CN207529933U - 光束成像装置 - Google Patents
光束成像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207529933U CN207529933U CN201721589774.8U CN201721589774U CN207529933U CN 207529933 U CN207529933 U CN 207529933U CN 201721589774 U CN201721589774 U CN 201721589774U CN 207529933 U CN207529933 U CN 207529933U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- graph
- refractive index
- light beam
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种光束成像装置，包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的图形层，所述图形层包括图形层底层和图形层表层，所述图形层底层位于所述衬底层之上，所述图形层表层位于所述图形层底层之上；位于所述图形层底层之上的钝化层；位于所述钝化层之上的电极层，所述电极层的电极与所述图形层表层接触；其中，所述图形层表层的折射率大于所述图形层底层的折射率，所述图形层表层的折射率大于所述钝化层的折射率。本实用新型具有如下优点：可以实现低成本的低传输损耗的成像。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光束成像装置。
背景技术
光束成像装置是激光雷达的核心部分，在汽车无人驾驶和安防环境监测方面具有优异的潜在应用优势。传统的光束成像装置一般包括棱镜，不利于集成化。现代的光束成像装置存储成本较高、传输损耗较高和稳定性较低的缺点。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决上述技术问题之一。
为此，本实用新型的目的在于提出一种低成本、传输损耗低的光束成像装置。
为了实现上述目的，本实用新型的实施例公开了一种光束成像装置，包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的图形层，所述图形层包括图形层底层和图形层表层，所述图形层底层位于所述衬底层之上，所述图形层表层位于所述图形层底层之上；形成在所述图形层表层之上的钝化层；形成在所述钝化层之上的电极层，所述电极层的电极与所述图形层表层接触；其中，所述图形层表层的折射率大于所述图形层底层的折射率，所述图形层表层的折射率大于所述钝化层的折射率。
进一步地，所述衬底层包括：衬底层底层；形成在所述衬底层底层之上的衬底层表层；其中，所述衬底层表层的折射率小于所述图形层底层的折射率。
进一步地，所述衬底层表层的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。
进一步地，所述图形层表层的禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的半导体材料构成。
进一步地，所述图形层表层的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。
进一步地，所述图形层底层由禁带宽度不小于2.3eV的半导体材料构成。
进一步地，所述钝化层由禁带宽度不小于2.3eV的半导体材料构成。
进一步地，所述钝化层的材料为Si、SiO2或Al2O3材料。
进一步地，所述电极层的电阻率不大于5×10-7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV。
进一步地，所述电极层的材料为Ag、Cu、Au、Al、Pt、Ni、Cr、Ti或ITO。
根据本实用新型实施例的光束成像装置，通过使图形层表层的折射率大于图形层底层的折射率，且大于所述钝化层的折射率，可以使降低光传输损耗，且装置成本低、稳定性高。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本实用新型一个实施例的光束成像装置的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
参照下面的描述和附图，将清楚本实用新型的实施例的这些和其他方面。在这些描述和附图中，具体公开了本实用新型的实施例中的一些特定实施方式，来表示实施本实用新型的实施例的原理的一些方式，但是应当理解，本实用新型的实施例的范围不受此限制。相反，本实用新型的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
以下结合附图描述本实用新型。
图1是本实用新型一个实施例的光束成像装置的结构示意图。如图1所示，本实用新型实施例的光束成像装置，包括衬底层100、图形层200、钝化层300和电极层400。其中，图形层200形成在衬底层100之上。图形层200包括图形层底层210和图形层表层220。图形层底层210位于衬底层100之上，图形层表层220位于图形层底层210之上。钝化层300形成在图形层表层220之上。电极层400形成在钝化层300之上，且电极层400的电极与图形层表层220接触，电极层400的主要作用是连接电源与图形层300，对在图形层300中传输的光进行调制。其中，图形层表层220的折射率大于图形层底层210的折射率，图形层表层220的折射率大于钝化层300的折射率，可以使得光在图形层表层220与图形层底层210和钝化层300的界面处发生全反射，实现光在在图形层表层220中传输，可以降低传输损耗。
在本实用新型的一个实施例中，衬底层100包括衬底层底层110和衬底层表层120。其中，衬底层底层110为绝缘体材料，主要作用是承载和便于集成。在本实用新型的一个示例中，衬底层底层110为SiO2材料。衬底层表层120形成在衬底层底层110之上，且衬底层表层120的折射率小于图形层底层的折射率，衬底层表层120的主要作用是将光限制在图形层的底层中传输。
在本实用新型的一个实施例中，衬底层表层120禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的半导体材料构成。
进一步地，衬底层表层120的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。在本实用新型的一个示例中，衬底层表层120为ZnS材料。ZnS材料的室温禁带宽度为3.7eV，折射率为2.2。
