CN207559073U - 一种用于相控阵的宽扫描角s波段双圆极化微带天线及其阵列 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列,其包括顶部介质层,中间介质层,底部介质层,位于顶部介质层之上的环形结构,位于中间介质层之上的矩形贴片和环形结构,位于地板之上的缝隙,位于底部介质层之下的第一馈线和第二馈线,其两端分别端接左旋圆极化端口和右旋圆极化端口,天线的左旋圆极化通过端口获得,右旋圆极化通过端口获得。其具有扫描范围±70°,宽带宽,大的波束宽度,低的宽角度轴比,结构简单等特点,天线有两个端口,可方便选择任意的左旋或右旋极化方式,并可扩展为任意多的大型相控阵。

Description

一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其 阵列
技术领域
本实用新型涉及一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列,是基于相控阵的应用,尤其是相控阵天线技术领域。
背景技术
双极化技术是无线通信领域十分重要的技术,可用来实现极化分集和极化复用,极化分集是解决无线信道多径衰落的有效方法,而极化复用则可以更加有效地利用有限的频谱资源。且微带天线具有低轮廓、小体积、重量轻、极化特性多样化的特点,极易与馈电网络和有源电路集成,故而得到了广泛的应用。但其窄频带的缺点严重制约着现代无线通信对大带宽的需求。
针对微带天线的优点和缺点,本实用新型设计出了一款工作于扫描范围±70°,大带宽,高增益,双圆极化,低轴比,可应用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种双端口双圆极化宽扫描角S波段微带天线及其阵列,该天线具有结构简单,扫描范围±70°,宽带宽,高增益,低轴比,端口隔离度高,交叉极化性能优越,且方便扩展为任意的大型阵列。
实现本实用新型目的的技术解决方案为:
一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,
所述天线包括顶部介质层(1),中间介质层(2),底部介质层(3),位于顶部介质层(1)之上的第一环形结构(11),位于中间介质层(2)之上的矩形贴片(4)和第二环形结构(10),位于地板(12)之上的缝隙(5),位于底部介质层(3)之下的第一馈线(6)和第二馈线(9),第一馈线(6)和第二馈线(9)两端分别端接左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),所述天线的左旋圆极化通过左旋圆极化端口(7)获得,右旋圆极化通过右旋圆极化端口(8)获得。
其中,所述第一馈线(6)和所述第二馈线(9)分别通过地板(12)之上的缝隙(5)给天线馈电,并通过控制所述缝隙(5)的位置和大小调整耦合到天线能量的大小。
其中,所述第二环形结构(10)和所述第一环形结构(11)分别位于所述中间介质层(2)和所述顶部介质层(1)之上用来拓展天线的波束宽度。
其中,所述天线为矩形形状、圆形形状或三角形形状。
其中,所述缝隙(5)为两条交叉的十字缝隙或三条交叉的缝隙或四条交叉的米字形缝隙。
由上述的宽扫描角S波段双圆极化微带天线组成的天线阵列,所述天线阵列由若干天线单元组成,相邻任意两个天线单元的中心间距小于λ,其中,λ为收发工作频段的中心频率中的高频对应的自由空间波长。
其中,所述天线阵列是由天线单元组成2*2相控阵阵列,其扫描70度时,增益为4.44dB。
本实用新型与现有技术相比,其显著优点为:
首先是实现了大的带宽,完全能覆盖S频段及其拓展频段;其次是在一个天线上实现了双端口双圆极化性能,使用者可根据所需的极化方式自主选择;再次是实现了相控阵对天线的要求,在±70°扫描范围内保持高的增益和低的轴比。
附图说明
图1是本实用新型一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列的结构顶视图。
图2是本实用新型一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列的结构侧视图。
图3是采用HFSS进行仿真的S参数图。
图4是本实用新型天线在端口(8)激励时中心频率为2.1GHz时仿真辐射方向图。
图5是本实用新型天线在端口(7)激励时中心频率为2.1GHz时仿真辐射方向图。
图6是本实用新型天线在宽角范围内轴比。
图7是本实用新型天线在全频段内轴比。
图8是本实用新型天线组成2×2阵列时扫描θ=±70°时的仿真辐射方向图。
具体实施方式
下面结合图以及具体实施例对本实用新型的技术方案作进一步说明。
以下参照附图,进一步描述本实用新型具体技术方案,以便本领域的技术人员进一步理解本实用新型,而不构成对其权利的限制。
需要进行说明的是:
实施例中出现的馈线(6)和馈线(9),端口(7)和端口(8)可以通过不同的附图标记加以区别,而在权利要求书中,附图标记由于不起到限定作用,因此,为了进一步明确其不同,撰写为第一馈线(6)和第二馈线(9),左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),仅仅是为了区分。
如图1所示,本实用新型一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列包括顶部介质层(1),中间介质层(2),底部介质层(3),位于顶部介质层(1)之上的环形结构(11),位于中间介质层(2)之上的矩形贴片(4)和环形结构(10),位于地板(12)之上的缝隙(5),位于底部介质层(3)之下的馈线(6)和馈线(9),馈线(6)和馈线(9)两端分别端接左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),所述天线的左旋圆极化通过端口(7)获得,右旋圆极化通过端口(8)获得。
