CN207542199U - 抛光组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种抛光组件，涉及半导体技术领域，为解决现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被抛光的问题而设计。涉及一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外侧面依次向外包覆有胶膜层和承载膜层。还涉及一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外周面向外包覆有沉积膜层。还涉及另一种抛光组件，包括：抛光件，抛光件的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层。上述的抛光组件不会使抛光件的外侧面的尺寸发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种抛光组件。
背景技术
化学机械抛光(CMP)技术是半导体材料表面加工的关键技术之一，在大尺寸裸晶圆和硅件表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片或者硅件表面去除材料的过程。
对于双抛机来讲，要想同时加工半导体晶圆和硅件的两面就要用游星轮将待加工部件固定在抛光机的上下盘面之间，上下盘面都贴有抛光布，抛光液在上面抛光盘面上流下来，两个盘面对晶片施加压力将晶片固定在盘面中间，游星轮则会旋转带动晶片在盘面间转动，同时两个大盘同向或者反向旋转，进而达到抛光的目的。
但是在双抛机抛光过程中，待加工件的外表面因为要在游星轮里面旋转，随着抛光液顺着加工件的表面流下来，待加工件的外表面也在抛光液和游星轮内壁的挤压下被抛光，这对于需要保持抛光件原貌或者尽量不要影响该抛光件外表面形貌的要求来说是极为不利的。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提供一种抛光组件，以解决现有技术中存在的在现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被破坏的技术问题。
本实用新型提供的抛光组件，用于抛光工艺中，包括：抛光件，所述抛光件的外侧面依次向外包覆有胶膜层和承载膜层，所述胶膜层和所述承载膜层粘结固定，所述胶膜层粘结在所述抛光件的外侧面。
进一步地，所述胶膜层的材质采用热固化材料、UV固化材料、压敏固化材料中的任一种。
进一步地，所述承载膜层的材质采用树脂、金属、有机纤维中的任一种。
进一步地，所述胶膜层和所述承载膜层的厚度范围均为100nm～10mm。
需要说明的是，该抛光组件应用在抛光工艺中时，该抛光工艺具体步骤如下：
步骤一：将所述胶膜层和所述承载膜层粘结固定，并将所述胶膜层粘结在所述抛光件的外侧面；
步骤二：取下所述抛光件上的所述承载膜层，并使所述胶膜层固化；
步骤三：抛光步骤二中的所述抛光件，待完成抛光后去除步骤二中的所述胶膜层。
进一步地，在所述步骤二中，所述胶膜层通过加热、UV照射或者挤压的方式使其固化。
在所述步骤三中，待完成抛光后，所述抛光件通过煅烧或者湿法去除的方式去除所述抛光件的外侧面的所述胶膜层。
本实用新型的第二目的在于提供一种抛光组件，以解决现有技术中存在的在现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被破坏的技术问题。
本实用新型提供的抛光组件，用于抛光工艺中，包括：抛光件，所述抛光件的外周面向外包覆有沉积膜层。
进一步地，所述沉积膜层的采用氧化膜、氮化膜、金属膜、有机膜中的任一种。
进一步地，所述抛光件通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面向外包覆所述沉积膜层。
需要说明的是，该抛光组件应用在抛光工艺中时，该抛光工艺具体步骤如下：
步骤一：在所述抛光件的外周面沉积一层所述沉积膜层；
步骤二：将步骤一中的所述抛光件的待抛光面处的所述沉积膜层去除，露出待抛光面；
步骤三：抛光步骤二所述抛光件，待完成抛光后去除步骤二中的所述沉积膜层。
进一步地，在所述步骤一中，所述抛光件通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面沉积一层所述沉积膜层。
在所述步骤二中，所述沉积膜层通过气相刻蚀或药液刻蚀方式对待抛光面处的所述沉积膜层去除，使待抛光面露出。
或者是，所述沉积膜层通过研磨或者抛光方式使待抛光面处的所述沉积膜层去除，使待抛光面露出。
