CN207451630U - 冷氢化硅粉放空系统 - Google Patents

冷氢化硅粉放空系统 Download PDF

Info

Publication number
CN207451630U
CN207451630U CN201721472033.1U CN201721472033U CN207451630U CN 207451630 U CN207451630 U CN 207451630U CN 201721472033 U CN201721472033 U CN 201721472033U CN 207451630 U CN207451630 U CN 207451630U
Authority
CN
China
Prior art keywords
surge tank
silica flour
solenoid valve
cold hydrogenation
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721472033.1U
Other languages
English (en)
Inventor
方仕林
方红承
隋宝勋
鲁瑞尧
张金宝
蒋前舟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang Central Hesheng Silicon Industry Co ltd
Original Assignee
XINJIANG HEJING TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by XINJIANG HEJING TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical XINJIANG HEJING TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201721472033.1U priority Critical patent/CN207451630U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207451630U publication Critical patent/CN207451630U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种冷氢化硅粉放空系统,包括硅粉储罐、放空过滤器和缓冲罐,所述硅粉储罐的出口与缓冲罐的入口连通,所述缓冲罐的出口与放空过滤器的入口连通,所述缓冲罐上设置压力传感器,所述缓冲罐的入口处设置第一电磁阀,所述缓冲罐的出口处设置第二电磁阀,所述压力传感器采集的信号传输至控制器后,控制器根据接收的信号控制第一电磁阀和第二电磁阀的开闭。以实现减少对陶瓷滤芯损坏,降低更换成本,确保清洁生产的优点。

Description

冷氢化硅粉放空系统
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产领域,具体地,涉及一种冷氢化硅粉放空系统。
背景技术
目前,在多晶硅生产中大多企业都采用改良西门子法,即一个闭路循环系统,所以必须有一个冷氢化系统消耗四氯化硅生产三氯氢硅,冷氢化生产过程控制压力在2.5mpa以上,必须消耗的原料其中之一就有硅粉,而硅粉加入流化床中需要高压氢气推动硅粉进入硫化床,添加完硅粉后硅粉储罐中的高压氢气需要放空,而氢气中会带有硅粉需要放空过滤器进行过滤,而高压氢气对放空过滤器的陶瓷滤芯有很大的冲击力损坏滤芯。
现有技术如图1所示,硅粉放到硅粉储罐中,打开输送氢气的阀门,保证管道畅通,打开氢气冲压阀门冲压达到预定压力,打开下料阀门给流化床补充硅粉,补充完硅粉后关闭所有阀门,打开硅粉放空阀门进行放空,而氢气中会带有硅粉需要过滤器进行过滤进行排放。而高压氢气放空由于压差太大造成流速过快,对放空过滤器中的陶瓷滤芯有很大的冲击力损坏滤芯,如果滤芯坏会造成粉尘污染。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,针对上述问题,提出一种冷氢化硅粉放空系统,以实现减少对陶瓷滤芯损坏,降低更换成本,确保清洁生产的优点。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
一种冷氢化硅粉放空系统,包括硅粉储罐、放空过滤器和缓冲罐,所述硅粉储罐的出口与缓冲罐的入口连通,所述缓冲罐的出口与放空过滤器的入口连通,所述缓冲罐上设置压力传感器,所述缓冲罐的入口处设置第一电磁阀,所述缓冲罐的出口处设置第二电磁阀,所述压力传感器采集的信号传输至控制器后,控制器根据接收的信号控制第一电磁阀和第二电磁阀的开闭。
进一步地,所述缓冲罐的横截面为6.2m2
进一步地,当压力传感器测量的缓冲罐内的压力达到0.3mpa时,控制器控制第二电磁阀开启。
本实用新型的技术方案具有以下有益效果:
本实用新型的技术方案通过在硅粉储罐和放空过滤器添加缓冲罐,以减小氢气放空压差降低氢气流速,从而达到减少对陶瓷滤芯损坏,降低更换成本,确保清洁生产的目的。
附图说明
图1为现有技术的冷氢化硅粉放空系统的结构示意图;
图2为本实用新型实施例所述的冷氢化硅粉放空系统的结构示意图。
结合附图,本实用新型实施例中附图标记如下:
1-硅粉储罐;2-放空过滤器;3-缓冲罐。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图2所示,一种冷氢化硅粉放空系统,包括硅粉储罐、放空过滤器和缓冲罐,硅粉储罐的出口与缓冲罐的入口连通,缓冲罐的出口与放空过滤器的入口连通,缓冲罐上设置压力传感器,缓冲罐的入口处设置第一电磁阀,缓冲罐的出口处设置第二电磁阀,压力传感器采集的信号传输至控制器后,控制器根据接收的信号控制第一电磁阀和第二电磁阀的开闭。
其中,缓冲罐的横截面为6.2m2
当压力传感器测量的缓冲罐内的压力达到0.3mpa时,控制器控制第二电磁阀开启。即当压力传感器测量的压力达到0.3mpa时,控制器控制第一电磁阀闭合,然后控制第二电磁阀打开,从而将缓冲罐内的气体放入到放空过滤器中,而当气体放空后,控制器控制第二电磁阀闭合,然后控制第一电磁阀打开,继续为缓冲罐充气。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种冷氢化硅粉放空系统,其特征在于,包括硅粉储罐、放空过滤器和缓冲罐,所述硅粉储罐的出口与缓冲罐的入口连通,所述缓冲罐的出口与放空过滤器的入口连通,所述缓冲罐上设置压力传感器,所述缓冲罐的入口处设置第一电磁阀,所述缓冲罐的出口处设置第二电磁阀,所述压力传感器采集的信号传输至控制器后,控制器根据接收的信号控制第一电磁阀和第二电磁阀的开闭。
2.根据权利要求1所述的冷氢化硅粉放空系统,其特征在于,所述缓冲罐的横截面为6.2m2
3.根据权利要求1或2所述的冷氢化硅粉放空系统,其特征在于,当压力传感器测量的缓冲罐内的压力达到0.3mpa时,控制器控制第二电磁阀开启。
CN201721472033.1U 2017-11-07 2017-11-07 冷氢化硅粉放空系统 Active CN207451630U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721472033.1U CN207451630U (zh) 2017-11-07 2017-11-07 冷氢化硅粉放空系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721472033.1U CN207451630U (zh) 2017-11-07 2017-11-07 冷氢化硅粉放空系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207451630U true CN207451630U (zh) 2018-06-05