在本实用新型的一个实施例中，图形层底层210为禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的高折射宽禁带半导体材料。在本实用新型的一个示例中，图形层底层210为GaP材料。GaP材料的室温禁带宽度为2.3eV，折射率为3.5。在本实用新型的一个实施例中，图形层表层220为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于图形层底层210的折射率的低折射宽禁带材料.进一步地，图形层表层的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。较佳地，图形层表层220为AlP材料。AlP材料的室温禁带宽度为2.5eV，折射率为3.0。可以理解的是，GaP材料的折射率高于ZnS和AlP材料，使光在GaP材料与ZnS和AlP材料的界面处发生全反射，从而实现光在GaP材料中传输。
在本实用新型的一个实施例中，钝化层300由禁带宽度不小于2.3eV的半导体材料构成。进一步地，钝化层的材料为Si、SiO2或Al2O3材料。较佳地，钝化层300为SiO2材料。SiO2材料的室温禁带宽度为8.0eV，折射率为1.5。可以理解的是，图形层200材料如果直接与外界长期作用，就容易受到化学腐蚀或机械划伤。钝化层300的主要作用是使图形层材料与外界隔离，防止图形层200受损。同时，钝化层300折射率低于图形层表层220的折射率，能起到降低光的传输损耗的作用。
在本实用新型的一个实施例中，电极层400的电阻率不大于5×10-7Ω·m且与图形层300的接触势垒不大于1.5eV。进一步地，电极层400的材料为Ag、Cu、Au、Al、Pt、Ni、Cr、Ti或ITO。较佳地，电极层400为Al/Au材料。Al材料的电阻率为2.7×10-8Ω·m，Au材料的电阻率为2.4×10-8Ω·m。可以理解的是，低电阻率的材料具有高的导电性能，低的接触势垒有利于电流的传导。并且，金属材料的热导率高，有利于散热。
根据本实用新型实施例的光束成像装置，通过使图形层表层的折射率大于图形层底层的折射率，且大于所述钝化层的折射率，可以使降低光传输损耗，且装置成本低、稳定性高。
另外，本实用新型实施例的光束成像装置的其它构成以及作用对于本领域的技术人员而言都是已知的，为了减少冗余，不做赘述。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同限定。
Claims (10)
1.一种光束成像装置，其特征在于，包括：
衬底层；
形成在所述衬底层之上的图形层，所述图形层包括图形层底层和图形层表层，所述图形层底层位于所述衬底层之上，所述图形层表层位于所述图形层底层之上；
形成在所述图形层表层之上的钝化层；
形成在所述钝化层之上的电极层，所述电极层的电极与所述图形层表层接触；
其中，所述图形层表层的折射率大于所述图形层底层的折射率，所述图形层表层的折射率大于所述钝化层的折射率。
2.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述衬底层包括：
衬底层底层；
形成在所述衬底层底层之上的衬底层表层；
其中，所述衬底层表层的折射率小于所述图形层底层的折射率。
3.根据权利要求2所述的光束成像装置，其特征在于，所述衬底层表层的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。
4.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层表层的禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的半导体材料构成。
5.根据权利要求4所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层表层的材料为ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO或ITO。
6.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层底层由禁带宽度不小于2.3eV的半导体材料构成。
7.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述钝化层由禁带宽度不小于2.3eV的半导体材料构成。
8.根据权利要求7所述的光束成像装置，其特征在于，所述钝化层的材料为Si、SiO2或Al2O3材料。
9.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述电极层的电阻率不大于5×10-7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV。
10.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述电极层的材料为Ag、Cu、Au、Al、Pt、Ni、Cr、Ti或ITO。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721589774.8U CN207529933U (zh) | 2017-11-23 | 2017-11-23 | 光束成像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721589774.8U CN207529933U (zh) | 2017-11-23 | 2017-11-23 | 光束成像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207529933U true CN207529933U (zh) | 2018-06-22 |
Family
ID=62580048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721589774.8U Active CN207529933U (zh) | 2017-11-23 | 2017-11-23 | 光束成像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207529933U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449265A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-03-08 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置 |