在所述步骤三中，待完成抛光后，所述抛光件通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除所述抛光件的外侧面的所述沉积膜层。
本实用新型的第三目的在于提供一种抛光组件，以解决现有技术中存在的在现有抛光工艺过程中，待加工件的外表面在抛光液和游星轮内壁的挤压下也被抛光，使得抛光件的原貌或者抛光件的外表面形貌被破坏的技术问题。
本实用新型提供的抛光组件，用于抛光工艺中，包括：抛光件，所述抛光件的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层。
进一步地，所述抛光件通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面向外包覆所述光刻胶膜层。
进一步地，所述光刻胶膜层的厚度范围为100nm～10mm。
需要说明的是，该抛光组件应用在抛光工艺中时，该抛光工艺具体步骤如下：
步骤一：在所述抛光件的外侧面或外周面涂覆一层所述光刻胶膜层；
步骤二：将步骤一中所述抛光件的待抛光面处的所述光刻胶膜层去除，露出待抛光面；
步骤三：使所述抛光件的外侧面的所述光刻胶膜层固化；
步骤四：抛光步骤三中的所述抛光件，待完成抛光后取下步骤三中的所述光刻胶膜层。
进一步地，在所述步骤一中，所述抛光件通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面涂覆一层所述光刻胶膜层。
所述抛光件的外周面向外包覆有所述光刻胶膜层时，在所述步骤二中，对所述抛光件显影或者药液清洗待抛光面的所述光刻胶膜层。
在所述步骤三中，所述步骤二中的所述光刻胶膜层通过硬烤的方式，使所述抛光件的外侧面的所述光刻胶膜层固化。
在所述步骤四中，待完成抛光后，所述抛光件通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除所述抛光件的外侧面的所述光刻胶膜层。
进一步地，所述抛光件的外周面向外包覆有所述光刻胶膜层时，在所述步骤二中，对所述抛光件采用先曝光后显影的方式去除待抛光面的所述光刻胶膜层。
本实用新型提供的抛光组件的有益效果：
在上述的抛光组件中，由于在抛光件的外周面或外侧边包覆一层保护层(此处的“保护层”指的是上述的胶膜层/承载膜层、沉积膜层或光刻胶膜层)，对抛光件的外侧面(此处的“外侧面”指的是无需抛光的面)进行保护，使得该抛光组件在进行抛光时，能够使抛光件的外侧面原貌不直接与游星轮接触，对抛光件的外侧面原貌起到一定的保护作用；待抛光完成后，通过其他辅助方式将抛光件的外侧面的保护层去除，使得恢复原来的形貌，抛光件的外侧面的尺寸不会发生任何改变，从而达到抛光件的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为抛光时，游星轮和抛光件的位置关系示意图；
图2为本实施例提供的第一种抛光组件中的胶膜层和承载膜层的结构示意图；
图3为本实施例提供的第一种抛光组件的结构示意图；
图4为图3所示第一种抛光组件去除承载膜层后的结构示意图；
图5为本实施例提供的第二种抛光组件的结构示意图，其中，沉积膜层沉积在抛光件的外周面上；
图6为图5所示第二种抛光组件去除部分沉积膜层露出抛光面的结构示意图；
图7为图5所示第二种抛光组件完成抛光后的结构示意图；
图8为本实施例提供的第三种抛光组件的结构示意图；
图9为图8所示第三种抛光组件中光刻胶膜层固化后的结构示意图。
图标：100-保护层；200-抛光件；300-游星轮；110-胶膜层；120-承载膜层；130-沉积膜层；140-光刻胶膜层。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的机构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
实施例
如图1所示，抛光件200采用晶圆或者硅件，其在游星轮300中抛光时，通过游星轮300的旋转带动晶圆或者硅件移动使其上下端面与双抛机上下抛布产生作用达到抛光的目的。
如图2和图3所示，本实施例提供了一种抛光组件，用于抛光工艺中，包括抛光件200，抛光件200的外侧面或外周面向外包覆有保护层100。
在一些实施例中，保护层100的具体结构形式可以有多种，现介绍以下几种，但不限于为以下几种。
第一种抛光组件结构形式：抛光件200的外侧面依次向外包覆有胶膜层110和承载膜层120，胶膜层110和承载膜层120粘结固定，胶膜层110粘结在抛光件200的外侧面。
在一些实施例中，胶膜层110的材质采用热固化材料、UV固化材料、压敏固化材料中的任一种。