Family

ID=62254114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721472033.1U Active CN207451630U (zh) 2017-11-07 2017-11-07 冷氢化硅粉放空系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207451630U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109847470A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 冷氢化硅粉加料系统放空氢气回收系统和方法
CN115285999A (zh) * 2022-07-28 2022-11-04 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种用于三氯氢硅生产的自动推料系统和推料方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109847470A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 冷氢化硅粉加料系统放空氢气回收系统和方法
CN115285999A (zh) * 2022-07-28 2022-11-04 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种用于三氯氢硅生产的自动推料系统和推料方法
CN115285999B (zh) * 2022-07-28 2024-01-30 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种用于三氯氢硅生产的自动推料系统和推料方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207451630U (zh) 冷氢化硅粉放空系统
CN207137515U (zh) 一种y型过滤器
CN203577514U (zh) 一种抗压性强的气体过滤器
CN107638725A (zh) 一种用于化工实验的过滤装置
CN103307352A (zh) 一种过滤阀
CN204226810U (zh) 一种控制流体管道开断机构
CN205925167U (zh) 清洁式过滤节流截止阀
CN202832470U (zh) 原油气液分离流程集成设备
CN204985809U (zh) 一种防爆球阀
CN214466381U (zh) 一种带止回阀的一体式补气阀
CN103861347B (zh) 一种污水过滤处理装置
CN210159308U (zh) 无堵塞过滤器及过滤系统
CN204437306U (zh) 带杂质过滤装置的高压差截止阀
CN208268485U (zh) 一种防止逆流阀体
CN202402657U (zh) 一种排污阀
CN206577488U (zh) 注塑模具废气处理管
CN204798966U (zh) 一种压力可视的保安过滤器
CN205806599U (zh) 一种新型压力自动开启阀
CN204757389U (zh) 一种用于开水器加热罐的泄压装置
CN204187053U (zh) 新型水封调节阀
CN206901061U (zh) 一种真空缓冲罐
CN204756096U (zh) 一种组合阀
CN203926857U (zh) 新型除尘阀
CN204083338U (zh) 一种分体式带过滤网球阀
CN210214106U (zh) 一种有自动减压装置的气力输送压力仓

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221214

Address after: Room 8-05, Management Committee, No. 2345, Hanhai East Street, Ganquanbao Economic and Technological Development Zone, Urumqi, 830000 Xinjiang Uygur Autonomous Region

Patentee after: Xinjiang Central Hesheng Silicon Industry Co.,Ltd.

Address before: No. 5-10, No. 37, North 4th East Road, Shihezi Development Zone, County level Administrative Division, Xinjiang Uygur Autonomous Region, 832000

Patentee before: XINJIANG HEJING ENERGY TECHNOLOGY CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right