成，可以进一步降低电路成本。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种驱动装置和一种电机驱动电路，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (9)

1.一种驱动装置，其特征在于，包括：

半桥逆变电路，所述半桥逆变电路的上桥臂由第一PMOS管构成，所述第一PMOS管的源极端与第一直流电源相连，所述半桥逆变电路的下桥臂由第一NMOS管构成，所述半桥逆变电路的中点作为所述驱动装置的输出端；

第一驱动模块，所述第一驱动模块分别与所述第一PMOS管的栅极端和所述第一直流电源相连，所述第一驱动模块根据上桥臂控制信号驱动所述第一PMOS管；

第二驱动模块，所述第二驱动模块与所述第一NMOS管相连，所述第二驱动模块根据下桥臂控制信号驱动所述第一NMOS管；

所述第二驱动模块包括：

第八电阻，所述第八电阻的一端与第二直流电源相连；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极端接收所述下桥臂控制信号，所述第二NMOS管的漏极端与所述第八电阻的另一端相连，所述第二NMOS管的源极端接地；

第三推挽电路，所述第三推挽电路的输入端分别与所述第八电阻的另一端和所述第二NMOS管的漏极端相连，所述第三推挽电路的电源端分别与所述第二直流电源和所述第八电阻的一端相连，所述第三推挽电路的地端接地，所述第三推挽电路的输出端与所述第一NMOS管的栅极端相连。

2.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，所述第一驱动模块包括：

第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一直流电源相连；

第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一电阻的另一端相连；

第一三极管，所述第一三极管的基极接收所述上桥臂控制信号，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极接地；

第一推挽电路，所述第一推挽电路的输入端分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第一推挽电路的电源端分别与所述第一直流电源、所述第一PMOS管的源极端和所述第一电阻的一端相连，所述第一推挽电路的地端接地，所述第一推挽电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极端相连。

3.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，所述第一驱动模块包括：

第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第一直流电源相连；

第四电阻，所述第四电阻的一端接地；

第二三极管，所述第二三极管的基极接收所述上桥臂控制信号，所述第二三极管的集电极与所述第三电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的另一端相连；

第二推挽电路，所述第二推挽电路的输入端分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第二推挽电路的电源端分别与所述第一直流电源、所述第一PMOS管的源极端和所述第三电阻的一端相连，所述第二推挽电路的地端接地，所述第二推挽电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极端相连。

4.根据权利要求2所述的驱动装置，其特征在于，所述第一推挽电路包括：

第三三极管，所述第三三极管的基极分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第三三极管的集电极分别与所述第一直流电源、所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的源极端相连；

第四三极管，所述第四三极管的基极分别与所述第二电阻的一端和所述第一电阻的另一端相连，所述第四三极管的发射极与所述第三三极管的发射极相连，所述第四三极管的集电极接地，所述第四三极管的发射极和所述第三三极管的发射极分别与所述第一PMOS管的栅极端相连。

5.根据权利要求4所述的驱动装置，其特征在于，所述第一推挽电路还包括：

第五电阻，所述第五电阻的一端分别与所述第三三极管的发射极和所述第一PMOS管的栅极端相连，所述第五电阻的另一端与所述第四三极管的发射极相连。

6.根据权利要求3所述的驱动装置，其特征在于，所述第二推挽电路包括：

第五三极管，所述第五三极管的基极分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第五三极管的集电极分别与所述第一直流电源、所述第三电阻的一端和所述第一PMOS管的源极端相连；

第六三极管，所述第六三极管的基极分别与所述第三电阻的另一端和所述第二三极管的集电极相连，所述第六三极管的发射极与所述第五三极管的发射极相连，所述第六三极管的集电极接地，所述第六三极管的发射极和所述第五三极管的发射极分别与所述第一PMOS管的栅极端相连。

7.根据权利要求6所述的驱动装置，其特征在于，所述第二推挽电路还包括：

第六电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第五三极管的发射极和所述第一PMOS管的栅极端相连，所述第六电阻的另一端与所述第六三极管的发射极相连。

8.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，还包括：

第七电阻，所述第七电阻分别与所述第一PMOS管的源极端和栅极端相连。

9.一种电机驱动电路，其特征在于，包括微控制器和至少一个权利要求1-8中任一项所述的驱动装置，每个所述驱动装置中第一驱动模块和第二驱动模块分别与所述微控制器相连，每个所述驱动装置的输出端与电机的一定子相连。