其中，承载膜层120的材质采用树脂、金属、有机纤维中的任一种。
其中，胶膜层110和承载膜层120的厚度范围均为100nm～10mm。
本实施例提供了一种如上述的第一种抛光组件的抛光工艺方法，包括以下步骤：
步骤一：将胶膜层110和承载膜层120粘结固定，并将胶膜层110粘结在抛光件200的外侧面(见图3)；
步骤二：取下抛光件200上的承载膜层120，并使胶膜层110固化(见图4)；
步骤三：抛光步骤二中的抛光件200，待完成抛光后去除步骤二中的胶膜层110。
在一些实施例中，在该步骤二中，胶膜层110通过加热、UV照射或者挤压的方式使其固化(见图4)。
在该步骤三中，待完成抛光后，抛光件200通过煅烧或者湿法去除的方式去除抛光件200的外侧面的胶膜层110。
第二种抛光组件结构形式：如图5和图6所示，抛光件200的外周面向外包覆有沉积膜层130。
在一些实施例中，沉积膜层130的采用氧化膜、氮化膜、金属膜、有机膜中的任一种，或者是采用纳米喷漆的方式在抛光件200的外周面喷涂一层沉积膜层130。
具体地，抛光件200通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面向外包覆沉积膜层130。
其中，沉积膜层130的厚度范围为100nm～10mm。
本实施例提供了一种如上述的第二种抛光组件的抛光工艺方法，包括以下步骤：
步骤一：在抛光件200的外周面沉积一层沉积膜层130(见图5)；
步骤二：将步骤一中的抛光件200的待抛光面处的沉积膜层130去除，露出待抛光面(见图6)；
步骤三：抛光步骤二中的抛光件200，待完成抛光后去除步骤二中的沉积膜层130(见图7)。
在一些实施例中，在该步骤一中，抛光件200通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面沉积一层沉积膜层130。
在该步骤二中，沉积膜层130通过气相刻蚀或药液刻蚀方式对待抛光面处的沉积膜层130去除，使待抛光面露出。
或者是，沉积膜层130通过研磨或者抛光方式使待抛光面处的沉积膜层130去除，使待抛光面露出。
在该步骤三中，待完成抛光后，抛光件200通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除抛光件200的外侧面的沉积膜层130。
第三种抛光组件结构形式：如图8和图9所示，抛光件200的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层140。
其中，图8和图9所示的为抛光件200的外侧面向外包覆有光刻胶膜层140。
在一些实施例中，抛光件200通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面向外包覆光刻胶膜层140。
其中，光刻胶膜层140的厚度范围为100nm～10mm。
在上述实施例的基础上，需要说明的是，抛光件200的可以采用柱形结构，或者是，抛光件200的横截面为方形或圆环形的结构等。
以抛光件200为圆柱形结构为例，上述所提到的“外侧面”，其是指圆柱形结构的弧形侧面。
上述所提到的“外周面”，其包括圆柱形结构的弧形侧面以及与弧形侧面相连的两个端面。
本实施例提供了一种如上述的第三种抛光组件的抛光工艺方法，包括以下步骤：
步骤一：在抛光件200的外侧面或外周面涂覆一层光刻胶膜层140(见图8)；
步骤二：将步骤一中抛光件200的待抛光面处的光刻胶膜层140去除，露出待抛光面；
步骤三：使抛光件200的外侧面的光刻胶膜层140固化(见图9)；
步骤四：抛光步骤三中的抛光件200，待完成抛光后取下步骤三中的光刻胶膜层140。
在一些实施例中，在该步骤一中，抛光件200通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面涂覆一层光刻胶膜层140。
在抛光件200的外周面向外包覆有光刻胶膜层140时，在该步骤二中，对抛光件200通过显影或者药液清洗待抛光面的光刻胶膜层140。
在该步骤三中，步骤二中的光刻胶膜层140通过硬烤的方式，使抛光件200的外侧面的光刻胶膜层140固化；
在该步骤四中，待完成抛光后，抛光件200通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除抛光件200的外侧面的光刻胶膜层140。
其中，在抛光件200的外周面向外包覆有光刻胶膜层140时，在该步骤二中，对抛光件200还可采用先曝光后显影的方式去除待抛光面的光刻胶膜层140。
在上述的抛光组件以及抛光工艺方法中，无论采用哪种方式均具有以下有效效果：