| CN109613518A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-12 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置 |
| CN109975786A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-05 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置以及激光雷达 |
-
2017
- 2017-11-23 CN CN201721589774.8U patent/CN207529933U/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109449265A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-03-08 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置 |
| CN109613518A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-12 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置 |
| CN109975786A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-05 | 中科天芯科技（北京）有限公司 | 一种光束成像装置以及激光雷达 |
| CN109975786B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-03-02 | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 | 一种光束成像装置以及激光雷达 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207529933U (zh) | 光束成像装置 | |
| Sannicolo et al. | Metallic nanowire‐based transparent electrodes for next generation flexible devices: a review | |
| CN101855733B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN101320766B (zh) | 电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN101783382B (zh) | 发光器件 | |
| JP6862341B2 (ja) | 太陽電池の箔ベースのメタライゼーションに対するレーザ停止部層 | |
| JP5962663B2 (ja) | 透明導電膜付きガラス板 | |
| CN108415344A (zh) | 一种多功能控制电路及食物料理机 | |
| CN110289335A (zh) | 基于In2Se3/Si垂直结构异质结的自驱动近红外长波光电探测器及其制作方法 | |
| CN208284493U (zh) | 一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片 | |
| CN101378100A (zh) | 发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN101315962A (zh) | 发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN106324869A (zh) | 基于石墨烯的微带线行波吸收型光调制器 | |
| CN105720208A (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| CN208433358U (zh) | 一种高性能熔断器 | |
| KR102556009B1 (ko) | 필러 구조체 및 이를 포함하는 전자 기기 | |
| CN109830488A (zh) | 光束成像装置 | |
| CN109449265A (zh) | 一种光束成像装置 | |
| CN207516977U (zh) | 耐高低温的电容式触摸屏 | |
| CN208156478U (zh) | 多功能控制电路及食物料理机 | |
| CN109427994A (zh) | 一种有机光电器件 | |
| KR102032286B1 (ko) | 실리콘 태양전지 | |
| CN201237954Y (zh) | 一种大爬距盘形悬式玻璃绝缘子 | |
| CN101430938A (zh) | 一种微尖端阵列器件及其制作方法 | |
| CN109696755A (zh) | 光束成像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Tian Lifei Inventor after: Liu Jingwei Inventor after: Zhang Xinqun Inventor after: Tong Fei Inventor before: Tian Lifei Inventor before: Li Zhiyong Inventor before: Liu Jingwei Inventor before: Zhang Xinqun Inventor before: Tong Fei |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191016 Address after: 314400 building 4, No.17 Caohejing Road, Haining Economic Development Zone, Haining City, Jiaxing City, Zhejiang Province Patentee after: Guoke optical core (Haining) Technology Co., Ltd. Address before: 100000 Haidian District Qinghua East Road, Beijing 35, 305, room 3, Apricot Garden, Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences. Patentee before: Zhongke Tian core technology (Beijing) Co., Ltd. |