如图1所示,天线贴片采用矩形贴片实现圆极化,馈电方式采用缝隙耦合馈电。
位于底层介质板(3)背部的馈线(6)和馈线(9)为天线的馈电部分,微带线采用50欧姆阻抗,馈线(6)和馈线(9)两端分别端接一个端口,分别实现左旋圆极化和右旋圆极化,当从端口(7)馈电时,能量通过缝隙耦合到贴片,使天线产生左旋圆极化波,当从端口(8)馈电时,产生右旋圆极化波,原理与从端口(7)馈电的情形完全相同,因此只需调整一个端口的参数,另一个端口的参数即可得到;采用这种形式的馈电方式不但能方便的产生两种极化特性,并且能提高天线两个端口之间的隔离度。
馈线(6)和馈线(9)通过地板上的缝隙(5)给矩形贴片馈电,缝隙的大小和位置决定耦合到贴片的能量大小和极化方式,合理的选择缝隙的位置和大小可调整天线的增益及轴比,
位于中间介质层(2)之上的环形结构及位于顶层介质层(1)之上的环形结构主要作用是展宽天线的波束,并适当的调整天线的增益。
示例性的,本实用新型所使用的天线贴片不仅仅局限于矩形形状,也可采用圆形或三角形等辐射单元,本实用新型实施实例不进行限制。
示例性的,本实用新型所使用的开槽数量不仅仅局限于两条交叉的十字缝隙,也可使用三条或四条交叉的米字形或其它形式,需根据实际性能进行调整,本实用新型实施例不进行限制。
示例性的,本实用新型的耦合馈电形式,也可以采用其它开槽形式,例如哑铃形、H形等、并不局限与本实用新型所用的矩形,本实用新型实施例不进行限制。
图3是本实用新型实施例采用HFSS进行仿真的S参数图。-15dB带宽为:1.8GHz--2.0GHz、2.1GHz--2.46GHz,
图4是本实用新型实施例激励端口(8)在中心频率为2.1GHz时的仿真辐射方向图,主极化为右旋圆极化,两条曲线中不带符号的实线和带圆形符号的虚线分别为phi=0°和phi=90°两个平面,图中最大增益为5.5dB,在θ∈[-70,70]时增益>-1.43dB。
图5是本实用新型实施例激励端口(7)在中心频率为2.1GHz时的仿真辐射方向图,主极化为左旋圆极化,两条曲线中不带符号的实线和带三角形符号的虚线分别为phi=90°和phi=0°两个平面,图中最大增益为5.5dB,在θ∈[-70,70]时增益>-1.49dB。
图6是本实用新型实施例在宽角度范围内的轴比,两条曲线分别为phi=0°和phi=90°两个平面,图中在θ∈[-70,70]最大轴比为4.4dB。
图7是本实用新型实施例在全频段内的轴比,图中在全频段内最大轴比为5.1dB。
图8是本实用新型天线单元组成2×2相控阵天线阵列时,扫描角为70°时的增益,最低增益为4.4dB。
由天线单元组成任意所需的阵列时,相邻任意两个单元的中心间距小于λ(λ为收发工作频段的中心频率中的高频对应的自由空间波长)。
相邻两个单元的中心间距小于λ,以避免出现栅瓣和获得高的增益。
由天线单元组成2*2相控阵阵列时,扫描70度时增益为4.44dB。
本实用新型公开的宽扫描角S波段双圆极化微带天线及其阵列,采用两个端口分别实现两个圆极化,扫描范围±70°,在较宽的工作频段上实现了双圆极化性能,且两个端口隔离度好;采用微带馈电,使得结构简单,便于加工,适合大批量生产,易于天线扩展成任意大型阵列,获取高的增益。
以上所述仅是本实用新型优选实施方式。应当指出,对于本技术领域的普通技术员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应该视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于:
所述天线包括顶部介质层(1),中间介质层(2),底部介质层(3),位于顶部介质层(1)之上的第一环形结构(11),位于中间介质层(2)之上的矩形贴片(4)和第二环形结构(10),位于地板(12)之上的缝隙(5),位于底部介质层(3)之下的第一馈线(6)和第二馈线(9),第一馈线(6)和第二馈线(9)两端分别端接左旋圆极化端口(7)和右旋圆极化端口(8),所述天线的左旋圆极化通过左旋圆极化端口(7)获得,右旋圆极化通过右旋圆极化端口(8)获得。
2.根据权利要求1所述的一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于:
所述第一馈线(6)和所述第二馈线(9)分别通过地板(12)之上的缝隙(5)给天线馈电,并通过控制所述缝隙(5)的位置和大小调整耦合到天线能量的大小。
3.根据权利要求1所述的一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于:
所述第二环形结构(10)和所述第一环形结构(11)分别位于所述中间介质层(2)和所述顶部介质层(1)之上用来拓展天线的波束宽度。
4.根据权利要求1所述的一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于:
所述天线为矩形形状、圆形形状或三角形形状。
5.根据权利要求1所述的一种用于相控阵的宽扫描角S波段双圆极化微带天线,其特征在于:
所述缝隙(5)为两条交叉的十字缝隙或三条交叉的缝隙或四条交叉的米字形缝隙。
6.由权利要求1-5之一所述的宽扫描角S波段双圆极化微带天线组成的天线阵列,其特征在于:
所述天线阵列由若干天线单元组成,相邻任意两个天线单元的中心间距小于λ,其中,λ为收发工作频段的中心频率中的高频对应的自由空间波长。
7.根据权利要求6所述的天线阵列,其特征在于:
所述天线阵列是由天线单元组成2*2相控阵阵列,其扫描70度时,增益为4.44dB。
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