由于在抛光件200的外周面或外侧边包覆一层保护层100(此处的“保护层”指的是上述的胶膜层110/承载膜层120、沉积膜层130或光刻胶膜层140)，对抛光件200的外侧面(此处的“外侧面”指的是无需抛光的面)进行保护，使得该抛光组件在抛光时，能够使抛光件200的外侧面原貌不直接与游星轮300接触，对抛光件200的外侧面原貌起到一定的保护作用；待抛光完成后，通过其他辅助方式将抛光件200的外侧面的保护层100去除，使得恢复原来的形貌，抛光件200的外侧面的尺寸不会发生任何改变，从而达到抛光件200的外侧面不受或者少受抛光影响的要求。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外侧面依次向外包覆有胶膜层(110)和承载膜层(120)，所述胶膜层(110)和所述承载膜层(120)粘结固定，所述胶膜层(110)粘结在所述抛光件(200)的外侧面。
2.根据权利要求1所述的抛光组件，其特征在于，所述胶膜层(110)的材质采用热固化材料、UV固化材料、压敏固化材料中的任一种。
3.根据权利要求2所述的抛光组件，其特征在于，所述承载膜层(120)的材质采用树脂、金属、有机纤维中的任一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的抛光组件，其特征在于，所述胶膜层(110)和所述承载膜层(120)的厚度范围均为100nm～10mm。
5.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外周面向外包覆有沉积膜层(130)。
6.根据权利要求5所述的抛光组件，其特征在于，所述沉积膜层(130)的采用氧化膜、氮化膜、金属膜、有机膜中的任一种。
7.根据权利要求6所述的抛光组件，其特征在于，所述抛光件(200)通过采用氧化法、氮化法、气相沉积法、磁控溅射法、物理气相沉积法中的任一种在其外周面向外包覆所述沉积膜层(130)。
8.一种抛光组件，用于抛光工艺中，其特征在于，包括：抛光件(200)，所述抛光件(200)的外侧面或外周面向外包覆有光刻胶膜层(140)。
9.根据权利要求8所述的抛光组件，其特征在于，所述抛光件(200)通过采用磁控溅射法或提拉法在其外侧面或外周面向外包覆所述光刻胶膜层(140)。
10.根据权利要求9所述的抛光组件，其特征在于，所述光刻胶膜层(140)的厚度范围为100nm～10mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721751097.5U CN207542199U (zh) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | 抛光组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201721751097.5U CN207542199U (zh) | 2017-12-15 | 2017-12-15 | 抛光组件 |
Publications (1)
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| CN207542199U true CN207542199U (zh) | 2018-06-26 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN207542199U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108098570A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-01 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 抛光组件及其抛光工艺方法 |
-
2017
- 2017-12-15 CN CN201721751097.5U patent/CN207542199U/zh active Active
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| CN108098570A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-01 | 苏州新美光纳米科技有限公司 | 抛光组件及其抛光工艺方法 |
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